專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于顯示器件的薄膜晶體管基板，尤其涉及一種具有簡(jiǎn)化制造工藝的邊緣電場(chǎng)(fringe field)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器(LCD)采用電場(chǎng)控制具有介電各向異性的液晶的透光率來(lái)顯示圖像。為此，LCD包括通過(guò)液晶單元矩陣顯示圖像的液晶顯示面板以及用來(lái)驅(qū)動(dòng)該液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路。
參見圖1，現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板包括彼此粘接的濾色片基板10和薄膜晶體管基板20，在兩個(gè)基板之間設(shè)有液晶24。
濾色片基板10包括依次設(shè)置于上玻璃基板2上的黑矩陣4、濾色片6和公共電極8。黑矩陣4以矩陣形式設(shè)置于上玻璃基板2上。黑矩陣4將上玻璃基板2的區(qū)域劃分為多個(gè)設(shè)置有濾色片6的單元區(qū)域，并且黑矩陣4防止相鄰單元之間的光發(fā)生干擾以及外部光的反射。濾色片6設(shè)置于由黑矩陣4劃分的單元區(qū)域中并且按照劃分為紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)區(qū)域的方式設(shè)置，從而發(fā)出紅、綠、藍(lán)色光。公共電極8由整個(gè)涂敷在濾色片6上的透明導(dǎo)電層形成，并且該公共電極8提供用于驅(qū)動(dòng)液晶24的基準(zhǔn)電壓的公共電壓Vcom。此外，可以在濾色片6和公共電極8之間提供用于平滑濾色片6的涂敷層(未示出)。
薄膜晶體管基板20包括在下玻璃基板12上由柵線14與數(shù)據(jù)線16交叉限定的各單元區(qū)域設(shè)置的薄膜晶體管18和像素電極22。薄膜晶體管18響應(yīng)來(lái)自柵線14的柵信號(hào)向像素電極22提供來(lái)自數(shù)據(jù)線16的數(shù)據(jù)信號(hào)。由透明導(dǎo)電層形成的像素電極22提供來(lái)自薄膜晶體管18的數(shù)據(jù)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)液晶24。
根據(jù)像素電極22和公共電極8上的公共電壓Vcom之間的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓形成的電場(chǎng)將具有介電各向異性的液晶24旋轉(zhuǎn)以控制液晶24的光透射比，從而實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)值。
此外，液晶顯示面板包括用于維持濾色片基板10和薄膜晶體管基板20之間恒定盒間隙的襯墊料(未示出)。
在液晶顯示面板中，通過(guò)多輪掩模工序形成濾色片基板10和薄膜晶體管基板20。這里，一輪掩模工序包括諸如薄膜沉積(涂敷)、清潔、光刻、蝕刻、光刻膠剝離和檢查工序等多個(gè)子工序。
特別地，由于薄膜晶體管基板包括半導(dǎo)體材料并需要多輪掩模工序，其制造方法比較復(fù)雜，這也是決定液晶顯示面板制造成本的主要因素。因此，在制造薄膜晶體管基板時(shí)減少掩模工序的數(shù)量是降低制造成本的關(guān)鍵策略。
液晶顯示面板通常根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向分為垂直電場(chǎng)型和水平電場(chǎng)型。
垂直電場(chǎng)型的實(shí)例為扭曲向列(TN)模式液晶顯示器，其中在上下基板上彼此相對(duì)設(shè)置的像素電極和公共電極之間形成垂直電場(chǎng)。該垂直電場(chǎng)型液晶顯示器具有具有大孔徑比的優(yōu)點(diǎn)，但是卻具有大約90度的窄視角缺點(diǎn)。
水平電場(chǎng)型的實(shí)例為共平面開關(guān)(IPS)模式液晶顯示器，其中在下基板上彼此平行設(shè)置的像素電極和公共電極之間產(chǎn)生該水平電場(chǎng)。水平電場(chǎng)型液晶顯示器具有約160度寬視角的優(yōu)點(diǎn)，但是其具有低孔徑比和透光率的缺點(diǎn)。
為了克服水平電場(chǎng)型液晶顯示面板的缺點(diǎn)，已經(jīng)研制出邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換(FFS)型液晶顯示面板，其通過(guò)邊緣電場(chǎng)操作。該FFS型液晶顯示面板包括位于各像素區(qū)的公共電極和像素電極，在二者之間具有絕緣膜。此外，該邊緣電場(chǎng)可以操作所有形成于上、下基板之間各像素區(qū)處的液晶分子從而提高孔徑比和透光率。
然而，包括在FFS型液晶顯示面板的薄膜晶體管基板需要多輪掩模工序以及半導(dǎo)體工序，因此其具有制造工序復(fù)雜的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出一種邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板及其制造方法，并且采用該薄膜晶體管基板的液晶顯示面板及其制造方法，能夠基本上消除由于現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)和局限產(chǎn)生的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。通常，本發(fā)明通過(guò)提供減少所需掩模工序數(shù)量的結(jié)構(gòu)和制造工序來(lái)實(shí)現(xiàn)這些優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于減少邊緣電場(chǎng)型液晶顯示器的制造成本。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)在于減少制造邊緣電場(chǎng)型液晶顯示器所需的時(shí)間。
以下要說(shuō)明本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，一部分可以從說(shuō)明書中看出，或者是通過(guò)對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐來(lái)學(xué)習(xí)。采用說(shuō)明書及其權(quán)利要求書和附圖中具體描述的結(jié)構(gòu)就能實(shí)現(xiàn)并達(dá)到本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。
