專利名稱：等離子體激發(fā)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體激發(fā)系統(tǒng)，用于為等離子體處理提供能量，包括至少一個(gè)能連接于市電的DC電流源；至少一個(gè)連接于DC電流源的中頻(MF)單元，用于在其輸出端生成AC電壓，其中MF單元的輸出可連接于涂覆室的電極；以及調(diào)節(jié)和/或控制裝置，其被連接于該至少一個(gè)DC電流源的用于調(diào)節(jié)和/或控制DC電流源的輸出值，并且還被連接于該至少一個(gè)MF單元以用來(lái)調(diào)節(jié)和/或控制該MF單元的輸出值。
背景技術(shù)：
在平板顯示器(FPD)制造過(guò)程中，通過(guò)若干步驟對(duì)基板，例如玻璃面板，的大表面進(jìn)行均勻的涂覆。根據(jù)結(jié)構(gòu)化玻璃涂覆，已知以反應(yīng)且常規(guī)的方式在等離子體處理中通過(guò)噴鍍/陰極噴鍍對(duì)大玻璃表面進(jìn)行涂覆。快結(jié)束時(shí)，電流或電壓源產(chǎn)生等離子體，該等離子體將沉積在基板，例如玻璃面板，上的材料從目標(biāo)中移去。沉積之前，根據(jù)期望的涂覆，原子在反應(yīng)過(guò)程中可與氣體原子或分子結(jié)合。
在結(jié)構(gòu)化玻璃涂覆中，在等離子體室(涂覆室)內(nèi)連續(xù)地將玻璃面板引導(dǎo)通過(guò)噴鍍?cè)矗瑥亩鶆虻貙?shí)施涂覆。因此必須將等離子體僅在一個(gè)軸向，即一維地，即垂直于基板運(yùn)動(dòng)方向，均勻分布。
結(jié)構(gòu)化玻璃涂覆使用DC和中頻(MF)噴鍍過(guò)程。后者用中頻電流源進(jìn)行操作，其中由單相或多相電壓生成受控或非受控中間電路電壓。通過(guò)轉(zhuǎn)換電路(例如橋接電路)，將該中間電路電壓轉(zhuǎn)換為中頻(MF)AC電壓。MF輸出功率信號(hào)被接入到被激發(fā)而振蕩的振蕩電路。振蕩電路可以是串聯(lián)振蕩電路或并聯(lián)振蕩電路。串聯(lián)振蕩電路由具有電壓源特性的輸出功率信號(hào)激發(fā)，而并聯(lián)電路由具有電流源特性的輸出功率信號(hào)激發(fā)。
MF功率通常在振蕩電路的線圈處被解耦，并被連接到涂覆系統(tǒng)的涂覆室中的兩個(gè)電極，以在涂覆室中實(shí)現(xiàn)等離子體的產(chǎn)生。MF激發(fā)系統(tǒng)中的電極交替用作陽(yáng)極和陰極。
FPD制造過(guò)程包括基板的平面涂覆，且不因其大小而對(duì)其進(jìn)行移動(dòng)。由于一次涂覆幾平方米至幾十平方米大小的較大基板的整個(gè)表面，因此失誤率必須要很低，由于FPD不能由若干部分組裝而成，因此系統(tǒng)、等離子體室、電極、目標(biāo)以及電流源必須滿足新的需求。
在FPD制造中，到目前為止僅使用DC電流源用于激發(fā)等離子體。這是由于以下原因由于基板的尺寸，基板難以處理，并因此在涂覆過(guò)程中不能移動(dòng)基板。因此必須將等離子體在兩維中，即在基板的整個(gè)表面上，高度均勻地分布，到目前為止僅能利用DC電壓源實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。
在一道工序中涂覆整個(gè)表面需要很大能量。在FPD制造過(guò)程中生成等離子體需要50至200kW功率或更高功率的電流源。由此，應(yīng)該能很容易地識(shí)別單個(gè)功率級(jí)之間的電流源，即從50kW至100kW。利用DC電流源可以比利用MF電流源更簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)。在DC等離子體處理中，若干DC激發(fā)系統(tǒng)通常并聯(lián)連接，并且提供公共調(diào)節(jié)來(lái)保證所有等離子體系統(tǒng)提供相同的功率。
電流源以有限的效率工作，因此產(chǎn)生大量必須被釋放的散逸熱。電流源通常由散熱劑冷卻。在直接鄰近用于FPD制造的涂覆室的位置中，僅有有限的散熱劑。用空氣冷卻的DC電流源是公知的。由于MF單元中大的損耗，當(dāng)前MF電流源仍由散熱劑冷卻。
