專利名稱：表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置以及表面波激發(fā)等離子體處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是一種從微波產(chǎn)生裝置導入微波而產(chǎn)生表面波激發(fā)等離子體的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置，以及一種利用表面波激發(fā)等離子體來進行CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)或蝕刻等的表面波激發(fā)等離子體處理裝置。
背景技術：
表面波激發(fā)等離子體(SWPSurface Wave Plasma)通過如下方式而生成，即，將在微波導波管內(nèi)傳播的微波從槽孔天線導入到電介質部件內(nèi)，再利用因微波電力而在電介質部件表面上產(chǎn)生的表面波來激發(fā)等離子體，從而生成表面波激發(fā)等離子體。作為此種微波導波管，已知有在底板上設置有多個槽孔天線的無終端環(huán)狀導波管(例如，參照專利文獻1)。
專利文獻1日本專利特開平5-345982號公報(第2頁，圖6、圖9)專利文獻1中所揭示的無終端環(huán)狀導波管由于無終端部，因此有時會干擾在管內(nèi)傳播的微波，而導致無法形成穩(wěn)定的駐波，駐波的相位與槽孔天線的相互位置變得不確定，使得微波電力集中在特定的槽孔天線。因此，存在著表面波激發(fā)等離子體的產(chǎn)生效率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
(1)本發(fā)明權利要求第1項的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置的特征在于，包括微波產(chǎn)生裝置、環(huán)狀微波導波管、以及筒狀電介質部件，并且當微波的管內(nèi)波長為λg，常數(shù)k在0.95λg～λg的范圍內(nèi)時，將底板的內(nèi)側面的周長設為常數(shù)k的整數(shù)倍，其中，所述環(huán)狀微波導波管包括從微波產(chǎn)生裝置導入微波的導入部以及固定的終端部，并且將形成有1個槽孔天線或者以預定間隔而配置有多個槽孔天線的底板作為內(nèi)側面，所述筒狀電介質部件呈筒狀，所述筒的外側面與環(huán)狀微波導波管的底板相連接而配設著，并且通過槽孔天線而導入在環(huán)狀微波導波管內(nèi)傳播的微波，并利用形成于表面的表面波來生成表面波激發(fā)等離子體。
(2)本發(fā)明權利要求第2項的特征在于，在權利要求第1項所述的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置中，將多個槽孔天線的預定間隔設為常數(shù)k的整數(shù)倍。
(3)本發(fā)明權利要求第3項的特征在于，在權利要求第1項或者第2項所述的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置中，將終端部與配置在其正前方的槽孔天線之間的距離設為常數(shù)k的1/2的整數(shù)倍。
(4)本發(fā)明權利要求第4項的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置的特征在于包括微波產(chǎn)生裝置、環(huán)狀微波導波管、以及筒狀電介質部件，并且當在筒狀電介質部件的內(nèi)周面?zhèn)鞑サ谋砻娌ǖ牟ㄩL為λs，常數(shù)k在0.95λs～λs的范圍內(nèi)時，筒狀電介質部件的內(nèi)側面的周長設為常數(shù)s的整數(shù)倍，其中，所述環(huán)狀微波導波管包括從微波產(chǎn)生裝置導入微波的導入部以及固定的終端部，并且將形成有1個槽孔天線或者以預定間隔而配置有多個槽孔天線的底板作為內(nèi)側面，所述筒狀電介質部件呈筒狀，所述筒的外側面與環(huán)狀微波導波管的底板相連接而配設著，并且通過槽孔天線而導入在環(huán)狀微波導波管內(nèi)傳播的微波，并利用形成于表面上的表面波而生成表面波激發(fā)等離子體。