通過(guò)液晶顯示器件來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明上述和其他的優(yōu)點(diǎn)，該液晶顯示器件包括第一和第二基板；第一基板上的柵線；第一基板上的公共線；位于第一基板上的公共電極，其中公共電極連接到公共線；位于柵線、公共線和公共電極上的柵絕緣膜；位于柵絕緣膜上的數(shù)據(jù)線，其中數(shù)據(jù)線與柵線交叉；具有連接到柵線的柵極、連接到數(shù)據(jù)線的源極、漏極和在源極和漏極之間具有溝道的半導(dǎo)體層的薄膜晶體管；以及連接到漏極的像素電極。
按照本發(fā)明的另一方面，通過(guò)液晶顯示器件的制造方法來(lái)實(shí)現(xiàn)上述和其他優(yōu)點(diǎn)，該方法包括提供第一和第二基板；在第一基板上采用第一掩模形成柵線、連接到柵線的柵極、與柵線平行的公共線以及連接到公共線的公共電極；采用第二掩模形成柵絕緣膜和半導(dǎo)體層，其中像素孔貫穿半導(dǎo)體層，并且在像素孔內(nèi)形成與公共電極重疊的像素電極；采用第三掩模形成包括與柵線交叉的數(shù)據(jù)線、連接到數(shù)據(jù)線的源極和連接到像素電極的漏極的源/漏金屬圖案，以及位于源極和漏極之間的溝道。
應(yīng)該意識(shí)到，以上對(duì)本發(fā)明的概述和下文的詳細(xì)說(shuō)明都是解釋性的和示例性的，旨在進(jìn)一步解釋所要求保護(hù)的本發(fā)明。


所包括的用來(lái)進(jìn)一步理解本發(fā)明并且引入作為說(shuō)明書一個(gè)組成部分的附圖表示了本發(fā)明的實(shí)施方式，連同說(shuō)明書一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示面板結(jié)構(gòu)的示意性透視圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)的平面圖；
圖3A到圖3D示出了沿圖2中II-II’、III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖4示出了采用如圖3所示的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的液晶顯示面板的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域的截面圖；圖5A示出了在根據(jù)本發(fā)明的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型LCD的薄膜晶體管基板制造方法中的第一掩模工序的平面圖；圖5B到圖5D進(jìn)一步示出了圖5A所示的第一掩模工序的截面圖；圖6A至圖6I示出了用于說(shuō)明第一掩模工序的截面圖；圖7A示出了用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的制造方法中的第二掩模工序的平面圖；圖7B到圖7D進(jìn)一步示出用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的制造方法中的第二掩模工序的截面圖；圖8A至圖8L示出了用于說(shuō)明第二掩模工序的截面圖；圖9A示出了用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的制造方法中的第三掩模工序的平面圖；圖9B到圖9D示出了用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的制造方法中的第三掩模工序的截面圖；圖10A至圖10L示出了用于說(shuō)明第三掩模工序的截面圖；圖11示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的部分平面圖；圖12A到圖12C示出了沿圖11中II-II’、III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖13示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的部分平面圖；圖14A到圖14C示出了沿圖13中II-II’、III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖15示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的部分平面圖；圖16A到16C示出了沿圖15中II-II’、III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖；
圖17A到圖17F示出了用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的保護(hù)膜的制造方法的截面圖；以及圖18A和圖18B示出了用于說(shuō)明采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的液晶顯示面板的制造方法中保護(hù)膜的制造方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式
將詳細(xì)參考附圖所示的實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。以下將通過(guò)參考圖2到圖18B詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板示意性結(jié)構(gòu)的平面圖，以及圖3A到圖3C示出了分別沿圖2中II-II’、III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖。
參照?qǐng)D2和圖3A到圖3D，邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板包括設(shè)置在下基板142上彼此交叉并其間具有柵絕緣膜144的柵線102和數(shù)據(jù)線104，其中交叉的柵線102和數(shù)據(jù)線104限定像素區(qū)。FFS型薄膜晶體管基板包括連接到各交叉點(diǎn)的薄膜晶體管106；設(shè)置在像素區(qū)的像素電極118；與像素電極118一起設(shè)置于像素區(qū)以形成邊緣電場(chǎng)的公共電極122；以及連接到公共電極122的公共線120。而且，薄膜晶體管基板包括連接到柵線102的柵焊盤126以及連接到數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)焊盤134。
柵線102從柵驅(qū)動(dòng)器(未示出)提供掃描信號(hào)，同時(shí)數(shù)據(jù)線104從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)提供視頻信號(hào)。
