專利名稱：基板處理裝置、基板吸附方法和存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置，基板吸附方法和存儲介質(zhì)，特別是涉及具有吸附基板的靜電卡盤的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
對作為基板的晶片進(jìn)行等離子體處理，例如進(jìn)行蝕刻處理的基板處理裝置具有收容晶片的收容室，和配置在該收容室內(nèi)，載置晶片的載置臺。該基板處理裝置在收容室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，利用該等離子體對晶片進(jìn)行蝕刻處理。
載置臺在其上部具有由在內(nèi)部有電極板的絕緣性部件構(gòu)成的靜電卡盤，晶片載置在靜電卡盤上。當(dāng)對晶片進(jìn)行蝕刻處理時，將直流電壓加在電極板上，利用由該直流電壓產(chǎn)生的庫侖力或Johnsen-Rahbek力，靜電卡盤吸附晶片。
通常，作為靜電卡盤有內(nèi)部具有2個以上的電極板的雙極型和內(nèi)部具有一個電極板的單極型。雙極型的靜電卡盤通常在2個以上的電極板之間賦予電位差吸附晶片(例如，參照專利文獻(xiàn)1和2)，單極型的靜電卡盤通過在電極板和晶片之間賦予電位差吸附晶片。
日本特開平5-190654號公報[專利文獻(xiàn)2]日本特開平10-270539號公報然而，在靜電卡盤吸附晶片時，當(dāng)將過剩的正的直流電壓施加在電極板上時，從包圍被吸附的晶片的周邊邊緣部(edging)或靜電卡盤的周圍配置的聚焦環(huán)，產(chǎn)生為局部的直流放電的電弧放電。在電弧放電時，由于能量集中在放電目的地例如收容室的內(nèi)壁面上，附著在收容室內(nèi)壁面上的堆積物剝離飛散，成為顆粒。該顆粒附著在晶片表面，成為由晶片制造的半導(dǎo)體器件缺陷的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供可防止顆粒附著在基板表面上的基板處理裝置，基板吸附方法和存儲介質(zhì)。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明第一方面所述的基板處理裝置，對基板進(jìn)行處理，其特征在于，具有收容上述基板的收容室和配置在該收容室內(nèi)并且載置上述基板的載置臺，在該載置臺的上部有由內(nèi)部具有電極板的絕緣性部件構(gòu)成的靜電卡盤，上述電極板與直流電源連接，當(dāng)上述靜電卡盤吸附上述基板時，上述直流電源向上述電極板施加負(fù)電壓。
本發(fā)明的第二方面的基板處理裝置，其特征在于，在上述第一方面所述的基板處理裝置中，當(dāng)上述靜電卡盤使上述基板脫離時，上述直流電源向上述電極板施加正電壓，上述正電壓的值在1500V以下。
本發(fā)明的第三方面的基板處理裝置，其特征在于，在上述第一方面所述的基板處理裝置中，上述載置臺與高頻電源連接，在上述直流電源向上述電極板施加上述負(fù)電壓之前，上述高頻電源向上述載置臺施加高頻電力。
本發(fā)明的第四方面的基板處理裝置，其特征在于，在上述第二方面所述的基板處理裝置中，上述載置臺與高頻電源連接，在上述直流電源向上述電極板施加上述負(fù)電壓之前，上述高頻電源向上述載置臺施加高頻電力。