(5)本發(fā)明權利要求第5項的特征在于，在權利要求第1項至第4項中任一項所述的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置中，設有在筒狀電介質部件的內(nèi)部空間內(nèi)供用以輔助開始放電的以碳、碳化硅等為材料的放電輔助部件插卸用的機構。
(6)本發(fā)明權利要求第6項的表面波激發(fā)等離子體處理裝置的特征在于，包括權利要求第1項至第5項中任一項所述的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置、以及處理室，其中，所述處理室用來保持筒狀電介質部件，從而形成氣密空間，并利用表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置所生成的等離子體，來對被處理物進行處理。
根據(jù)本發(fā)明，可使具有終端部的環(huán)狀微波導波管的構造、尺寸相對于微波的管內(nèi)波長達到最適化，因此可有效地產(chǎn)生表面波激發(fā)等離子體。


圖1是本發(fā)明第一實施形態(tài)的SWP處理裝置以模式方式所示的整體結構圖。
圖2是圖1所示的SWP處理裝置的主要部位的I-I剖面圖。
圖3是第一實施形態(tài)的SWP處理裝置的主要部位的水平剖面圖。
圖4是第一實施形態(tài)的SWP處理裝置的微波的入射波M與反射波R的干擾狀態(tài)以模式方式所示的圖解。
圖5是第一實施形態(tài)的SWP產(chǎn)生裝置、SWP處理裝置中所使用的環(huán)狀導波管的變形例以模式方式所示的平面圖。
圖6是第一實施形態(tài)、第二實施形態(tài)的SWP產(chǎn)生裝置的變形例以模式方式所示的縱剖面圖。
1微波產(chǎn)生裝置 1a微波電源1b微波振蕩器1c隔離器1d方向性結合器 1e整合器If連結管2、20環(huán)狀導波管2a導入口2b、20b終端板2c底板 2d槽孔天線3電介質管 4等離子體處理室4a、31a、31bO形圈 5上表面氣體導入管6側面氣體導入管 7排氣口8基板托架 10、10ASWP產(chǎn)生裝置20b終端板 21冷卻套22冷媒用通道23O形圈封31凸緣部33移動機構40碳棒 40a開口41平板 42絕緣部件43棒材 100SWP處理裝置a～f位置C合成波D1、D2直徑 E終端H底板2c的內(nèi)面 M微波(入射波)R反射波 SW表面波O圓筒的中心位置 P表面波激發(fā)等離子體S基板具體實施方式
以下，參照圖1～圖6，說明本發(fā)明實施形態(tài)的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置(以下稱作SWP產(chǎn)生裝置)以及表面波激發(fā)等離子體處理裝置(以下稱作SWP處理裝置)。
<第一實施形態(tài)>
圖1是本發(fā)明第一實施形態(tài)的SWP處理裝置以模式方式所示的整體結構圖。圖2是圖1所示的SWP處理裝置的主要部位的I-I剖面圖。圖3是圖1所示的SWP處理裝置的主要部位的水平剖面圖。
參照圖1、圖2，SWP處理裝100的結構包括SWP產(chǎn)生裝置10以及等離子體處理室4。SWP產(chǎn)生裝置10包括微波產(chǎn)生裝置1、環(huán)狀導波管2、以及電介質管3，其中，所述環(huán)狀導波管2與微波產(chǎn)生裝置1相連接，所述電介質管3配置在環(huán)狀導波管2內(nèi)側。等離子體處理室4中，配設有上表面氣體導入管5、側面氣體導入管6、排氣口7、以及基板托架8，其中，所述上表面氣體導入管5用來從上表面導入制程氣體，所述側面氣體導入管6用來從側面導入材料氣體或制程氣體，所述排氣口7通過配管來與未圖示的真空泵連接，所述基板托架8用來保持被處理基板S。這樣的SWP產(chǎn)生裝置10可在等離子體處理室4內(nèi)產(chǎn)生表面波激發(fā)等離子體(SWP)。
微波產(chǎn)生裝置1包括微波電源1a、微波振蕩器1b、隔離器1c、方向性結合器1d、整合器1e、以及連結管1f，所述微波產(chǎn)生裝置1例如可產(chǎn)生2.45 GHz的微波M，并通過該連結管1f，將微波M送到環(huán)狀導波管2內(nèi)。
