專利名稱：引線框及制造具有所述引線框的半導(dǎo)體封裝的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及引線框及制造具有引線框的半導(dǎo)體封裝的方法，更具體地說，涉及連接半導(dǎo)體芯片與外電路的引線框，所述引線框通過預(yù)鍍覆框來生產(chǎn)。本發(fā)明進(jìn)一步涉及制造具有這種引線框的半導(dǎo)體封裝的方法。
背景技術(shù)：
圖1表示傳統(tǒng)的引線框。
如圖1所示，引線框包括管芯墊(die pad)110和引線120。管芯墊110通過支載半導(dǎo)體芯片的墊支座180與導(dǎo)軌(rail)170連接。引線120包括內(nèi)引線130和外引線140。在此情況中，在內(nèi)和外引線130和140之間安置用來維持內(nèi)外引線130和140之間間隙的減震器(damper)160來支載它們。當(dāng)完成半導(dǎo)體封裝的裝配時(shí)，除去導(dǎo)軌170和減震器160。
圖2表示具有圖1所述的引線框的半導(dǎo)體封裝105，其中在引線框上安裝半導(dǎo)體芯片。
參照?qǐng)D2，在管芯墊110上安裝半導(dǎo)體芯片50。內(nèi)引線130通過導(dǎo)線52線焊到半導(dǎo)體芯片50上，并且外引線140與外電路電連接。因此，引線120具有與半導(dǎo)體芯片50線焊的焊接部分W、與外電路連接的外部焊接部分S，以及在引線120中部彎曲的彎曲部分B。
半導(dǎo)體芯片50和內(nèi)引線130通過樹脂55模塑，從而形成半導(dǎo)體封裝105。
在制造這種半導(dǎo)體封裝105時(shí)，需要改善半導(dǎo)體芯片50和內(nèi)引線130之間的引線焊接性質(zhì)。因此，外引線140的預(yù)定區(qū)域上沉積由Sn-Pb形成的焊錫。
但是，因?yàn)檫@種過程需要在實(shí)施樹脂模塑過程后通過濕法過程來實(shí)施，所以產(chǎn)品的可靠性降低。
為了解決這個(gè)問題，已經(jīng)建議了一種預(yù)鍍覆框。在該方法中，在半導(dǎo)體封裝過程之前預(yù)沉積具有優(yōu)越焊錫濕潤性的金屬，使得在后面的半導(dǎo)體封裝件加工中可以省略焊接鍍覆工藝。采用預(yù)鍍覆框的引線框使得后面的封裝加工簡單。另外，因?yàn)樵诎雽?dǎo)體封裝件封裝工藝中省略了焊接過程，防止了環(huán)境污染。
但是因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片焊接、引線焊接、環(huán)氧模塑和焊接在200℃以上的溫度下實(shí)施，所以在通過預(yù)鍍覆框形成引線框的情況中選擇外鍍覆層變得尤為重要。
也就是說，通過預(yù)鍍覆框制造的引線框的外鍍覆層必須具有良好的高溫氧化性質(zhì)、與焊接線的焊接性質(zhì)、與由硅形成的芯片的附著性質(zhì)、與環(huán)氧樹脂的焊接性質(zhì)、與焊接引線的溶解性。此外，外鍍覆層具有適當(dāng)?shù)娜彳浂?，從而在焊接工藝中防止焊接毛?xì)管(bondingcapillary)受損。另外，外鍍覆層必須具有防止引起短路的遷移現(xiàn)象的性質(zhì)，從而獲得半導(dǎo)體器件的長期可靠性，短路由于鍍覆金屬在高溫和潮濕條件下長時(shí)間地向介質(zhì)中擴(kuò)散而引起短路。
圖3表示轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)受讓人的美國專利第6518508號(hào)中公開的引線框。該引線框通過能夠滿足上述條件的傳統(tǒng)預(yù)鍍覆框來制造。
參照?qǐng)D3，引線框120包括由銅、銅合金或鐵鎳合金形成的基底金屬層121、至少沉積在基底金屬層121一個(gè)表面上的Ni鍍覆層122，Ni鍍覆層由鎳或鎳合金形成、沉積在Ni鍍覆層122上的Pd鍍覆層123，Pd鍍覆層123由鈀或鈀合金形成，以及沉積在Pd鍍覆層123上的保護(hù)鍍覆層124，保護(hù)鍍覆層124由Ag或Ag合金形成。
