專利名稱：引線框及使用了它的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種引線框及使用了它的半導(dǎo)體裝置，特別涉及高耐壓元件等需要高散熱性的引線框及使用了它的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
迄今為止，在高耐壓元件等需要高散熱性的引線框中，人們要求下述引線框及使用了該引線框的半導(dǎo)體裝置，即能夠抑制在密封用樹脂材料的端面與引線框之間的境界面、和密封用樹脂材料與芯片墊(die pad)之間的界面上發(fā)生的剝離現(xiàn)象，即使發(fā)生了剝離現(xiàn)象，也能抑制剝離范圍進一步擴大，來防止由于引線接合部分與接合區(qū)之間的剝離或引線接合部分的折斷而造成的、電連接部分的可靠性降低的現(xiàn)象的引線框及使用了該引線框的半導(dǎo)體裝置。
圖7，表示現(xiàn)有的、用于高耐壓元件等需要高散熱性的半導(dǎo)體裝置的引線框之一例。
如圖7所示，現(xiàn)有引線框101，具有支撐半導(dǎo)體芯片的芯片墊102，形成為與系桿(tie bar)103平行的狀態(tài)、并且夾著芯片墊102延伸的散熱板104，以及從系桿103向芯片墊102延伸、并且形成為與芯片墊102之間留有間隔的狀態(tài)的多條內(nèi)部引線105。多條內(nèi)部引線105中的一條內(nèi)部引線，是與芯片墊102連結(jié)起來的GND(ground接地)引線106。
圖8和圖9，是現(xiàn)有的高耐壓元件等半導(dǎo)體裝置之一例，是使用了圖7所示的引線框101的半導(dǎo)體裝置。
如圖8所示，現(xiàn)有的包括高耐壓元件等在內(nèi)的半導(dǎo)體裝置，是將半導(dǎo)體芯片107接合在引線框101的芯片墊102上，用金屬細線112將半導(dǎo)體芯片107的電極墊108接合在內(nèi)部引線104的接合區(qū)110上，并且用金屬細線112將接地用電極墊109接合在GND連接用接合區(qū)111上的。
圖9所示的、現(xiàn)有的包括高耐壓元件等在內(nèi)的半導(dǎo)體裝置，是用金屬細線112將半導(dǎo)體芯片107的接地用電極墊109接合在GND引線106的GND引線上接合區(qū)113上的。
引線框101所支撐的半導(dǎo)體芯片107和金屬細線112，被密封用樹脂材料114密封。從密封用樹脂材料114露出的、散熱板104的一部分和外部引線115，經(jīng)過樹脂修邊工序、系桿切斷工序以及切斷及折彎工序，以得到圖8和圖9所示的半導(dǎo)體裝置。補充說明一下，在圖7中，用虛線表示由密封用樹脂材料114進行密封的范圍作為密封區(qū)域116。從密封用樹脂材料114露出的、散熱板104的一部分和外部引線115，還被彎成鷗翼狀。
在這樣的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置中，若在引線框的引線接合部分附近至少形成一個孔部，就能防止由于熱應(yīng)力而發(fā)生在內(nèi)部引線的表面與密封用樹脂材料之間的剝離，能夠防止剝離所引起的引線接合部分的折斷(例如，參照專利文獻1)。
通過將內(nèi)部引線和GND引線中被密封用樹脂材料覆蓋的部分設(shè)為朝著屬于同一平面的方向曲折、并且寬度很小的曲折形狀，能夠防止外部濕氣的侵入，抗?jié)裥蕴岣?，能夠得到可靠性很高的半?dǎo)體裝置(例如，參照專利文獻2)。
專利文獻1日本公開專利公報特開平6-21303號公報專利文獻2日本公開專利公報特開平2-78262號公報然而，所述現(xiàn)有的使用了支撐高耐壓元件等的引線框的半導(dǎo)體裝置，具有下述問題。
圖10(a)，表示圖8所示的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的、沿Xa-Xa線的剖面結(jié)構(gòu)。圖10(b)，放大而表示圖10(a)所示的區(qū)域D。
如圖10(b)所示，對散熱板104進行切斷及折彎等時，由于來自外部的機械應(yīng)力，在現(xiàn)有的使用了引線框101的半導(dǎo)體裝置中容易發(fā)生從密封用樹脂材料114的端面往內(nèi)部發(fā)生的、密封用樹脂材料114與散熱板104之間的剝離121。此外，因為在安裝回流(reflow)的過程中，密封用樹脂材料114、引線框101及半導(dǎo)體芯片107在受到熱應(yīng)力進行膨脹時的各熱膨脹率互相不同，所以容易發(fā)生從支撐有半導(dǎo)體芯片107的芯片墊102往外部發(fā)生的、密封用樹脂材料114與引線框101之間的剝離122。因此，在往內(nèi)部發(fā)生的剝離121或往外部發(fā)生的剝離122到達引線框101上的GND連接用接合區(qū)111的情況下，很容易造成金屬細線112所構(gòu)成的引線接合部分的折斷，電連接的可靠性會降低。
圖11(a)，表示圖9所示的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的、沿XIa-XIa線的剖面結(jié)構(gòu)。圖11(b)，放大而表示圖11(a)所示的區(qū)域F。
如圖11(b)所示，在用金屬細線112接合了半導(dǎo)體芯片107的接地用電極墊109和GND引線106的GND引線上接合區(qū)113的情況下，與圖10(b)一樣的剝離也會發(fā)展，會失去電連接的可靠性。
如在現(xiàn)有例中所述，通過在引線框中的引線接合區(qū)附近至少形成一個孔部，能夠防止由于熱應(yīng)力而發(fā)生在內(nèi)部引線的表面與密封用樹脂材料之間的剝離，能夠防止因剝離而造成的引線接合部分的折斷。然而，上述做法不能抑制由于機械應(yīng)力而從密封用樹脂材料的端面往內(nèi)部發(fā)生的、密封用樹脂材料的端面與散熱板之間的境界面的剝離現(xiàn)象，和由于熱應(yīng)力而從支撐有半導(dǎo)體芯片的芯片墊往外部發(fā)生的剝離到達接合區(qū)的現(xiàn)象。