環(huán)狀導波管2例如由鋁合金或非磁性不銹鋼制成且包括導入微波M用的導入口2a、以及使被導入的、在管內(nèi)傳播的微波M反射用的終端板2b，并且形成由終端板2b來封閉管的一端的構造。如圖2所示，環(huán)狀導波管2的橫剖面為中空的矩形狀，以底板2c作為內(nèi)周側而呈環(huán)狀。在底板2c上，形成有1個槽孔天線2d或者以預定間隔而形成有多個槽孔天線2d。槽孔天線2d為貫穿底板2c而形成的例如為長矩形狀的開口。另外，底板2c的內(nèi)面稱為磁界面(H面)。
電介質管3由石英或者氧化鋁等制成，并在其兩端面通過O形圈4a而安裝在等離子體處理室4內(nèi)，并且，電介質管3的外側面與環(huán)狀導波管2的底板2c相連接而配設著。由此，在等離子體處理室4內(nèi)形成氣密空間。如圖2所示，在本實施形態(tài)中，等離子體處理室4包括有底筒狀的本體41、以及蓋體42，其中，所述本體41在上表面載置著電介質管3，所述蓋體42用來封閉電介質管3的上表面。
在等離子體處理室4內(nèi)，可通過如下方式來產(chǎn)生表面波激發(fā)等離子體P。首先，排出室內(nèi)空氣而形成高真空，其次，從上表面氣體導入管5以及側面氣體導入管6導入氮氣、氫氣、氧氣、氬氣等制程氣體或者SiH4氣體、Si2H6氣體、TEOS氣體等的材料氣體。一面導入氣體，一面通過排氣口7排氣，以此使等離子體處理室4內(nèi)部保持為預定的氣體壓力。在這樣的預定的氣體種類、氣體壓力下，通過槽孔天線2d，將微波電力從環(huán)狀導波管2導入到電介質管3內(nèi)，利用在電介質管3的內(nèi)周面?zhèn)鞑サ谋砻娌⊿W的能量，在電介質管4的內(nèi)部空間生成等離子體P。利用所述表面波激發(fā)等離子體，對等離子體處理室4內(nèi)的氣體進行電離、解離，并進行成膜、蝕刻、灰化等的等離子體處理。
參照圖2、圖3，來說明環(huán)狀導波管2以及電介質管3各部分的尺寸。以下，為了簡單，將環(huán)狀導波管2以及電介質管3設成同心的圓筒形狀，并將圓筒的中心位置設為0。D1為環(huán)狀導波管2的底板2c的內(nèi)側面(H面)直徑，底板2c的內(nèi)側面周長成為π×D1。環(huán)狀導波管2的內(nèi)尺寸為A×B。D2為電介質管3的內(nèi)周面直徑，內(nèi)周面的周長為π×D2。
如圖3所示，位置a表示微波產(chǎn)生裝置1的連結管1f內(nèi)的基準點，位置b、c、d、e、f位于環(huán)狀導波管2的底板2c上，位置b對應于微波M的導入口2a，位置f對應于終端板2b。從位置b開始經(jīng)過位置c、d、e直到位置f為止的長度是所述底板2c的內(nèi)側面的周長π×D1。位置b為環(huán)狀導波管2的轉角部，其與位置f等效，以將周長π×D1四等分的間隔來分布各個位置b、c、d、e、f。
微波M在環(huán)狀導波管2內(nèi)形成駐波，并在傳播過程中，通過配設在底板2c的槽孔天線2d放射到電介質管3內(nèi)，所述環(huán)狀導波管2在終端板2b形成終端。
圖4是微波的電場分布中的入射波M與反射波R的干擾狀態(tài)以模式方式所示的圖解。在圖中，入射波M從左向右行進，并在終端E反射而形成反射波R，而反射波R則從右向左行進。合成波C是入射波M與反射波R合成而生成的。
圖4的圖上所示的位置b、c、d、e、f分別對應于圖3所示的環(huán)狀導波管2內(nèi)的各位置b、c、d、e、f。當在環(huán)狀導波管2內(nèi)傳播的微波M的波長(管內(nèi)波長)設為λg時，將從位置b開始經(jīng)過位置c、d、e直到位置f為止的長度設定為2λg，也就是說，將環(huán)狀導波管2的周長π×D1設定為2λg時，位置b、c、d、e、f之間的間隔為λg/2。
事實上，當常數(shù)k在0.95λg～λg的范圍內(nèi)時，將環(huán)狀導波管2的周長π×D1設定為常數(shù)k的整數(shù)倍。在此，常數(shù)k為實驗所得的數(shù)值。一般來說，當n設為正整數(shù)時，通過設定成π×D1＝n×k，則環(huán)狀導波管2內(nèi)的駐波的狀態(tài)得到確定，且可對槽孔天線2d進行定位。