為了使工作所需的空間最小，所需的順序執(zhí)行的所有不同涂覆過(guò)程在同一涂覆室中進(jìn)行?？旖Y(jié)束時(shí)，材料被從不同目標(biāo)移去。以有益的方式，電流源能從一個(gè)目標(biāo)切換至另一個(gè)目標(biāo)，使得單個(gè)電流源能用于不同的涂覆過(guò)程。這利用DC電流源很容易實(shí)現(xiàn)，但對(duì)于MF電流源需要很大的努力，這也是反對(duì)使用MF電流源來(lái)涂覆大型基板的另一個(gè)原因。
DC電流源的另一個(gè)有益之處是僅為涂覆系統(tǒng)提供很小的空間。因此電流源通常位于遠(yuǎn)端，例如在地下室中，通過(guò)較長(zhǎng)的電纜提供電流。由于DC電纜不昂貴而且柔軟，因此這一解決方案對(duì)于DC電流源是非常容易的。
但是，由于未均勻地移去目標(biāo)且在目標(biāo)上形成絕緣層，因此DC電流源也具有缺點(diǎn)，即尤其在反應(yīng)過(guò)程中易于產(chǎn)生電弧。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的根本目標(biāo)在于提供一種用于涂覆大表面基板的改善的等離子體激發(fā)系統(tǒng)。
根據(jù)本發(fā)明，該目標(biāo)通過(guò)上述類型的等離子體激發(fā)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中調(diào)節(jié)和/或控制裝置包括至少一個(gè)輸入接口和至少一個(gè)控制輸出接口。該至少一個(gè)輸入接口提供描述該至少一個(gè)MF單元的輸出值的值。該至少一個(gè)控制輸出接口用于連接該至少一個(gè)MF單元的控制輸入端。MF單元的輸出值可被直接提供給調(diào)節(jié)和/或控制裝置。從而，描述輸出值的值是輸出值本身。通過(guò)測(cè)量裝置檢測(cè)輸出值也是可行的，測(cè)量裝置利用輸入接口將輸出值或描述它的值傳送至調(diào)節(jié)和/或控制裝置?？梢栽谡{(diào)節(jié)和/或控制裝置處提供若干輸入和控制輸出接口，然后調(diào)節(jié)和/或控制裝置可以被連接于若干MF單元。
對(duì)MF輸出信號(hào)的電流、電壓和/或功率進(jìn)行測(cè)量和控制，以允許調(diào)節(jié)和/或控制裝置對(duì)MF單元的存取。通過(guò)提供至少一個(gè)輸入接口和至少一個(gè)控制輸出接口，DC電流源能同時(shí)連接于若干MF單元。依據(jù)調(diào)節(jié)/控制，功率僅被施加于單獨(dú)的MF單元，特別是期望的MF單元。因此，不需要DC功率開(kāi)關(guān)用于關(guān)閉或停止激勵(lì)一個(gè)MF單元。由于MF單元通常包含開(kāi)關(guān)橋，因此以所有開(kāi)關(guān)打開(kāi)的方式對(duì)包含開(kāi)關(guān)橋的MF單元或反相器進(jìn)行控制是足夠的。在這種情況下，反相器不傳送功率，從而以一個(gè)共同的DC電流源允許不同過(guò)程，尤其是具有不同目標(biāo)的過(guò)程。但是，每個(gè)電極對(duì)具有必須與每個(gè)電極對(duì)相匹配的自己的MF單元。
有利地，通過(guò)提供上述接口，DC電流源和MF單元可被容納在不同殼體中。這消除了干擾。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，調(diào)節(jié)和/或控制裝置包括至少一個(gè)其他輸入接口和至少一個(gè)其他控制輸出接口。該至少一個(gè)其他輸入接口用于提供該至少一個(gè)DC電流源的輸出值或描述該至少一個(gè)DC電流源的輸出值的值。該至少一個(gè)控制輸出接口用于連接該至少一個(gè)DC電流源的控制輸入端。因此，等離子體激發(fā)系統(tǒng)包括至少一個(gè)DC電流源和一個(gè)MF單元，其中中間電路電壓在DC電流源的(功率)輸出端生成并施加于MF單元。調(diào)節(jié)和/或控制裝置能通過(guò)相應(yīng)的測(cè)量裝置直接或間接地測(cè)量和調(diào)節(jié)DC電流源的輸出端的電流、電壓和/或功率?；谶@一原因，不是(僅僅)MF單元的輸出值而是DC電流源的輸出值用于調(diào)節(jié)和控制等離子體涂覆處理。