柵線102以具有至少雙層?xùn)沤饘賹拥亩鄬咏Y(jié)構(gòu)形成在基板142上。例如，柵線102可以具有包括透明導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電層101和由不透明金屬形成的第二導(dǎo)電層103的雙層結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電層101由諸如ITO、TO、IZO或ITZO等透明金屬形成，而第二導(dǎo)電層由Cu、Mo、Al、Cu合金、Mo合金和Al合金等形成?？蛇x地，柵線102可僅由第二導(dǎo)電層103形成。
薄膜晶體管106響應(yīng)施加到柵線102上的掃描信號(hào)允許施加到數(shù)據(jù)線104上的像素信號(hào)電壓充入像素電極118并保持。為此，薄膜晶體管106包括柵線102中所包含的柵極、連接到數(shù)據(jù)線104的源極110、與源極110相對(duì)設(shè)置并且連接到像素電極118的漏極112、與柵線102重疊并其間具有柵絕緣膜144以提供源極110與漏極112之間的溝道的有源層114以及形成在除溝道部分的有源層114上以與源極110和漏極112歐姆接觸的歐姆接觸層116。
而且，如圖3C所示，包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體層115沿?cái)?shù)據(jù)線104重疊。
公共線120和公共電極122將用于驅(qū)動(dòng)液晶的基準(zhǔn)電壓，即公共電壓提供到各像素。
為此，公共線120包括在顯示區(qū)域中平行于柵線102設(shè)置的內(nèi)部公共線120A，以及在非顯示區(qū)域中連接到內(nèi)部公共線120A的外部公共線120B。公共線120由類似于柵線102的第一和第二導(dǎo)電層101和103的多層結(jié)構(gòu)形成?？蛇x地，公共線120可僅由第二導(dǎo)電層103形成。
平板形公共電極122設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)，并連接到內(nèi)部公共線120A。該公共電極122可以從內(nèi)部公共線120A的第一導(dǎo)電層101延伸到各像素區(qū)域并形成平板形狀。換句話說(shuō)，公共電極122可以由與公共線120的第一導(dǎo)電層101形成整體的透明導(dǎo)電層形成。
在像素區(qū)像素電極118與公共電極122重疊，并且在其中間具有柵絕緣膜144，從而形成邊緣電場(chǎng)。而且，像素電極118設(shè)置于柵絕緣膜144上并且連接到從重疊部分突出的漏極112。半導(dǎo)體層115可以形成為不在漏極112和像素電極118之間重疊。該像素電極118與公共線120A重疊。像素電極118包括與柵線102平行的第一水平部分118A、與公共線120A重疊的第二水平部分118B，以及連接到第一和第二水平部分118A和118B之間的多個(gè)垂直部分118C。如果視頻信號(hào)經(jīng)由薄膜晶體管106施加給像素電極118，則該像素電極118與施加有公共電壓的平板形公共電極122形成邊緣電場(chǎng)。沿水平方向設(shè)置于薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板之間的液晶分子由于其介電各向異性而通過(guò)該邊緣電場(chǎng)旋轉(zhuǎn)。通過(guò)像素區(qū)的透光率根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度而不同，從而實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)值。
而且，在公共電極122和像素電極118的重疊部分設(shè)置有用于穩(wěn)定維持施加給像素電極118的視頻信號(hào)的存儲(chǔ)電容。
柵線102經(jīng)由柵焊盤126從柵驅(qū)動(dòng)器接收掃描信號(hào)。柵焊盤126包括從柵線102延伸的下柵焊盤電極128，以及設(shè)置在貫穿柵絕緣膜144的第一接觸孔130內(nèi)以連接到下柵焊盤電極128的上柵焊盤電極132。這里，上柵焊盤電極132和像素電極118一起由透明導(dǎo)電層形成，并且與包圍第一接觸孔130的柵絕緣膜144的邊緣形成接觸面。
公共線120經(jīng)由公共焊盤160從公共電壓源接收公共電壓。公共焊盤160具有與柵焊盤126相同的垂直結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，公共焊盤160包括從公共線120延伸的下公共焊盤電極162，以及設(shè)置在貫穿柵絕緣膜144的第二接觸孔164內(nèi)以連接到下公共焊盤電極162的上公共焊盤電極166。這里，上公共焊盤電極166與像素電極118一起由透明導(dǎo)電層形成，并且與包圍第二接觸孔164的柵絕緣膜144的邊緣形成接觸面。
數(shù)據(jù)線104經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤134從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器接收像素信號(hào)。如圖3C所示，數(shù)據(jù)焊盤134由貫穿柵絕緣膜144的第二接觸孔138內(nèi)的透明導(dǎo)電層形成。設(shè)置有數(shù)據(jù)焊盤134的第二接觸孔138延伸以與部分?jǐn)?shù)據(jù)線104重疊。因此，數(shù)據(jù)線104從其與半導(dǎo)體層115之間的重疊部分突出以連接到數(shù)據(jù)焊盤134的延伸部分。圖3D示出了可供選擇的另一數(shù)據(jù)焊盤134的結(jié)構(gòu)，其中該數(shù)據(jù)焊盤134在柵絕緣膜144上由透明導(dǎo)電層形成，并延伸以與數(shù)據(jù)線104重疊。因此，數(shù)據(jù)線104從其與半導(dǎo)體層115之間的重疊部分突出以鄰接于數(shù)據(jù)焊盤134的延伸部分。
在這種情況下，數(shù)據(jù)線104因缺少保護(hù)膜而暴露。為了防止數(shù)據(jù)線104被暴露并且氧化，如圖4所示，將數(shù)據(jù)焊盤134的延伸部分以及數(shù)據(jù)線104的連接部分設(shè)置在由密封劑320密封的區(qū)域內(nèi)。設(shè)置在由密封劑320密封的區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線104由形成于薄膜晶體管基板上的下定向膜312保護(hù)。
參照?qǐng)D4，通過(guò)密封劑320將形成有下定向膜312的薄膜晶體管基板與涂敷有上定向膜310的濾色片基板300彼此粘接，通過(guò)密封劑320密封的兩個(gè)基板之間的盒間隙形成有液晶。上、下定向膜310和312在兩個(gè)基板的圖像顯示區(qū)域由有機(jī)絕緣材料形成。為了保護(hù)密封劑的粘合性，密封劑320預(yù)留一定間隔以不與上、下定向膜310和312接觸。因此，設(shè)置于薄膜晶體管基板上的數(shù)據(jù)線104連同源極110和漏極112一起位于由密封劑320密封的區(qū)域內(nèi)，使得數(shù)據(jù)線104可以通過(guò)涂敷于其上的下定向膜312以及形成在密封區(qū)域內(nèi)的液晶得到充分的保護(hù)。