根據(jù)現(xiàn)有例，通過設(shè)內(nèi)部引線和GND引線中被密封用樹脂材料覆蓋的部分為朝著屬于同一平面的方向曲折、并且寬度很小的曲折形狀，能夠防止外部濕氣的侵入，抗?jié)裥蕴岣?，能夠得到可靠性很高的半?dǎo)體裝置。但是，即使設(shè)為這樣的結(jié)構(gòu)，也不能抑制從支撐有半導(dǎo)體芯片的芯片墊往外部發(fā)生的、因熱應(yīng)力而造成的剝離到達接合區(qū)的現(xiàn)象。
這樣，所述現(xiàn)有的包括支撐有需要高散熱性的半導(dǎo)體芯片的引線框的半導(dǎo)體裝置，下述哪一種剝離也不能抑制，即由于來自外部的機械應(yīng)力而從密封用樹脂材料114的端面往內(nèi)部發(fā)展的密封用樹脂材料114與散熱板104之間的剝離121，和由于各個結(jié)構(gòu)部件相互間的熱膨脹率的不同而發(fā)生的熱應(yīng)力所造成的、從芯片墊102往外部發(fā)展的、密封用樹脂材料114與引線框101之間的剝離122。這是一個問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，正是為解決所述問題而研究開發(fā)出來的。其目的在于設(shè)為在使用了引線框的半導(dǎo)體裝置中，得到即使在引線框與密封用樹脂材料之間發(fā)生剝離，也不會由于該剝離而失去電連接部分的連接可靠性的引線框及半導(dǎo)體裝置。
為了達成所述目的，本發(fā)明設(shè)引線框為下述結(jié)構(gòu)，即將與芯片墊連結(jié)、電位與該芯片墊相同的接合區(qū)形成為島狀。
此外，作為其他結(jié)構(gòu)，設(shè)引線框為下述結(jié)構(gòu)，即在包括接地引線在內(nèi)的內(nèi)部引線上形成沿垂直于該內(nèi)部引線的延伸方向的方向延伸的槽部，并且在接地引線中形成朝著屬于與該接地引線同一平面的方向彎曲的彎曲部。
具體而言，本發(fā)明所涉及的第一引線框，包括上表面支撐半導(dǎo)體芯片的芯片墊，分別從芯片墊中的一個側(cè)面和與該一個側(cè)面相向的其他側(cè)面向外側(cè)延伸的散熱板，多條分別與芯片墊的側(cè)面中不位于散熱板側(cè)且互相相向的那兩個側(cè)面相向、設(shè)置為夾著芯片墊的內(nèi)部引線，以及多條形成在多條內(nèi)部引線的外側(cè)、與內(nèi)部引線連接的外部引線。多條內(nèi)部引線中的至少一條內(nèi)部引線，是與芯片墊連結(jié)的接地引線。在散熱板中，形成有周圍的三個方向被第一狹縫包圍、并且剩下的一個方向通過連結(jié)部與散熱板連接的島狀接合區(qū)，該島狀接合區(qū)的電位與芯片墊相同。
根據(jù)第一引線框，在散熱板上形成有周圍的三個方向被第一狹縫包圍、并且剩下的一個方向通過連結(jié)部與散熱板連接的、電位與芯片墊相同的島狀接合區(qū)。因此，即使在發(fā)生了由于機械應(yīng)力而從密封用樹脂材料的端面往內(nèi)部發(fā)生的密封用樹脂材料與散熱板之間的境界面的剝離、或由于熱應(yīng)力而從支撐有半導(dǎo)體芯片的芯片墊往外部造成的引線框與密封用樹脂材料之間的剝離的情況下，所述剝離向島狀接合區(qū)的發(fā)展也受到抑制。其結(jié)果是，能夠防止引線接合部分與接合區(qū)之間的界面的剝離、和引線接合部分的折斷。
在第一引線框中，最好是這樣的，島狀接合區(qū)形成在散熱板中的垂直于該散熱板的延伸方向的寬度方向上的中央部分。
在第一引線框中，最好是這樣的，包括接地引線在內(nèi)的各條內(nèi)部引線，在該各條內(nèi)部引線的表面上具有形成在垂直于各條內(nèi)部引線的延伸方向的方向上的槽部；接地引線，至少具有兩個朝著屬于與該接地引線同一平面的方向彎曲的彎曲部。
這么一來，接地引線中的從芯片墊到外部引線為止的爬電距離就增大，因此能更確實地防止由于機械應(yīng)力而從密封用樹脂材料的端面往內(nèi)部發(fā)生的、密封用樹脂材料與散熱板之間的境界面的剝離。
在第一引線框中，最好是這樣的，島狀接合區(qū)的平面形狀呈四角形狀、圓形狀、橢圓形狀、U字形狀或V字形狀。
在第一引線框中，最好是這樣的，連結(jié)部的寬度小于島狀接合區(qū)的寬度。
這么一來，島狀接合區(qū)和密封用樹脂材料的緊貼性就提高。
在第一引線框中，最好是這樣的，第一狹縫在連結(jié)部中的與散熱板的連接部分的兩側(cè)具有向內(nèi)部引線側(cè)延伸的缺口部。
這么一來，島狀接合區(qū)和密封用樹脂材料的緊貼性就提高。
在第一引線框中，最好是這樣的，相對島狀接合區(qū)而言，連結(jié)部形成在與芯片墊相反的一側(cè)。
在第一引線框中，最好是這樣的，連結(jié)部在該連結(jié)部的表面上具有形成在垂直于連結(jié)部的延伸方向的方向上的槽部。
這么一來，連結(jié)部上的爬電距離就增大，因而剝離的發(fā)展進一步受到抑制。
在第一引線框中，最好是這樣的，散熱板具有形成在位于島狀接合區(qū)的外側(cè)、并且被密封用樹脂材料密封的區(qū)域中的第二狹縫。
在第一引線框中，最好是這樣的，相對島狀接合區(qū)而言，連結(jié)部形成在芯片墊側(cè)。
在該情況下，最好是這樣的，散熱板具有形成在芯片墊與第一狹縫之間的第三狹縫。
在第一引線框中，最好是這樣的，散熱板具有第四狹縫，相對芯片墊而言，該第四狹縫形成在與島狀接合區(qū)相反的一側(cè)的區(qū)域中。