通過預(yù)鍍覆框制造的引線框具有受到外部沖擊時(shí)不會(huì)損傷的良好作用。但是，因?yàn)橐€框必需經(jīng)歷彎曲工藝，該工藝是傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝裝配工藝的一部分，所以彎曲部分的鍍覆結(jié)構(gòu)可能破裂并腐蝕。
當(dāng)基底金屬層121由合金42而不是銅或銅合金形成時(shí)，該問題更加嚴(yán)重。即，合金42由42％Ni和58％Fe組成，其被廣泛地用作引線框的材料。但是，因?yàn)楹辖?2與介電系統(tǒng)的Pd鍍覆層123和保護(hù)鍍覆層124的金屬Pd、Au和Ag明顯不同，可能引起電耦合(galvaniccoupling)，從而引起基底金屬層121的嚴(yán)重腐蝕。
特別地，如圖4所示，在引線框制造工藝期間，容易引起裂紋和其它缺陷，從而引起保護(hù)鍍覆層124容易剝落。當(dāng)保護(hù)鍍覆層124剝落時(shí)，基底金屬層121和Ni鍍覆層122暴露到外部空氣中的氧氣中。在暴露于外部空氣中的部分120c上發(fā)生電耦合，因而加速了腐蝕。
在此情況中，當(dāng)通過電鍍工藝在缺陷部分上形成的Ni鍍覆層122上鍍覆Pd鍍覆層123時(shí)，因?yàn)镻d的還原電勢與氫氣相似，所以大量的氫氣與還原的Pd混合，Pd鍍覆層123被更快地?fù)p傷。因此，在引線框120的引線焊接部分W和焊接部分S處很容易產(chǎn)生裂紋。
另外，通常通過電鍍工藝來形成Ni、Pd和保護(hù)鍍覆層。但是，電鍍引起鍍覆層的柔軟度降低。因此，在形成引線彎曲部分的過程中，容易在彎曲部分B產(chǎn)生裂紋。
當(dāng)引線彎曲部分B處產(chǎn)生裂紋時(shí)，焊接部分W在半導(dǎo)體芯片和鍍在外部電路板上的焊接部分S之間線焊接，因?yàn)樵摬糠直┞对诳諝庵?，所以逐漸引起電耦合。結(jié)果，暴露的部分容易受到腐蝕。
此外，在形成Pd和Ni鍍覆層期間，大量的氫氣與引線框混合，結(jié)果，Pd和Ni鍍覆層的密閉性降低，因而降低了引線框的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了制造半導(dǎo)體封裝的第一種方法，其包括在成形工序后在使用合金42形成基底金屬層時(shí)防止由于裂紋而可能引起的腐蝕的操作。另外，本發(fā)明提供了一種通過這種半導(dǎo)體封裝制造方法制造的引線框。
另外，本發(fā)明提供了制造半導(dǎo)體封裝的第二種方法，其包括向外面排出在形成鍍覆層期間產(chǎn)生的氫氣。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，其包括提供由鐵和鎳作為主要元素而形成的引線框基底金屬層；在基底金屬層上形成一層或多層鍍覆層；在引線框上安裝半導(dǎo)體芯片；模塑半導(dǎo)體芯片和至少一部分引線框；彎曲引線框以預(yù)定形狀形成引線框；以及在彎曲后熱處理引線框。
可以在約150-350℃的熱處理溫度下實(shí)施熱處理。
熱處理中的熱處理時(shí)間可以約為1-10分鐘。
形成一層或多層鍍覆層包括在基底金屬層上形成由鎳或鎳合金組成Ni鍍覆層；以及在Ni鍍覆層上形成由鈀或鈀合金組成的Pd鍍覆層。
形成一層或多層鍍覆層還包括在Pd鍍覆層上形成由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd的至少一種金屬或合金組成的保護(hù)鍍覆層124。
熱處理引線框包括形成由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd的至少一種金屬或合金組成的擴(kuò)散層。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，提供了一種引線框，其包括由鎳和鐵作為主要元素而組成的基底金屬層；在基底金屬層至少一個(gè)表面上沉積的Ni鍍覆層，Ni鍍覆層由鎳或鎳合金組成；在Ni鍍覆層上形成的Pd鍍覆層，Pd鍍覆層由鈀或鈀合金組成；以及在基底金屬、Ni鍍覆層、Pd鍍覆層中至少一個(gè)暴露部分上沉積的擴(kuò)散層。
基底金屬層可以由合金42組成。
在于Ni鍍覆層上形成了Pd鍍覆層后，可以通過熱處理引線框來獲得擴(kuò)散層。
根據(jù)本發(fā)明，甚至在引線框彎曲操作期間產(chǎn)生少量的裂紋時(shí)，也可以防止具有由合金42組成的基底金屬層的引線框的腐蝕。