本發(fā)明的第五方面所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述第一方面～第四方面的任一方面所述的基板處理裝置中，在上述基板的表面形成有多晶硅層，上述處理為蝕刻處理。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第六方面所述的基板吸附方法，是在基板處理裝置中的基板吸附方法，上述基板處理裝置具有收容基板的收容室和配置在該收容室內(nèi)并且載置上述基板的載置臺，在該載置臺的上部具有由內(nèi)部有電極板的絕緣性部件構(gòu)成的靜電卡盤，上述電極板與直流電源連接，該基板吸附方法包括當(dāng)上述靜電卡盤吸附上述基板時，上述直流電源向上述電極板施加負(fù)電壓的負(fù)電壓施加步驟。
本發(fā)明的第七方面所述的基板吸附方法的特征在于，在第六方面所述的基板吸附方法中，包括當(dāng)上述靜電卡盤使上述基板脫離時，上述直流電源向上述電極板施加正電壓的正電壓施加步驟，上述正電壓的值為1500V以下。
本發(fā)明的第八方面所述的基板吸附方法的特征在于，在第六方面所述的基板吸附方法中，包括在上述直流電源向上述電極板施加上述負(fù)電壓前，與上述載置臺連接的上述高頻電源向上述載置臺施加高頻電力的高頻電力施加步驟。
本發(fā)明的第九方面所述的基板吸附方法的特征在于，在第七方面所述的基板吸附方法中，包括在上述直流電源向上述電極板施加上述負(fù)電壓前，與上述載置臺連接的上述高頻電源向上述載置臺施加高頻電力的高頻電力施加步驟。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第十方面所述的存儲介質(zhì)的特征在于，是存儲有在計算機中施行基板吸附方法的程序的計算機可讀取的存儲介質(zhì)，該基板吸附方法在基板處理裝置中運行，該基板處理裝置具有收容基板的收容室，和配置在該收容室內(nèi)且載置上述基板的載置臺，該載置臺的上部具有由內(nèi)部有電極板的絕緣性部件構(gòu)成的靜電卡盤，上述電極板與直流電源連接，該程序具有當(dāng)上述靜電卡盤吸附上述基板時，上述直流電源向上述電極板施加負(fù)電壓的負(fù)電壓施加模塊。
采用第一方面所述的基板處理裝置，第六方面所述的基板吸附方法和第十方面所述的存儲介質(zhì)，當(dāng)靜電卡盤吸附基板時，直流電源向電極板施加負(fù)電壓。當(dāng)在電極板上施加負(fù)電壓時，來自靜電卡盤吸附的基板的周邊邊緣或配置在基板周圍的收容室內(nèi)部件的放電形態(tài)成為不是局部的直流放電的輝光放電。由于輝光放電能量不集中在放電目的地上，堆積物不從收容室的內(nèi)壁面剝離飛散，因此不產(chǎn)生顆粒。另外，當(dāng)在電極板上施加負(fù)電壓時，作為與基板的靜電卡盤相反一側(cè)的面的表面的電位為負(fù)。在顆粒帶負(fù)電的情況下，該顆粒受到從基板表面發(fā)出的排斥力。因此，可防止顆粒附著在基板表面上。
采用本發(fā)明第二方面所述的基板處理裝置和第七方面所述的基板吸附方法，當(dāng)靜電卡盤使基板脫離時，直流電源向電極板施加正電壓，該正電壓的值為1500V以下。向電極板施加負(fù)電壓，基板被吸附在靜電卡盤上時，將正電壓加在電極板上，排斥力作用在基板和靜電卡盤之間，基板從靜電卡盤脫離。這時，當(dāng)正電壓的值為1500V以下時，放電形態(tài)幾乎不成為是局部直流放電的電弧放電。因此，即使當(dāng)基板從靜電卡盤脫離時，也可防止顆粒附著在基板表面上。
采用本發(fā)明的第三方面、第四方面所述的基板處理裝置和本發(fā)明第八方面和第九方面所述的基板吸附方法，在直流電源向電極板上施加正電壓之前，與載置臺連接的高頻電源向載置臺施加高頻電力。當(dāng)向載置臺施加高頻電力時，在載置臺上產(chǎn)生鞘。該鞘將帶負(fù)電的顆粒從載置在載置臺上的基板的上方排斥出去。因此，即使收容室內(nèi)產(chǎn)生顆粒，也可以可靠地防止該顆粒附著在基板表面上。


