專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，更具體地，涉及一種能夠防止COT(薄膜晶體管(TFT)上型濾色器)結(jié)構(gòu)漏光的液晶顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器件(LCD)使用液晶分子的光學(xué)各向異性和雙折射顯示圖像。當(dāng)對液晶分子施加電場時，液晶分子的排列發(fā)生變化，并且透光率也隨著液晶分子的排列方向的改變而改變。
此外，在LCD器件中，將兩個分別具有電場形成電極的基板布置為使它們具有電極的表面相互面對，將液晶材料注入到這兩個基板之間，并且液晶分子被對這兩個電極施加的電壓所生成的電場移動。這樣，LCD器件隨著液晶分子的移動而改變透光率從而顯示圖像。
現(xiàn)在將參照圖1描述普通的液晶顯示器件。
圖1是普通液晶顯示器件的示意平面圖。
如圖所示，普通LCD器件11包括上基板(未示出)，其包括濾色器(未示出)和布置在濾色器(未示出)上的公共電極(未示出)，其中濾色器(未示出)包括子濾色器(未示出)和形成在子濾色器(未示出)之間的黑底(未示出)；下基板(未示出)，在下基板中限定了像素區(qū)(P)，在每個像素區(qū)中形成像素電極(未示出)和開關(guān)器件T，并且在每個像素區(qū)(P)的周圍形成陣列線；以及液晶(未示出)，其填充在所述上基板(未示出)和所述下基板(未示出)之間。
下基板也稱為陣列基板。將薄膜晶體管(T)，即開關(guān)器件，以矩陣結(jié)構(gòu)排列在下基板上，并且選通線13和數(shù)據(jù)線15途經(jīng)多個薄膜晶體管并相互交叉。
此外，像素區(qū)(P)由相互交叉的選通線13和數(shù)據(jù)線15限定。在每個像素區(qū)(P)中形成透明像素電極17。這里，像素電極17由透光率相對高的透明導(dǎo)電金屬(例如銦錫氧化物(ITO))形成。
與像素電極17并聯(lián)連接的存儲電容器(C)形成在選通線13上。選通線13的一部分被用作存儲電容器(C)的第一電極，由與源極/漏極相同的材料形成的島形的源/漏金屬層30被用作存儲電容器(C)的第二電極。該源/漏金屬層30與像素電極17相接觸以接收像素電極17的信號。
如上所述，當(dāng)粘合上濾色器基板(未示出)和下陣列基板(未示出)以形成液晶板時，很可能由于濾色器基板(未示出)和陣列基板(未示出)之間的錯位而出現(xiàn)漏光或其它問題。
現(xiàn)在，將參照圖2描述具有這樣的結(jié)構(gòu)的普通LCD器件的制造方法。
圖2是沿圖1的線II-II的截面圖。
如圖所示，普通LCD器件的制造方法包括布置下基板22(陣列基板)和上基板5(濾色器基板)，其間具有特定間隙；以及將液晶14注入到下基板22和上基板5之間。
此外，在下基板22上形成薄膜晶體管(以下稱TFT)(T)，并且在薄膜晶體管上形成保護薄膜晶體管(TFT)的鈍化層40，每個薄膜晶體管(T)包括柵極32、有源層34、源極36和漏極38。
在每個像素區(qū)(P)中形成與TFT(T)的漏極38接觸的透明像素電極17，并且在選通線13上形成與像素電極17并聯(lián)連接的存儲電容器(C)。
在上基板5上形成與下基板22的像素區(qū)(P)對應(yīng)的紅、綠和藍濾色器8a、8b和8c以及與選通線13、數(shù)據(jù)線15和TFT(T)對應(yīng)的黑底6。在普通陣列基板中，為了防止垂直串?dāng)_，將數(shù)據(jù)線15和像素電極17彼此隔開一特定間隔(A)，并且還將選通線13和像素電極17彼此隔開一特定間隔(B)。
因為漏光在數(shù)據(jù)線15和像素電極17之間以及像素電極17和選通線13的間隙(A和B)處發(fā)生，所以在上基板5上形成黑底6來覆蓋這些間隙。
此外，與薄膜晶體管(T)交疊的黑底6遮光，以防止從外部照射的光通過鈍化層40并影響有源層34。
在某些情況下，在粘合工藝期間，上基板5和下基板22被錯位?？紤]到這樣的錯位，在設(shè)計黑底6時包括了特定的裕度(margin)，這導(dǎo)致孔徑比減少了該裕度那么多。
如果錯位誤差超過了該裕度，黑底6將不能完全覆蓋漏光區(qū)域(A和B)，從而在這些區(qū)域發(fā)生漏光。
從而，由于光漏到了外側(cè)，因此圖像質(zhì)量惡化。
如上所述，普通LCD器件使用這樣的方法通過不同的工藝制造濾色器基板和薄膜晶體管陣列基板并將它們粘合在一起，這是最普通的方法。
最近，提出了一種新的薄膜晶體管陣列的設(shè)計理念，稱為薄膜晶體管上型濾色器(COT)方法，在該方法中，濾色器形成在薄膜晶體管陣列基板上。
采用COT方法的LCD器件以這樣的方式制造先形成TFT(開關(guān)器件)，然后在該TFT上形成紅、綠和藍色樹脂。
現(xiàn)在將參照圖3描述根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有COT結(jié)構(gòu)的LCD器件。
圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的示意平面圖。