本發(fā)明所涉及的第二引線框，包括上表面支撐半導(dǎo)體芯片的芯片墊，分別從芯片墊中的一個側(cè)面和與該一個側(cè)面相向的其他側(cè)面向外側(cè)延伸的散熱板，多條分別與芯片墊的側(cè)面中不位于散熱板側(cè)且互相相向的那兩個側(cè)面相向、設(shè)置為夾著芯片墊的內(nèi)部引線，以及多條形成在多條內(nèi)部引線的外側(cè)、與內(nèi)部引線連接的外部引線。多條內(nèi)部引線中的至少一條內(nèi)部引線，是與芯片墊連結(jié)的接地引線。包括接地引線在內(nèi)的各條內(nèi)部引線，在該各條內(nèi)部引線的表面上具有形成在垂直于各條內(nèi)部引線的延伸方向的方向上的槽部。接地引線，至少具有兩個朝著屬于與該接地引線同一平面的方向彎曲的彎曲部。
根據(jù)第二引線框，因為包括接地引線在內(nèi)的各條內(nèi)部引線在該各條內(nèi)部引線的表面上具有形成在垂直于各條內(nèi)部引線的延伸方向的方向上的槽部，接地引線至少具有兩個朝著屬于與該接地引線同一平面的方向彎曲的彎曲部，所以接地引線上的從芯片墊到外部引線為止的爬電距離增大，密封用樹脂材料和引線框的緊貼性提高。因此，能夠防止由于機械應(yīng)力和熱應(yīng)力而發(fā)生的、密封用樹脂材料與引線框之間的剝離。
在第一或第二引線框中，最好是這樣的，接地引線的與芯片墊連接的部分的寬度小于其他內(nèi)部引線的寬度。
在第一或第二引線框中，最好是這樣的，在多條外部引線中，與連接于接地引線上的外部引線相鄰的外部引線中的至少一條外部引線，未與內(nèi)部引線連接。
本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置，以使用了本發(fā)明的第一或第二引線框的半導(dǎo)體裝置為對象。該半導(dǎo)體裝置，包括支撐在芯片墊上、具有電極墊和接地用電極墊的半導(dǎo)體芯片，和由對包括半導(dǎo)體芯片在內(nèi)的芯片墊、各條內(nèi)部引線及包括島狀接合區(qū)在內(nèi)的散熱板的一部分進行密封的密封用樹脂材料構(gòu)成的密封部。半導(dǎo)體芯片的電極墊，利用金屬細線與內(nèi)部引線電連接，該半導(dǎo)體芯片的該接地用電極墊，利用金屬細線與島狀接合區(qū)或接地引線的接合區(qū)電連接。島狀接合區(qū)周圍中的連結(jié)部以外的部分，被密封用樹脂材料覆蓋。散熱板中的其余部分和各條外部引線，被彎成鷗翼狀。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體芯片最好是高耐壓元件。
-發(fā)明的效果-根據(jù)本發(fā)明所涉及的引線框及使用了它的半導(dǎo)體裝置，即使在引線框與密封用樹脂材料之間發(fā)生了剝離，該剝離的發(fā)展也受到抑制，因此能夠維持電連接部分的可靠性。


圖1，是表示本發(fā)明的第一實施例所涉及的引線框結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2，是表示本發(fā)明的第二實施例所涉及的引線框結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3，是表示本發(fā)明的第三實施例所涉及的引線框結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖4，是表示本發(fā)明的第四實施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖5，是表示本發(fā)明的第四實施例的一個變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖6(a)，是沿圖4的VIa-VIa線的剖面圖；圖6(b)，是沿圖5的VIb-VIb線的剖面圖。
圖7，是表示現(xiàn)有的用于高耐壓元件等半導(dǎo)體裝置的引線框的平面圖。
圖8，是表示使用了圖7所示的現(xiàn)有引線框的、高耐壓元件等半導(dǎo)體裝置之一例的平面圖。
圖9，是表示使用了圖7所示的現(xiàn)有引線框的、高耐壓元件等半導(dǎo)體裝置的其他例子的平面圖。
圖10(a)，是沿圖8的Xa-Xa線的剖面圖；圖10(b)，是放大而表示圖10(a)中的區(qū)域D的剖面圖。
圖11(a)，是沿圖9的XIa-XIa線的剖面圖；圖11(b)，是放大而表示圖11(a)中的區(qū)域F的剖面圖。
符號說明1A到1 C-引線框；2-芯片墊；3-系桿；4-散熱板；5-內(nèi)部引線；6-GND(接地)引線；7-密封區(qū)域；8-外部引線；9-槽部；10-突起部；11-接合區(qū)；12-島狀接合區(qū)；13-連結(jié)部；14a到14f-狹縫；15-彎曲部；16-GND引線上接合區(qū)；17-半導(dǎo)體芯片；18-電極墊；19-接地用電極墊；20-接合區(qū)；21-金屬細線；22-密封部。
具體實施例方式
(第一實施例)參照附圖，說明本發(fā)明的第一實施例。
圖1，表示本發(fā)明的第一實施例所涉及的、支撐高耐壓元件的引線框的平面結(jié)構(gòu)之一例。本實施例所涉及的引線框，由導(dǎo)熱性很高的金屬即例如銅合金構(gòu)成，是由厚度為0.25mm左右的薄膜形成的。
如圖1所示，引線框1A(例如，寬度為2.2mm)，包括固定并支撐半導(dǎo)體芯片的芯片墊2，形成為與系桿3平行的狀態(tài)、并且夾著芯片墊2延伸的、寬度例如為1.5mm的散熱板4，以及形成為從系桿3朝向芯片墊2的七條內(nèi)部引線5。多條內(nèi)部引線5中的一條內(nèi)部引線，是與芯片墊2連結(jié)的GND(接地)引線6。在此，設(shè)為內(nèi)部引線5有七條，并且其中的一條為GND引線6。不過，只要分別具有作為元件的所需數(shù)量，就不限于所述數(shù)量。在圖1中，用虛線表示使用了引線框1A的半導(dǎo)體裝置被密封用樹脂材料密封的密封區(qū)域7。
各條內(nèi)部引線5，通過系桿3分別與外部引線8連結(jié)起來。在各條內(nèi)部引線5中的外部引線8側(cè)至少形成有一個槽部9，在各條內(nèi)部引線5的芯片墊2側(cè)形成有突起部10。