通過(guò)提供所述接口，若干DC電流源能以簡(jiǎn)單的方式連接于調(diào)節(jié)和/或控制裝置。有利地，在MF單元的輸出端，能任意地調(diào)節(jié)電流、電壓和功率。這允許將激發(fā)系統(tǒng)最優(yōu)地適應(yīng)于相應(yīng)的等離子體處理。
以進(jìn)一步的有利方式，調(diào)節(jié)和/或控制裝置包括用于連接數(shù)據(jù)和/或信號(hào)線的接口，該數(shù)據(jù)和/或信號(hào)線連接于該至少一個(gè)DC電流源和/或該至少一個(gè)MF單元。因此，例如電弧檢測(cè)裝置的信號(hào)能以快速且簡(jiǎn)單的方式傳送至調(diào)節(jié)和/或控制裝置，然后調(diào)節(jié)和/或控制裝置對(duì)此反應(yīng)。數(shù)據(jù)線用于在MF單元與調(diào)節(jié)和/或控制裝置或主DC電流源之間進(jìn)行數(shù)據(jù)和信號(hào)的交換。對(duì)于必須以非常高的速度被傳輸?shù)臏y(cè)量和調(diào)節(jié)信號(hào)，諸如功率測(cè)量數(shù)據(jù)，可以類似地執(zhí)行數(shù)據(jù)傳輸。數(shù)據(jù)優(yōu)選地通過(guò)電流接口而不是電壓接口進(jìn)行交換，從而改善了對(duì)干擾的敏感度。必須以較高速度和高數(shù)據(jù)安全性傳輸?shù)目刂?、測(cè)量和調(diào)節(jié)信號(hào)，諸如描述電弧檢測(cè)、錯(cuò)誤狀態(tài)等的信號(hào)，能以數(shù)字方式傳輸。對(duì)于需要非常高的數(shù)據(jù)可靠性但對(duì)時(shí)間要求較低的信號(hào)，例如溫度監(jiān)視信號(hào)，可通過(guò)串行通訊總線(例如CAN)進(jìn)行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳輸。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該至少一個(gè)DC電流源遠(yuǎn)離該至少一個(gè)MF單元，尤其是在1-50米的距離處，并通過(guò)DC電纜以及測(cè)量和控制線連接于該MF單元。DC電流源不必與等離子體系統(tǒng)或涂覆室直接相鄰。因此，電流源在生產(chǎn)車間中不占用空間。單獨(dú)的MF單元比電流源和MF單元的整個(gè)單元更輕，因此能在具有隱藏地下室的車間中建立。在這種情況下，電流源可以有利地位于MF單元下方。DC電纜以及控制和測(cè)量電纜能長(zhǎng)距離地引導(dǎo)至MF單元，MF單元與涂覆室直接相鄰并通過(guò)相應(yīng)的接口連接。有利的是，省去了昂貴的MF電纜，MF電纜具有有限的長(zhǎng)度且不如DC電纜柔軟。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，該至少一個(gè)DC電流源用空氣冷卻。于是，可通過(guò)散熱劑或空氣冷卻該至少一個(gè)MF單元。如果通過(guò)散熱劑僅冷卻MF單元，則更少的熱量被揮發(fā)至散熱劑。與遠(yuǎn)距離位置，例如在地下室中相比，更可能與涂覆室直接相鄰地提供散熱劑，其中涂覆室靠近MF單元。由于空氣冷卻，所以DC電流源不依賴于與散熱劑的連接，因此可位于幾乎任何位置。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，該至少一個(gè)MF單元包括至少一個(gè)第一反相器，該第一反相器用于向輸出振蕩電路饋電。輸出振蕩電路可被設(shè)計(jì)為串聯(lián)或并聯(lián)振蕩電路。為了獲得電流源特性，可在反相器的輸入端處設(shè)置扼流圈。從而反相器從中間電路電壓中產(chǎn)生交流電壓。反相器優(yōu)選被設(shè)計(jì)為全橋，尤其是具有受控IGBTs的全橋。MF單元還可包括用于一個(gè)或多個(gè)反相器的控制裝置。輸出振蕩電路的線圈可代表輸出變壓器初級(jí)側(cè)的漏電感。輸出變壓器可被設(shè)計(jì)成將輸出振蕩電路和等離子體室中的電極電流分離。在這種情況下，DC電流源和反相器都不需要被設(shè)置有電流分離。輸出變壓器可被設(shè)計(jì)氣冷蛇管，以防止飽和。輸出變壓器的輸出端可具有若干抽頭，用于調(diào)節(jié)電壓和電流以適應(yīng)相應(yīng)的電極排列。