在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的示例性薄膜晶體管基板中，如上所述，通過(guò)采用限定有貫穿柵絕緣膜144的接觸孔130、164和138的光刻膠圖案的掀離工序形成包括像素電極118、上柵焊盤電極132、上公共焊盤電極166和數(shù)據(jù)焊盤134的透明導(dǎo)電圖案。因此，透明導(dǎo)電圖案形成在柵絕緣膜144上或相應(yīng)的孔內(nèi)以與柵絕緣膜144形成接觸面。
而且，以類似柵絕緣膜144的方式對(duì)半導(dǎo)體層115構(gòu)圖，然后在形成包括數(shù)據(jù)線104、源極110、漏極112的源/漏金屬圖案時(shí)去除暴露部分。該源/漏金屬圖案基本上覆蓋半導(dǎo)體層115。此外，在形成源/漏金屬圖案時(shí)，暴露有源層114以限定薄膜晶體管106的溝道。因此，半導(dǎo)體層115具有形成在源極110和漏極112之間的溝道部分和源/漏金屬圖案與柵絕緣膜144之間重疊部分上不存在透明導(dǎo)電圖案部分的結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)橥该鲗?dǎo)電圖案形成于去除半導(dǎo)體層115的部分。暴露的有源層114的表面層124容易通過(guò)等離子體進(jìn)行表面處理，因此有源層114的溝道部分可以通過(guò)氧化為SiO2的表面層124得到保護(hù)。
具有所述結(jié)構(gòu)的按照本發(fā)明第一實(shí)施方式的示例性FFS型薄膜晶體管基板可以按以下三輪掩模工序形成。
圖5A和圖5B到圖5D分別示出了在根據(jù)本發(fā)明的邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型薄膜晶體管基板的制造方法中的第一掩模工序的平面圖和截面圖，以及圖6A至圖6I示出了用于說(shuō)明第一掩模工序的截面圖。
通過(guò)第一掩模工序在下基板142上形成包括柵線102、下柵焊盤電極128、公共線120、公共電極122以及下公共焊盤電極162的第一掩模圖案組。這里，除了公共電極122的第一掩模圖案組具有至少兩個(gè)導(dǎo)電層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。然而，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，這里僅說(shuō)明具有第一和第二導(dǎo)電層101和103的雙層結(jié)構(gòu)。公共電極122具有透明導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電層101的單層結(jié)構(gòu)。采用諸如衍射曝光掩?；虬肷{(diào)掩模的局部透射掩模的單掩模工序形成具有單層結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)的第一掩模圖案組。
參照?qǐng)D6A到圖6C，通過(guò)諸如濺射等沉積技術(shù)在下基板142上形成第一和第二導(dǎo)電層101和103，該第一導(dǎo)電層101由諸如ITO、TO、IZO或ITZO等透明導(dǎo)電材料形成。第二導(dǎo)電層103可以包括由諸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金或Al合金形成的單層結(jié)構(gòu)，或者可以包括諸如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al/(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金、Mo/Al合金、Cu/Mo合金或Cu/Mo(Ti)的至少雙層的層疊結(jié)構(gòu)。
隨后，通過(guò)采用局部透射掩模的光刻工藝形成包括具有不同厚度的光刻膠圖案220A和220B的第二光刻膠圖案220。該局部透射掩模包括用于遮擋紫外光線的遮擋部，采用狹縫圖案衍射紫外光線或者采用移相材料局部透射紫外光線的局部透射部，以及用于完全透射紫外光線的完全透射部。通過(guò)采用局部透射掩模的光刻工序形成包括光刻膠圖案220A和220B以及孔徑部分的第一光刻膠圖案220。在這種情況下，相對(duì)較厚的第一光刻膠圖案220A形成在與局部透射掩模的遮擋部分重疊的遮擋區(qū)P1；光刻膠圖案220B形成在與局部透射部重疊的局部曝光區(qū)P2；并且孔徑部分設(shè)置于與完全透射部重疊的完全曝光區(qū)P3。
此外，采用第一光刻膠圖案220作為掩模的蝕刻工序蝕刻第一和第二導(dǎo)電層101和103的暴露部分，從而提供包括雙層結(jié)構(gòu)的柵線102、下柵焊盤電極126、公共線120、公共電極122和下公共焊盤電極162的第一掩模圖案組。
參照?qǐng)D6D到6F，通過(guò)采用氧氣(O2)等離子體的灰化工序減少光刻膠圖案220A的厚度并去除光刻膠圖案220B。然后，通過(guò)采用灰化后的光刻膠圖案220A作為掩模的蝕刻工序去除公共電極122上的第二導(dǎo)電層103。在這種情況下，圍繞構(gòu)圖的第二導(dǎo)電層102的區(qū)域根據(jù)灰化后的光刻膠圖案220A被再次蝕刻，從而使得第一掩模圖案組的第一和第二導(dǎo)電層101和103具有基本恒定的厚度和階梯形狀。因此，當(dāng)?shù)谝缓偷诙?dǎo)電層101和103的側(cè)面具有非常陡峭的斜面時(shí)，則可以防止在柵絕緣膜中可能產(chǎn)生的階梯覆層缺陷。
參照?qǐng)D6G到6I，通過(guò)剝離工序去除剩余在圖6B中第一掩模圖案組上的光刻膠圖案220A。
圖7A和圖7B到圖7D分別示出了在根據(jù)本發(fā)明的FFS型薄膜晶體管基板的制造方法中的第二掩模工序的平面圖和截面圖，以及圖8A至圖8L示出了用于說(shuō)明第一掩模工序的截面圖。
在設(shè)置有第一掩模圖案組的下基板142上沉積柵絕緣膜144以及包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體層115。通過(guò)第二掩模工序限定貫穿半導(dǎo)體層115的像素孔170以及貫穿柵絕緣膜144的第一到第三接觸孔130、164和138。而且，包括像素電極118、上柵焊盤電極132、上公共焊盤電極166和數(shù)據(jù)焊盤134的透明導(dǎo)電圖案形成在相對(duì)應(yīng)的孔內(nèi)。這里，通過(guò)應(yīng)用諸如衍射曝光掩?；虬肷{(diào)掩模的局部透射掩模的單掩模工序限定具有不同深度的像素孔170和第一到第三接觸孔130、164和138。
參照?qǐng)D8A到圖8C，通過(guò)諸如PECVD等沉積技術(shù)將柵絕緣膜144，以及包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體層115依次沉積在具有第一掩模圖案組的下基板142上。這里，柵絕緣膜144由諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的無(wú)機(jī)絕緣材料形成，而有源層114和歐姆接觸層116可以由非晶硅或摻雜有n+或p+雜質(zhì)的非晶硅。