各條內(nèi)部引線5的槽部9，是利用半蝕刻法等沿垂直于內(nèi)部引線5的延伸方向的方向形成在該各條內(nèi)部引線5表面上的。該槽部9的深度，例如有0.09mm。通過這樣在各條內(nèi)部引線5上設(shè)置槽部9，在對各條外部引線8進行切斷及折彎時所發(fā)生的機械應(yīng)力和熱應(yīng)力所造成的、引線框1A與密封用樹脂材料之間的剝離就受到抑制，同時剝離往內(nèi)部引線5的接合區(qū)11的發(fā)展也受到抑制。
各條內(nèi)部引線5的突起部10，形成在屬于與該內(nèi)部引線5的延伸方向同一平面、并且垂直于該內(nèi)部引線5的延伸方向的方向上，突起量例如為0.2mm。通過這樣在各條內(nèi)部引線5中設(shè)置突起部10，各條內(nèi)部引線5和密封用樹脂材料的接觸面積就增大，因而引線框1A和密封用樹脂材料的緊貼性提高，能夠抑制由于熱應(yīng)力而發(fā)生的剝離現(xiàn)象。
補充說明一下，在第一實施例中，設(shè)槽部9的深度為0.09mm。這是因為若具有0.09mm左右的高度差，就能得到抑制剝離的發(fā)展的效果。槽部9的深度并不需要限定于該數(shù)值。對形成方法來講，也可以采用沖壓法，來代替半蝕刻法。對突起部10來講，突起量也不需要限定于0.2mm，只要是與相鄰的內(nèi)部引線5不接觸的長度就可以。
在本實施例所涉及的引線框1A中，在位于散熱板4的寬度方向即與內(nèi)部引線5相向的側(cè)面相互間的寬度方向上的中央部分、并且被密封用樹脂材料密封的區(qū)域，形成有電位與芯片墊2相同的島狀接合區(qū)12。在本實施例中，設(shè)島狀接合區(qū)12為平面尺寸0.3mm×0.2mm左右的矩形狀。也可以設(shè)該島狀接合區(qū)12為包括正方形在內(nèi)的其他四角形狀、圓形狀或橢圓形狀，來代替該矩形狀。該島狀接合區(qū)12，只要呈具有能夠進行引線接合的面積的形狀就可以，例如U字形狀或V字形狀等也可以。島狀接合區(qū)12并不限于一個，也可以形成與另一個島狀接合區(qū)12夾芯片墊2的第二個島狀接合區(qū)12。
如圖1所示，島狀接合區(qū)12，在散熱板4中的與芯片墊2相反的一側(cè)的區(qū)域、即距芯片墊2較遠的位置上，通過寬度為0.15mm且長度為0.6mm的連結(jié)部13與散熱板4連接起來。由于例如利用沖壓法形成的、寬度為0.20mm的狹縫14a的存在，在島狀接合區(qū)12周圍中的連結(jié)部13以外的部分，從散熱板4隔開。
在連結(jié)部13中與散熱板4連接的部分的兩側(cè)，形成有向內(nèi)部引線5側(cè)延伸的槽部9。在此，設(shè)連結(jié)部13的寬度為比島狀接合區(qū)12的寬度即0.3mm小的寬度，為0.15mm。因此，在用密封用樹脂材料對半導(dǎo)體芯片和芯片墊2進行密封時，島狀接合區(qū)12被密封用樹脂材料從島狀接合區(qū)12周圍的四個方向覆蓋。這樣，島狀接合區(qū)12和密封用樹脂材料的緊貼性就提高，能夠抑制剝離往島狀接合區(qū)12的發(fā)展。
在本實施例中，設(shè)狹縫14a的寬度為0.20mm，這是因為若狹縫14a大概有這么大的寬度，就能夠得到抑制密封用樹脂材料和引線框1A之間的剝離的發(fā)展的效果。因此，狹縫14a的寬度尺寸并不一定需要為0.20mm。此外，也可以利用蝕刻法形成狹縫14a，來代替利用沖壓法的形成。
在本實施例中，相對島狀接合區(qū)12而言，連結(jié)部13在與芯片墊2相反的一側(cè)的區(qū)域與散熱板4連接起來。這樣，就與在芯片墊2側(cè)的、與芯片墊2更近的位置上連接島狀接合區(qū)12的情況相比，能使從芯片墊2到島狀接合區(qū)12為止的爬電距離更長。因此，由于熱應(yīng)力而從芯片墊2往外部發(fā)生的、在引線框1A與密封用樹脂材料之間造成的剝離往島狀接合區(qū)12的發(fā)展受到抑制。
連結(jié)部13的長度越長，能夠抑制剝離的發(fā)展的效果越大。在本實施例中，設(shè)連結(jié)部13的長度為0.6mm。若設(shè)連結(jié)部13的長度為0.6mm左右，就能抑制剝離的發(fā)展。通過實驗已經(jīng)得知，例如在連結(jié)部13的長度為0.3mm的情況下，剝離到達島狀接合區(qū)12。
在狹縫14a中，形成有缺口部，該缺口部位于連結(jié)部13的連結(jié)部分中的散熱板4側(cè)連結(jié)部分的兩側(cè)部分，往內(nèi)部引線5側(cè)延伸著。這樣，從芯片墊2到島狀接合區(qū)12為止的爬電距離就更長，因而剝離的發(fā)展進一步受到抑制。此外，通過設(shè)置該缺口部，引線框1A和密封用樹脂材料的緊貼性就提高。因此，能夠抑制由于對散熱板4進行切斷及折彎時的機械應(yīng)力而發(fā)生的、從密封用樹脂材料的端面往內(nèi)部造成的引線框1A與密封用樹脂材料之間的剝離的發(fā)展和隨之引起的抗?jié)裥詯夯?。因此，能夠防止水從密封用樹脂材料的端面向支撐有半?dǎo)體芯片的芯片墊2侵入而引起的、半導(dǎo)體裝置的耐壓的惡化。補充說明一下，若狹縫14a的缺口部是向內(nèi)部引線5側(cè)延伸0.1mm到0.2mm左右的，就能夠抑制抗?jié)裥缘膼夯?br> 在連結(jié)部13上，利用半蝕刻法形成有兩個深度為0.09mm的槽部9。這樣，從密封用樹脂材料的端面到島狀接合區(qū)12為止的爬電距離就更長。因此，即使在由于機械應(yīng)力而從密封用樹脂材料的端面往內(nèi)部發(fā)生了引線框1A與密封用樹脂材料之間的剝離的情況下，也能用槽部9抑制剝離的發(fā)展。補充說明一下，在此，利用半蝕刻法來形成了連結(jié)部13上的槽部9，也可以利用沖壓法形成該槽部9，來代替半蝕刻法。對槽部9的設(shè)置數(shù)量來講，只要根據(jù)連結(jié)部13的長度任意設(shè)定就可以。