在本發(fā)明的一個(gè)有利的實(shí)施例中，并聯(lián)連接且可連接于市電電源的若干DC電流源被提供用于產(chǎn)生第一中間電路電壓并被連接于MF單元的第一反相器。通過(guò)連接或斷開(kāi)單獨(dú)的電流源，可利用若干并聯(lián)的DC電流源設(shè)置不同的功率級(jí)別。
以一種特別有利的方式，將用于在相應(yīng)DC電流源的輸出端測(cè)量電流、電壓和/或功率的測(cè)量裝置分配給每個(gè)DC電流源，其中測(cè)量裝置連接于調(diào)節(jié)和/或控制裝置。從而，每個(gè)電流源可具有其自己的測(cè)量裝置。測(cè)量裝置還可位于調(diào)節(jié)和/或控制裝置上，尤其是集成在其中。以分立元件的形式將其分離地設(shè)置也是可行的。每個(gè)DC電流源可被集成在分離的殼體中，該殼體具有用于輸入電壓連接、輸出電壓連接以及測(cè)量、控制和調(diào)節(jié)連接的插接觸點(diǎn)(接口)，這允許快速的配置。調(diào)節(jié)和/或控制裝置可容納在每個(gè)DC電流源的殼體中，并承擔(dān)次級(jí)控制的任務(wù)。這樣，可對(duì)調(diào)節(jié)和/或控制裝置進(jìn)行快速配置和交換。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，該至少一個(gè)MF單元包括至少一個(gè)第二反相器，其連接于該至少一個(gè)DC電流源，其中第一和第二反相器的輸出端相互連接。第一和第二反相器優(yōu)選地相互靠近并具有對(duì)稱的設(shè)計(jì)。它們僅在其輸出端處以低電感相連，并優(yōu)選地由相同控制信號(hào)進(jìn)行控制。以這種方式，可有效地防止干擾和相移。可利用相同結(jié)構(gòu)的反相器，這降低了生產(chǎn)成本?？衫玫凸β试?，這降低了元件成本。因?yàn)槿绻麤](méi)有DC電流源被連接于第二反相器，就可簡(jiǎn)單地使第二反相器停止工作，所以保持了簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。
在一個(gè)實(shí)施例中，并聯(lián)連接并可連接于市電電源的若干DC電流源可被提供用于生成第二中間電路電壓，并被連接于MF單元的第二反相器。提供幾組并聯(lián)連接的若干電流源也是可行的，其中每個(gè)組連接于一個(gè)反相器，這些反相器在輸出振蕩電路的上游相互連接。由于由不同組產(chǎn)生的中間電路電壓保持分離，因此可通過(guò)這樣的方式調(diào)節(jié)DC電流源，即對(duì)稱地加載反相器的橋。這不可能通過(guò)首先連接中間電路電壓、且隨后再分配至兩個(gè)橋來(lái)實(shí)現(xiàn)。
每個(gè)DC電流源優(yōu)選地包括一個(gè)用于調(diào)節(jié)和/或控制裝置的插座。插座或插槽例如可位于殼體上。這樣，通過(guò)為每個(gè)電流源提供調(diào)節(jié)和/或控制裝置，每個(gè)電流源可被設(shè)計(jì)為主電流源，從而主電流源包括用于所有電流源的次級(jí)控制裝置并提供可靠的操作。通過(guò)用于所有DC電流源的一個(gè)調(diào)節(jié)和/或控制裝置，可確保所有DC電流源提供大致相同的功率，這另外也確保了反相器的均勻加載。