圖1為表示本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2為表示向圖1的基板處理裝置的電極板施加的正電壓的值和計數(shù)的顆粒數(shù)的關(guān)系的圖。
圖3為表示作為本實施方式的基板吸附方法的高頻電力和直流電力的施加的順序的圖。
符號說明S處理空間；W半導(dǎo)體晶片；10基板處理裝置；11腔室；12基座；20下部高頻電源；23電極板；24直流電源；34氣體導(dǎo)入噴淋頭；36上部高頻電源；42靜電卡盤具體實施方式
以下，參照附圖，說明本發(fā)明的實施方式。
首先，說明本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置。
圖1為表示本實施方式的基板處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的截面圖。該基板處理裝置對在作為基板的半導(dǎo)體晶片上形成的多晶硅層進(jìn)行蝕刻處理。
在圖1中，基板處理裝置10具有收容例如直徑為300mm的半導(dǎo)體晶片(以下簡稱為“晶片”)W的腔室11(收容室)。在該腔室11內(nèi)配置有作為載置晶片的載置臺的圓柱形的基座12。在基板處理裝置10中，利用腔室11的內(nèi)側(cè)壁和基座12的側(cè)面，形成作為將基座12上方的氣體向腔室11外排出的流路起作用的側(cè)排氣路13。在該側(cè)排氣路13的中間配置有擋板14。腔室11的內(nèi)壁面由石英或氧化釔(Y2O3)覆蓋。
擋板14為具有多個孔的板狀部件，作為將腔室11分隔為上部和下部的分隔板起作用。在由擋板14隔開的腔室11的上部(以下稱為“反應(yīng)室”)17中產(chǎn)生后述的等離子體。此外，在腔室11的下部(以下稱為“排氣室(總管)”)18中，開有排出腔室11內(nèi)的氣體的低級真空排氣管15和主排氣管16。DP(Dry Pump干泵)(未圖示)與低級真空排氣管15連接，TMP(Turbo Molecular Pump渦輪分子泵)(未圖示)與主排氣管16連接。并且，擋板14捕捉或反射在反應(yīng)室17的后述的處理空間S中產(chǎn)生的離子或自由基，防止它們向總管18泄漏。
低級真空排氣管15，主排氣管16，DP和TMP構(gòu)成排氣裝置。低級真空排氣管15和主排氣管16將反應(yīng)室17的氣體通過總管18向腔室11的外部排出。具體地，低級真空排氣管15將腔室11內(nèi)從大氣壓減壓至低真空狀態(tài)；主排氣管16與低級真空排氣管15協(xié)同動作，將腔室11內(nèi)從大氣壓減壓至比低真空狀態(tài)低的壓力的高真空狀態(tài)(例如133Pa(1Torr)以下)。
下部高頻電源20通過匹配器(Matcher)22與基座12連接。該下部高頻電源20向基座12施加規(guī)定的高頻電力。這樣，基座12起下部電極的作用。另外，匹配器22降低高頻電力從基座12的反射，使高頻電力供給基座12的效率為最大。
由在內(nèi)部有電極板23的絕緣性部件構(gòu)成的圓板狀的靜電卡盤42配置在基座12的上部。當(dāng)基座12載置晶片W時，該晶片W配置在靜電卡盤42上。電極板23與直流電源24電連接。當(dāng)向電極板23施加負(fù)的高直流電壓(以下稱為“負(fù)電壓”)時，在晶片W的靜電卡盤42側(cè)的表面(以下稱為“背面”)產(chǎn)生正電位，而在與靜電卡盤42相反一側(cè)的表面(以下稱為“表面”)產(chǎn)生負(fù)電位。這樣，在電極板23和晶片W的背面之間產(chǎn)生電位差，利用該電位差引起的庫侖力或Johsen Rahben力，晶片W被吸附保持在靜電卡盤42上面。
