專利名稱：用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底及其制造方法和半導(dǎo)體組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能夠高密度、高準(zhǔn)確度地安裝各種類(lèi)型的器件的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，更具體地說(shuō)，進(jìn)一步獲得一種具有高效率和良好可靠性的組件(package)和模塊、一種制造該布線襯底的方法、以及使用該布線襯底的半導(dǎo)體組件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，為了符合高度集成、高度和多功能的半導(dǎo)體器件，端子的數(shù)量得到增加，而且節(jié)距之間的距離已經(jīng)變窄。在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底中，其中布線襯底安裝這些半導(dǎo)體器件，已經(jīng)要求這種布線襯底能夠比以前更加高密度、高準(zhǔn)確度地安裝半導(dǎo)體器件、而且比以前的可靠性更加優(yōu)良。作為目前已公知的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的實(shí)例，列出了一種組合制造(build-up)襯底(例如，日本公開(kāi)的未審查專利申請(qǐng)JP2001-284783)，其中采用連續(xù)層疊方法在芯印刷電路板上形成高密度布線層，還列出了一種集合層疊(collectively-laminated)的襯底(例如，日本公開(kāi)的未審查專利申請(qǐng)JP2003-347738)，該襯底通過(guò)集合層疊樹(shù)脂片而組成，樹(shù)脂片中形成布線層和通路孔。
圖1是組合制造襯底的剖視圖。如圖1所示，多層布線結(jié)構(gòu)設(shè)在基底芯襯底103的絕緣層中。導(dǎo)體布線102通過(guò)穿過(guò)絕緣層的通路孔101連接，其中一條導(dǎo)體布線形成在基底芯襯底103的上表面上，而另一條導(dǎo)體布線形成在其下部表面上。在基底芯襯底103的上下表面上，形成層間絕緣膜105，而且導(dǎo)體布線106形成在各自的層間絕緣膜105上。而且，焊料保護(hù)層107形成在層間絕緣膜105上，從而覆蓋一部分導(dǎo)體布線106。通路104形成在層間絕緣膜105中，以將導(dǎo)體布線102和導(dǎo)體布線106電連接。
另外，如果需要進(jìn)一步的多層，則可通過(guò)一個(gè)接一個(gè)地重復(fù)形成層間絕緣膜105的步驟和形成導(dǎo)體布線106的步驟而形成多層布線結(jié)構(gòu)。
另一方面，圖2A至圖2C所示的剖視圖，以步驟為順序示出了制作集合層疊襯底的方法的一種實(shí)例。在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)所述的集合層疊襯底中，如圖2A所示，導(dǎo)體布線112形成在樹(shù)脂片111上，而且連接至導(dǎo)體布線112的通路113設(shè)置在樹(shù)脂片111中。如圖2B和2C所示，通過(guò)設(shè)置多個(gè)這種樹(shù)脂片111并且集合層疊這些樹(shù)脂片而形成集合層疊襯底112。
還有，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的組合制造襯底和集合層疊襯底中，使用這種結(jié)構(gòu)，其中在絕緣膜上形成導(dǎo)體布線，還在絕緣膜上形成用于安裝半導(dǎo)體的電極襯墊。近年來(lái)，為符合布線襯底中的高密度和細(xì)微布線的改進(jìn)，已經(jīng)把用于形成導(dǎo)體布線的方法從蝕刻銅箔的方法(減少方法)改變成利用所設(shè)置的電極將保護(hù)層形成圖案以及沉淀并層疊電解電鍍層的方法(增加方法)。
但是，存在的缺陷是，采用增加方法形成的電極襯墊的高度不均勻，電極襯墊的上表面的形狀不平坦而且形成凸起，這樣就難于安裝具有大量管腳和狹窄節(jié)距的半導(dǎo)體器件。另外，盡管通常存在許多情況，在電極襯墊上形成焊料保護(hù)層107，但由于電極襯墊的高度具有較大的不平衡性，這樣顯然地難于使焊料保護(hù)層的膜厚度微小并使開(kāi)通路直徑高度準(zhǔn)確。而且，為了使電極襯墊微小，要降低電極襯墊和絕緣膜之間的接觸面積，降低電極襯墊和絕緣膜之間的內(nèi)聚力，而且特別是，導(dǎo)致了這樣的問(wèn)題，即在運(yùn)用無(wú)鉛焊接的高溫工藝下，在安裝半導(dǎo)體器件的步驟中，電極襯墊被從絕緣膜上剝?nèi)ァ?br> 為了克服上述各種問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N形成布線結(jié)構(gòu)和電極襯墊以在由金屬板制成的支撐體上安裝半導(dǎo)體器件并具有優(yōu)良的平整度、以及在電極襯墊上安裝半導(dǎo)體器件的方法(日本公開(kāi)的未審查專利申請(qǐng)JP2002-83893)。
但是，為了符合近來(lái)的移動(dòng)裝置中高性能和多功能方面的顯著進(jìn)步而高密度地安裝半導(dǎo)體器件，對(duì)在布線襯底的前表面和后表面上都安裝半導(dǎo)體器件的要求增加。但是，實(shí)際上，盡管上述日本公開(kāi)的未審查專利申請(qǐng)JP2002-83893中描述的傳統(tǒng)布線襯底滿足了在一個(gè)表面上安裝半導(dǎo)體器件的情況，但仍然難于在兩個(gè)表面上安裝半導(dǎo)體器件的情況下高密度地安裝半導(dǎo)體器件。
而且，對(duì)于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體組件的高度可靠性，強(qiáng)力推薦把具有低熱膨脹比率和低彈性比率的膜應(yīng)用于層間絕緣膜，該層間絕緣膜組成用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底。但是，采用上述傳統(tǒng)的布線襯底，存在的問(wèn)題是，如果應(yīng)用具有不同物理性質(zhì)的絕緣膜，會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)上可靠性的降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底及制作該半導(dǎo)體的方法和半導(dǎo)體組件，本發(fā)明在下列方面產(chǎn)生優(yōu)良效果，即為符合半導(dǎo)體器件的高度集成、高速、和/或多功能增加端子的數(shù)量，并使端子之間的節(jié)距變狹窄，本發(fā)明能夠在襯底的兩個(gè)表面上以高密度和高準(zhǔn)確度的方式安裝半導(dǎo)體器件，而且具有良好的可靠性。
根據(jù)本發(fā)明所述的一種用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，包括絕緣膜；形成在所述絕緣膜中的布線；多個(gè)電極襯墊，所述電極襯墊的表面暴露于所述絕緣膜的前表面和后表面，而且其側(cè)表面的至少一部分埋設(shè)在所述絕緣膜中；以及通路，所述布線和所述電極襯墊通過(guò)所述通路彼此連接。
由于本發(fā)明被構(gòu)造成布線襯底的前表面和后表面這兩個(gè)面上的電極襯墊埋設(shè)在絕緣膜中，可以防止前表面和后表面這兩個(gè)表面上的電極襯墊在高度上變得不均勻，而且有可能以高密度和高度準(zhǔn)確的方式安裝布線襯底的兩個(gè)表面上的半導(dǎo)體器件。而且，由于電極襯墊的側(cè)表面埋設(shè)在絕緣膜中，因此能夠提高電極襯墊和絕緣膜之間的內(nèi)聚力，由此有可能獲得由于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其具有連接半導(dǎo)體器件的良好可靠性。
所述絕緣膜包括設(shè)置在所述布線襯底的前表面處的第一絕緣層；設(shè)置在所述布線襯底的后表面處的第二絕緣層；以及設(shè)置在所述布線襯底內(nèi)部中的單個(gè)或多個(gè)第三絕緣層。所述第三絕緣層包括埋設(shè)在所述第三絕緣層的前表面和后表面這兩個(gè)面中的多個(gè)布線；以及通路，所述通路將前表面的布線和后表面的布線彼此連接。所述電極襯墊可分別暴露于所述第一絕緣層中的所述布線襯底上的前表面?zhèn)忍幍谋砻婧退龅诙^緣層中的所述布線襯底的后表面?zhèn)忍幍谋砻妫移鋫?cè)表面的至少一部分埋設(shè)在所述第一絕緣層或所述第二絕緣層中。
在此情況下，由于該結(jié)構(gòu)具有埋設(shè)在位于布線襯底內(nèi)部的第三絕緣層的前表面和后表面中的布線和通路，因此第一絕緣層形成在第三絕緣層的表面處，而且第二絕緣層形成在其后表面處。因此，即便由于半導(dǎo)體器件的操作而重復(fù)施加熱負(fù)載和偏壓，也可以避免出現(xiàn)相應(yīng)絕緣膜之間的界面脫落這樣的問(wèn)題，由此可以進(jìn)一步提高由于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的可靠性。相反，由于傳統(tǒng)布線襯底被構(gòu)造成具有設(shè)于絕緣膜內(nèi)部的前表面和后表面上的布線，因此存在這樣的問(wèn)題，即，當(dāng)由于基于半導(dǎo)體器件操作的熱負(fù)載產(chǎn)生用于使絕緣膜的界面脫落的應(yīng)力時(shí)，特別是在高度多層結(jié)構(gòu)的情況下，產(chǎn)生了絕緣膜之間的界面脫落。