有利地提供一種電弧檢測(cè)裝置。在MF噴鍍過(guò)程中以比DC噴鍍中低很多的頻率產(chǎn)生的電弧可以通過(guò)電弧抑制和/或消除裝置被快速地消除，因此僅引起很小的破壞。尤其是，可確保少量剩余電弧能量(＜20mJ/kW)。此外，優(yōu)選地提供定時(shí)元件(定時(shí)器)，用于在有電弧的情況下使DC電流源保持關(guān)閉長(zhǎng)達(dá)特定時(shí)間間隔。該時(shí)間間隔可在100μs和100ms之間的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)。從而可安全地消除電弧，并可調(diào)節(jié)電流源使其適應(yīng)于不同的過(guò)程。此外，電弧消除裝置可設(shè)定延時(shí)。一旦檢測(cè)到電弧，就在該延時(shí)之后關(guān)斷電流。從而能夠以限定的方式消除甚至在關(guān)斷和再次接通之后反復(fù)出現(xiàn)的電弧。
本發(fā)明還包括尤其用于涂覆/生產(chǎn)平板顯示器的大表面等離子體涂覆系統(tǒng)，其包括等離子體激發(fā)系統(tǒng)、具有至少兩個(gè)連接于等離子體激發(fā)系統(tǒng)的電極的涂覆室，其中每個(gè)電極連接于至少一個(gè)目標(biāo)，而涂覆室包括一個(gè)或多個(gè)適于支持具有≥1平方米表面的基板的基板支架或插座，其中頻率在20至500kHz，特別是20至100kHz范圍內(nèi)的輸出信號(hào)(電壓、電流或功率)能在等離子體激發(fā)系統(tǒng)的輸出連接處生成，而基本均勻的二維等離子體可在涂覆室中生成。對(duì)于高功率(50至200kW)，也可利用簡(jiǎn)單且不昂貴的開(kāi)關(guān)技術(shù)生成20至500kHz，特別是20至100kHz的頻率范圍。這超越了可聽(tīng)范圍。因此避免了噪聲振蕩。而且已經(jīng)證實(shí)這種頻率范圍對(duì)于均勻等離子體分布尤其有利。
令人吃驚的是，與DC電流源，這種步驟利用MF電流源，即包括MF單元的等離子體生成系統(tǒng)，大大地改善并促進(jìn)了均勻等離子體的產(chǎn)生。將連接于電極的目標(biāo)更加均勻得多地移去，使得甚至在長(zhǎng)的操作時(shí)間中確保了均勻等離子體分布和因此得到的均勻涂覆。
起弧在MF過(guò)程中的頻率比在DC過(guò)程中低得多。為了進(jìn)一步使包括不經(jīng)常的起弧的涂覆問(wèn)題最小化，可檢測(cè)電弧，且一旦檢測(cè)到就積極地?fù)錅缢鼈?，或至少關(guān)斷一個(gè)/多個(gè)電流源，或中斷從電流源到涂覆室的能量供給，從而撲滅電弧。進(jìn)行撲滅后，可重新激發(fā)等離子體或在預(yù)定時(shí)間后重新啟動(dòng)到涂覆室的能量供應(yīng)。


附圖示意性地表示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，以下參照附圖對(duì)其進(jìn)行更加詳細(xì)的說(shuō)明。
圖1表示大表面等離子體涂覆系統(tǒng)的示意圖；圖2表示等離子體激發(fā)系統(tǒng)的第一實(shí)施例；圖3表示等離子體激發(fā)系統(tǒng)的第二實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了等離子體激發(fā)系統(tǒng)1，它是大表面等離子體涂覆系統(tǒng)的一部分。DC電流源2位于等離子體激發(fā)系統(tǒng)1中，并連接于市電電源3。第一MF單元4連接于DC電流源2。位于涂覆室7中的電極5、6連接于MF單元4。每個(gè)電極5、6可連接于一個(gè)或多個(gè)目標(biāo)。第二MF單元8與MF單元4并聯(lián)，并連接于DC電流源2。MF單元8還連接于位于涂覆室7中的電極9、10。由于多個(gè)電極5、6、9、10，所以可在涂覆室7中涂覆大表面工件。
電極5、6上的目標(biāo)和電極9、10上的目標(biāo)可以被提供以不同的材料。為了在整個(gè)表面上獲得均勻的涂覆，必須均勻地分布電極。