隨后，通過(guò)采用局部透射掩模的光刻工序在歐姆接觸層116上形成包括具有不同厚度的光刻膠圖案200A和200B的第二光刻膠圖案200。該局部透射掩模包括用于遮擋紫外光線的遮擋部，采用狹縫圖案衍射紫外光線或者通過(guò)移相材料局部透射紫外光線的局部透射部，以及用于完全透射紫外光線的完全透射部。通過(guò)采用局部透射掩模的光刻工序形成包括具有不同厚度的光刻膠圖案200A和200B以及孔徑部分的第二光刻膠圖案200。在這種情況下，相對(duì)較厚的光刻膠圖案220A設(shè)置于與局部透射掩模的遮擋部分相對(duì)應(yīng)的遮擋區(qū)P1；比光刻膠圖案220A薄的光刻膠圖案220B設(shè)置于與局部透射部相對(duì)應(yīng)的局部曝光區(qū)P2；并且該孔徑部分設(shè)置于與完全透射部相對(duì)應(yīng)的完全曝光區(qū)P3。
參照?qǐng)D8D到8F，通過(guò)采用第二光刻圖案200的蝕刻工序形成貫穿半導(dǎo)體層115的像素孔170，以及貫穿柵絕緣膜144的第一到第三接觸孔130、164和138。
例如，通過(guò)干法蝕刻工序蝕刻通過(guò)第二光刻膠200暴露的半導(dǎo)體層115和柵絕緣膜144從而限定第一到第三接觸孔130、164和138。在這種情況下，可以通過(guò)干法蝕刻工序灰化第二光刻膠圖案200使得光刻膠圖案200A變薄并且使光刻膠圖案200B和其下的半導(dǎo)體層115一起被去除，從而限定像素孔170?？梢酝ㄟ^(guò)各向同性的干法蝕刻工序相對(duì)于灰化的光刻膠圖案200A對(duì)半導(dǎo)體圖案115和柵絕緣膜144進(jìn)行過(guò)蝕刻。這樣，像素孔170以及第一到第三接觸孔130、164和138的邊緣位于灰化后的光刻膠圖案200A的下表面。
可選的，可以通過(guò)采用第二光刻膠圖案200作為掩模的干法蝕刻工序形成第一到第三接觸孔130、164和138，然后通過(guò)灰化工序減少光刻膠圖案200A的厚度并去除光刻膠圖案200B。接著，通過(guò)采用灰化后的光刻膠圖案200A的濕法蝕刻工序形成貫穿半導(dǎo)體層115的像素孔170。在這種情況下，半導(dǎo)體層115的蝕刻速率大于柵絕緣膜144的蝕刻速率，使得半導(dǎo)體層115相對(duì)于灰化后的光刻膠圖案200A被過(guò)蝕刻。
因此，像素孔170暴露與公共電極重疊的柵絕緣膜144；第三接觸孔138暴露基板142；并且第一和第二接觸孔130和164分別暴露下柵焊盤電極128和下公共焊盤電極162及其周圍的基板142。這里，所形成的第一和第二接觸孔130和164可以僅暴露下柵焊盤電極128和下公共焊盤電極162。另一方面，當(dāng)通過(guò)類似于像素孔170的局部曝光掩模形成第三接觸孔138時(shí)，該第三接觸孔可以具有半導(dǎo)體層115被去除的結(jié)構(gòu)以暴露柵絕緣膜144。
參照?qǐng)D8G到圖8I，通過(guò)諸如濺射的沉積技術(shù)在具有光刻膠圖案200A的基板142上整體地形成透明導(dǎo)電層117。該透明導(dǎo)電層117由諸如ITO、TO、IZO或ITZO的透明導(dǎo)電材料形成。在像素孔170內(nèi)形成像素電極118；在第一接觸孔130和第二接觸孔164內(nèi)形成上柵焊盤電極132和上公共焊盤電極166。并在第三接觸孔138內(nèi)形成數(shù)據(jù)焊盤134。透明導(dǎo)電圖案由于其形成在光刻膠圖案200A上而具有開口結(jié)構(gòu)或不連續(xù)性。該開口結(jié)構(gòu)由孔170、130、164和138邊緣與光刻膠圖案邊緣之間的偏移距離引起。此外，像素電極118與包圍像素孔170的半導(dǎo)體層115接觸或分隔開以使其形成在像素孔170內(nèi)。像素電極118與公共電極122和公共線120A重疊，在像素電極118和公共電極122以及公共線120A之間具有柵絕緣膜144。在第一到第三接觸孔130、164和138內(nèi)形成上柵焊盤電極132、上公共焊盤電極166和數(shù)據(jù)焊盤134以與柵絕緣膜144形成接觸面。這里，如圖8G所示，當(dāng)?shù)谌佑|孔138通過(guò)局部曝光僅貫穿半導(dǎo)體層115設(shè)置時(shí)，數(shù)據(jù)焊盤134以與半導(dǎo)體層115接觸或分隔開的方式形成在柵絕緣膜144上。因此，在光刻膠200A和歐姆接觸層116之間剝離器滲透便于用于去除涂敷有透明導(dǎo)電膜117的光刻膠圖案200A的掀離工序執(zhí)行，從而提高了掀離工序的效率。
參照?qǐng)D8J到8L，通過(guò)掀離工序去除圖8G到8I所示的涂敷有透明導(dǎo)電層117的光刻膠圖案200A。
圖9A和圖9B到圖9D分別示出了在根據(jù)本發(fā)明的FFS型薄膜晶體管基板的制造方法中的第三掩模工序的平面圖和截面圖，以及圖10A至圖10L示出了用于說(shuō)明第三掩模工序的截面圖。
在已經(jīng)形成有半導(dǎo)體層115和透明導(dǎo)電圖案的下基板142上形成包括數(shù)據(jù)線104、源極110和漏極112的源/漏金屬圖案。去除沒(méi)有與源/漏金屬圖案重疊的半導(dǎo)體層115，并且暴露源極110和漏極112之間的有源層114，從而限定薄膜晶體管106的溝道。通過(guò)采用諸如衍射曝光掩?；虬肷{(diào)掩模的局部透射掩模的單掩模工序形成源/漏金屬圖案和薄膜晶體管106的溝道。
參照?qǐng)D10A到圖10C，通過(guò)諸如濺射的沉積技術(shù)在已經(jīng)形成有半導(dǎo)體層115和透明導(dǎo)電圖案的下基板142上形成源/漏金屬層。該源/漏金屬層可以具有Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金或Al合金等金屬材料形成的單層結(jié)構(gòu)，或者該源/漏金屬層可以具有諸如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al/(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金、Mo/Al合金、Cu/Mo合金或Cu/Mo(Ti)等的至少雙層的層疊結(jié)構(gòu)。
隨后，通過(guò)采用局部透射掩模的光刻工序在源/漏金屬層上形成包括具有不同厚度光刻膠圖案210A和210B的第三光刻膠圖案210。該局部透射掩模包括用于遮擋紫外光線的遮擋部，采用狹縫圖案衍射紫外光線或者通過(guò)移相材料局部透射紫外光線的局部透射部，以及用于完全透射紫外光線的完全透射部。通過(guò)采用局部透射掩模的光刻工序形成包括光刻膠圖案210A和210B以及孔徑部分的第三光刻膠圖案210。在這種情況下，相對(duì)較厚的光刻膠圖案210A設(shè)置于與局部透射掩模的遮擋部相對(duì)應(yīng)的遮擋區(qū)P1；比光刻膠圖案210A薄的光刻膠圖案210B設(shè)置于與局部透射部相對(duì)應(yīng)的局部曝光區(qū)P2，即，要設(shè)置溝道的區(qū)域；并且該孔徑部分設(shè)置于與完全透射部相對(duì)應(yīng)的完全曝光區(qū)P3。