在圖3中，選通線102和數(shù)據(jù)線116相互交叉。在這些選通線102和數(shù)據(jù)線116的各交叉處形成TFT(T)，該TFT包括柵極104、有源層18和源極112/漏極114。
此外，在由選通線102和數(shù)據(jù)線116相互交叉所限定的區(qū)域形成了與漏極114接觸的透明電極(未示出)和濾色器124a、124b和124c。
透明電極(未示出)形成在濾色器124a、124b和124c上。濾色器通過透明電極(未示出)與漏極114間接地接觸。
此外，各透明電極(未示出)與選通線102上形成的存儲電容器(C)相連接。
存儲電容器(C)使用選通線102的一部分作為第一電極，并且使用電容器上電極118作為第二電極，其與透明電極(未示出)相連接并且與源極/漏極同時形成在相同的層。
此外，COT結(jié)構(gòu)是黑底和紅、綠和藍濾色器124a、124b和124c形成在陣列部分的TFT(T)上的結(jié)構(gòu)。這里，黑底120覆蓋了發(fā)生漏光的區(qū)域。
通過應(yīng)用不透明材料來形成黑底120，黑底120用于遮光也用來保護TFT。
現(xiàn)在將參照圖4A到4E描述根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有COT結(jié)構(gòu)的LCD器件的制造方法。
圖4A到4E是沿著圖3的線IV-IV的截面圖，用于說明具有COT結(jié)構(gòu)的LCD器件。
參照圖4A，將導(dǎo)電材料淀積在基板上并且在其上進行構(gòu)圖，從而形成選通線102和柵極104。
然后，將從包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)的無機絕緣材料組中選擇的一種無機絕緣材料淀積在基板100的整個表面(其上已經(jīng)形成了選通線102和柵極104)上，從而形成柵絕緣膜106，其為第一絕緣膜。
然后，將純非晶硅(a-Si:H)和雜質(zhì)摻雜非晶硅(n+a-Si:H)淀積在柵絕緣膜106上，并且在其上進行構(gòu)圖，從而在柵極104上形成的柵絕緣膜106上形成有源層108和歐姆接觸層110。
然后，將從包括鉻(Cr)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鎢(W)、鉭(Ta)等的導(dǎo)電金屬組中選出的一種導(dǎo)電金屬淀積在基板100的整個表面(其上已經(jīng)形成了有源層108和歐姆接觸層110)上，并且在其上進行構(gòu)圖，從而形成分別與歐姆接觸層110接觸的源極112和漏極114、與源極112接觸的數(shù)據(jù)線116、以及電容器上電極118。電容器上電極118為在選通線102上形成的島形存儲節(jié)點(storage nod)。
然后，將從包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)的無機絕緣材料組選出的一種無機絕緣材料淀積在基板100的整個表面(其上已經(jīng)形成了源極112和漏極114)上，從而形成第二絕緣膜119。第二絕緣膜119防止在以后形成的有機膜(未示出)和有源層108之間可能出現(xiàn)的不良接觸。另外，如果不發(fā)生不良接觸，則可以不形成第二絕緣層119。
然后，在第二絕緣膜119上施加不透明有機材料以形成有機層，并且在其上進行構(gòu)圖，從而形成在TFT(T)、數(shù)據(jù)線116和選通線102上的黑底120。
作為保護TFT(T)的鈍化膜，可以使用具有介電常數(shù)低的透明有機絕緣材料或無機絕緣材料代替黑底。在這種情況下，在上基板處使用特別的黑底。
然后，參照圖4B，有選擇地構(gòu)圖黑底120，使其與薄膜晶體管(T)區(qū)域和存儲電容器(C)區(qū)域相交疊。這里，對黑底120進行構(gòu)圖，從而在第二絕緣膜119的與將通過下面的工藝形成接觸孔(與漏極接觸)的區(qū)域相對應(yīng)的部分和對應(yīng)于電容器上電極與公共電極連接在一起的部分的部分不保留黑底120。
然后，將顏色樹脂施加到包括經(jīng)有選擇地構(gòu)圖的黑底120的整個結(jié)構(gòu)的上表面，從而在多個像素區(qū)(P)中分別形成紅、綠和藍濾色器124a、124b和124c。
然后，參照圖4C，在包括濾色器124a、124b和124c的整個結(jié)構(gòu)的上表面上施加丙烯酸樹脂，從而形成外覆層126。
然后，參照圖4D，有選擇地對外覆層126和黑底120進行構(gòu)圖，從而形成露出部分漏極114和電容器上電極118的漏接觸孔128和電容器接觸孔130。
然后，參照圖4E，將透明電極材料淀積在包括漏接觸孔128和電容器接觸孔130的外覆層126上，并且在其上進行構(gòu)圖，從而形成公共電極132。
在用前述方式制造的LCD器件的陣列基板及其制造方法中，COT結(jié)構(gòu)使用TFT下基板的外覆層(也就是丙烯酸樹脂)來防止孔徑比在使用大玻璃基板的工藝期間因連接裕度增加而減少。丙烯酸薄膜使由下基板的有機薄膜產(chǎn)生的不平坦表面變平并且防止濾色器的雜質(zhì)離子流出到液晶層。
