技術(shù)編號：7211332
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種浮柵閃存器件。背景技術(shù)現(xiàn)有的浮柵閃存進(jìn)行"寫"操作時(shí)的工作過程可參見圖1所示，控制柵5上加上一定電壓使源極2與漏極1之間的溝道導(dǎo)通，漏極1接高電壓， 源極2接低電壓，電子從源極2流向漏極1并在漏極1附近高電場作用下 加速產(chǎn)生熱電子，部分熱電子穿過浮柵4下面的二氧化硅層3進(jìn)入浮柵4。 而在進(jìn)行"擦"操作時(shí)，如圖2所示，控制柵5接低電壓，源極2和漏極1 接高電壓，電子從浮柵4穿過二氧化硅層3流入源極2。由于"擦"和"寫" 共用一層二氧化硅層3，使...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。