另外，在基座12的上部配置圓環(huán)狀的聚焦環(huán)25，以包圍吸附保持在靜電卡盤42上面的晶片W的周圍。該聚焦環(huán)25在處理空間S中露出，使得在該處理空間S中，等離子體向著晶片W的表面收束，提高蝕刻處理的效率。
另外，在基座12的內(nèi)部，設(shè)置在圓周方向延伸的環(huán)狀的制冷劑室26。從冷卻單元(未圖示)，通過制冷劑用配管27，將規(guī)定溫度的制冷劑，例如冷卻水或Galden循環(huán)供給該制冷劑室26，利用該制冷劑的溫度控制吸附保持在靜電卡盤42上面的晶片W的處理溫度。
在靜電卡盤42的上面吸附保持的晶片W的部分(以下稱為“吸附面”)上開有多個傳熱氣體供給孔28。這些多個傳熱氣體供給孔28通過傳熱氣體供給管路30，與傳熱氣體供給部(未圖示)連接。該傳熱氣體供給部通過傳熱氣體供給孔28，將作為傳熱氣體的氦(He)氣體供給吸附面和晶片W的背面的間隙。供給吸附面和晶片W的背面的間隙的氦氣，將晶片W的熱傳遞至基座12。
另外，在基座12的吸附面上配置作為從靜電卡盤42的上面自由突出的提升銷的多個推桿銷33。這些推桿銷33通過電機和滾珠絲杠(未圖示)連接，通過滾珠絲杠變換為直線運動的電機的旋轉(zhuǎn)運動引起這些推桿銷自由地從吸附面突出。當(dāng)為了對晶片W進(jìn)行蝕刻處理，在吸附面上吸附保持晶片W時，推桿銷33收容在基座12中。當(dāng)從腔室11搬出進(jìn)行蝕刻處理后的晶片W時，推桿銷33從靜電卡盤42的上面突出，使晶片W離開基座12，向上方抬起。
在腔室11的頂部以與基座12相對的方式配置氣體導(dǎo)入噴淋頭34。上部高頻電源36通過匹配器35與氣體導(dǎo)入噴淋頭34連接。由于上部高頻電源36向氣體導(dǎo)入噴淋頭34施加規(guī)定的高頻電力，氣體導(dǎo)入噴淋頭34起上部電極的作用。匹配器35的功能與上述的匹配器22的功能相同。
氣體導(dǎo)入噴淋頭34具有有多個氣體孔37的頂部電極板38和可自由裝拆的支撐該頂部電極板38的電極支撐體39。另外，在該電極支撐體39的內(nèi)部設(shè)有緩沖室40，處理氣體導(dǎo)入管41與該緩沖室40連接。氣體導(dǎo)入噴淋頭34，從處理氣體導(dǎo)入管41，將供給緩沖室40的處理氣體，例如在臭氧系氣體或氯系氣體中添加O2氣和He等不活潑氣體的混合氣體，經(jīng)由氣體孔37，供給反應(yīng)室17內(nèi)。
在腔室11的側(cè)壁上設(shè)有晶片W的搬入搬出口43，該搬入搬出口43的位置與由推桿銷33從基座12向上升舉起的晶片W的高度對應(yīng)。在搬入搬出口43上安裝開閉該搬入搬出口43的閘閥44。
如上所述，在該基板處理裝置10的反應(yīng)室17內(nèi)，通過向基座12和氣體導(dǎo)入噴淋頭34施加高頻電力，將高頻電力施加在基座12和氣體導(dǎo)入噴淋頭34之間的處理空間S上，可以在該處理空間S中，將從氣體導(dǎo)入噴淋頭34供給的處理氣體變成高密度的等離子體，產(chǎn)生離子或自由基，利用該離子等，對晶片W進(jìn)行蝕刻處理。
上述基板處理裝置10的各構(gòu)成部件的動作，由基板處理裝置10具有的控制部(未圖示)的CPU，根據(jù)與蝕刻處理對應(yīng)的程序控制。