參照圖3、圖4，來說明槽孔天線2d的位置。相應于所述駐波的波長及相位，將槽孔天線2d配置于位置c及位置e兩處。這兩個槽孔天線2d的間隔等于管內(nèi)波長λg。一般而言，將槽孔天線2d彼此之間的間隔設定為常數(shù)k的整數(shù)倍。并且，終端E與位置e的槽孔天線2d之間的距離等于λg/2。一般而言，將終端板2b與鄰接于所述終端板2b的槽孔天線2d之間的距離設定為常數(shù)k的1/2的整數(shù)倍。這是因為考慮到利用終端板2b來形成微波M的駐波。這樣，便可相應于微波M的駐波的波長與相位來配置槽孔天線2d。
實際應用時，例如，當環(huán)狀導波管2的橫剖面的內(nèi)尺寸(圖2的A×B)為109.2×54.6mm時，管內(nèi)波長λg為1 47.9mm，因此當n＝2時，環(huán)狀導波管2的周長π×D1為295.8mm。因此，將D1設定為94.2mm，將槽孔天線2d的間隔設定為λg(＝147.9mm)即可。管內(nèi)波長λg可通過公式1來算出。
λg＝λ/√{1-(λ/λc)2}(1)其中，λ為微波M的自由空間波長，λc為切斷波長，λc＝2A。
并且，當環(huán)狀導波管2的橫剖面的內(nèi)尺寸為96×27mm時，管內(nèi)波長λg為158.8mm，因此同上所述，設定周長π×D1與槽孔天線2d的間隔即可。當然，若n為正整數(shù)，則并不僅限于n＝2。
所述第一實施形態(tài)的SWP產(chǎn)生裝置10可發(fā)揮如下的作用效果。通過將具有終端板2b的環(huán)狀導波管2的周長π×D1設定為常數(shù)k的整數(shù)倍，來形成駐波，并通過將槽孔天線2d彼此之間的間隔設定為常數(shù)k的整數(shù)倍，將終端板2b與鄰接于該終端板2b的槽孔天線2d之間的距離設定為常數(shù)k的1/2的整數(shù)倍，來使槽孔天線2d有效地發(fā)揮作用，從而由電介質管3放出微波電力。結果，可有效地生成穩(wěn)定的表面波激發(fā)等離子體P。
并且，SWP處理裝置100中，可利用該穩(wěn)定的表面波激發(fā)等離子體P而進行處理。
圖5是第一實施形態(tài)的SWP產(chǎn)生裝置10、SWP處理裝置100中所使用的環(huán)狀導波管的變形例以模式方式所示的平面圖。圖5所示的環(huán)狀導波管20與圖3所示的環(huán)狀導波管2相比，不同之處只在于位于位置f上的終端板20b配設在環(huán)狀部分的外側，而從位置b開始經(jīng)過位置c、d、e直到位置f為止的長度、或槽孔天線2d的配置、間隔等均相同。當終端板20b的位置設成可變的構造時，環(huán)狀導波管20的形狀會相應地變化。
<第二實施形態(tài)>
第一實施形態(tài)中，使環(huán)狀導波管2的周長以及槽孔天線2d的位置相對于管內(nèi)波長λg(或者常數(shù)k)達到最適化，而所述第二實施形態(tài)中是使電介質管3內(nèi)側面的周長相對于在電介質表面?zhèn)鞑サ谋砻娌⊿W的波長達到最適化。因此，第二實施形態(tài)的SWP產(chǎn)生裝置10、SWP處理裝置100的基本結構與第一實施形態(tài)的完全相同，所以為了避免重復說明，僅說明與第一實施形態(tài)的不同點。
如上所述，當微波M從環(huán)狀導波管2通過槽孔天線2d而導入到電介質管3內(nèi)時，利用形成在電介質管3的內(nèi)周面上的表面波SW的能量，在電介質管4的內(nèi)部空間生成等離子體P。表面波SW在電介質管3的內(nèi)周面?zhèn)鞑ゲU散到整個內(nèi)周面。一般而言，可使用微波M的管內(nèi)波長λg與電介質的介電常數(shù)ε，將在電介質表面?zhèn)鞑サ谋砻娌⊿W的波長λs寫成λs＝λg/ε1/2。