參照附圖，通過更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施方案，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，附圖中
圖1是現(xiàn)有技術(shù)引線框的平面圖；圖2是具有在圖1所述引線框上安裝的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝剖視圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)引線框堆疊結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖4是圖3描述的引線框彎曲部分的放大剖視圖；圖5是闡述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的制造半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖；圖6A至6G是制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的半導(dǎo)體封裝各個(gè)操作的剖視圖；圖7A是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)方法制造的并且經(jīng)歷了鹽水噴霧試驗(yàn)的引線框的照片；圖7B是根據(jù)本發(fā)明方法制造的并且經(jīng)歷了鹽水噴霧試驗(yàn)的引線框的照片；圖8A是圖7A中描述的引線框的XPC圖；圖8B是圖7B中描述的引線框的XPC圖；圖9是根據(jù)圖5中描述的方法制造的引線框以及具有引線框的半導(dǎo)體封裝的透視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中表示了示例性的實(shí)施方案。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為限制于此處所提出的實(shí)施方案；而是提供這些實(shí)施方案，使得所公開的內(nèi)容對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是徹底且完全的，并且將完全涵蓋本發(fā)明的概念。在附圖中，為了清晰起見，放大了層及區(qū)域的厚度。
本發(fā)明的引線框具有由鐵和鎳作為主要元素而組成的基底金屬層。在此情況中，基底金屬層可以由含有42％Ni、58％鐵及其它少量元素的合金42組成。
圖5表示闡述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案制造半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖，并且圖6a至6g表示制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的半導(dǎo)體封裝各個(gè)操作的剖視圖。
如圖所示，首先提供基底金屬層221(S10)。然后，在進(jìn)行半導(dǎo)體裝配工序之前，在基底金屬層220上沉積鍍覆層(S20)。
在步驟(S20)中，可以首先在基底金屬層221上沉積由鎳或鎳合金組成的Ni鍍覆層222(S21)，然后在Ni鍍覆層222上沉積由鈀或鈀合金組成的Pd鍍覆層223(S22)。
Ni鍍覆層222起著防止基底金屬層221向引線框表面擴(kuò)散的作用。Pd鍍覆層223由具有良好的焊接性質(zhì)的金屬組成，并且起著保護(hù)Ni鍍覆層222表面的作用。
在Pd鍍覆層223的上面可以進(jìn)一步沉積具有高耐氧化性的保護(hù)鍍覆層224。因此，可以有效地防止Pd鍍覆層223的氧化。
保護(hù)鍍覆層224可以由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd的至少一種金屬或合金組成。
保護(hù)鍍覆層224可以通過各種方法形成。舉例來說，當(dāng)保護(hù)鍍覆層224由Pd和Au或者Au和Ag組成時(shí)，金屬可以通過至少一種交替的電鍍工藝來單獨(dú)鍍覆。或者，金屬可以被合金化并且通過電鍍工藝來鍍覆。