此外，通過(guò)采用第三光刻膠圖案210作為掩模的蝕刻工序?qū)υ?漏金屬層構(gòu)圖從而提供包括數(shù)據(jù)線104和在該階段與源極110形成整體的漏極112的源/漏金屬圖案。例如，可以通過(guò)濕法蝕刻工序?qū)υ?漏金屬層構(gòu)圖使得源/漏金屬圖案與第三光刻膠圖案210相比具有過(guò)蝕刻結(jié)構(gòu)。源/漏金屬圖案的漏極112從漏極112和半導(dǎo)體層115的重疊部分凸出以連接到像素電極118。如圖10A到10C所示，數(shù)據(jù)線104以與設(shè)置于第三接觸孔138內(nèi)的數(shù)據(jù)焊盤134重疊的方式連接到像素電極118。
參照?qǐng)D10D到10F，蝕刻通過(guò)第三光刻膠圖案210暴露的半導(dǎo)體層115，使得該半導(dǎo)體層115僅存在于其與第三光刻膠圖案210之間的重疊部分。例如，可以通過(guò)采用第三光刻膠圖案210作為掩模的線性干法蝕刻工序蝕刻暴露的半導(dǎo)體層115。因此，該半導(dǎo)體層115僅存在于其與用于形成源/漏金屬圖案的第三光刻膠圖案210之間的重疊部分，并且具有半導(dǎo)體層115的邊緣比源/漏金屬圖案的邊緣凸出更多的結(jié)構(gòu)。因此，源/漏金屬圖案和半導(dǎo)體層115具有階梯形狀的階梯覆層，使得半導(dǎo)體層115具有比源/漏金屬圖案稍大的面積。參照?qǐng)D10G到10I，通過(guò)采用氧氣(O2)等離子體的灰化工藝減薄如圖10D所示的光刻膠210A，并去除光刻膠圖案210B。該灰化工藝可以包括用于蝕刻暴露的半導(dǎo)體層115的干法蝕刻工序并在同一腔室中執(zhí)行。接著，通過(guò)采用灰化后的光刻膠圖案210A的蝕刻工序去除暴露的源/漏金屬圖案和歐姆接觸層116。因此，源極110和漏極112彼此斷開連接，并實(shí)現(xiàn)具有用于暴露源極110和漏極112之間有源層114的溝道的薄膜晶體管106。
此外，通過(guò)采用氧氣(O2)等離子體的表面處理工序使暴露的有源層114的表面被氧化為SiO2，形成表面層124。因此，限定薄膜晶體管106溝道的有源層114可以通過(guò)氧化為SiO2的表面層124保護(hù)。
參照?qǐng)D10J到10L，通過(guò)剝離工序去除如圖10G到10I所示的光刻膠圖案210A。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的FFS型薄膜晶體管基板的制造方法可以通過(guò)采用示例性的三輪掩模工藝來(lái)減少工藝數(shù)量。
圖11示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的FFS型薄膜晶體管基板的部分平面圖，并且圖12A到圖12C示出了沿圖11中II-II’、III-III’和IV-IV’線分別提取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖11和圖12A到圖12C所示的薄膜晶體管基板除了數(shù)據(jù)焊盤234具有與柵焊盤126基本相同的垂直結(jié)構(gòu)外，具有基本上與圖2和圖3A到3D所示的薄膜晶體管基板相同的元件。數(shù)據(jù)焊盤234進(jìn)一步包括用于將從數(shù)據(jù)焊盤234延伸的數(shù)據(jù)連接線(link)250連接到數(shù)據(jù)線104上的接觸電極252。因此，將省略關(guān)于相同元件的說(shuō)明。
參照?qǐng)D11和圖12A到12C，數(shù)據(jù)焊盤234包括設(shè)置于基板142上的下數(shù)據(jù)焊盤電極236，以及設(shè)置于貫穿柵絕緣膜144以暴露下數(shù)據(jù)焊盤電極236的第三接觸孔238內(nèi)的上數(shù)據(jù)焊盤電極240，使得上數(shù)據(jù)焊盤電極240以與柵焊盤電極126相同的方式連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極236。
數(shù)據(jù)連接線250以與數(shù)據(jù)線104重疊的方式從數(shù)據(jù)焊盤234的下數(shù)據(jù)焊盤電極236延伸并通過(guò)貫穿柵絕緣膜144的第四接觸孔254暴露。數(shù)據(jù)連接線250經(jīng)由設(shè)置于第四接觸孔254內(nèi)的接觸電極252連接到數(shù)據(jù)線104。
這里，下數(shù)據(jù)焊盤電極236和數(shù)據(jù)連接線250連同下柵焊盤電極128一起在第一掩模工序中形成。第三和第四接觸孔238和254與第一接觸孔130一起通過(guò)第二掩模工序形成。在第二掩模工序中，上數(shù)據(jù)焊盤電極240和接觸電極252連同上柵焊盤電極132一起分別形成于第三和第四接觸孔238和254內(nèi)。在這種情況下，上數(shù)據(jù)焊盤電極240和接觸電極252與包圍第二和第三接觸孔238和254的柵絕緣膜144的邊緣形成接觸面。
此外，數(shù)據(jù)線104位于由密封劑密封的區(qū)域內(nèi)使得其可以由涂敷于其上的定向膜或形成于密封區(qū)域內(nèi)的液晶保護(hù)。為此，用于將數(shù)據(jù)線104連接到數(shù)據(jù)連接線250的接觸電極252位于密封區(qū)域內(nèi)。
圖13示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的FFS型薄膜晶體管基板的部分平面圖，并且圖14A到圖14C示出了分別沿圖13中II-II’、III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖。
圖13和圖14A到圖14C所示的薄膜晶體管基板除了上數(shù)據(jù)焊盤電極240與接觸電極252在沿?cái)?shù)據(jù)連接線250延伸的第三接觸孔238內(nèi)形成整體以外，具有基本上與圖11和圖12A到12C所示的薄膜晶體管基板相同的元件。因此，將省略關(guān)于相同元件的說(shuō)明。
參照?qǐng)D13和14A到圖14C，數(shù)據(jù)焊盤234的第三接觸孔238以與數(shù)據(jù)線104重疊的方式沿?cái)?shù)據(jù)連接線250延伸。因此，上數(shù)據(jù)焊盤電極240與接觸電極252在第三接觸孔238內(nèi)形成整體結(jié)構(gòu)以連接到數(shù)據(jù)線104。該上數(shù)據(jù)焊盤電極240和接觸電極252與圍繞第三接觸孔238的柵絕緣膜144的邊緣形成接觸面。
圖15示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的FFS型薄膜晶體管基板的部分平面圖，并且圖16A到16C示出了分別沿圖15中II-II’、III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖。