另外，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層由相同的材料制成，或所述第一絕緣層和所述第二絕緣層由彼此不相同的材料制成。
進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底包括基于布線和通路的第四絕緣層。所述第四絕緣層設(shè)置在所述第一絕緣層和所述第三絕緣層之間、以及所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間中的至少其中之一。
如上所述，鑒于其結(jié)構(gòu)，由于在本發(fā)明中不存絕緣膜之間的界面脫落這樣的情況，因此有可能組合不同物理性質(zhì)的絕緣膜。因此，存在這樣的優(yōu)點(diǎn)，即能夠形成對(duì)應(yīng)用最佳化的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底。特別是，即便具有布線和通路的第四絕緣層形成在所述第一絕緣層和所述第三絕緣層之間、或所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間，鑒于其結(jié)構(gòu)，也不存在第三絕緣層和第四絕緣層之間的界面被脫落的情況。因此，能夠在實(shí)踐中確?？煽啃?。
作為組合不同絕緣層的具體效果，在第一絕緣層和第二絕緣層中的至少其中之一由其膜強(qiáng)度高于所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料形成的情況下，如果安裝半導(dǎo)體器件，由于熱膨脹比不相同，可以避免從布線襯底的表面產(chǎn)生裂縫。另外，如果所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的至少之一由其熱膨脹比低于所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料制成、或如果所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的至少之一由其彈性比低于所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料制成，可以降低被安裝的半導(dǎo)體器件和母板的應(yīng)力，該母板中安裝根據(jù)本發(fā)明所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，由此有可能提高整個(gè)模塊單元的可靠性。
進(jìn)一步地，當(dāng)安裝半導(dǎo)體時(shí)，為了避免由于熱膨脹比的不同而在布線襯底的表面上產(chǎn)生裂縫，第一絕緣層使用其膜強(qiáng)度高于所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料，而且為了降低施加在母板上的應(yīng)力，第二絕緣層使用其彈性比低于所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層由不同的材料制成，而且使得有可能容易地組合其可靠性得到最佳應(yīng)用的絕緣層。
還有，所述電極襯墊中的至少一個(gè)的暴露面設(shè)置在與所述絕緣膜的前表面或后表面相同水平處、或設(shè)置在從所述絕緣膜的前表面或后表面凹陷的位置、或設(shè)置在從所述絕緣膜的前表面或后表面突出的位置。
如果電極襯墊的暴露面設(shè)置在與所述絕緣膜的前表面或后表面相同水平處，在此半導(dǎo)體器件通過(guò)金突起被電連接，使得有可能獲得以更加細(xì)微的節(jié)距實(shí)現(xiàn)高度準(zhǔn)確的進(jìn)行連接的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)。另外，電極襯墊的暴露面設(shè)置在從所述絕緣膜的前表面或后表面凹陷的位置，則有可能獲得以更加細(xì)微的節(jié)距實(shí)現(xiàn)高度準(zhǔn)確的進(jìn)行連接的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其中通過(guò)布線粘結(jié)或使用焊料安裝半導(dǎo)體器件。進(jìn)一步地，如果電極襯墊的暴露面設(shè)置在從所述絕緣膜的前表面或后表面突出的位置，則有可能在安裝焊接球并在焊接球上安裝母板時(shí)防止焊接球裂縫的發(fā)生，而且制成其可靠性更加良好的半導(dǎo)體組件。
更進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底可具有支撐體，所述支撐體設(shè)置在所述絕緣膜的前表面和后表面中的至少一個(gè)表面處。另外，根據(jù)本發(fā)明所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底可具有焊料保護(hù)層，所述焊料保護(hù)層設(shè)置在所述絕緣膜的前表面和后表面中的至少一個(gè)表面處。
進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底可被構(gòu)造成至少一個(gè)所述電極襯墊的表面的一部分被所述絕緣膜覆蓋。
埋設(shè)在絕緣膜中的電極襯墊的一部分表面被絕緣膜覆蓋，由于采用了這種結(jié)構(gòu)，其中更大部分的襯墊埋設(shè)在樹(shù)脂中，幾乎不會(huì)發(fā)生從襯墊端部產(chǎn)生裂縫，因此可靠性很優(yōu)良。還有，由于被開(kāi)口的絕緣膜用作焊料保護(hù)層，與在蝕刻支撐體之后用于形成焊料保護(hù)層的方法相比較，對(duì)于形成襯墊或布線的金屬的粘性更加優(yōu)良。因此，可形成穩(wěn)定的焊料保護(hù)層，與此同時(shí)，在確認(rèn)襯墊位置之后，在襯墊上形成開(kāi)口，由此有可能以高度的準(zhǔn)確性在襯墊上形成開(kāi)口。
還有，所述支撐體至少設(shè)置在所述絕緣膜的前表面或后表面中的其中之一的一部分上。進(jìn)一步地，焊料保護(hù)層可至少設(shè)置在所述絕緣膜的前表面或后表面中的其中之一上。
在本發(fā)明中，例如，所述絕緣膜是這樣形成的，即通過(guò)形成所述絕緣膜的前表面?zhèn)鹊碾姌O襯墊、第一絕緣層、以及第一支撐襯底上的所述第一絕緣層的內(nèi)部的布線和通路；形成所述絕緣膜的后表面?zhèn)鹊碾姌O襯墊、第二絕緣層、以及第二支撐襯底上的第二絕緣層的內(nèi)部的布線和通路；通過(guò)對(duì)其進(jìn)行彼此粘合而將所述第一絕緣層和所述第二絕緣層彼此形成為一體；并且清除整個(gè)或部分所述第一支撐襯底和所述第二支撐襯底。在此情況下，支撐襯底可由金屬板制成。
在此情況下，用于電極襯墊形成在所述第一支撐襯底和所述第二支撐襯底上，電極襯墊的暴露面的位置準(zhǔn)確性高，由此使得容易確保高密度。
在本發(fā)明中，形成在所述第一絕緣層中的所述通路的前表面?zhèn)鹊某叽绾推浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽缰g的關(guān)系和形成在所述第二絕緣層中的所述通路的前表面?zhèn)鹊某叽绾推浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽缰g的關(guān)系是顛倒的。例如，形成在所述第一絕緣層中的所述通路的前表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽?，而形成在所述第二絕緣層中的所述通路的后表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄淝氨砻鎮(zhèn)鹊某叽纭?br> 通過(guò)使通路的前表面?zhèn)鹊某叽绾秃蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽绫舜瞬幌嗤谕返那氨砻鎮(zhèn)群秃蟊砻鎮(zhèn)榷咧系牟季€密度帶來(lái)差別，而且需要高布線密度的側(cè)部處的尺寸可以制作得很小。由于存在這樣的趨勢(shì)，即在制作成入射激光束或光的側(cè)部處的通路直徑通常趨向于變得大于由激光束形成的激光通路和由光形成的照相通路的直徑，用于在第一絕緣層中形成激光通路或照相通路的激光束或光的入射方向制作成與激光束或光的入射方向相反，以在第二絕緣層中形成激光通路或照相通路，從而有可能控制前表面?zhèn)鹊某叽绾秃蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽纾詫⑦@些尺寸顛倒。
更進(jìn)一步地，在高性能的半導(dǎo)體器件中，由于作為具有布線襯底的連接點(diǎn)的襯墊之間的間隔顯著變窄、而且可以預(yù)見(jiàn)從現(xiàn)在起日趨更窄，因此強(qiáng)烈推薦安裝半導(dǎo)體器件的前表面后側(cè)和后表面?zhèn)忍幍耐返某叽绾苄?。由于可以在根?jù)本發(fā)明所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底中的兩個(gè)側(cè)面上安裝半導(dǎo)體，在此情況下，優(yōu)選形成在第一絕緣層中的通路的前表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽纾纬稍诘诙^緣層中的通路的后表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄淝氨砻鎮(zhèn)鹊某叽纭?br> 根據(jù)本發(fā)明所述的半導(dǎo)體組件包括用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底；以及安裝在用于安裝半導(dǎo)體的所述布線襯底上的半導(dǎo)體器件。用于安裝半導(dǎo)體的所述布線襯底的所述多個(gè)電極襯墊中設(shè)置在所述半導(dǎo)體器件被安裝的點(diǎn)處的所述電極襯墊的暴露面被定位于與所述絕緣膜的前表面或后表面相同水平處或定位于從其前表面或后表面凹陷的位置處。