關于電介質管3的各部分尺寸，如圖2、圖3所示，D2為電介質管3的內(nèi)周面的直徑，內(nèi)周面的周長為π×D2。在本實施形態(tài)中，將周長π×D2設定為表面波SW的波長λs的整數(shù)倍。事實上，當常數(shù)s在0.95λs～λs的范圍內(nèi)時，電介質管3的內(nèi)周面的周長π×D2設為常數(shù)s的整數(shù)倍。在此，常數(shù)s為實驗所得的數(shù)值。一般來說，當n設為正整數(shù)時，通過設定為π×D2＝n×s，這樣，即使圍繞電介質管3的內(nèi)周面而傳播的表面波SW產(chǎn)生干擾，也不會衰減。結果，可有效地利用表面波能量來生成表面波激發(fā)等離子體P，從而也可提高等離子體P的空間均勻性。
實際應用時，例如，當環(huán)狀導波管2的管內(nèi)波長λg為147.9mm時，氧化鋁制的電介質管3的介電常數(shù)ε為10，所以表面波SW的波長λs為46.6mm。因此，當將電介質管3的內(nèi)徑D2設定為59.3mm，周長π×D2設定為186.4mm時，n＝4(整數(shù))，可防止表面波SW的衰減。并且，當電介質管3由石英制成時，可使用其介電常數(shù)3.5，且以同樣的計算方法來算出電介質管3的內(nèi)徑D2及周長π×D2。
所述第二實施形態(tài)的SWP產(chǎn)生裝置10可發(fā)揮如下的作用效果。即，通過將電介質管3的內(nèi)周面的周長π×D2設定為常數(shù)s的整數(shù)倍，可抑制表面波SW的衰減，從而可提高表面波能量的利用效率。
圖6是第一實施形態(tài)及第二實施形態(tài)的SWP產(chǎn)生裝置10的變形例以模式方式所示的縱剖面圖。在所述變形例的SWP產(chǎn)生裝置10A中，除了具有圖1～圖3所示的SWP產(chǎn)生裝置10的結構以外，還通過凸緣部31而設有移動機構33，用以在電介質管3的內(nèi)部空間內(nèi)在X方向中插卸碳棒40。碳棒40由于可較好地吸收微波，因此可用作放電輔助部件，用以輔助開始放電。
如圖6所示，在環(huán)狀導波管2的左右兩端面，分別安裝著冷卻套21。在冷卻套21上形成有冷媒用通道22，通過使冷媒在所述通道22中流動，而使環(huán)狀導波管2冷卻。安裝在冷卻套21上的O形圈封23將電介質管3的端面與冷卻套21之間密封。
在碳棒40的一個端部(圖中為右端)設有平板41，在碳棒40的另一端部設有絕緣部件42，而在絕緣部件42上固設著棒材43。碳棒40、絕緣部件42、以及棒材43的外形尺寸均制作成相同。移動機構33的結構為，可通過把持著棒材43在X方向上往返移動，而在電介質管3的內(nèi)部空間內(nèi)插卸該碳棒40。此外，沿著碳棒40的長度方向，穿設著狹縫狀的開口40a。
固定設在左側冷卻套21上的凸緣部31上，設有O形圈31a、31b。如圖6所示，當碳棒40配置在內(nèi)部空間時的狀態(tài)下，棒材43的外周與O形圈31a密接，因此可保持電介質管3的內(nèi)部空間的氣密性。并且，在碳棒40從內(nèi)部空間向-X方向退避的狀態(tài)下，碳棒40的外周與O形圈31a密接，因此可保持電介質管3的內(nèi)部空間的氣密性。此時，碳棒40的前端平板41與O形圖31b密接而發(fā)揮蓋的作用。圖中，預定的氣體從凸緣部31的下側導入到內(nèi)部空間內(nèi)，并從內(nèi)部空間的右端排出。
表面波激發(fā)等離子體在5Pa～100Pa的壓力范圍內(nèi)可較容易地形成，但是要在高于所述壓力范圍的壓力下開始放電，就需要投入較大的電力。因此，通過將碳棒40配置在內(nèi)部空間，使得在常壓下即使不增加投入的電力也可開始放電。當開始放電時，電流圍繞在碳棒40的狹縫狀開口40a的周圍而流通著。通過周圍流通著所述電流，在常壓下變得更為容易開始放電。一旦形成了等離子體，即使利用移動機構33使碳棒40向-X方向退避，也可維持著放電。這樣，通過使用放電輔助部件，使得能夠在較廣的壓力范圍內(nèi)實施等離子體處理。作為放電輔助部件的材質，除碳以外，還可使用碳化硅。
只要在不破壞本發(fā)明特征的前提下，本發(fā)明絲毫不受以上所述的實施形態(tài)的限定。例如，在SWP產(chǎn)生裝置、SWP處理裝置中，可通過將第一實施形態(tài)及第二實施形態(tài)加以組合，來使環(huán)狀導波管2的周長以及槽孔天線2d的位置相對于管內(nèi)波長λg達到最適化、且同時使電介質管3的內(nèi)側面的周長相對于表面波SW的波長λs達到最適化。
權利要求