如上所述，第一實施例所涉及的島狀接合區(qū)12，即使是在發(fā)生了由于機械應(yīng)力而從密封用樹脂材料的端面往內(nèi)部造成的密封用樹脂材料與散熱板4之間的剝離、和由于熱應(yīng)力而從芯片墊2往外部造成的引線框1A與密封用樹脂材料之間的剝離的情況下，狹縫14a也使密封用樹脂材料從四個方向覆蓋島狀接合區(qū)12，因而能夠抑制剝離發(fā)展而到達島狀接合區(qū)12。其結(jié)果是，能夠防止引線接合部分與接合區(qū)之間的剝離、和引線接合部分的折斷。因此，能夠防止失去電連接部分的連接可靠性。而且，因為在散熱板4中設(shè)置了島狀接合區(qū)12，所以在使芯片墊2支撐半導(dǎo)體芯片的情況下，能夠進行電連接的接合區(qū)數(shù)量增加。因此，能夠增大使芯片墊2支撐的半導(dǎo)體芯片的平面布置的自由度。
在第一實施例中，在未形成島狀接合區(qū)12的、其他散熱板4的密封區(qū)域7，只形成有狹縫14b。與包圍島狀接合區(qū)12的狹縫14a一樣，通過設(shè)置狹縫14b，引線框1A和密封用樹脂材料的緊貼性就提高，能夠抑制由于對散熱板4進行切斷及折彎時的機械應(yīng)力而從密封用樹脂材料的端面往內(nèi)部造成的引線框1A與密封用樹脂材料之間的剝離的發(fā)展、和隨之引起的抗?jié)裥缘膼夯Ｒ虼?，能夠防止水從密封用樹脂材料的端面向支撐半?dǎo)體芯片的芯片墊2侵入而引起的、半導(dǎo)體裝置的耐壓的惡化。補充說明一下，狹縫14b的寬度只要大約有散熱板4寬度的 以上，就能夠抑制抗?jié)裥缘膼夯?br> 第一實施例所涉及的引線框1A的GND引線6，具有朝著屬于與該GND引線6同一平面的方向彎曲的彎曲部15。這樣，就與在GND引線6沒有彎曲部15的狀態(tài)下和芯片墊2連結(jié)起來的情況相比，從芯片墊2到系桿3為止的爬電距離更長。在本實施例中，通過延長從芯片墊2到GND引線上接合區(qū)16為止的距離，提高了GND引線6和密封用樹脂材料的緊貼性。因此，能夠抑制由于熱應(yīng)力而從芯片墊2往外部發(fā)生的剝離的發(fā)展。補充說明一下，形成在GND引線6中的彎曲部15的彎曲數(shù)量并不限于兩個。
如圖1所示，在GND引線6上形成有使從芯片墊2到系桿3為止的爬電距離進一步延長的槽部9，該槽部9形成在垂直于GND引線6的延伸方向的方向上。GND引線6與芯片墊2連結(jié)的部分，形成為寬度小于其他內(nèi)部引線5的寬度。這樣，通過設(shè)GND引線6的連結(jié)部分的寬度為比內(nèi)部引線5的寬度小的寬度，連結(jié)部分的與密封用樹脂材料的緊貼性提高，能夠抑制從芯片墊2往外部發(fā)生的剝離發(fā)展而到達GND引線上接合區(qū)16。補充說明一下，在GND引線6上的兩個部位設(shè)置了槽部9，并且設(shè)為連結(jié)部分的寬度大約有內(nèi)部引線5的寬度的 不過，并不需要限定于這些數(shù)值。
在使引線框1A支撐具有高耐壓元件的半導(dǎo)體芯片的情況下，因為在設(shè)置在GND引線6外側(cè)的延長線上的外部引線8、和設(shè)置在與GND引線6相鄰的內(nèi)部引線5外側(cè)的延長線上的外部引線8之間發(fā)生較高的電位差，所以需要設(shè)連接于GND引線6上的外部引線8、和與該連接于GND引線6上的外部引線8相鄰的其他外部引線8之間的絕緣距離為較長的距離。因此，在本實施例中，與連接于GND引線6上的外部引線8相鄰的其他外部引線8中的一條外部引線8不連接于內(nèi)部引線5上，而在樹脂密封工序后被除掉，成為無引線框腳狀態(tài)。
如上所述，在第一實施例中，即使GND引線6為了延長爬電距離而形成多個彎曲部15，該GND引線6在未與內(nèi)部引線5連結(jié)的外部引線8的延長線上和芯片墊2也連結(jié)，形成在設(shè)為無引線框腳狀態(tài)的、內(nèi)部引線5的空間內(nèi)。這樣，因為即使在GND引線6中設(shè)置多個彎曲部15來延長離芯片墊2的爬電距離，也不需要額外的面積，所以能將包括高耐壓元件的半導(dǎo)體裝置小型化。補充說明一下，在GND引線6中形成的彎曲部15數(shù)量不限于兩個。也可以是這樣的，GND引線6，不是在未與內(nèi)部引線5連結(jié)的外部引線8的延長線上和芯片墊2連結(jié)的。
(第二實施例)下面，參照

本發(fā)明的第二實施例。
圖2，表示本發(fā)明的第二實施例所涉及的、用于高耐壓元件的引線框的平面結(jié)構(gòu)之一例。在圖2中，用相同符號表示與圖1相同的結(jié)構(gòu)部件，來省略這些結(jié)構(gòu)部件的說明。補充說明一下，在第二實施例中，僅說明與第一實施例的不同之處。
如圖2所示，在第二實施例所涉及的引線框1B中，在相對島狀接合區(qū)12而言的與芯片墊2相反的一側(cè)形成有沿散熱板4的寬度方向延伸的、獨立的狹縫14d，來代替在形成于設(shè)置在散熱板4中的島狀接合區(qū)12周圍的狹縫14c中設(shè)置沿散熱板4的寬度方向延伸的缺口部這一做法。
這樣，通過除了形成在島狀接合區(qū)12周圍的狹縫14c以外，還形成獨立的狹縫14d，引線框1B和密封用樹脂材料的緊貼性就提高。因此，能夠抑制由于對散熱板4進行切斷及折彎時的機械應(yīng)力而從密封用樹脂材料的端面往內(nèi)部發(fā)生的引線框1B與密封用樹脂材料之間的剝離的發(fā)展、和隨之發(fā)生的抗?jié)裥缘膼夯?br> 而且，還能夠防止水從密封用樹脂材料的端面向支撐有半導(dǎo)體芯片的芯片墊2侵入而引起的、半導(dǎo)體裝置的耐壓的惡化。
在第二實施例中，將相對其寬度為1.5mm的芯片墊2設(shè)置的狹縫14d的長度設(shè)為1mm。若狹縫14d的長度尺寸大概是這樣的尺寸，就能夠得到抑制剝離的發(fā)展的效果。不過，狹縫14d的長度并不需要限定于該尺寸。
如第二實施例那樣，通過在島狀接合區(qū)12與密封用樹脂材料的端部之間形成狹縫14d，從密封用樹脂材料的端面到島狀接合區(qū)12為止的爬電距離就變長，并且引線框1B和密封用樹脂材料的緊貼性就提高，因而剝離的發(fā)展受到抑制。因此，能夠防止失去電連接部分的連接可靠性。