另一半導(dǎo)體組件安裝在母板上。所述半導(dǎo)體組件包括用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底；以及安裝在用于安裝半導(dǎo)體的所述布線襯底上的半導(dǎo)體器件。用于安裝半導(dǎo)體的所述布線襯底的所述多個(gè)電極襯墊中設(shè)置在所述半導(dǎo)體器件被安裝的點(diǎn)處的所述電極襯墊的暴露面被定位于與所述絕緣膜的前表面或后表面相同水平處或定位于從其前表面或后表面凹陷的位置處。而且，設(shè)置在用于連接至所述母板的突起被安裝的點(diǎn)處的所述電極襯墊的暴露面被定位于從所述絕緣膜的前表面或后表面突起的位置處。
制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的第一種方法，包括步驟形成具有支撐襯底的兩個(gè)布線襯底；以面對(duì)面的狀態(tài)彼此粘合被制作為具有支撐襯底的所述兩個(gè)布線襯底的最上層表面的中間層；以及清除部分或整個(gè)所述支撐襯底。形成具有支撐襯底的每個(gè)布線襯底包括步驟在所述支撐襯底上形成成為電極襯墊的導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成一個(gè)或多個(gè)中間層，在被制作為所述一個(gè)或多個(gè)中間層的最上層表面的中間層中形成通路孔；以及在通路孔中填充導(dǎo)體以形成通路。形成每個(gè)中間層包括步驟在所述絕緣層中形成通路；在所述絕緣層上形成布線；以及在所述布線上形成另外絕緣層。
還有，所述導(dǎo)體是導(dǎo)電漿粉或焊料。
在本發(fā)明中，由于通過(guò)面對(duì)面地粘合形成在支撐襯底上的兩個(gè)布線襯底，因此對(duì)于將襯墊粘合在一起的位置準(zhǔn)確性比多個(gè)樹(shù)脂片集合層疊的傳統(tǒng)集合層疊襯墊的情況更加令人滿意，而且有可能形成密度高而且可靠性優(yōu)良的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底。還有，其優(yōu)點(diǎn)在于，與傳統(tǒng)的組合制造襯底相比較，可在短時(shí)間內(nèi)形成多層。
該第一種方法進(jìn)一步包括在形成所述導(dǎo)電層之前，在所述支撐襯底上形成下層絕緣層。
采用這種方法，由于在支撐襯底上形成下層絕緣層，而且形成諸如襯墊之類(lèi)的金屬層，支撐襯底上的下層絕緣層用作增強(qiáng)的蝕刻阻擋層。因此，蝕刻銅板時(shí)襯墊和布線將被蝕刻溶液損害的可能性變得很微小，由此可獲得具有高可靠性的組件襯底。還有，由于被開(kāi)口的下層絕緣層用作焊料保護(hù)層，與在蝕刻支撐襯底后形成焊料保護(hù)層的方法相比較，對(duì)用于形成襯墊和布線的金屬的粘附性優(yōu)良。因此，可形成穩(wěn)定的焊料保護(hù)層，與此同時(shí)，在確認(rèn)襯墊位置之后，可在襯墊上形成開(kāi)口，由此有可能以高度準(zhǔn)確的方式在襯墊上形成開(kāi)口。
傳統(tǒng)上，如果在面對(duì)面地粘合形成在支撐襯底上的兩個(gè)布線襯底時(shí)、在特別高溫和高壓情況下疊置布線襯底，則存在預(yù)先形成在支撐襯底上的布線襯底產(chǎn)生彎曲而且其可靠性降低的問(wèn)題。為改進(jìn)此點(diǎn)，在本發(fā)明中，通過(guò)使最上層表面絕緣層平坦、在絕緣層中形成通路孔、在其內(nèi)填充諸如導(dǎo)電漿粉和焊料之類(lèi)的導(dǎo)體以形成通路、并且將通路彼此進(jìn)行疊置，而實(shí)現(xiàn)電連接。由于彼此粘合平坦表面，因此即便在低溫低壓情況下，也有可能面對(duì)面地粘合形成在支撐襯底上的兩個(gè)布線襯底，而且有可能獲得高度準(zhǔn)確而且可靠性優(yōu)良的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底。
根據(jù)本發(fā)明所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的第二種方法，包括步驟形成具有支撐襯底的兩個(gè)布線襯底；以面對(duì)面的狀態(tài)彼此粘合中間層，所述中間層為被制作為具有支撐襯底的所述兩個(gè)布線襯底的最上層表面；以及清除部分或整個(gè)所述支撐襯底。形成每個(gè)具有支撐襯底的所述布線襯底包括步驟在所述支撐襯底上形成成為電極襯墊的導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成一個(gè)或多個(gè)中間層，在中間層中形成通路孔，所述中間層被制作為所述一個(gè)或多個(gè)中間層的最上層表面；在通路孔中填充導(dǎo)體以形成通路；以及在被制成最上層表面的所述絕緣層上形成布線。形成每個(gè)中間層包括步驟在所述絕緣層中形成通路；在所述絕緣層上形成布線；以及在所述布線上形成另外的絕緣層；在第二實(shí)施例中，其優(yōu)點(diǎn)在于，相對(duì)于上述第一種方法，盡管準(zhǔn)確性多少一些下降，但由于只是在任何其中一個(gè)支撐襯底中需要在形成在絕緣層中的通路孔中填充導(dǎo)體的步驟，因此能夠減少工藝過(guò)程的數(shù)量。但是，由于在適當(dāng)?shù)牡蜏氐蛪呵闆r下，面彼此對(duì)面地粘合形成在支撐襯底上的兩個(gè)布線襯底，因此埋設(shè)導(dǎo)體中的絕緣層的特性是很重要的。也就是說(shuō)，相對(duì)于其它絕緣層，優(yōu)選使用可在低變硬溫度和低層疊壓力下形成的絕緣層。因此，有可能形成可靠性優(yōu)良而且成本低的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底。
該第二種方法進(jìn)一步包括步驟在所述形成所述導(dǎo)電層之前，在所述支撐襯底上形成下層絕緣層。
在本發(fā)明中，由于在絕緣層中形成通路并在通路內(nèi)填充導(dǎo)體的步驟只對(duì)于形成在多個(gè)支撐襯底上的任一一個(gè)布線襯底是需要的，其優(yōu)點(diǎn)是，減少了步驟數(shù)，而且支撐襯底上的下層絕緣層用作增強(qiáng)蝕刻阻擋件，由此可制作具有高可靠性的組件襯底，而且對(duì)用于形成襯墊和布線的金屬的粘附性優(yōu)良。因此，有可能形成開(kāi)口，同時(shí)襯墊保持高度準(zhǔn)確。
另外，下層絕緣層形成在支撐襯底上，該方法進(jìn)一步包括步驟在所述清除部分或整個(gè)所述支撐襯底之后，在位于成為電極襯墊的所述絕緣層的至少一個(gè)或多個(gè)部分上的所述下層絕緣層的一部分中形成開(kāi)口。盡管形成這種開(kāi)口的各種方法都是可用的，仍然優(yōu)選，所述開(kāi)口通過(guò)激光或干蝕刻而形成，特別是對(duì)于位置準(zhǔn)確性和成形方便性而言。
在根據(jù)本發(fā)明所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法中采用的支撐襯底的特征在于由薄膜金屬層組成的支撐襯底和比作為部件的所述薄膜金屬層厚一些的支撐金屬層。
支撐襯底由薄膜金屬層和比所述薄膜金屬層厚一些的支撐金屬層組成，有可能只清除厚一些的支撐金屬層，而只保留薄膜金屬層在襯底側(cè)上，由此有可能制作顯著薄的金屬層，進(jìn)而該薄金屬層有必要采用蝕刻等進(jìn)行清除。
進(jìn)一步地，在用于在支撐襯底上形成絕緣層并且采用激光在絕緣層中形成開(kāi)口的方法中，采用激光形成開(kāi)口，同時(shí)保留薄膜金屬層。之后，執(zhí)行去污工藝。在此方法中，由于不是開(kāi)口的部分被薄膜金屬層覆蓋，因此樹(shù)脂不會(huì)由于去污工藝中去污液而損壞，而且消除了去污液中的雜質(zhì)問(wèn)題。


圖1是示出傳統(tǒng)組合制造襯底的剖視圖；圖2A至2C是圖示依照步驟順序制造傳統(tǒng)的集合層疊襯底的方法的剖視圖；圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖；圖4A至4C圖示根據(jù)第一實(shí)施例的變形所述的用于安裝半導(dǎo)體的各個(gè)布線襯底的剖視圖；圖5A和5B圖示根據(jù)第一實(shí)施例的另一種變形所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖；圖6A至6C分別圖示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖；圖7A至7C分別圖示本發(fā)明的每一實(shí)施例所述的半導(dǎo)體組件的剖視圖；圖8A和8B分別示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖；圖9示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖；圖10A至圖10E是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖；