另外，上述基板處理裝置10的結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)相同。
本發(fā)明者，在本發(fā)明之前，研究了向電極板施加的直流電壓的極或大小與顆粒的產(chǎn)生數(shù)的關(guān)系。在基板處理裝置10中，從氣體導(dǎo)入噴淋頭34或其他排放管(未圖示)，將大量的N2氣導(dǎo)入反應(yīng)室17，并且利用直流電源24向電極板23交替的施加正的高直流電壓(以下稱為“正電壓”)和負(fù)電壓。這時，設(shè)定負(fù)電壓的值為-3000V，改變正電壓的值。另外，將晶片W載置在基座12上。
這時，發(fā)明者利用顆粒監(jiān)視器(ISPM)對在反應(yīng)室17中產(chǎn)生，并且利用低級真空排氣管15向腔室11的外部排出的顆粒數(shù)進(jìn)行計數(shù)。另外，從設(shè)置在腔室11的側(cè)壁上的觀察窗(未圖示)，觀察從靜電卡盤42或聚焦環(huán)25向著覆蓋腔室11的內(nèi)壁面的石英或氧化釔直流放電的放電形態(tài)。觀察的放電形態(tài)如表1所示，測量的顆粒數(shù)如圖2的曲線所示。
表1


如表1所示，當(dāng)減小正電壓的值時，正電壓施加時的放電形態(tài)從為局部的直流放電的電弧放電移至不是局部直流放電的輝光放電。另外，負(fù)電壓施加時的放電形態(tài)為不是局部直流放電的輝光放電。再者，如圖2的曲線所示，當(dāng)減小正電壓的值時，由排氣管15向腔室11的外部排出的顆粒數(shù)，即在反應(yīng)室17中產(chǎn)生顆粒數(shù)減少。具體地，如果正電壓的值為1500V以下，則在反應(yīng)室17中乎不產(chǎn)生顆粒。
關(guān)于當(dāng)減小正電壓值時產(chǎn)生的顆粒數(shù)減小的機理，本發(fā)明者根據(jù)正電壓時放電形態(tài)的觀察結(jié)果，類推至以下說明的假設(shè)。
即當(dāng)減小正電壓值時，從靜電卡盤42等向腔室11的內(nèi)壁面的直流放電的放電形態(tài)向輝光放電轉(zhuǎn)移。由于輝光放電的能量不集中在作為放電目的地的腔室11的內(nèi)壁面上，因此，附著在內(nèi)壁面上的堆積物不剝離飛散。因此，在反應(yīng)室17中產(chǎn)生的顆粒數(shù)減少。
另外，本發(fā)明者推測，因為負(fù)電壓施加時的放電形態(tài)為輝光放電，通過向電極板23施加負(fù)電壓，如果將晶片W吸附在靜電卡盤42上，即使從晶片W的周邊邊緣等向腔室11的內(nèi)壁面產(chǎn)生直流放電，也可以抑制在反應(yīng)室17中產(chǎn)生顆粒。
本發(fā)明基于以上得到的見解。
以下，說明本發(fā)明的實施方式的基板吸附方法。
圖3為表示作為本實施方式的基板吸附方法的高頻電力和直流電力施加順序的圖。
在圖3中，將表面上形成有多晶硅層的晶片W搬入腔室11內(nèi)，載置在基座12的靜電卡盤42上。當(dāng)上述的排氣裝置將腔室11內(nèi)從大氣壓減壓至高真空狀態(tài)時，首先，上部高頻電源36向氣體導(dǎo)入噴淋頭34施加規(guī)定的高頻電力(上部RF)，經(jīng)過時間T1后，下部高頻電源20向基座12施加規(guī)定的高頻電力(下部RF)。這時，高頻電力從氣體導(dǎo)入噴淋頭34和基座12施加到處理氣體空間S，在該處理空間S中從處理氣體產(chǎn)生等離子體。由于在等離子體中電荷為中性。電子和正離子數(shù)相同，但由于電子比正離子輕，在靜電卡盤42上的晶片W附近，電子快速到達(dá)晶片W。結(jié)果，在晶片W的附近產(chǎn)生作為電子非常少的區(qū)域的鞘。由于鞘為電子少的區(qū)域，作為全體帶正電。另外，一般已知顆粒帶負(fù)電的多。因此，鞘對向著晶片W的顆粒施加排斥力，使該顆粒減速，從晶片W的上方排斥出去。
