專利名稱：浮柵閃存器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種浮柵閃存器件。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的浮柵閃存進(jìn)行"寫"操作時(shí)的工作過程可參見圖1所示，控制柵5上加上一定電壓使源極2與漏極1之間的溝道導(dǎo)通，漏極1接高電壓， 源極2接低電壓，電子從源極2流向漏極1并在漏極1附近高電場作用下 加速產(chǎn)生熱電子，部分熱電子穿過浮柵4下面的二氧化硅層3進(jìn)入浮柵4。 而在進(jìn)行"擦"操作時(shí)，如圖2所示，控制柵5接低電壓，源極2和漏極1 接高電壓，電子從浮柵4穿過二氧化硅層3流入源極2。由于"擦"和"寫" 共用一層二氧化硅層3，使得"擦"和"寫"不容易分別獨(dú)立，因此工作效 率無法提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種浮柵閃存器件結(jié)構(gòu)，能夠大幅 度提高閃存器件"寫"與"擦"的工作效率，從而提高器件的性能。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明浮柵閃存器件的技術(shù)方案是，包括源極 和漏極，在所述源極和漏極之間間隙的上方設(shè)置有多晶硅浮柵和控制柵， 所述浮柵與所述源極和漏極之間隔有二氧化硅層，其特征在于，所述浮柵 為兩端有向上突起的尖角的"凹"字形，所述控制柵完全罩住所述浮柵， 所述浮柵與所述控制柵之間隔有二氧化硅。
本發(fā)明提供的浮柵閃存器件大幅度提高閃存器件"寫"與"擦"的工 作效率，從而提高器件的性能。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明
圖1和圖2為現(xiàn)有的浮柵閃存器件的結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明浮柵閃存器件的結(jié)構(gòu)示意圖4至圖10為制作本發(fā)明浮柵閃存器件中浮柵的示意圖。
圖中附圖標(biāo)記為，l.漏極；2.源極；3.二氧化硅層；4.浮柵；5.控制
柵；5L控制柵本體部分；52.控制柵覆蓋部分；6.二氧化硅；7.多晶硅；
8.二氧化硅層；9.氮化硅；IO.淺溝；ll.二氧化硅。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明浮柵閃存器件的結(jié)構(gòu)可參見圖3所示，包括源極2和漏極1，在
所述源極2和漏極1之間間隙的上方設(shè)置有多晶硅浮柵4和控制柵5，所述 浮柵4與所述源極2和漏極1之間隔有二氧化硅層3，所述浮柵4為兩端有 向上突起的尖角的"凹"字形，所述控制柵5完全罩住所述浮柵4，所述浮 柵4與所述控制柵5之間隔有二氧化硅6。所述控制柵5的下緣為平的。
本發(fā)明浮柵閃存器件結(jié)構(gòu)在進(jìn)行"擦"操作時(shí)的工作過程可參見圖3 所示，控制柵5接高電壓，源極2和漏極1接高電壓，電子從浮柵4的兩 側(cè)的尖端穿過硅氧化隔離區(qū)6流入控制柵5。本發(fā)明的"擦"和"寫"使用 了不同的二氧化硅層3，在"寫"的時(shí)候使用二氧化硅層3，而在"擦"的 時(shí)候則使用了硅氧化隔離區(qū)6，因此使得"擦"和"寫"能夠分別獨(dú)立進(jìn)行，大大提高了閃存器件的工作效率。
本發(fā)明浮柵閃存器件中浮柵可以采用如下的方法進(jìn)行制作，具體步驟 包括
(1) 淀積多晶硅7，生長二氧化硅層8，之后淀積氮化硅層9，如圖4所示，生長二氧化硅層8可采用熱氧化的方法；
(2) 干刻去掉浮柵位置區(qū)域的氮化硅，如圖5所示；
(3) 干刻去除浮柵位置區(qū)域的二氧化硅，并且在多晶硅7上位于浮柵位 置區(qū)域非垂直干刻出淺溝10，所述淺溝的底部為平底的，側(cè)壁具有坡度，如圖6所示；
(4) 再次淀積二氧化硅11填滿淺溝，如圖7所示；
(5) 化學(xué)機(jī)械研磨去除浮柵位置以外第(4)步淀積的二氧化硅，完全 露出氮化硅層9，從而形成了隔離在所述浮柵與控制柵之間的二氧化硅6，如圖8所示；
(6) 刻蝕掉浮柵位置區(qū)域以外第(1)步淀積的氮化硅層和二氧化硅層， 只剩下帶有淺溝的多晶硅7和二氧化硅6，如圖9所示；
(7) 刻蝕去掉未被第(5)步得到的二氧化硅6覆蓋的多晶硅7，從而 得到浮柵4，如圖IO所示。
通過上述方法制作出的浮柵閃存器件能大幅度提高閃存器件"寫"與 "擦"的工作效率，從而提高器件的性能。
權(quán)利要求
1.一種浮柵閃存器件，包括源極和漏極，在所述源極和漏極之間間隙的上方設(shè)置有多晶硅浮柵和控制柵，所述浮柵與所述源極和漏極之間隔有二氧化硅層，其特征在于，所述浮柵為兩端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制柵完全罩住所述浮柵，所述浮柵與所述控制柵之間隔有二氧化硅。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮柵閃存器件，其特征在于，所述控制柵的 下緣為平的。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種浮柵閃存器件，包括源極和漏極，在所述源極和漏極之間間隙的上方設(shè)置有多晶硅浮柵和控制柵，所述浮柵與所述源極和漏極之間隔有二氧化硅層，所述浮柵為兩端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制柵完全罩住所述浮柵，所述浮柵與所述控制柵之間隔有二氧化硅。本發(fā)明提供的浮柵閃存器件大幅度提高閃存器件“寫”與“擦”的工作效率，從而提高器件的性能。
文檔編號H01L29/788GK101202309SQ20061011940
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月11日
發(fā)明者金勤海 申請人:上海華虹Nec電子有限公司