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖；圖12A至12E是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖；圖13A至13C是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖，其示出了圖12E所示步驟之后的步驟；圖14A至14C是依照工藝順序根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖，其示出了圖13E所示步驟之后的步驟；圖15A至15B是根據(jù)第五實(shí)施例所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖；圖16A至16I是依照步驟的順序根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖；圖17A至17D是依照其步驟的順序根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖；以及圖18A至18C是依照步驟的順序根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖，其示出了圖17D所示步驟之后的步驟。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。首先參照附圖3說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例所述用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖。在根據(jù)第一實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底5中，布線2和相互電連接的上下布線2的通路3設(shè)置在絕緣膜1中。電極襯墊4設(shè)置在襯底5的前表面和后表面上，即絕緣膜1的前表面和后表面這兩面上。電極襯墊4側(cè)部的至少一部分埋設(shè)在絕緣膜1中。
通過(guò)層疊多層絕緣層而組成絕緣膜1，而且通過(guò)在各自的絕緣層上形成導(dǎo)電膜圖案而設(shè)置布線2。當(dāng)形成布線2時(shí)，到達(dá)下層布線2的通路孔形成在絕緣層中，而且布線導(dǎo)電材料埋設(shè)在通路孔中，從而形成通路3。
組成絕緣膜1的相應(yīng)絕緣層的材料彼此相同。對(duì)于絕緣膜1的材料沒(méi)有特別的限制，只要材料對(duì)焊接具有良好的熱阻和良好的抗化學(xué)性即可。但是，優(yōu)選諸如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、液晶聚合物等抗熱樹(shù)脂，它們都具有高玻璃轉(zhuǎn)化(transition)溫度，并且在諸如膜強(qiáng)度、破壞延長(zhǎng)比率等機(jī)械性能方面表現(xiàn)良好。還有，如果絕緣膜1制造成厚度為0.3毫米甚至更薄，為了在安裝半導(dǎo)體器件時(shí)提高操作方便性，優(yōu)選提供具有高彎曲彈性比的材料用作用于絕緣膜1的材料，這種材料利用樹(shù)脂浸漬玻璃纖維織物或芳族聚酸胺無(wú)紡布。
由于將用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底5構(gòu)造成襯底5的前表面和后表面這兩面上的電極襯墊4都埋設(shè)在絕緣膜1中，因此可以避免了襯底5的前表面和后表面這兩面上的電極襯墊4的高度不均勻，而且可以把半導(dǎo)體器件安裝在布線襯底5的兩側(cè)上，以便高密度并高準(zhǔn)確度地安裝半導(dǎo)體。而且，由于電極襯墊4的側(cè)部埋設(shè)在由相同材料制成的絕緣膜1中，因此可以獲得用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底5，其中電極襯墊4和絕緣膜1之間的內(nèi)聚力提高，而且半導(dǎo)體器件具有良好的可靠性。
圖4A至4C示出根據(jù)第一實(shí)施例的變形所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖。具體地說(shuō)，形成在絕緣膜1的前表面和后表面這兩面上的電極襯墊4可以制作成電極襯墊4a、電極襯墊4b和電極襯墊4c中的任何一個(gè)，其中電極襯墊4a如圖4A所示，其暴露面位于絕緣膜1的前表面或后表面的相同位置，電極襯墊4b如圖4B所示，其暴露面位于從絕緣膜1的前表面或后表面開(kāi)凹槽的位置，而電極襯墊4c如圖4C所示，其暴露面位于從絕緣膜1的前后面或后表面突出的位置。
如圖4A所示，關(guān)于其暴露面位于絕緣膜1的前表面或后表面的相同水平的電極襯墊4a，在使用金突起在其上安裝半導(dǎo)體器件的情況下，由于電極襯墊4a的高度并非不均勻，因此可以以高度準(zhǔn)確而且節(jié)距微小的方式實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的連接。另外，如圖4B所示，關(guān)于其暴露面位于絕緣膜1的前表面或后表面的電極襯墊4b，在采用金線粘結(jié)或焊接在其上安裝半導(dǎo)體器件的情況下，由于從電極襯墊4b位于凸起位置的絕緣膜1能夠避免金突起或焊接過(guò)度變形，因此可以以高度準(zhǔn)確而且節(jié)距微小的方式實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的連接。進(jìn)一步地，如圖4C所示，關(guān)于其暴露面位于從絕緣膜1的前表面或后表面凸起的位置的電極襯墊4c，當(dāng)其上安裝焊球而且進(jìn)一步安裝母板時(shí)，可以防止產(chǎn)生起于焊球基底上的裂縫，因此可以實(shí)現(xiàn)可靠性進(jìn)一步優(yōu)良的半導(dǎo)體組件。
圖5A和5B示出根據(jù)本發(fā)明的變形所示的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖。具體地說(shuō)，如圖5A所示，形成在絕緣膜的前表面和后表面這兩面上的電極襯墊的一部分表面被絕緣膜覆蓋。另一方面，圖5B中，位于后表面(附圖中的下側(cè))上的電極襯墊的暴露表面的一部分被絕緣膜覆蓋，而且位于前表面(附圖中的上側(cè))上的電極襯墊設(shè)置在與絕緣膜的表面相同的層面上。圖5A和5B中，形成在絕緣膜的前表面或后表面上被絕緣膜覆蓋的一部分表面上的電極襯墊、設(shè)置在從絕緣膜1的前表面或后表面的凹陷位置。但是，其位置并不局限于此。
圖6A至6C示出根據(jù)本發(fā)明的另一種變形所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖。具體地說(shuō)，圖6A所示的布線襯底為在絕緣膜1的前表面和后表面中的至少一個(gè)表面處設(shè)有支撐體6。通過(guò)設(shè)置支撐體6，可以防止用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底5由于用于安裝半導(dǎo)體的加熱歷史過(guò)程而翹曲或起伏，因此可以以高度準(zhǔn)確的方式安裝半導(dǎo)體器件。
另外，如圖6B所示，可形成焊接保護(hù)層7用于絕緣膜1的前表面和后表面中的至少一個(gè)表面。特別是，在根據(jù)本實(shí)施例所示的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底5中，用于電極襯墊4的高度不均勻性顯著輕微，因此可以以高度準(zhǔn)確的方式形成焊接保護(hù)層7。而且，如圖6C所示，可將支撐體8設(shè)置在焊接保護(hù)層7的至少一部分表面處。
下面說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明所述的半導(dǎo)體組件。圖7A至7C示出根據(jù)本實(shí)施例所述的半導(dǎo)體組件的剖視圖。根據(jù)本實(shí)施例所述半導(dǎo)體組件14如圖7A所示是這樣的，即通過(guò)在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底5上設(shè)置突起9、將電極襯墊4連接至半導(dǎo)體器件11、將另一半導(dǎo)體器件11的一側(cè)上的端子和電極襯墊4彼此疊置并連接、并且通過(guò)粘結(jié)線10將另一半導(dǎo)體器件11的另一側(cè)的端子和電極襯墊4進(jìn)行電連接，而在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底5上安裝半導(dǎo)體器件11。進(jìn)一步地，通過(guò)導(dǎo)電粘合劑等將外部端子管腳13連接至組件14上。
設(shè)置在安裝半導(dǎo)體器件11的點(diǎn)處的電極襯墊4制作成電極襯墊4a或電極襯墊4b，其中電極襯墊4a具有位于與絕緣膜1的前表面或后表面相同水平處的如圖4A所示的電極襯墊4的暴露面，電極襯墊4b具有位于從絕緣膜1的前表面或后表面開(kāi)凹槽的位置處的如圖4B所示的暴露面，這樣可以實(shí)現(xiàn)高度準(zhǔn)確和高密度的半導(dǎo)體組件。另外，在本實(shí)施例中，示出了安裝半導(dǎo)體器件11的實(shí)例，應(yīng)用了采用突起9的倒裝晶片連接和采用布線10的線粘結(jié)連接。但是，除此之外，還有可能通過(guò)使用帶自動(dòng)粘結(jié)方法或條帶粘結(jié)方法等安裝半導(dǎo)體器件11。
還有，如果需要，如圖7B所示，可形成外框(molding)15。