經(jīng)過時間T2后，直流電源24將負(fù)電壓(-HV負(fù)的高電壓)，例如-2500V施加在電極板23上。這時，由于在晶片W的背面產(chǎn)生正電位，在電極板23和晶片W的背面之間產(chǎn)生電位差。利用該電位差引起的庫侖力或Johnsen Rahbek力，將晶片W吸附保持在靜電卡盤42的上面。當(dāng)向電極板23施加負(fù)電壓時，由于來自晶片W的周邊邊緣部的放電形態(tài)為輝光放電，能量不集中在作為放電目的地的腔室11的內(nèi)壁面上，因此附著在內(nèi)壁面上的堆積物不剝離飛散。另外，由于在晶片W的表面上產(chǎn)生負(fù)電位，帶負(fù)電的顆粒從晶片W的表面接受斥力，從晶片W的上方被排斥出去。
其次，當(dāng)在晶片W的多晶硅層上進(jìn)行蝕刻處理時，直流電源24繼續(xù)向電極板23施加負(fù)電壓。當(dāng)蝕刻處理結(jié)束時，直流電源24將正電壓(+HV正的高電壓)例如+1200V施加在電極板23上。由于在晶片W的背面產(chǎn)生正電位，斥力作用在晶片W和電極板23之間，晶片W從靜電卡盤42脫離。另外，由于當(dāng)晶片W從靜電卡盤42脫離時，向電極板23施加的正電壓的值為+1200V，幾乎不產(chǎn)生電弧放電(參照表1)，因此，在反應(yīng)室17中不產(chǎn)生顆粒(參照圖2)。
經(jīng)過時間T3后，直流電源24停止向電極板23施加電壓。
根據(jù)圖3的施加順序，當(dāng)靜電卡盤42吸附晶片W時，直流電源24向電極板23施加負(fù)電壓。當(dāng)向電極板23施加負(fù)電壓時，來自晶片W的周邊邊緣部或聚焦環(huán)25的放電形態(tài)為輝光放電。由于輝光放電能量不集中在放電目的地上，因此堆積物不從作為放電目的地的腔室11的內(nèi)壁面剝離飛散，不產(chǎn)生顆粒。另外，當(dāng)向電極板23施加負(fù)電壓時，由于在晶片W的表面上產(chǎn)生負(fù)電位，帶負(fù)電的顆粒從晶片W的表面接受斥力。因此，當(dāng)靜電卡盤42吸附晶片W時，可防止顆粒附著在晶片W的表面上。
在圖3的施加順序中，當(dāng)靜電卡盤42使晶片W脫離時，直流電源24向電極板23施加正電壓，該正電壓值為+1200V。如果正電壓的值在1500V以下，由于放電形態(tài)作為幾乎不是局部直流放電的電弧放電，在反應(yīng)室17中幾乎不產(chǎn)生顆粒。因此，當(dāng)晶片W從靜電卡盤42脫離時，可防止顆粒附著在晶片W的表面上。
另外，在圖3的施加順序中，在直流電源24向電極板23施加正電壓之前，與基座12連接的下部高頻電源20向基座12施加高頻電力。當(dāng)將高頻電力加在基座12上時，在基座12上產(chǎn)生鞘。該鞘將帶負(fù)電的顆粒從晶片W的上方排斥出去。因此，即使在反應(yīng)室17內(nèi)產(chǎn)生顆粒，也可以可靠地防止該顆粒附著在晶片W的表面上。
在上述的等離子體處理裝置10中，進(jìn)行蝕刻處理等的基板不限于半導(dǎo)體晶片，可以為在LCD(Liquid Crystal Display液晶顯示器)或FPD(Flat Panel Display平板平板顯示器)等中使用的各種基板或光掩模、CD基板、印刷基板等。