圖15和圖16A到圖16C所示的薄膜晶體管基板除了該基板還包括在柵焊盤126和數(shù)據(jù)焊盤234所在的焊盤區(qū)域以外的其余區(qū)域設(shè)置保護(hù)膜以外，具有基本上與圖13和圖14A到14C所示的薄膜晶體管基板相同的元件。因此，將省略關(guān)于相同元件的說(shuō)明。
參照?qǐng)D15和圖16A到圖16C，在具有源/漏金屬圖案的基板上以在設(shè)置有柵焊盤126和數(shù)據(jù)焊盤234的焊盤區(qū)域具有開口的方式形成保護(hù)膜150。該保護(hù)膜由與柵絕緣膜144相同的無(wú)機(jī)絕緣材料形成。可選的，該保護(hù)膜150由丙烯酸有機(jī)化合物、BCB(苯并環(huán)丁烯)或PFCB(全氟環(huán)丁烷)等形成。
可以在第四掩模工序中形成保護(hù)膜150，或通過(guò)類似于在最上層形成定向膜的橡膠刻板印刷(rubber stamp printing)系統(tǒng)形成。而且，保護(hù)膜150可以完全形成在基板142上然后通過(guò)采用定向膜作為掩模的蝕刻工序，或在基板142和濾色片基板粘接后，通過(guò)采用濾色片基板作為掩模的蝕刻工序在焊盤區(qū)域形成開口。
如果應(yīng)用第四掩模工序，保護(hù)膜150完全形成于設(shè)置有源/漏金屬圖案的基板142上。在這種情況下，通過(guò)PECVD、旋轉(zhuǎn)涂敷或非旋轉(zhuǎn)涂敷等工序形成保護(hù)膜150。而且，通過(guò)采用第四掩模的光刻和蝕刻工序?qū)ΡＷo(hù)膜150構(gòu)圖以在焊盤區(qū)域形成開口。
可選的，可以通過(guò)橡膠刻板印刷技術(shù)在除焊盤區(qū)域以外的其余陣列區(qū)域印刷保護(hù)膜150，該技術(shù)包括在其上設(shè)置定向膜的方法，從而在焊盤區(qū)域形成開口。換句話說(shuō)，可以通過(guò)在設(shè)置有源/漏金屬圖案的基板142上對(duì)準(zhǔn)橡膠掩模，然后通過(guò)橡膠刻板印刷技術(shù)僅在除焊盤區(qū)域以外的陣列區(qū)域印刷絕緣材料來(lái)形成保護(hù)膜150。
可選的，通過(guò)采用設(shè)置于其上的定向膜的蝕刻工序在焊盤區(qū)域使保護(hù)膜150形成開口。例如，如圖17A到17C所示，保護(hù)膜150完全形成在基板142上，通過(guò)橡膠刻板印刷方法在保護(hù)膜150上形成定向膜152。隨后，如圖17D到17F所示，通過(guò)采用定向膜152作為掩模的蝕刻工序使保護(hù)膜150在焊盤區(qū)域形成開口。
此外，可以通過(guò)采用濾色片基板作為掩模的蝕刻工序使保護(hù)膜150在焊盤區(qū)域形成開口。例如，如圖18A所示，通過(guò)密封劑320將設(shè)置有保護(hù)膜150并且在其上設(shè)置有下定向膜312的薄膜晶體管基板粘接到設(shè)置有上定向膜310的濾色片基板。接著，如圖18B所示，通過(guò)采用濾色片基板300作為掩模的蝕刻工序使保護(hù)膜150在焊盤區(qū)域形成開口。在這種情況下，通過(guò)采用等離子體的蝕刻工序使保護(hù)膜150在焊盤區(qū)域形成開口或者可以通過(guò)將薄膜晶體管基板與濾色片基板粘接的液晶顯示面板浸漬于裝有蝕刻劑的蝕刻容器內(nèi)的浸漬技術(shù)在焊盤區(qū)域形成開口。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)第一局部透射掩模，單層公共電極連同多層第一掩模圖案組一起形成。
此外，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)采用第二局部透射掩模的單掩模工序?qū)Π雽?dǎo)體層和柵絕緣膜同時(shí)構(gòu)圖以提供多個(gè)具有不同深度的孔并且通過(guò)在掩模工序中使用的光刻膠圖案的掀離工序在多個(gè)孔內(nèi)提供透明導(dǎo)電圖案。
而且，根據(jù)本發(fā)明，在形成源/漏金屬圖案時(shí)與柵絕緣膜同時(shí)構(gòu)圖的半導(dǎo)體層再一次構(gòu)圖以去除其暴露部分，并且暴露源極與漏極之間的有源層以限定薄膜晶體管的溝道。因此，半導(dǎo)體層僅存在于薄膜晶體管的溝道以及源/漏金屬圖案與柵絕緣膜之間的重疊部分。
此外，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)印刷技術(shù)、第四掩模工序、采用定向膜作為掩模的蝕刻工序或者采用濾色片基板作為掩模的蝕刻工序等進(jìn)一步提供具有開口的焊盤區(qū)域的保護(hù)膜。
因此，通過(guò)三輪掩模工序或四輪掩模工序可以簡(jiǎn)化根據(jù)本發(fā)明的FFS型薄膜晶體管的制造方法，可以減少材料成本和設(shè)備投資成本等，并且提高生產(chǎn)率。
盡管已經(jīng)通過(guò)上述附圖所示的實(shí)施方式解釋本發(fā)明，但對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明做出各種變型和改進(jìn)。因此，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等效物所限定的范圍決定。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括第一和第二基板；第一基板上的柵線；第一基板上的公共線；位于第一基板上的公共電極，其中公共電極連接到公共線；位于柵線、公共線和公共電極上的柵絕緣膜；位于柵絕緣膜上的數(shù)據(jù)線，其中數(shù)據(jù)線與柵線交叉；具有連接到柵線的柵極、連接到數(shù)據(jù)線的源極、漏極以及在源極和漏極之間具有溝道的半導(dǎo)體層的薄膜晶體管；以及連接到漏極的像素電極，其中漏極與部分像素電極重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述公共線包括具有透明導(dǎo)電材料的第一層；以及具有金屬的第二層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一層包括氧化銦錫。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述第二層包括鉬。