進(jìn)一步地，如圖7C所示的半導(dǎo)體組件20安裝在母板19上。母板19具有電極襯墊17和設(shè)置在其表面上的焊接保護(hù)層18，而且如圖4C所示，具有位于從絕緣膜1的后表面凸起的位置處的暴露面的電極襯墊4c設(shè)置在半導(dǎo)體組件20的后表面上。通過(guò)利用焊接球16將母板19的電極襯墊17連接至電極襯墊4c上，把組件20安裝在母板19上。另外，如圖4B所示，具有位于從絕緣膜1的前表面凹陷的位置處的暴露面的電極襯墊4b安裝在半導(dǎo)體組件20的前表面上，其中半導(dǎo)體器件11通過(guò)突起9安裝在電極襯墊4b上。還有，如圖4A所示，具有位于與絕緣膜1的后表面相同的位置處的暴露面的電極襯墊4a設(shè)置在組件20的后表面上，并且半導(dǎo)體器件11通過(guò)突起9安裝在電極襯墊4a上。還有，優(yōu)選電極襯墊4制作成襯底4a或4b，其中半導(dǎo)體器件11通過(guò)突起9連接至該電極襯墊4，而且固定在安裝焊接球16的點(diǎn)處的電極襯墊4制作成電極襯墊4a或4c，從而可以以高度準(zhǔn)確并且高密度的方式安裝半導(dǎo)體器件11，并且可以防止發(fā)生起于焊接球16的基底的裂縫。因此，能夠制作其可靠性進(jìn)一步優(yōu)良的半導(dǎo)體組件14。
下面說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底。圖8A和8B示出根據(jù)第二實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖。如圖8A所示，根據(jù)本實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29設(shè)有絕緣膜24，該絕緣膜至少具有設(shè)置在其前表面上的第一絕緣層21、設(shè)置在其后表面上的第二絕緣層22、以及設(shè)置在其內(nèi)部第三絕緣層23，其中第三絕緣層23設(shè)有布線25和進(jìn)一步的通路26，該布線25埋設(shè)在其前表面和后表面中，通過(guò)通路26電連接布線25，第三絕緣層23還設(shè)有電極襯墊27，電極襯墊27利用其暴露的表面被固定，且至少一部分側(cè)部埋設(shè)在絕緣膜24中，而且電極襯墊27和布線25通過(guò)通路28彼此電連接。如上所述，電極襯墊27可被制作成下列任何類(lèi)型的電極襯墊，即如圖4A所示的電極襯墊，其具有埋設(shè)在絕緣膜24中的暴露面，該暴露面位于與絕緣膜24的前表面或后表面相同的水平處；如圖4B所示的電極襯墊，其具有位于從絕緣膜24的前表面或后表面凹陷的位置處的暴露面；或如圖4C所示電極襯墊，其具有從絕緣膜24的前表面和后表面凸起的位置處的暴露面。
在傳統(tǒng)布線襯底中，由于傳統(tǒng)布線襯底具有這樣的結(jié)構(gòu)，即布線設(shè)置在設(shè)于絕緣層內(nèi)部的前表面和后表面上，因此通過(guò)層疊與設(shè)于絕緣層內(nèi)部的材料不同的材料組成的絕緣層而形成布線襯底，產(chǎn)生了應(yīng)力，由于半導(dǎo)體器件的操作中熱負(fù)載而引起的熱膨脹比的不同，絕緣層之間的界面產(chǎn)生脫落，而且有絕緣層之間的界面從結(jié)構(gòu)性內(nèi)聚力很弱的布線的端部開(kāi)始脫落的擔(dān)心。
相反，根據(jù)本發(fā)明所述的由于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29被構(gòu)造成具有埋設(shè)在設(shè)于內(nèi)部的第三絕緣層的前表面和后表面中的布線25。因此，即便通過(guò)由與第三絕緣層23的材料不同的材料形成第一絕緣層21和第二絕緣層22而組成絕緣膜24，第三絕緣層23的整個(gè)表面接收脫落應(yīng)力，該應(yīng)力是由于半導(dǎo)體器件的操作而引起的重復(fù)施加熱負(fù)載和偏壓而產(chǎn)生的，因此可以完全避免界面從布線端部開(kāi)始產(chǎn)生脫落。
因此，在根據(jù)本實(shí)施例所述的由于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29中，對(duì)于設(shè)置在其前表面上的第一絕緣層21、設(shè)置在其后表面上的第二絕緣層22以及設(shè)置在其內(nèi)部的第三絕緣層23，可以選擇為了光學(xué)物理性質(zhì)的目的制成的材料。
另外，如圖8B所示，根據(jù)本實(shí)施例所述的由于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29可通過(guò)在設(shè)置在其前表面上的第一絕緣層21、設(shè)置在其后表面上的第二絕緣層22以及設(shè)置在其內(nèi)部的第三絕緣層23中設(shè)置布線30和通路31，而制成進(jìn)一步的多層布線襯底。
更進(jìn)一步地，通過(guò)使用根據(jù)本實(shí)施例所述的由于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29，還可以形成如用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底5一樣的半導(dǎo)體組件14和20。如果半導(dǎo)體器件安裝在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29的兩側(cè)，對(duì)于第三絕緣層23，選擇具有高彈性比的剛性材料，從而提高其操作方便性，并且將比第三絕緣層23具有更高的膜強(qiáng)度或具有更低的熱膨脹比的材料應(yīng)用于第一絕緣層21和第二絕緣層22，從而產(chǎn)生這樣的效果，即能夠在安裝半導(dǎo)體器件時(shí)防止由于熱膨脹比的不同而導(dǎo)致在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29上產(chǎn)生裂縫。另外，如果用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29安裝在母板上，而半導(dǎo)體器件安裝在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29的第一絕緣層21側(cè)、而且不僅是半導(dǎo)體還有焊接球安裝在其第二絕緣層22側(cè)，選擇具有高彈性比的剛性材料作為第三絕緣層23，以便提高操作的方便性，將比第三絕緣層23具有更高的膜強(qiáng)度或具有更低的熱膨脹比的材料應(yīng)用于第一絕緣層21，并且將比第三絕緣層23具有更低的彈性比的材料應(yīng)用于第二絕緣層22。也就是說(shuō)，通過(guò)使用對(duì)于所有絕緣層而彼此不同的材料，可以形成可靠性為最優(yōu)的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底19。
下面說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖9示出根據(jù)第三實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的剖視圖。根據(jù)本實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底52設(shè)有絕緣膜47，該絕緣膜47包括設(shè)置在其前表面上的第一絕緣層41、設(shè)置在其后表面上的第二絕緣層42、設(shè)置在其內(nèi)部部分的第三絕緣層43、以及設(shè)置在第一絕緣層41和第三絕緣層43之間、第二絕緣層42和第三絕緣層43之間的至少其中之一的第四絕緣層46。而且，布線44和通路45形成在第四絕緣層46中。在第四絕緣層46中形成布線48和通路49，其中布線48埋設(shè)在第三絕緣層43的前表面和后表面中，而通路49與布線48電連接。在絕緣膜47的前表面和后表面上形成電極襯墊50，該電極襯墊50的表面暴露、而且其側(cè)部的至少一部分埋設(shè)在絕緣膜47中，其中電極襯墊50和布線44通過(guò)通路51彼此電連接。
根據(jù)本實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底52被構(gòu)造成，其包括埋設(shè)在設(shè)于其內(nèi)部的第三絕緣層43的前表面和后表面中的布線48、而且布線44埋設(shè)在第四絕緣層46中。因此，即便通過(guò)使用在所有絕緣層中彼此都不同的材料而形成絕緣膜47，由于第三絕緣層43和第四絕緣層46的整個(gè)表面接收脫落應(yīng)力，該脫落應(yīng)力是由于半導(dǎo)體器件的操作而引起重復(fù)施加熱負(fù)載和偏壓而產(chǎn)生的，因此可以完全避免絕緣層之間的界面從布線端部開(kāi)始產(chǎn)生脫落。
還有，采用根據(jù)本實(shí)施例所述的由于安裝半導(dǎo)體的布線襯底52，可以如用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底5和由于安裝半導(dǎo)體的布線襯底29一樣形成半導(dǎo)體組件14和半導(dǎo)體組件20。如果半導(dǎo)體器件安裝在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底52的兩側(cè)，則為第三絕緣層43選擇具有高彈性比的剛性材料，以通過(guò)操作的方便性，對(duì)于第四絕緣層46使用具有低彈性比的材料，以減緩應(yīng)力，而對(duì)于第一絕緣層41和第二絕緣層42，使用比第三絕緣層43和第四絕緣層46具有更高的膜強(qiáng)度或具有更低的熱膨脹比的材料，從而可以形成這樣的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底52，其能夠防止由于熱膨脹比的不同而從用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底52的表面產(chǎn)生的裂縫，還能夠帶來(lái)應(yīng)力減緩的特征。