然而，使用丙烯酸材料導(dǎo)致成本增加。而且，盡管通過后曝光工藝(post exposure process)暫時提高了丙烯酸的透光率，但是在隨后的工藝期間丙烯酸的透光率保持減小，從而減小了面板的透光率。因此，為去除COT結(jié)構(gòu)的這種缺陷，對不包括丙烯酸的COT結(jié)構(gòu)進行了積極的研究。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種LCD器件及其制造方法以防止因COT結(jié)構(gòu)中的錯位(disclination)而漏光。
本發(fā)明的另一目的是提供一種LCD器件及其制造方法，以能夠降低制造成本并通過防止透光率減小而穩(wěn)定透光率。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體實施和廣泛描述的，提供了一種液晶顯示器件的陣列基板，其包括在基板上相互交叉，限定了像素區(qū)的選通線和數(shù)據(jù)線；布置在數(shù)據(jù)線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極；形成在數(shù)據(jù)線和選通線相交處的薄膜晶體管；布置在數(shù)據(jù)線和一部分數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極上的黑底；布置在由選通線和數(shù)據(jù)線相互交叉所限定的像素區(qū)的濾色器；和布置在由相互交叉的選通線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)中的公共電極和像素電極。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體實施和廣泛描述的，提供了一種制造液晶顯示器件的陣列基板的方法，包括將在基板上交叉選通線和數(shù)據(jù)線；在數(shù)據(jù)線的兩側(cè)形成數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極，將該數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極與數(shù)據(jù)線隔開；在由相互交叉的選通線和數(shù)據(jù)線限定的區(qū)域形成薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管包括柵極、有源層和源極及漏極；將黑底布置在數(shù)據(jù)線和選通線上，該黑底與數(shù)據(jù)線和一部分數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極交疊；在由相互交叉的選通線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)上形成濾色器；和在由相互交叉的選通線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)處形成公共電極和像素電極。
結(jié)合附圖，在下面對本發(fā)明的詳細描述中，本發(fā)明的上述的和其它的目的、特征、方面和優(yōu)點將變得更加明顯。


所包括的附圖用以進一步理解本發(fā)明，其被并入且構(gòu)成說明書的一部分，示出了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是普通LCD器件的示意平面圖；圖2是沿圖1的線II-II的截面圖，用于說明LCD器件；圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有COT結(jié)構(gòu)的LCD器件的示意平面圖；圖4A到4E是圖3沿著線IV-IV的用于說明具有COT結(jié)構(gòu)的LCD器件的截面圖；圖5A到5D是根據(jù)本發(fā)明的具有COT結(jié)構(gòu)的LCD器件的示意平面圖；和圖6A到6F是沿著線VIa-VIa和VIb-VIb的截面圖，用于說明具有COT結(jié)構(gòu)的LCD器件。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細地說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其示例在附圖中示出。
圖5A到5D是依次地示出了根據(jù)本發(fā)明的具有COT結(jié)構(gòu)的液晶顯示器的布局的示意圖。
參照圖5A，在根據(jù)本發(fā)明的具有COT結(jié)構(gòu)的LCD器件中，將選通線202水平地布置在陣列基板上，并且在距選通線202特定間隔處水平布置公共電極線206。這里，公共電極線206包括垂直布置以使串?dāng)_水平最小化的數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a和水平布置以組成存儲電容器的存儲電容部分206b。這里，至少布置兩個數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a，它們相互面對，其間具有特定間隔。此外，在選通構(gòu)圖中，對選通線202和公共電極線206同時進行構(gòu)圖。