等離子體激發(fā)系統(tǒng)1還包括調(diào)節(jié)和/或控制裝置11。調(diào)節(jié)和/或控制裝置11的輸入值為DC電流源2的輸出值?；谠撦敵鲋?，對(duì)DC電流源2進(jìn)行調(diào)節(jié)或控制。測(cè)量線12、13連接于調(diào)節(jié)和/或控制裝置11，通過(guò)測(cè)量線12、13檢測(cè)MF單元4、8的輸出值并將其提供給調(diào)節(jié)和/或控制裝置11。調(diào)節(jié)和/或控制裝置11還控制MF單元4、8，這由控制線14、15表示。測(cè)量線12、13和控制線14、15也可被稱為數(shù)據(jù)線。在調(diào)節(jié)和/或控制裝置11上設(shè)置接口11a至11f，用于連接DC電流源和MF單元4、8或用于連接的線12-15。
圖2表示等離子體激發(fā)系統(tǒng)1的一個(gè)實(shí)施例。其中具有兩個(gè)DC電流源2、2’。DC電流源2和2’產(chǎn)生中間電路電壓，通過(guò)扼流圈20、21將所述中間電路電壓提供給MF單元4的第一反相器22。DC電流源2為主DC電流源，并包括調(diào)節(jié)和/或控制裝置11。調(diào)節(jié)和/或控制裝置11通過(guò)測(cè)量、數(shù)據(jù)、信號(hào)以及控制線26連接于MF單元4和DC電流源2’。反相器22向振蕩電路23饋電，所述振蕩電路23被設(shè)計(jì)為并聯(lián)振蕩電路。并聯(lián)振蕩電路23的線圈24表示輸出變壓器25的初級(jí)線圈電感。在輸出變壓器25的輸出端施加MF電壓。
圖3表示等離子體激發(fā)系統(tǒng)1的一個(gè)可選實(shí)施例。兩個(gè)DC電流源2、2’和2”、2分別產(chǎn)生中間電路電壓，所述中間電路電壓被提供給反相器22、30中的每一個(gè)。DC電流源2還是主電流源，其包括調(diào)節(jié)和/或控制裝置11。調(diào)節(jié)和/或控制裝置11調(diào)節(jié)和/或控制DC電流源2、2’、2”、2以及MF單元4。以低電感連接反相器22、30的輸出端。它們向輸出振蕩電路23饋電。調(diào)節(jié)DC電流源2、2’、2”、2以提供大致相同的功率，這確保了反相器22和30的對(duì)稱加載。沒(méi)必要在MF單元中對(duì)其進(jìn)行監(jiān)視。
權(quán)利要求
1.等離子體激發(fā)系統(tǒng)(1)，用于為等離子體處理提供功率，所述系統(tǒng)包括至少一個(gè)可連接于市電電源(3)的DC電流源(2、2’、2”、2)；至少一個(gè)連接于所述DC電流源(2、2’、2”、2)的中頻(MF)單元(4，8)，用于在其輸出端產(chǎn)生AC電壓，其中所述MF單元(4，8)的輸出端可連接于涂覆室(7)的電極(5、6、9、10)；以及調(diào)節(jié)和/或控制裝置(11)，其被連接于所述至少一個(gè)DC電流源(2、2’、2”、2)用于調(diào)節(jié)和/或控制所述DC電流源(2、2’、2”、2)的輸出值，還被連接于所述至少一個(gè)MF單元(4，8)用于調(diào)節(jié)和/或控制所述MF單元(4，8)的輸出值，其中所述調(diào)節(jié)和/或控制裝置(11)包括至少一個(gè)輸入接口(11，11d)，用于提供描述所述至少一個(gè)MF單元(4，8)的輸出值的值；以及至少一個(gè)控制輸出接口(11e，11f)，用于連接所述至少一個(gè)MF單元(4，8)的控制輸入端，其中設(shè)置被并聯(lián)連接并可連接于市電電源(3)的若干DC電流源(2、2’)，用于產(chǎn)生第一中間電路電壓。
2.按照權(quán)利要求1的等離子體激發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述至少一個(gè)MF單元(4，8)包括至少一個(gè)第一反相器(22)，用于向輸出振蕩電路(23)饋電，其中所述DC電流源(2、2’)連接于所述MF單元(4)的第一反相器(22)。
3.根據(jù)上述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的等離子體激發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，用于測(cè)量各個(gè)DC電流源(2、2’、2”、2)的輸出端處電流、電壓和/或功率的測(cè)量裝置被分配給每個(gè)DC電流源(2、2’、2”、2)，其中所述測(cè)量裝置連接于所述調(diào)節(jié)和/或控制裝置(11)，特別地被連接于所述調(diào)節(jié)和/或控制裝置(11)的相應(yīng)的輸入接口。