進(jìn)一步，如果用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底52安裝在母板上，同時(shí)半導(dǎo)體器件安裝在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底52的第一絕緣層側(cè)，而且不但是半導(dǎo)體器件而還有焊接球安裝在第二絕緣層42側(cè)，則為第三絕緣層43選擇具有高彈性比的剛性材料，對(duì)于第四絕緣層46使用具有低熱膨脹比的材料，對(duì)于第一絕緣層41，使用比第三絕緣層43和第四絕緣層46具有更高的膜強(qiáng)度的材料，對(duì)于第二絕緣層42，使用比第三絕緣層43和第四絕緣層46具有更低的彈性比的材料，其中通過(guò)在所有絕緣層中應(yīng)用彼此都不相同的材料，針對(duì)可靠性，形成用于安裝半導(dǎo)體的最優(yōu)的布線襯底52。
下面參照?qǐng)D10和11說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底。在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底中，形成在第一絕緣層中的通路94和95的前表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽?，而且形成在第二絕緣層中的通路94和95的后表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄淝氨砻鎮(zhèn)鹊某叽?。通過(guò)采用光敏樹(shù)脂的通路形成方式，例如借助于激光或利用照相，實(shí)現(xiàn)具有這種通路形狀的結(jié)構(gòu)。
通常，在激光輻射步驟或曝光步驟中，激光或光入射側(cè)的通路尺寸不同于其相反側(cè)的通路尺寸。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)這種襯底，其具有通路，其中形成在第一絕緣層中的通路94和95的前表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽?，而且形成在第二絕緣層中的通路94和95的后表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄淝氨砻鎮(zhèn)鹊某叽?，因此可以形成與半導(dǎo)體連接的密度能夠被提高的襯底。
仍然是，如果通路的形狀是錐形的，通路94和95的尺寸就表示通路的上部或下部的直徑。通路的形狀沒(méi)必要是圓形的。在此情況下，諸如圍繞長(zhǎng)度(surrounding length)之類(lèi)的適當(dāng)數(shù)量被定義為尺寸。
組成根據(jù)本實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的通路可以是圖14所示的填充通路，而且可以是如圖15所示的保角(conformal)通路95。在填充通路94的情況下，布線可被設(shè)置在填充通路94上，其中由于有可能設(shè)計(jì)布線和襯墊，從而疊置填充通路94。因此，而且在填充通路94的情況下，采用自由布線，將會(huì)帶來(lái)優(yōu)點(diǎn)，由此提高布線密度。另一方面，在保角通路95的情況下，由于通路具有減緩?fù)窇?yīng)力的效果，就有另一種優(yōu)點(diǎn)，在溫度循環(huán)條件下能夠提高其可靠性。
還有，對(duì)于圖10和圖11所示的關(guān)系，通路94和95的前表面?zhèn)鹊某叽绾推浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽缈梢灶嵉埂?br> 可以選擇用于構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明所述的布線襯底的各種形狀的通路。例如，形狀可以是其中通路前表面?zhèn)鹊某叽缗c其后表面?zhèn)鹊某叽缦嗤膱A柱形的，可以是通路的中部鼓出的桶形的，可以是通路的中部變窄的手鼓形的，錐形的等等。圓柱形通路由于其通過(guò)鉆孔機(jī)械簡(jiǎn)單地形成而具有優(yōu)點(diǎn)。由于桶形通路具有鼓出的中部，而且盡管其電阻小，但通路的上部和下部的面積小，桶形通路的優(yōu)點(diǎn)是布線部分的布線密度比圓柱形通路進(jìn)一步增大。在其中部變窄的手鼓形通路中，由于作為與布線連接點(diǎn)的上部和下部的面積更大，該連接通常很弱，因此手鼓形通路的優(yōu)點(diǎn)是可靠性提高。在由激光束形成的激光通路和由光形成的照相通路中，激光束或光入射側(cè)的通路的直徑通常易于增加。但是，可以通過(guò)改變材料、激光束的輻射條件和其曝光條件而抑制這些形狀。
下面說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的實(shí)施例。首先，說(shuō)明本發(fā)明的第五實(shí)施例。圖12A至12E和圖13A至13C依照工藝的順序示出制作根據(jù)本實(shí)施例所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖。如圖12A所示，首先，成為電極襯墊62的導(dǎo)電層例如采用電鍍方法形成在支撐襯底61上。此時(shí)，如圖12B所示，通過(guò)蝕刻在支撐襯底61中形成凹槽63，并可將導(dǎo)電層埋設(shè)在該凹槽中。因此，可以形成局部埋設(shè)在支撐襯底61的表面中的電極襯墊64。還有，如圖12C所示，在支撐襯底61上可設(shè)置阻擋層65，隨后在阻擋層65上形成導(dǎo)電層。因此，可形成包括阻擋層65的雙層結(jié)構(gòu)的電極襯墊66。
接下來(lái)，如圖12D所示，在支撐襯底61上形成絕緣層67a，如上所述，支撐襯底61上形成導(dǎo)電層62、64或66，并在絕緣層67a中形成進(jìn)一步的通路孔68a。之后，如圖12E所示，在絕緣層67a上形成布線69a，使通路孔68a填充有導(dǎo)電材料，而且進(jìn)而形成用于將電極襯墊62和布線69a彼此連接的通路68b。
還有，如果需要，如圖13A所示，通過(guò)在絕緣層67a上形成絕緣層67b、在絕緣層67b中形成通路68c并在絕緣層67b上形成布線69b而實(shí)現(xiàn)多層布線。進(jìn)一步地，通過(guò)重復(fù)該步驟，可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)多層直到所需的層數(shù)。
隨后，如圖13B所示，通過(guò)拋光并清除最上層表面布線69b而形成具有支撐襯底、絕緣層67a和67b的布線襯底。進(jìn)一步地，當(dāng)形成通路68c時(shí)，可以通過(guò)形成布線69b并在通路孔中填充導(dǎo)電材料而形成通路68c。形成方法并不局限于此。通路68c可以僅通過(guò)在通路孔中填充導(dǎo)電材料而形成。
接下來(lái)，如圖13C所示，疊置都具有支撐襯底的兩個(gè)布線襯底73，以便絕緣層69b彼此接觸，并且相互粘結(jié)，從而使暴露在絕緣層67b表面上的通路68c彼此面對(duì)。
之后，如果如圖14A所示，采用蝕刻等將兩個(gè)支撐襯底61都清除，則可以獲得用于安裝半導(dǎo)體、具有暴露在其前表面和后表面這兩個(gè)表面上的電極襯墊62、并且內(nèi)部具有多層布線襯底的布線襯底75。
還有，如圖14B所示，如果支撐襯底61的部分被留下而且制成支撐體76，則可以獲得其內(nèi)設(shè)有支撐體76的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底75。進(jìn)一步地，如圖14C所示，在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底75的兩側(cè)上的任選位置處可形成焊料保護(hù)層77。
對(duì)于支撐襯底61的材料并沒(méi)有特殊的限制。如果考慮到材料被最終清除，則優(yōu)選具有令人滿意的加工性質(zhì)的材料。作為支撐襯底61的特定材料，優(yōu)選銅、銅合金、不銹鋼、鋁等金屬、或諸如玻璃、硅等材料。還有，優(yōu)選通路68c的材料是這樣的，即通過(guò)加熱和加壓以將布線襯底73與支撐襯底彼此粘合而牢固地焊接并連接至通路68c。詳細(xì)地說(shuō)，優(yōu)選用于通路68c的導(dǎo)電材料為導(dǎo)電漿粉或焊料等，該導(dǎo)電漿粉具有分散在樹(shù)脂中的金屬顆粒。另外，對(duì)于絕緣層67a和67b，盡管針對(duì)于生產(chǎn)工藝需要制作成具有抗熱特性和抗化學(xué)特性，但是如果不存在上述問(wèn)題，仍然可以選擇任意的材料。
在制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法中，如圖13C所示，由于具有支撐襯底的兩個(gè)布線襯底73以面對(duì)面的狀態(tài)彼此粘結(jié)，其中在該支撐襯底中絕緣層和布線形成在具有良好尺寸穩(wěn)定性的支撐襯底61上，如圖14A所示，因此可以獲得具有高密度和高度準(zhǔn)確性的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底75，其中電極襯墊62的位置準(zhǔn)確性很令人滿意。進(jìn)一步地，由于將以面對(duì)面的狀態(tài)彼此粘合的兩個(gè)表面具有形成在布線69a上的絕緣層67b，而且是平坦的，因此沒(méi)必要通過(guò)加熱和加壓使絕緣層67b變形而粘合這兩個(gè)表面。因此，可以在顯著低溫和顯著低的壓力進(jìn)行粘合上述兩個(gè)表面。鑒于此，當(dāng)進(jìn)行粘合時(shí)，具有支撐襯底的整個(gè)布線襯底73不產(chǎn)生任何變形，由此可以獲得具有良好可靠性的、用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底75。