本發(fā)明的目的還可通過將存儲有實現(xiàn)上述各實施方式的功能的軟件的程序代碼的存儲介質(zhì)供給裝置中，該裝置的計算機(或CPU或MPU等)讀出和實行存放在存儲介質(zhì)中的程序代碼來實現(xiàn)。
在這種情況下，利用從存儲介質(zhì)讀出的程序代碼自身實現(xiàn)上述的各實施方式的功能，該程序代碼和存儲有該程序代碼的存儲介質(zhì)構(gòu)成本發(fā)明。
另外，作為供給程序代碼的存儲介質(zhì)，可以使用Floopy(注冊商標(biāo))盤、硬盤、光磁盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等光盤，磁帶，非易失性的存儲器卡，ROM等?；蛘撸梢酝ㄟ^網(wǎng)絡(luò)下載程序代碼。
另外，還包含下述情況通過實行計算機讀出的程序代碼，不僅實現(xiàn)上述各實施方式的功能，而且可根據(jù)程序代碼的指示，在計算機上工作的OS(操作系統(tǒng))等進(jìn)行實際處理的一部分或全部，由該處理實現(xiàn)上述各實施方式的功能。
還包含下述情況從存儲介質(zhì)讀出的程序代碼寫入插入計算機的功能擴展板或與計算機連接的功能擴展單元所具的存儲器中后，根據(jù)該程序代碼的指示，擴展板或擴展單元中具有擴展功能的CPU等進(jìn)行實際處理的一部分或全部，由該處理實現(xiàn)上述各實施方式的功能。
(實施例)其次，具體地說明本發(fā)明的實施例。
實施例首先，準(zhǔn)備顆粒計數(shù)用的晶片(以下稱為“顆粒晶片”)搬入基板處理裝置10的腔室11內(nèi)，載置在基座12的靜電卡盤42上。其次，通過由上部高頻電源36向氣體導(dǎo)入噴淋頭34施加規(guī)定的高頻電力，再由下部高頻電源20向基座12施加規(guī)定的高頻電力，在處理空間S中產(chǎn)生等離子體。
然后，利用直流電源24，向電極板23施加-2500V的負(fù)電壓，將顆粒晶片吸附在靜電卡盤42上，經(jīng)過規(guī)定的時間后，由直流電源24向電極板23施加+1200V的正電壓，使顆粒晶片從靜電卡盤42脫離。
其次，從腔11搬出該顆粒晶片，搬入自掃描(self scan)方式的顆粒計數(shù)器中。然后，對顆粒晶片表面每單位面積的顆粒數(shù)進(jìn)行計數(shù)。記錄的顆粒數(shù)的平均值為31個。
比較例與實施例同樣，將顆粒晶片載置在靜電卡盤42上，利用上部高頻電源36和下部高頻電源20，分別向氣體導(dǎo)入噴淋頭34和基座12施加規(guī)定的高頻典禮，這樣在處理空間S中產(chǎn)生等離子體。
然后，由直流電源24向電極板23施加+2500V的正電壓，將顆粒晶片吸附在靜電卡盤42上，經(jīng)過規(guī)定的時間后，由直流電源24向電極板23施加-1200V的負(fù)電壓，使顆粒晶片從靜電卡盤42脫離。
其次，與實施例同樣，對顆粒晶片表面的每單位面積的顆粒數(shù)進(jìn)行計數(shù)。記錄的顆粒數(shù)的平均值為328個。
從比較實施例和比較例的結(jié)果可看出，當(dāng)向電極板23施加負(fù)電壓，將晶片吸附在靜電卡盤42上時，可以防止顆粒附著在晶片表面上。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，用于對基板進(jìn)行處理，其特征在于，具有收容所述基板的收容室，和配置在該收容室內(nèi)并載置所述基板的載置臺，在該載置臺的上部具有由內(nèi)部有電極板的絕緣性部件構(gòu)成的靜電卡盤，所述電極板與直流電源連接，當(dāng)所述靜電卡盤吸附所述基板時，所述直流電源向所述電極板施加負(fù)電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，當(dāng)所述靜電卡盤使所述基板脫離時，所述直流電源向所述電極板施加正電壓，所述正電壓的值在1500V以下。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述載置臺與高頻電源連接，在所述直流電源向所述電極板施加所述負(fù)電壓之前，所述高頻電源向所述載置臺施加高頻電力。