4.根據(jù)上述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的等離子體激發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述至少一個(gè)MF單元(4，8)包括至少一個(gè)連接于至少一個(gè)DC電流源(2、2’)的第二反相器(30)，其中所述第一和第二反相器(22，30)的輸出端相互連接。
5.根據(jù)上述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的等離子體激發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，設(shè)置被并聯(lián)連接并可連接于市電電源(3)的若干DC電流源(2”、2)，用于生成第二中間電路電壓，且所述DC電流源(2”、2)被連接于所述MF單元(4)的第二反相器(30)。
6.根據(jù)上述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的等離子體激發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，每個(gè)DC電流源(2、2’、2”、2)包括用于所述調(diào)節(jié)和/或控制裝置(11)的插座。
7.用于涂覆平板顯示器的大表面等離子體涂覆系統(tǒng)，包括尤其是根據(jù)上述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的等離子體激發(fā)系統(tǒng)(1)，以及具有至少兩個(gè)連接于所述等離子體激發(fā)系統(tǒng)(1)的電極(5、6、9、10)的涂覆室(7)，其中每個(gè)電極(5、6、9、10)連接于至少一個(gè)目標(biāo)，其特征在于，所述涂覆室(7)包括一個(gè)或多個(gè)適于支撐表面面積≥1平方米的基板的基板支架或插座，其中可在所述等離子體激發(fā)系統(tǒng)(1)的一個(gè)或多個(gè)輸出連接端產(chǎn)生頻率在20至500kHz之間，特別是在20至100kHz之間的AC電壓，并且可在所述涂覆室(7)中生成基本均勻的二維等離子體。
全文摘要
等離子體激發(fā)系統(tǒng)(1)，用于為等離子體處理提供功率，包括至少一個(gè)可連接于市電電源(3)的DC電流源(2、2’、2”、2”’)；至少一個(gè)連接于DC電流源(2、2’、2”、2”’)的中頻(MF)單元(4，8)，用于在其輸出端產(chǎn)生AC電壓，其中MF單元(4，8)的輸出端可連接于涂覆室(7)的電極(5、6、9、10)；以及調(diào)節(jié)和/或控制裝置(11)，其被連接于該至少一個(gè)DC電流源(2、2’、2”、2”’)用于調(diào)節(jié)和/或控制DC電流源(2、2’、2”、2”’)的輸出值，還被連接于該至少一個(gè)MF單元(4，8)用于調(diào)節(jié)和/或控制MF單元(4，8)的輸出值，其中調(diào)節(jié)和/或控制裝置(11)包括至少一個(gè)輸入接口(11，11d)，用于提供描述該至少一個(gè)MF單元(4，8)的輸出值的值；以及至少一個(gè)控制輸出接口(11e，11f)，用于連接該至少一個(gè)MF單元(4，8)的控制輸入端。從而能產(chǎn)生均勻的二維等離子體。
文檔編號(hào)H01J37/32GK1863428SQ20051012169
公開(kāi)日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2005年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月24日
發(fā)明者阿爾弗雷德·特魯什, 馬庫(kù)斯·班瓦爾特, 洛塔爾·沃爾夫, 馬丁·施托伊貝爾, 斯文·阿克森貝克, 彼得·威德穆特 申請(qǐng)人:許廷格電子有限及兩合公司