還有，如圖12B所示，在通過(guò)蝕刻預(yù)先在支撐襯底61中形成凹槽63的情況下，導(dǎo)電層填充在凹槽63中，而且形成電極襯墊64，可以如圖15A所示通過(guò)清除部分或整個(gè)支撐襯底61而獲得用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中電極襯墊64的暴露面從絕緣層78的前表面或后表面突出。
另一方面，如圖12C所示，如果通過(guò)把阻擋層65預(yù)先形成在支撐襯底61上而且在阻擋層65上層疊導(dǎo)電層而形成電極襯墊66，則可以通過(guò)清除部分或整個(gè)支撐襯底61并進(jìn)一步清除阻擋層65而獲得用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中如圖15B所示，電極襯墊66的暴露面制作成從絕緣層78的前表面或后表面凹陷。
下面參照?qǐng)D16A至16I說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例。圖16A至16I以步驟的順序示出根據(jù)第六實(shí)施例所示的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖。在該方法中，如圖16A所示，下層絕緣層93首先形成在支撐襯底61上。如圖16B所示，成為電極襯墊62的導(dǎo)電層形成在下層絕緣層93上。之后，如圖16C至16I所示，如圖7所示的第一實(shí)施例那樣形成布線層等，而且兩個(gè)襯底彼此粘合。之后，清除支撐襯底。圖16H示出了清除支撐襯底的狀態(tài)。之后，如圖16I所示，在首先形成在支撐襯底61上的下層絕緣層93中形成開(kāi)口，以暴露電極襯墊62。可采用激光或干蝕刻形成開(kāi)口。
下面說(shuō)明本發(fā)明的第七實(shí)施例。圖17A至17D和圖18A至18C以步驟的順序示出根據(jù)本實(shí)施例所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法的剖視圖。
首先，如圖17A所示，通過(guò)在支撐襯底81上形成導(dǎo)電層的圖案而形成電極襯墊82。還有，如上所述，預(yù)先通過(guò)蝕刻在支撐襯底81中形成凹槽，而且形成導(dǎo)電層以被填充在該凹槽中。而且，如后面所述，通過(guò)最終清除整個(gè)或部分支撐襯底81可形成電極襯墊，該電極襯墊的暴露面從絕緣膜的前表面或后表面凸起。進(jìn)一步地，在支撐襯底81上預(yù)先形成阻擋層，而且，形成成為電極襯墊82的導(dǎo)電層，由此可以通過(guò)清除部分或整個(gè)支撐襯底81并進(jìn)一步清除阻擋層而形成電極襯墊，該電極襯墊具有位于從絕緣膜的前表面或后表面凹陷的位置的暴露面。之后，說(shuō)明在圖17所示的支撐襯底81上形成電極襯墊82的情況。
接下來(lái)，如圖17B所示，在支撐襯底81上形成絕緣層83，而且在絕緣層83中進(jìn)一步形成到達(dá)電極襯墊82的通路孔83a。
之后，如圖17C所示，在絕緣層83上形成布線85。在此情況下，把布線85的導(dǎo)電材料填充在通路孔83a中，從而形成通路84，布線85通過(guò)該通路84連接至電極襯墊82。因此，可形成具有支撐襯底的布線襯底86。
還有，如果需要，如圖17D所示，在布線85和絕緣層83上形成絕緣層83b，而且在絕緣層83b上形成布線85a。此時(shí)，在絕緣層83b中形成通路84a。通過(guò)重復(fù)形成這種絕緣層、布線和通路的步驟，可制成具有被布線成多層的支撐襯底的布線襯底86。
之后，如圖18A所示，在具有如圖17C所示的支撐襯底的布線襯底86上形成絕緣層87，并在絕緣層87中形成通路孔。進(jìn)一步地，通過(guò)在通路孔中填充導(dǎo)電材料而形成通路88，從而制成具有支撐襯底的布線襯底90，該支撐襯底具有通路88。可以使用導(dǎo)電漿粉或焊料作為導(dǎo)電材料。
接下來(lái)，如圖18B所示，將具有圖17C所示的支撐襯底的布線襯底86和具有圖18A所示的支撐襯底的布線襯底90面對(duì)面地彼此粘合。
接下來(lái)，如圖18C所示，如果通過(guò)清除整個(gè)支撐襯底81而暴露電極襯墊82，則可獲得用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底92。
另外，如果需要，如圖14B所示，通過(guò)不是整個(gè)清除而是部分清除支撐襯底81而保留部分支撐襯底81，由此制成具有支撐體(支撐體76)的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底92。更進(jìn)一步地，如圖14C所示，在用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底92的兩個(gè)側(cè)部的任選位置處形成焊料保護(hù)層(焊料保護(hù)層77)。
在如上所述的根據(jù)本實(shí)施例所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法中，當(dāng)將布線襯底86與支撐襯底彼此粘合時(shí)，由于其表面并平坦，準(zhǔn)確性可能稍微降低。但是，其優(yōu)點(diǎn)在于，由于只形成一個(gè)具有支撐襯底的布線襯底90，因此減少了步驟的數(shù)量，而且制作成本降低。
但是，在合適的低溫和低壓條件下，為了將具有支撐襯底的布線襯底90與具有支撐襯底的布線襯底86以面對(duì)面的狀態(tài)彼此粘合，絕緣層87的特征是重要的。與絕緣層83相比較具有較低固化溫度而且容易隨用于層疊的熱量和壓力而流動(dòng)的加熱固化樹(shù)脂可被用作絕緣層87。詳細(xì)而言，可列舉出環(huán)氧樹(shù)脂和改變性質(zhì)的聚酰亞胺。但是，實(shí)際上，優(yōu)選包括彈性體(elastomer)成分的環(huán)氧樹(shù)脂。通過(guò)將這種材料施加到絕緣層87，可以獲得用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底92，其制作成本低而且具有良好的可靠性。
如上面詳細(xì)說(shuō)明的，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，針對(duì)具有至少一層絕緣膜、形成在該絕緣膜中的布線、和電連接所述布線的多個(gè)電極襯墊的布線襯底，可以實(shí)現(xiàn)新型的用于安裝半導(dǎo)體的可靠性優(yōu)良的布線襯底，而且該布線襯底對(duì)于為適于半導(dǎo)體器件的高度集成、高速運(yùn)行和多功能而增加端子、變窄節(jié)距很有效，并且由于電極襯墊設(shè)置在具有其表面被暴露的絕緣膜的前表面和后表面上，而且電極襯墊的側(cè)表面的至少部分埋設(shè)在絕緣膜中，因此還能夠以高密度和高度準(zhǔn)確的方式安裝半導(dǎo)體器件。
權(quán)利要求
1.一種用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，包括絕緣膜；形成在所述絕緣膜中的布線；多個(gè)電極襯墊，所述電極襯墊的表面暴露于所述絕緣膜的前表面和后表面，而且其側(cè)表面的至少一部分埋設(shè)在所述絕緣膜中；以及通路，所述布線和所述電極襯墊通過(guò)所述通路彼此連接。
2.如權(quán)利要求1所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述絕緣膜包括設(shè)置在所述布線襯底的前表面處的第一絕緣層；設(shè)置在所述布線襯底的后表面處的第二絕緣層；以及設(shè)置在所述布線襯底內(nèi)部中的單個(gè)或多個(gè)第三絕緣層，所述第三絕緣層包括埋設(shè)在所述第三絕緣層的所述前表面和所述后表面這兩個(gè)面中的多個(gè)布線；以及通路，所述通路將前表面的所述布線和后表面的所述布線彼此連接，所述電極襯墊分別暴露于所述第一絕緣層中的所述布線襯底上的前表面?zhèn)忍幍谋砻婧退龅诙^緣層中的所述布線襯底的后表面?zhèn)忍幍谋砻?，而且其?cè)表面的至少一部分埋設(shè)在所述第一絕緣層或所述第二絕緣層中。
3.如權(quán)利要求2所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層由相同的材料制成。
4.如權(quán)利要求2所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層由彼此不相同的材料制成。
5.如權(quán)利要求2所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，進(jìn)一步包括具有布線和通路的第四絕緣層，所述第四絕緣層設(shè)置在所述第一絕緣層和所述第三絕緣層之間和所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間中的至少其中之一。