4.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述載置臺與高頻電源連接，在所述直流電源向所述電極板施加所述負(fù)電壓之前，所述高頻電源向所述載置臺施加高頻電力。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述基板的表面形成有多晶硅層，所述處理為蝕刻處理。
6.一種基板吸附方法，用于基板處理裝置中，其特征在于，該基板處理裝置具有收容基板的收容室和配置在該收容室內(nèi)并載置所述基板的載置臺，在該載置臺的上部具有由內(nèi)部有電極板的絕緣性部件構(gòu)成的靜電卡盤，所述電極板與直流電源連接，所述基板吸附方法包括當(dāng)所述靜電卡盤吸附所述基板時，所述直流電源向所述電極板施加負(fù)電壓的負(fù)電壓施加步驟。
7.如權(quán)利要求6所述的基板吸附方法，其特征在于，包括當(dāng)所述靜電卡盤使所述基板脫離時，所述直流電源向所述電極板施加正電壓的正電壓施加步驟，所述正電壓的值為1500V以下。
8.如權(quán)利要求6所述的基板吸附方法，其特征在于，包括在所述直流電源向所述電極板施加所述負(fù)電壓前，與所述載置臺連接的高頻電源向所述載置臺施加高頻電力的高頻電力施加步驟。
9.如權(quán)利要求7所述的基板吸附方法，其特征在于，包括在所述直流電源向所述電極板施加所述負(fù)電壓前，與所述載置臺連接的高頻電源向所述載置臺施加高頻電力的高頻電力施加步驟。
10.一種存儲介質(zhì)，其特征在于，是存儲有在計算機中運行基板吸附方法的程序的計算機可讀取存儲介質(zhì)，該基板吸附方法在基板處理裝置中施行，該基板處理裝置具有收容基板的收容室，和配置在該收容室內(nèi)且載置所述基板的載置臺，該載置臺的上部具有由在內(nèi)部有電極板的絕緣性部件構(gòu)成的靜電卡盤，所述電極板與直流電源連接，該程序包括當(dāng)所述靜電卡盤吸附所述基板時，所述直流電源向所述電極板施加負(fù)電壓的負(fù)電壓施加模塊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可防止顆粒附著在基板表面上的基板處理裝置?；逄幚硌b置(10)具有在腔室(11)內(nèi)載置晶片(W)的基座(12)。該基座(12)與下部高頻電源(20)連接，在該基座(12)的上部配置內(nèi)部有電極板(23)的靜電卡盤(42)。電極板(23)與直流電源(24)連接。在下部高頻電源(20)向基座(12)施加規(guī)定的高頻電力后，通過直流電源(24)向電極板(23)施加負(fù)電壓，靜電卡盤(42)利用庫侖力等吸附晶片(W)。
文檔編號H01L21/00GK101034679SQ20071008606
公開日2007年9月12日 申請日期2007年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月8日
發(fā)明者澤田石真之, 清水昭貴, 西村榮一 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社