(第三實施例)下面，參照

本發(fā)明的第三實施例。
圖3，表示本發(fā)明的第三實施例所涉及的、用于高耐壓元件的引線框的平面結(jié)構(gòu)之一例。在圖3中，用相同符號表示與圖1相同的結(jié)構(gòu)部件，來省略這些結(jié)構(gòu)部件的說明。補充說明一下，在第三實施例中，也僅說明與第一實施例的不同之處。
如圖3所示，在第三實施例所涉及的引線框1C中，連結(jié)島狀接合區(qū)12和散熱板4的連結(jié)部13被設(shè)置在芯片墊2側(cè)。而且，相對島狀接合區(qū)12而言，在芯片墊2側(cè)形成有沿散熱板4的寬度方向延伸的、獨立的狹縫14f，來代替在形成于設(shè)置在散熱板4中的島狀接合區(qū)12周圍的狹縫14e中設(shè)置沿散熱板4的寬度方向延伸的缺口部這一做法。
這樣，通過將島狀接合區(qū)12的連結(jié)部13設(shè)置在靠近芯片墊2的位置，從散熱板4外側(cè)到島狀接合區(qū)12為止的爬電距離就變長。因此，由于對散熱板4進行切斷及折彎時的機械應(yīng)力而從密封用樹脂材料的端面往內(nèi)部發(fā)生的、引線框1C與密封用樹脂材料之間的剝離不易向島狀接合區(qū)12發(fā)展。
另一方面，通過將連結(jié)部13設(shè)置在靠近芯片墊2的位置，從芯片墊2到島狀接合區(qū)12為止的爬電距離就變短，因而有下述憂慮，即由于熱應(yīng)力而從芯片墊2往外部發(fā)生的、引線框1C與密封用樹脂材料之間的剝離會發(fā)展而到達島狀接合區(qū)12。于是，在第三實施例中，在島狀接合區(qū)12與芯片墊2之間形成具有與第二實施例所涉及的狹縫14d基本上一樣的結(jié)構(gòu)的狹縫14f，來使從芯片墊2到島狀接合區(qū)12為止的爬電距離變長，這樣來抑制由于熱應(yīng)力而發(fā)生的剝離的發(fā)展。
(第四實施例)下面，參照

本發(fā)明的第四實施例。
圖4和圖5，表示本發(fā)明的第四實施例所涉及的、引線框支撐有高耐壓元件的半導(dǎo)體裝置的平面結(jié)構(gòu)之一例。圖6(a)表示沿圖4的VIa-VIa線的剖面結(jié)構(gòu)；圖6(b)表示沿圖5的VIb-VIb線的剖面結(jié)構(gòu)。補充說明一下，第四實施例，是使用了第一實施例所涉及的引線框1A的半導(dǎo)體裝置之一例。因此，在圖4到圖6中，用相同符號表示與圖1相同的結(jié)構(gòu)部件，來省略這些結(jié)構(gòu)部件的說明。
如圖4所示，在第四實施例所涉及的半導(dǎo)體裝置中，用導(dǎo)電性粘合劑將具有電極墊18和接地用電極墊19的、包括高耐壓元件在內(nèi)的半導(dǎo)體芯片17接合在引線框1A的芯片墊2上。補充說明一下，將導(dǎo)電性粘合劑用于半導(dǎo)體芯片17的芯片接合。不過，也可以使用焊錫等，來代替該導(dǎo)電性粘合劑。半導(dǎo)體芯片17不限定于高耐壓元件，只要是使半導(dǎo)體裝置需要高散熱性的半導(dǎo)體芯片17就可以。
接合在芯片墊2上的半導(dǎo)體芯片17中的電極墊18，通過金屬細線21接合在內(nèi)部引線5的接合區(qū)20上，并且與該接合區(qū)20電連接；該半導(dǎo)體芯片17中的接地用電極墊19，通過金屬細線21接合在島狀接合區(qū)12上，并且與該島狀接合區(qū)12電連接。在本實施例中，使半導(dǎo)體芯片17的接地用電極墊19和島狀接合區(qū)12互相進行引線接合，不過也可以是這樣的，如圖4的變形例所示，用金屬細線21使接地用電極墊19和GND引線上接合區(qū)16互相進行引線接合。
與半導(dǎo)體芯片17電連接的引線框1A的密封區(qū)域7，是例如利用傳遞模塑法，用由環(huán)氧樹脂等密封用樹脂材料構(gòu)成的密封部22進行密封的。在樹脂密封工序中，將密封用樹脂材料填充在槽部9和狹縫14a中。這時，因為散熱板4的一部分、系桿3及與內(nèi)部引線5連結(jié)的外部引線8從密封部22的端面露出，所以對露出來的散熱板4的一部分、系桿3及外部引線8進行樹脂材料的修邊。此外，對系桿3進行系桿切斷。與GND引線6相鄰的、未與內(nèi)部引線5連結(jié)的外部引線8被切斷，成為無引線框腳狀態(tài)。散熱板4的一部分和外部引線8被進行引線切斷，被彎成鷗翼狀。
這樣形成的、第四實施例所涉及的半導(dǎo)體裝置，在引線框1A上的密封部22中具有通過金屬細線21與半導(dǎo)體芯片17的接地用電極墊19電連接的島狀接合區(qū)12。這時，由于狹縫14a的存在，島狀接合區(qū)12周圍中的連結(jié)部13以外的部分與引線框1A隔異。
下面，對第四實施例所涉及的使用了高耐壓元件用引線框的半導(dǎo)體裝置、和現(xiàn)有的使用了高耐壓元件用引線框的半導(dǎo)體裝置進行比較。
，分別表示下述結(jié)果，即在溫度為85℃、相對濕度為85％并且電源電壓的施加時間為1000小時的溫濕度偏壓(THBtemperaturehumidity bias)試驗中，從密封部22的端面往內(nèi)部發(fā)生的剝離發(fā)展而到達了GND連接用接合區(qū)(在本發(fā)明中，為島狀接合區(qū))的、發(fā)生了缺陷的比例，和在將使溫度從-65℃上升到150℃的升溫及使溫度從150℃下降到-65℃的降溫反復(fù)100轉(zhuǎn)周期的熱沖擊試驗中，從支撐有半導(dǎo)體芯片的芯片墊往外部發(fā)生的剝離發(fā)展而到達了GND連接用接合區(qū)的、發(fā)生了缺陷的比例。


由[圖表1]可以看出，對圖4所示的、第四實施例所涉及的半導(dǎo)體裝置來講，在哪種試驗中都沒有發(fā)生缺陷。與此相對，對圖8所示的、現(xiàn)有的使用了引線框的半導(dǎo)體裝置來講，溫濕度偏壓試驗時，在18次試驗中的7次試驗中發(fā)生了缺陷；熱沖擊試驗時，在20次試驗中的12次試驗中發(fā)生了缺陷。
