專利名稱：橢圓發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高功率發(fā)光二極管，特別是涉及一種可增加光照度的橢圓 發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的發(fā)光二極管(LED)，是借LED晶粒來產(chǎn)生光源，并由罩設(shè)在LED晶 粒外周的LED透鏡(Lens)，輔助光源向外散射，以達到照明的使用效果。參考圖1，為第一種公知發(fā)光二極管極的半球形透鏡(Lens) 101,此為藍 色反射體型態(tài)(Lambertian Patten)。參考圖2，為第二種公知發(fā)光二極管極的扁平型的透鏡(Lens)102。 參考圖3，為第三種公知發(fā)光二極管極的翼型透鏡(Lens) 103。 參考圖4,為第三種公知發(fā)光二極管極的側(cè)向散射型的透鏡(Lens)104。 參考圖5,為第一種公知發(fā)光二極管極的立體花形的透鏡(Lens) 105。 上述五種發(fā)光二極管的透鏡(Lens) 101、 102、 103、 104、 105，雖然外形 結(jié)構(gòu)有別，但是，其共同的特色是，透鏡(Lens)lOl、 102、 103、 104、 105的 外周徑一致，所以，當LED晶粒通電后，可借這些透鏡(Lens) 101、 102、 103、 104、 105以散射出對襯的光源。由于一般發(fā)光二極管(LED)的透鏡(Lens),均是散射出對襯的光形，這也 是現(xiàn)有發(fā)光二極管的照射角度無法突破的原因。因而，導(dǎo)致在照明設(shè)備的運用 上，需再配合其它光罩作二次光學(xué)，才能達到預(yù)期的需求光形。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種橢圓發(fā)光二極管，借以不對襯的光形，達到擴 增光源的照射范圍的目的，用以解決現(xiàn)有發(fā)光二極管的對襯光形，導(dǎo)致光照度 有所局限的問題。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種橢圓發(fā)光二極管，包含有一芯片主體與一發(fā)光二極管透鏡。該發(fā)光二極管透鏡，罩設(shè)在該芯片主體上，并具有一 透射部。該透射部具有一長軸與一短軸，其中此長軸與短軸所散射出的光形比值大于或等于1.5至5之間。本發(fā)明的橢圓發(fā)光二極管，將發(fā)光二極管透鏡的長軸與短軸所散射出的光 形角度比值設(shè)成大于或等于1. 5至5之間，透射部在長軸與短軸方向延伸的部 分，將可投射出不對襯的光形，而且還借助長軸部分，將照射光形更向外延伸， 以擴增光源照射范圍，而使橢圓發(fā)光二極管的光效率大幅提升。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。


圖1為第一種公知發(fā)光二極管透鏡的側(cè)視圖；圖2為第二種公知發(fā)光二極管透鏡的側(cè)視圖；圖3為第三種公知發(fā)光二極管透鏡的側(cè)視圖；圖4為第四種公知發(fā)光二極管透鏡的側(cè)視圖；圖5為第五種公知發(fā)光二極管透鏡的側(cè)視圖；圖6為本發(fā)明第一實施例的橢圓發(fā)光二極管的立體圖；圖7為該第一實施例的側(cè)視圖；圖8為該第一實施例的另一側(cè)視圖；圖9為該第一實施例的該發(fā)光二極管透鏡的剖視圖；圖10為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管透鏡剖視圖；圖11為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光二極管透鏡剖視圖；圖12為本發(fā)明的橢圓發(fā)光二極管的長軸X與短軸Y其光源照射角度的曲線圖。其中，附圖標記 101:透鏡 103:透鏡 105:透鏡 110:基座130:發(fā)光二極管透鏡102:透鏡 104:透鏡100:橢圓發(fā)光二極管120:芯片主體130':發(fā)光二極管透鏡130'，發(fā)光二極管透鏡 131:透射部1311:橢圓截面 132:水平凸緣140:金屬端子具體實施方式
參考圖6，為本發(fā)明的第一實施例的立體圖。 參考圖7，為該第一實施例的側(cè)視圖。參考圖6與圖7，本發(fā)明該第一實施例的橢圓發(fā)光二極管100，功率至少 1瓦特(W)，并包含有一基座110、 一芯片主體120、 一發(fā)光二極管透鏡130, 以及二金屬端子140。該基座110為一絕緣體。該芯片主體120為一導(dǎo)體(晶粒)，并且載設(shè)于該基座110的頂面中間位置。 該金屬端子140，設(shè)置于該基座110周側(cè)，并與該芯片主體120構(gòu)成電連接。圖8為該第一實施例的另一側(cè)視圖。參考圖6、圖7與圖8，該發(fā)光二極管透鏡130，罩設(shè)在該芯片主體120 上。該發(fā)光二極管透鏡130具有一透射部131，以及一環(huán)設(shè)在該透射部131外 側(cè)的水平凸緣132。