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述公共電極通過(guò)公共線的透明導(dǎo)電材料的延伸形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述像素電極與公共電極重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括連接到柵線的柵焊盤，所述柵焊盤包括第一基板上的下焊盤電極；以及位于貫穿柵絕緣膜以暴露下焊盤電極的接觸孔內(nèi)的上焊盤電極，其中上焊盤電極連接到下焊盤電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括連接到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)焊盤，其中所述數(shù)據(jù)焊盤包括設(shè)置于第一基板上的下焊盤電極；以及位于貫穿柵絕緣膜以暴露所述下焊盤電極的接觸孔內(nèi)的上焊盤電極，其中上焊盤電極連接到下焊盤電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括從所述下焊盤電極延伸的數(shù)據(jù)連接線，其中該數(shù)據(jù)連接線與數(shù)據(jù)線重疊；以及位于貫穿柵絕緣膜以暴露數(shù)據(jù)連接線的接觸孔內(nèi)的接觸電極，其中該接觸電極將數(shù)據(jù)連接線連接到數(shù)據(jù)線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括位于貫穿柵絕緣膜的接觸孔內(nèi)由透明導(dǎo)電層形成的數(shù)據(jù)焊盤，其中該數(shù)據(jù)焊盤連接到數(shù)據(jù)線，并且該數(shù)據(jù)焊盤與圍繞所述接觸孔的柵絕緣膜形成接觸面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，位于所述源極與漏極之間的溝道包括氧化的表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括位于所述第一基板上的保護(hù)膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括位于所述保護(hù)膜上的定向膜。
14.一種液晶顯示器件的制造方法，該方法包括提供第一和第二基板；采用第一掩模，在第一基板上形成柵線、連接到柵線的柵極、與柵線平行的公共線以及連接到公共線的公共電極；采用第二掩模形成柵絕緣膜和半導(dǎo)體層，其中像素孔貫穿半導(dǎo)體層，并且在像素孔內(nèi)形成與公共電極重疊的像素電極；采用第三掩模形成包括與柵線交叉的數(shù)據(jù)線、連接到數(shù)據(jù)線的源極和連接到像素電極的漏極的源/漏金屬圖案，以及位于源極和漏極之間的溝道。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成柵線包括形成具有透明導(dǎo)電材料的第一層；以及形成具有金屬的第二層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成公共線和公共電極包括形成具有透明導(dǎo)電材料的第一層以限定所述公共線和公共電極；以及在限定有所述公共線的第一層上形成具有金屬的第二層。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述采用第一掩模包括在所述第一基板上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；形成具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分的光刻膠圖案；執(zhí)行第一蝕刻工序以去除對(duì)應(yīng)于所述光刻膠圖案的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的一部分；去除所述光刻膠圖案的第一部分；以及執(zhí)行第二蝕刻工序以去除對(duì)應(yīng)于所述光刻膠圖案的第二部分的第二導(dǎo)電層的第二部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述去除光刻膠圖案的一部分包括采用氧氣等離子體的灰化工序。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層包括形成具有氧化銦錫的第一導(dǎo)電層；以及形成具有鉬的第二導(dǎo)電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述采用第三掩模包括形成源/漏金屬層；在源/漏金屬層上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分；形成對(duì)應(yīng)于光刻膠圖案的源/漏金屬圖案；執(zhí)行第一蝕刻以去除通過(guò)源/漏金屬圖案暴露的半導(dǎo)體層；去除所述光刻膠圖案的第一部分；以及采用光刻膠圖案的第二部分作為掩模執(zhí)行第二蝕刻。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括采用第一掩模形成連接所述柵線和數(shù)據(jù)線至少其中之一的下焊盤電極；采用第二掩模形成用于暴露所述下焊盤電極的接觸孔；以及采用第二掩模在接觸孔內(nèi)形成連接到所述下焊盤電極的上焊盤電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述第一基板上形成保護(hù)層；以及在所述保護(hù)層上形成定向膜。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，通過(guò)采用定向膜作為掩模的蝕刻使所述保護(hù)膜在焊盤區(qū)域形成開口。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)膜與定向膜具有相同的圖案。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，通過(guò)采用第二基板作為掩模的蝕刻使所述保護(hù)膜在焊盤區(qū)域形成開口。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)膜與第二基板具有相同的圖案。
27.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述第一基板和第二基板之間形成液晶層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換型液晶顯示器件的薄膜晶體管基板及其制造方法，其可以減少所需掩模工序的數(shù)量，并因此提高生產(chǎn)效率。該制造方法包括三輪掩模工序，其中所述掩模為局部透射掩模，并產(chǎn)生具有不同厚度的光刻膠圖案。通過(guò)具有不同厚度的光刻膠層，通過(guò)根據(jù)其厚度逐步去除光刻膠以采用相同光刻膠圖案的多次蝕刻步驟形成結(jié)構(gòu)。所述薄膜晶體管基板具有直接形成于基板上的公共線、公共電極、柵線以及柵極。公共電極在像素區(qū)與像素電極重疊。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1797157SQ20051008274
公開日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2005年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者安炳喆, 林柄昊, 安宰俊 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社