，表示在溫度為85℃、相對濕度為85％并且電源電壓的施加時間為1000小時的溫濕度偏壓試驗中，抗?jié)裥噪S著剝離的發(fā)展惡化，以致發(fā)生了耐壓惡化的缺陷的比例。


由[圖表2]可以看出，圖4所示的、第四實施例所涉及的半導(dǎo)體裝置沒有發(fā)生耐壓的惡化。另一方面，對圖8所示的、現(xiàn)有的使用了引線框的半導(dǎo)體裝置來講，在15次試驗中的3次試驗中發(fā)生了耐壓惡化。
，表示對使接地用電極墊和GND引線上接合區(qū)16互相進行引線接合的半導(dǎo)體裝置進行了與[圖表1]基本上一樣的試驗的結(jié)果。


由[圖表3]可以看出，對圖5所示的、第四實施例的一個變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置來講，在哪種試驗中都沒有發(fā)生缺陷。另一方面，對圖9所示的、現(xiàn)有的使用了引線框的半導(dǎo)體裝置來講，溫濕度偏壓試驗時，在8次試驗中的6次試驗中發(fā)生了缺陷；熱沖擊試驗時，在9次試驗中的3次試驗中發(fā)生了缺陷。
如上所述，因為在第四實施例及其變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置中，由狹縫14a從三個方向包圍的島狀接合區(qū)12被密封用樹脂材料覆蓋著，所以即使在發(fā)生了從密封部22的端面往內(nèi)部發(fā)展的剝離和從芯片墊2往外部發(fā)展的剝離的情況下，也能夠抑制剝離發(fā)展而到達島狀接合區(qū)12。因此，能夠防止引線接合部分與接合區(qū)之間的剝離和引線接合部分的折斷，因而能夠防止失去電連接部分的連接可靠性。
在對半導(dǎo)體芯片17的接地用電極墊19和GND引線上接合區(qū)16進行引線接合的、一個變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置中，通過在GND引線6中設(shè)置彎曲部15，從芯片墊2到GND引線上接合區(qū)16，乃至于到外部引線8為止的爬電距離變長。再加上，因為在GND引線6上至少形成有一個槽部9，所以從芯片墊2到系桿3為止的爬電距離進一步變長，因而GND引線6和密封用樹脂材料的緊貼性提高。其結(jié)果是，能夠抑制由于熱應(yīng)力而發(fā)生的、從芯片墊2往外部發(fā)展的剝離到達GND引線上接合區(qū)16。
這樣，就能夠防止引線接合部分與接合區(qū)之間的界面的剝離、或引線接合部分的折斷。因此，能夠防止失去電連接部分的連接可靠性。
-工業(yè)實用性-根據(jù)本發(fā)明所涉及的引線框和使用了它的半導(dǎo)體裝置，即使在引線框與密封用樹脂材料之間發(fā)生了剝離，也抑制該剝離的發(fā)展，不會失去電連接部分的連接可靠性，因此對支撐有高耐壓元件等需要高散熱性的半導(dǎo)體芯片的引線框及使用了它的半導(dǎo)體裝置等很有用。
權(quán)利要求
1.一種引線框，包括上表面支撐半導(dǎo)體芯片的芯片墊，分別從所述芯片墊中的一個側(cè)面和與該一個側(cè)面相向的其他側(cè)面向外側(cè)延伸的散熱板，多條分別與所述芯片墊的側(cè)面中不位于所述散熱板側(cè)且互相相向的那兩個側(cè)面相向、設(shè)置為夾著所述芯片墊的內(nèi)部引線，以及多條形成在所述多條內(nèi)部引線的外側(cè)、與所述內(nèi)部引線連接的外部引線；所述多條內(nèi)部引線中的至少一條內(nèi)部引線，是與所述芯片墊連結(jié)的接地引線，其特征在于在所述散熱板中，形成有周圍的三個方向被第一狹縫包圍、并且剩下的一個方向通過連結(jié)部與所述散熱板連接的島狀接合區(qū)，該島狀接合區(qū)的電位與所述芯片墊相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于所述島狀接合區(qū)，形成在所述散熱板中的垂直于該散熱板的延伸方向的寬度方向上的中央部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的引線框，其特征在于包括所述接地引線在內(nèi)的所述各條內(nèi)部引線，在該各條內(nèi)部引線的表面上具有形成在垂直于所述各條內(nèi)部引線的延伸方向的方向上的槽部；所述接地引線，至少具有兩個朝著屬于與該接地引線同一平面的方向彎曲的彎曲部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于所述島狀接合區(qū)的平面形狀，呈四角形狀、圓形狀、橢圓形狀、U字形狀或V字形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于所述連結(jié)部的寬度，小于所述島狀接合區(qū)的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于所述第一狹縫，在所述連結(jié)部中的與所述散熱板的連接部分的兩側(cè)具有向所述內(nèi)部引線側(cè)延伸的缺口部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于相對所述島狀接合區(qū)而言，所述連結(jié)部形成在與所述芯片墊相反的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于所述連結(jié)部，在該連結(jié)部的表面上具有形成在垂直于所述連結(jié)部的延伸方向的方向上的槽部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于所述散熱板，具有形成在位于所述島狀接合區(qū)的外側(cè)、并且被密封用樹脂材料密封的區(qū)域中的第二狹縫。