該透射部131為一立體半橢圓形，并具有一橢圓截面1311。 在本實施例中，橢圓截面1311為透射部131相鄰于該芯片主體120的內(nèi)表面。 該橢圓截面1311具有一長軸X與一短軸Y，其中此長軸X與短軸Y所散射出 的光形比值大于或等于1. 5至5之間。參考圖9，為本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光二極管透鏡的剖視圖。該第一實施例中，該發(fā)光二極管透鏡130為部分中空體。也就是，該透射 部131部分地填滿該發(fā)光二極管透鏡130內(nèi)部。參考圖12，為本發(fā)明橢圓發(fā)光二極管的長軸X與短軸Y所散射出的光形 角度的曲線圖。經(jīng)試驗得出，本發(fā)明橢圓發(fā)光二極管的長軸X所散射出的光形角度e遠大 于短軸Y的光形角度e 。因此，運用在各種電子設(shè)備上，確實可延伸照射的范 圍，以提升整體的光照度(Lux)。參考圖IO，為本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光二極管透鏡130'的剖視圖。參考圖6，本發(fā)明該第二實施例的橢圓發(fā)光二極管100，包含有與第一實 施例相同結(jié)構(gòu)的一基座110、 一芯片主體120，以及二金屬端子140。參考圖10，該第二實施例與第一實施例不同的地方，只是將該發(fā)光二極 管透鏡130'設(shè)成實心體。也就是，該透射部131'完全地填滿該發(fā)光二極管 透鏡130'內(nèi)部，其預(yù)期達到的使用效果均與上述第一實施例相同，不再贅述。參考圖ll，為本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光二極管透鏡130，'的剖視圖。該第三實施例的發(fā)光二極管透鏡130，'的結(jié)構(gòu)也為一種部分中空體。也 就是，該透射部131''部分地填滿該發(fā)光二極管透鏡130，，內(nèi)部，其預(yù)期 達到的使用效果均與上述第一實施例相同，不再贅述。經(jīng)上述說明，相比于公知由于一般發(fā)光二極管(LED)的透鏡(Lens)，局限 于只發(fā)射出對襯的光形的缺陷。本發(fā)明的橢圓發(fā)光二極管，借以長軸X與短軸 Y可投射出不對襯的光形，透射部131、 131， 、 131'，在長軸X與短軸Y方 向延伸的部分，將可投射出不對襯的光形，而且還借助長軸X部分，將照射光 形更向外延伸，以擴增光源照射范圍，而使橢圓發(fā)光二極管的光效率大幅提升。因此，在照明設(shè)備的運用上，本發(fā)明的橢圓發(fā)光二極管無需配合其它二次 光學(xué)結(jié)構(gòu)，就可以自身結(jié)構(gòu)達到需求光形。當然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這 些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1. 一種橢圓發(fā)光二極管，其特征在于，包含有一芯片主體，功率至少1瓦特；以及一發(fā)光二極管透鏡，罩設(shè)在該芯片主體上，并具有一透射部；該透射部具有一長軸與一短軸，其中此長軸與短軸所散射出的光形比值大于或等于1.5至5之間。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的橢圓發(fā)光二極管，其特征在于，該透射部為立 體半橢圓形，并具有一橢圓截面，該橢圓截面具有該長軸與該短軸。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的橢圓發(fā)光二極管，其特征在于，該透射部部份 地填滿設(shè)于該發(fā)光二極管透鏡內(nèi)部。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的橢圓發(fā)光二極管，其特征在于，該透射部完全 地填滿設(shè)于該發(fā)光二極管內(nèi)部。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的橢圓發(fā)光二極管，其特征在于，該橢圓截面為 該透射部相鄰于該芯片主體的一內(nèi)表面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種橢圓發(fā)光二極管，功率至少1瓦特，包含有一芯片主體與一發(fā)光二極管透鏡。該發(fā)光二極管透鏡，罩設(shè)在該芯片主體上，并具有一透射部。該透射部具有一長軸與一短軸，其中此長軸與短軸所散射出的光形比值大于或等于1.5至5之間。
文檔編號H01L33/00GK101262034SQ20071008730
公開日2008年9月10日 申請日期2007年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月9日
發(fā)明者洪榮豪, 邢陳震侖 申請人:葳天科技股份有限公司