然后，參照圖5B，將與選通線202垂直交叉的數(shù)據(jù)線214和源極216/漏極218布置在陣列基板(未示出；200)上。這里，將數(shù)據(jù)線214布置在公共電極線206的數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a之間，并與其隔開。此外，漏極218交疊在公共電極線206的存儲電容部分206b上。這里，漏極218和公共電極線206的存儲電容部分206b構(gòu)成電容。
然后，盡管圖中沒有示出，在整個基板上淀積絕緣膜(未示出；220)，并且在其上形成黑底(未示出；222)，該黑底與數(shù)據(jù)線214和數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a(包括在數(shù)據(jù)線214和數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a之間的部分)相交疊。這里，黑底(未示出；222)與整個數(shù)據(jù)線214和數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a的特定部分相交疊。此外，黑底(未示出；222)被布置為不與整平有機膜(flattening organic film)(未示出；228)的將在后面的工藝中形成漏接觸孔229(用于露出漏極218)的部分交疊。
然后，盡管在圖中未示出，在包括黑底(未示出；222)的上表面的一部分的第二絕緣層膜220上形成濾色器層(未示出；224)。這里，濾色器層(未示出；224)形成在由選通線202和數(shù)據(jù)線214交叉形成的區(qū)域，并被布置為與黑底(未示出；222)的上表面的一部分相交疊。
然后，參照圖5C，在整個基板(包括黑底(未示出；222)和濾色器層(未示出；224))上形成整平有機膜(未示出；228)，然后依次對整平有機膜(未示出；228)和第二絕緣膜(未示出；220)進行構(gòu)圖，從而形成露出漏極218的漏接觸孔229。這里，因為厚的黑底(未示出；222)或濾色器層(未示出；224)沒有布置在整平有機膜(未示出；228)上，所以可以形成漏接觸孔229。
然后，參照圖5D，布置通過漏接觸孔229與漏極218連接的像素電極230和公共電極232。這里，像素電極230與漏極218交疊并且垂直部分230a從該處在垂直方向上延伸。此外，公共電極232與選通線202、數(shù)據(jù)線214和數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a交疊，并且將從公共電極232延伸的垂直部分232a布置在像素電極的垂直部分230a之間。這里，公共電極232在顯示外部邊緣區(qū)域與在上述選通構(gòu)圖工藝中形成的公共電極線接觸，從而處于等電勢狀態(tài)。
現(xiàn)在將參照圖6A到6F描述根據(jù)本發(fā)明的具有COT結(jié)構(gòu)的LCD器件的制造方法。
圖6A到6F是沿圖5的線VIa-VIa和VIb-VIb的截面圖。
參照圖6A，將導(dǎo)電金屬淀積在基板200上，并且在其上進行構(gòu)圖，從而形成選通線(未示出；202)和柵極204。同時，將數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a形成在要通過下面的工藝形成的數(shù)據(jù)線(未示出；214)的兩側(cè)。數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a屏蔽數(shù)據(jù)信號以使數(shù)據(jù)信號不影響有機膜上的孔徑比(也就是，在公共電極和像素電極之間)的電場，即降低了垂直串?dāng)_水平。
然后，將從包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)的無機絕緣材料組中選擇的一種無機絕緣材料淀積在基板200的整個表面(其上已經(jīng)形成了數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a、選通線(未示出；202)和柵極204)上，從而形成例如第一絕緣膜的柵絕緣膜208。
然后，如圖6B所示，將純非晶硅(a-Si:H)和雜質(zhì)摻雜非晶硅(n+a-Si:H)淀積在柵絕緣膜208上，并且在其上進行構(gòu)圖，從而在形成在柵極204上的柵絕緣膜208上形成有源層210和歐姆接觸層212。
然后，將從包括鉻(Cr)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鎢(W)、鉭(Ta)等的導(dǎo)電金屬組中選擇的一種導(dǎo)電金屬淀積在基板的整個表面(其上已形成了有源層210和歐姆接觸層212)上，并且在其上進行構(gòu)圖，從而形成數(shù)據(jù)線214和從數(shù)據(jù)線214延伸并且分別與歐姆接觸層212接觸的源極216和漏極218，當(dāng)對數(shù)據(jù)線214進行構(gòu)圖時，還在與源極216接觸的選通線202上形成電容器上電極(未示出)。此外，數(shù)據(jù)線214分別以間距W1和W2與數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a隔開。