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于相對所述島狀接合區(qū)而言，所述連結(jié)部形成在所述芯片墊側(cè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線框，其特征在于所述散熱板，具有形成在所述芯片墊與所述第一狹縫之間的第三狹縫。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于所述散熱板具有第四狹縫，相對所述芯片墊而言，該第四狹縫形成在與所述島狀接合區(qū)相反的一側(cè)的區(qū)域中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于所述接地引線的與所述芯片墊連接的部分的寬度，小于其他內(nèi)部引線的寬度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框，其特征在于在所述多條外部引線中，與連接于所述接地引線上的外部引線相鄰的外部引線中的至少一條外部引線，未與所述內(nèi)部引線連接。
15.一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置使用權(quán)利要求1所述的引線框；所述半導(dǎo)體裝置，包括支撐在所述芯片墊上、具有電極墊和接地用電極墊的半導(dǎo)體芯片，和由對包括所述半導(dǎo)體芯片在內(nèi)的所述芯片墊、所述各條內(nèi)部引線及包括所述島狀接合區(qū)在內(nèi)的所述散熱板的一部分進行密封的密封用樹脂材料構(gòu)成的密封部；所述半導(dǎo)體芯片的所述電極墊，利用金屬細線與所述內(nèi)部引線電連接，所述半導(dǎo)體芯片的所述接地用電極墊，利用金屬細線與所述島狀接合區(qū)或所述接地引線的接合區(qū)電連接，其特征在于所述島狀接合區(qū)周圍中的所述連結(jié)部以外的部分，被所述密封用樹脂材料覆蓋；所述散熱板中的其余部分和所述各條外部引線，被彎成鷗翼狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片，是高耐壓元件。
17.一種引線框，包括上表面支撐半導(dǎo)體芯片的芯片墊，分別從所述芯片墊中的一個側(cè)面和與該一個側(cè)面相向的其他側(cè)面向外側(cè)延伸的散熱板，多條分別與所述芯片墊的側(cè)面中不位于所述散熱板側(cè)且互相相向的那兩個側(cè)面相向、設(shè)置為夾著所述芯片墊的內(nèi)部引線，以及多條形成在所述多條內(nèi)部引線的外側(cè)、與所述內(nèi)部引線連接的外部引線；所述多條內(nèi)部引線中的至少一條內(nèi)部引線，是與所述芯片墊連結(jié)的接地引線，其特征在于包括所述接地引線在內(nèi)的所述各條內(nèi)部引線，在該各條內(nèi)部引線的表面上具有形成在垂直于所述各條內(nèi)部引線的延伸方向的方向上的槽部；所述接地引線，至少具有兩個朝著屬于與該接地引線同一平面的方向彎曲的彎曲部。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的引線框，其特征在于所述接地引線的與所述芯片墊連接的部分的寬度，小于其他內(nèi)部引線的寬度。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的引線框，其特征在于在所述多條外部引線中，與連接于所述接地引線上的外部引線相鄰的外部引線中的至少一條外部引線，未與所述內(nèi)部引線連接。
20.一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置使用權(quán)利要求17所述的引線框；所述半導(dǎo)體裝置，包括支撐在所述芯片墊上、具有電極墊和接地用電極墊的半導(dǎo)體芯片，和由對包括所述半導(dǎo)體芯片在內(nèi)的所述芯片墊、所述各條內(nèi)部引線及包括所述島狀接合區(qū)在內(nèi)的所述散熱板的一部分進行密封的密封用樹脂材料構(gòu)成的密封部；所述半導(dǎo)體芯片的所述電極墊，利用金屬細線與所述內(nèi)部引線電連接，所述半導(dǎo)體芯片的所述接地用電極墊，利用金屬細線與所述島狀接合區(qū)或所述接地引線的接合區(qū)電連接，其特征在于所述島狀接合區(qū)周圍中的所述連結(jié)部以外的部分，被所述密封用樹脂材料覆蓋；所述散熱板中的其余部分和所述各條外部引線，被彎成鷗翼狀。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片，是高耐壓元件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種引線框及使用了它的半導(dǎo)體裝置。該引線框，包括上表面支撐半導(dǎo)體芯片的芯片墊，分別從芯片墊中的一個側(cè)面和與該一個側(cè)面相向的其他側(cè)面向外側(cè)延伸的散熱板，以及多條分別與芯片墊的側(cè)面中不位于散熱板側(cè)且互相相向的那兩個側(cè)面相向、設(shè)置為夾著芯片墊的內(nèi)部引線。多條內(nèi)部引線中的至少一條，是與芯片墊連結(jié)的GND引線。在散熱板中，形成有周圍的三個方向被狹縫包圍、并且剩下的一個方向通過連結(jié)部與散熱板連接的島狀接合區(qū)。因此，能夠設(shè)為在使用了引線框的半導(dǎo)體裝置中，得到即使在引線框與密封用樹脂材料之間發(fā)生剝離也不會因該剝離而失去電連接部分的連接可靠性的半導(dǎo)體裝置。
文檔編號H01L23/50GK101071796SQ20071000573
公開日2007年11月14日 申請日期2007年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月9日
發(fā)明者野崎洋一郎, 竹花康宏, 小賀彰, 福田敏行, 藤原誠司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社