6.如權(quán)利要求5所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的至少之一由其膜強(qiáng)度高于所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料制成。
7.如權(quán)利要求5所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的至少之一由其熱膨脹比低于所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料制成。
8.如權(quán)利要求5所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的至少之一由其彈性比低于所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的材料制成。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述電極襯墊中的至少一個(gè)的暴露面設(shè)置在與所述絕緣膜的前表面或后表面相同水平處。
10.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述電極襯墊中的至少一個(gè)的暴露面設(shè)置在從所述絕緣膜的前表面或后表面凹陷的位置。
11.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述電極襯墊中的至少一個(gè)的暴露面設(shè)置在從所述絕緣膜的前表面或后表面突出的位置。
12.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述電極襯墊中的至少一個(gè)的一部分表面被所述絕緣膜覆蓋。
13.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，進(jìn)一步包括支撐體，所述支撐體設(shè)置在所述絕緣膜的前表面和后表面中的至少一個(gè)表面處。
14.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，進(jìn)一步包括焊料保護(hù)層，所述焊料保護(hù)層設(shè)置在所述絕緣膜的前表面和后表面中的至少一個(gè)表面處。
15.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中所述絕緣膜是這樣形成的，即通過(guò)形成所述絕緣膜的前表面?zhèn)鹊碾姌O襯墊、第一絕緣層、以及第一支撐襯底上的所述第一絕緣層的內(nèi)部的布線和通路；形成所述絕緣膜的后表面?zhèn)鹊碾姌O襯墊、第二絕緣層、以及第二支撐襯底上的所述第二絕緣層的內(nèi)部的布線和通路；通過(guò)對(duì)其進(jìn)行彼此粘合而將所述第一絕緣層和所述第二絕緣層彼此集成在一起；以及清除所述第一支撐襯底和所述第二支撐襯底的整個(gè)或部分。
16.如權(quán)利要求2所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中形成在所述第一絕緣層中的所述通路的前表面?zhèn)鹊某叽绾推浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽缰g的關(guān)系和形成在所述第二絕緣層中的所述通路的前表面?zhèn)鹊某叽绾推浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽缰g的關(guān)系是顛倒的。
17.如權(quán)利要求16所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，其中形成在所述第一絕緣層中的所述通路的前表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄浜蟊砻鎮(zhèn)鹊某叽?，而形成在所述第二絕緣層中的所述通路的后表面?zhèn)鹊某叽缧∮谄淝氨砻鎮(zhèn)鹊某叽纭?br> 18.一種半導(dǎo)體組件，包括權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底；以及安裝在用于安裝半導(dǎo)體的所述布線襯底上的半導(dǎo)體器件，用于安裝半導(dǎo)體的所述布線襯底的所述多個(gè)電極襯墊中設(shè)置在所述半導(dǎo)體器件被安裝的點(diǎn)處的所述電極襯墊的暴露面被定位于與所述絕緣膜的前表面或后表面相同水平處或定位于從其前表面或后表面凹陷的位置處。
19.一種安裝在母板上的半導(dǎo)體組件，所述半導(dǎo)體組件包括權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底；以及安裝在用于安裝半導(dǎo)體的所述布線襯底上的半導(dǎo)體器件，用于安裝半導(dǎo)體的所述布線襯底的所述多個(gè)電極襯墊中設(shè)置在所述半導(dǎo)體器件被安裝的點(diǎn)處的所述電極襯墊的暴露面被定位于與所述絕緣膜的前表面或后表面相同水平處或定位于從其前表面或后表面凹陷的位置處，同時(shí)設(shè)置在用于連接至所述母板的突起被安裝的點(diǎn)處的所述電極襯墊的暴露面被定位于從所述絕緣膜的前表面或后表面突起的位置處。
20.一種制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法，包括步驟形成具有支撐襯底的兩個(gè)布線襯底，所述形成每個(gè)具有支撐襯底的所述布線襯底包括步驟在所述支撐襯底上形成成為電極襯墊的導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成一個(gè)或多個(gè)中間層，所述形成每個(gè)中間層包括步驟在所述絕緣層中形成通路；在所述絕緣層上形成布線；以及在所述布線上形成另一絕緣層；在被制作成所述一個(gè)或多個(gè)中間層的最上層表面的中間層中形成通路孔；以及在通路孔中填充導(dǎo)體以形成通路；以面對(duì)面的狀態(tài)彼此粘合被制作為具有支撐襯底的所述兩個(gè)布線襯底的最上層表面的中間層；以及清除部分或整個(gè)所述支撐襯底。
21.一種制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法，包括步驟形成具有支撐襯底的兩個(gè)布線襯底，所述形成每個(gè)具有支撐襯底的所述布線襯底包括步驟在所述支撐襯底上形成成為電極襯墊的導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成一個(gè)或多個(gè)中間層，所述形成每個(gè)中間層包括步驟在所述絕緣層中形成通路；在所述絕緣層上形成布線；以及在所述布線上形成另一絕緣層；在被制作為所述一個(gè)或多個(gè)中間層的最上層表面的中間層中形成通路孔；在通路孔中填充導(dǎo)體以形成通路；以及在被制成最上層表面的所述絕緣層上形成布線；以面對(duì)面的狀態(tài)彼此粘合被制作為具有支撐襯底的所述兩個(gè)布線襯底的最上層表面的中間層；以及清除部分或整個(gè)所述支撐襯底。
22.如權(quán)利要求20或21所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法，進(jìn)一步包括在所述形成所述導(dǎo)電層步驟之前，在所述支撐襯底上形成下層絕緣層。
23.如權(quán)利要求20或21所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法，進(jìn)一步包括在所述清除部分或整個(gè)所述支撐襯底步驟之后，在位于成為電極襯墊的所述導(dǎo)電層的至少一個(gè)或多個(gè)部分上的所述下層絕緣層的部分中形成開(kāi)口。
24.如權(quán)利要求20或21所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法，其中所述開(kāi)口通過(guò)激光或干蝕刻而形成。
25.如權(quán)利要求20或21所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法，其中所述導(dǎo)體是導(dǎo)電漿粉或焊料。
26.如權(quán)利要求20或21所述的制作用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底的方法，其中設(shè)有薄膜金屬層和比所述薄膜金屬層厚一些的支撐金屬層的支撐襯底用作所述支撐襯底。
全文摘要
一種用于安裝半導(dǎo)體的布線襯底，包括絕緣膜；形成在所述絕緣膜中的布線；通過(guò)通路電連接至布線的多個(gè)電極襯墊。所述電極襯墊設(shè)置成其表面暴露于所述絕緣膜的前表面和后表面這兩面上，而且其側(cè)表面的至少一部分埋設(shè)在所述絕緣膜中。通過(guò)在相應(yīng)的兩個(gè)金屬板上形成電極襯墊、之后，在相應(yīng)的金屬板上疊置絕緣層和布線以覆蓋電極襯墊、并且將絕緣層彼此粘合以進(jìn)行集成，之后，清除金屬板，從而形成絕緣膜。
文檔編號(hào)H01L23/12GK1719604SQ20051008253
公開(kāi)日2006年1月11日 申請(qǐng)日期2005年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月7日
發(fā)明者村井秀哉, 下戶直典, 船矢琢央, 菊池克, 山道新太郎, 馬場(chǎng)和宏, 本多廣一, 方慶一郎, 松井孝二, 宮崎真一 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社, 恩益禧電子股份有限公司