然后，將從包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)的無機絕緣材料組中選擇的一種無機絕緣材料淀積在基板200的整個表面(其上已經(jīng)形成了源極216和漏極218)上，從而形成第二絕緣膜220。該第二絕緣膜220用于防止在有源層210和以后形成的有機膜(未示出)之間可能出現(xiàn)的不良接觸。如果不發(fā)生有機膜和有源層210之間的不良接觸，可以不形成第二絕緣層220。
然后，如圖6C所示，通過在第二絕緣膜220上施加不透明玻璃材料來形成黑底222。
然后，如圖6D所示，有選擇地對黑底222進行構(gòu)圖，使其與數(shù)據(jù)線214和一部分數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206(包括在數(shù)據(jù)線214和數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206之間的部分)交疊?？梢杂玫徒殡姵?shù)的透明有機絕緣材料或無機絕緣材料(不是黑底)用作用于保護TFT(T)的鈍化膜。在這種情況下，在上基板使用特殊的黑底。此外，對黑底222進行構(gòu)圖，其邊緣與數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a交疊。此外，這樣對黑底進行構(gòu)圖在第二絕緣膜220上的對應(yīng)于將通過下面的工藝形成的用于與漏極接觸的接觸孔區(qū)域的一部分上不保留黑底。
然后，如圖6E所示，將顏色樹脂施加到包括經(jīng)有選擇地構(gòu)圖的黑底222的整個結(jié)構(gòu)的上表面，從而在多個像素區(qū)形成紅、綠和藍濾色器224。因為沒有丙烯酸整平膜，所以在黑底222與濾色器224交疊處形成不平坦部分，并且在該不平坦的傾斜部分處摩擦方向被扭曲，其引起了錯位。為了防止這樣的問題，如圖6D所示，黑底222與數(shù)據(jù)線214和數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a之間的間隔(W1)以及數(shù)據(jù)線214和數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極206a之間的間隔(W2)相交疊，從而遮住了錯位區(qū)域(A)中的背光。此外，為了將由于沒有丙烯酸外覆層的不平坦程度減到最小，黑底222的高度可以與濾色器224的高度相同，或黑底222和濾色器224之間的高度差(H2)可以小于“濾色器224的厚度(H1)×0.2”。
然后，將從包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)的無機絕緣材料組中選擇的一種無機絕緣材料淀積在包括濾色器224的整個結(jié)構(gòu)的上表面上，從而形成第三絕緣膜228，代替了通過使用丙烯酸樹脂形成的現(xiàn)有的外覆層。
然后，如圖6F所示，有選擇地去除第三絕緣膜228，從而形成露出漏極218的漏接觸孔(未示出)。
然后，將透明電極材料(例如ITO)淀積在包括漏接觸孔的第三絕緣膜228上。
然后，有選擇地對透明電極層進行構(gòu)圖，從而形成與漏極連接的像素電極230和公共電極232。
然后，盡管在附圖中未示出，在基板的整個表面上形成整平膜(未示出)并且在該整平膜上形成配向膜(未示出)。
如目前所述，通過根據(jù)本發(fā)明的LCD器件的陣列基板及其制造方法，將濾色器和黑底之間的高度差減到最小，從而將由于不存在丙烯酸外覆層而產(chǎn)生的不平坦減到最小。
此外，因為沒有使用昂貴并且透光率在附加工藝中減小的丙烯酸樹脂，所以成本下降并且防止了透光率的減小。
此外，通過本發(fā)明，因為對黑底進行構(gòu)圖，使其邊緣與數(shù)據(jù)線屏蔽電極相交疊，所以徹底阻擋了由于錯位發(fā)生漏光的區(qū)域。
在不脫離本發(fā)明的精神和本質(zhì)特征的情況下，本發(fā)明可以以多種形式具體實現(xiàn)，因此應(yīng)該理解，除非特別指出，否則上述實施例不限于上述的任何細節(jié)，而是應(yīng)該在所附權(quán)利要求確定的精神和范圍內(nèi)廣泛地解釋，因此所附權(quán)利要求將包括落在權(quán)利要求及其等同物的邊界內(nèi)的所有變型和修改。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括在基板上相互交叉限定了像素區(qū)的選通線和數(shù)據(jù)線；布置在所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極；形成在所述數(shù)據(jù)線和所述選通線交叉處的薄膜晶體管；布置在包括所述數(shù)據(jù)線和一部分所述數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極的區(qū)域上的黑底；布置在由相互交叉的所述選通線和所述數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)處的