1.一種表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，包括微波產(chǎn)生裝置；環(huán)狀微波導波管，包括從所述微波產(chǎn)生裝置導入微波的導入部、以及固定的終端部，并且將形成有1個槽孔天線或者以預定間隔而配置有多個槽孔天線的底板作為內(nèi)側面；以及筒狀電介質部件，呈筒狀，所述筒的外側面與所述環(huán)狀微波導波管的底板相連接而配設著，并且通過所述槽孔天線以導入在所述環(huán)狀微波導波管內(nèi)傳播的微波，并利用形成于表面的表面波來生成表面波激發(fā)等離子體；并且當所述微波的管內(nèi)波長為λg，且常數(shù)k在0.95λg～λg的范圍內(nèi)時，將所述底板的內(nèi)側面的周長設為常數(shù)k的整數(shù)倍。
2.如權利要求1所述的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述多個槽孔天線的預定間隔設為所述常數(shù)k的整數(shù)倍。
3.如權利要求1或2所述的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述終端部與配置在所述終端部正前方的槽孔天線之間的距離，設為所述常數(shù)k的1/2的整數(shù)倍。
4.一種表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，包括微波產(chǎn)生裝置；環(huán)狀微波導波管，包括從所述微波產(chǎn)生裝置導入微波的導入部以及固定的終端部，并且將形成有1個槽孔天線或者以預定間隔而配置有多個槽孔天線的底板作為內(nèi)側面；以及筒狀電介質部件，呈筒狀，所述筒的外側面與所述環(huán)狀的微波導波管的底板相連接而配設著，并且通過所述槽孔天線導入在所述環(huán)狀微波導波管內(nèi)傳播的微波，并利用形成于表面的表面波來生成表面波激發(fā)等離子體；并且當在所述筒狀電介質部件的內(nèi)周面?zhèn)鞑サ谋砻娌ǖ牟ㄩL為λs，常數(shù)s在0.95λs～λs的范圍內(nèi)時，將所述筒狀電介質部件的內(nèi)側面的周長設為常數(shù)s的整數(shù)倍。
5.如權利要求1至4中任一項所述的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，設有在所述筒狀電介質部件的內(nèi)部空間內(nèi)供用以輔助開始放電的、以碳、碳化硅等為材料的放電輔助部件插卸用的機構。
6.一種表面波激發(fā)等離子體處理裝置，其特征在于，包括權利要求1至5中任一項所述的表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置；以及處理室，保持所述筒狀電介質部件，以形成氣密空間，并利用所述表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置所生成的等離子體，對被處理物進行處理。
全文摘要
本發(fā)明可有效地產(chǎn)生表面波激發(fā)等離子體。表面波激發(fā)等離子體產(chǎn)生裝置(10)包括環(huán)狀導波管(2)以及電介質管(3)。環(huán)狀導波管(2)包括導入口(2a)、終端板(2b)以及底板(2c)，其中，所述導入口(2a)用來導入微波(M)，所述終端板(2b)用來反射被導入的在管內(nèi)傳播的微波(M)，所述底板(2c)上以預定的間隔形成有槽孔天線(2d)。當微波(M)的管內(nèi)波長為λg時，將從底板(2c)上的位置(b)開始經(jīng)過位置(c、d、e)直到位置(f)為止的長度，即，環(huán)狀導波管(2)的周長π×D1設為2λg，并且位置(b、c、d、e、f)之間隔開λg/2的間隔。由于槽孔天線(2d)配置在位置(c)及位置(e)兩處，因此所述2個槽孔天線(2d)的間隔等于管內(nèi)波長λg。
文檔編號H01L21/205GK101091420SQ20068000144
公開日2007年12月19日 申請日期2006年4月20日 優(yōu)先權日2005年4月26日
發(fā)明者鈴木正康 申請人:株式會社島津制作所