濾色器；和布置在由相互交叉的所述選通線和所述數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)的公共電極和像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述黑底與所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極之間的部分相交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中電容器電極線水平地形成，與所述選通線相隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極從與所述選通線隔開布置的公共電極線延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中絕緣膜形成在所述濾色器和所述像素電極之間和所述濾色器和所述公共電極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中將從包括硅氮化物和硅氧化物的無機絕緣材料中選出的一種無機絕緣材料用作絕緣膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中將所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極布置成之字形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述黑底和所述濾色器具有相同的高度，或者“所述黑底和所述濾色器之間的高度差”小于“濾色器厚度×0.2”。
9.一種制造液晶顯示器件的陣列基板的方法，包括在基板上交叉選通線和數(shù)據(jù)線；在所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè)形成數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極，該數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極與所述數(shù)據(jù)線隔開；在由相互交叉的所述選通線和數(shù)據(jù)線確定的區(qū)域形成薄膜晶體管，其中該薄膜晶體管包括柵極、有源層和源極和漏極；在數(shù)據(jù)線和一部分數(shù)據(jù)線屏蔽電極上布置黑底；在由相互交叉的所述選通線和數(shù)據(jù)線確定的像素區(qū)上形成濾色器；和在由相互交叉的所述選通線和數(shù)據(jù)線確定的像素區(qū)處形成公共電極和像素電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述黑底與所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極之間的部分相交疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，通過水平地形成與所述選通線相隔開的公共電極線的步驟形成所述數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括在所述濾色器、所述像素電極和所述公共電極之間形成絕緣膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中將從包括硅氮化物和硅氧化物的無機絕緣材料中選出的一種無機絕緣材料用作絕緣膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中將所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極布置成之字形。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述黑底和所述濾色器具有相同的高度，或者“所述黑底和濾色器之間的高度差”小于“濾色器厚度×0.2”。
全文摘要
一種液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法，包括在基板上相互交叉限定了像素區(qū)的選通線和數(shù)據(jù)線；布置在所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極；形成在所述選通線和所述數(shù)據(jù)線交叉處的薄膜晶體管；布置在包括所述數(shù)據(jù)線和一部分所述數(shù)據(jù)線屏蔽公共電極的區(qū)域上的黑底；布置在由相互交叉的所述選通線和所述數(shù)據(jù)線確定的像素區(qū)處的濾色器；和布置在由相互交叉的所述選通線和所述數(shù)據(jù)線確定的像素區(qū)中的公共電極和像素電極。
文檔編號H01L29/786GK1797156SQ20051008244
公開日2006年7月5日 申請日期2005年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者金東國 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社