接下來，引線框經(jīng)歷半導(dǎo)體封裝裝配工序。在半導(dǎo)體封裝裝配工序中，半導(dǎo)體芯片被附著到引線框(S30)上，然后模塑半導(dǎo)體芯片和至少一部分引線框，從而限定半導(dǎo)體封裝(S40)。
在操作(S30)中，首先在管芯墊210上安裝半導(dǎo)體芯片50，然后通過連接部件52與引線220連接。在附圖中，半導(dǎo)體芯片50和引線220通過連接部件52彼此線接。但是，本發(fā)明沒有局限于這種情況。任何可以電連接半導(dǎo)體芯片50與引線220的結(jié)構(gòu)都是可以的。
在步驟(S40)中，通過模塑物體55模塑半導(dǎo)體芯片50和至少一部分引線框220，從而保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受外部影響。
然后，彎曲被模塑的引線220部分，改變成預(yù)定的形狀(S50)。
在彎曲引線220期間，彎曲部分可以少量裂紋，因而基底金屬層221和/或Ni鍍覆層222可以在裂紋引起的暴露部分220c處暴露于外部空氣中。
因此，在Pd鍍覆層223和/或保護(hù)鍍覆層224的金屬與Ni之間，或者Pd鍍覆層223和/或保護(hù)鍍覆層224的金屬與合金42之間產(chǎn)生電耦合。
因此，在本發(fā)明中，為了防止暴露部分220c的腐蝕，在彎曲引線220(S50)后熱處理引線框(S60)。
在步驟(S60)中，熱處理溫度可以設(shè)置為150-350℃。當(dāng)熱處理溫度低于150℃時(shí)，不能充分獲得熱處理作用。當(dāng)熱處理溫度高于150℃時(shí)，引線框的表面可能氧化，因而使焊接的質(zhì)量降低。
另外，可以實(shí)施熱處理1-10分鐘。當(dāng)實(shí)施熱處理小于1分鐘時(shí)，不能獲得充分的熱處理作用。當(dāng)實(shí)施熱處理多于10分鐘時(shí)，焊接質(zhì)量降低?？紤]在金屬向金屬擴(kuò)散所需的傳遞活化能量期間使用最少的時(shí)間并且不傷害半導(dǎo)體封裝的條件來選擇上述條件。擴(kuò)散金屬的活化能量可以根據(jù)其它的方法來供應(yīng)。
此后，在引線框的表面上，特別是在基底金屬層和Ni鍍覆層暴露于外部空氣中的暴露部分220c上沉積由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd中至少一種金屬組成的擴(kuò)散層225。
更詳細(xì)地說，引線框的暴露部分220可以是原子擴(kuò)散的良好通道。也就是說，在熱處理步驟(S60)中，由Ag、Au、Co、Ti和Pd組成的保護(hù)鍍覆層224的原子通過暴露部分220向外部或表面擴(kuò)散。因此，在暴露部分220c上沉積包含Ag、Au、Co、Ti和Pd至少之一擴(kuò)散層225。
擴(kuò)散層225起著防止通過暴露部分220c而暴露的合金42或Ni直接與外部空氣接觸。結(jié)果，通過防止引線框的腐蝕可以保護(hù)合金42或Ni不會(huì)氧化。
同時(shí)，在形成Pd鍍覆層223和Ni鍍覆層222的操作中，引線框中可能混有氫氣，因而降低了引線框的密封性并且使鍍覆層不穩(wěn)定。
但是，在本發(fā)明中，實(shí)施了熱處理，氫氣被高溫激活。結(jié)果，氫原子彼此反應(yīng)，擴(kuò)散到表面上并且排放到外面，從而通過增加鍍覆層的密封性和可靠性提高了鍍覆層的耐腐蝕性。
通過下面的試驗(yàn)實(shí)施例，本發(fā)明方法的作用將更加明顯。
試驗(yàn)實(shí)施例使用具有下述引線框的半導(dǎo)體封裝作為試驗(yàn)實(shí)施例，其具有基底金屬層、Ni鍍覆層、Pd鍍覆層、由Au和Ag組成的保護(hù)鍍覆層，并且按此順序彼此堆疊。
通過鹽水噴霧試驗(yàn)來測試耐腐蝕性。在試驗(yàn)室溫度為35℃的狀態(tài)下，以每24小時(shí)40g/m2的量噴霧55％的氯化鈉溶液。在此情況中，引線框處于其經(jīng)歷在最大回流溫度為235℃且回流時(shí)間為7mm/minute的回流焊接裝置中實(shí)施的回流操作的狀態(tài)。
圖7A表示沒有被熱處理并且實(shí)施了鹽水噴霧試驗(yàn)的半導(dǎo)體封裝105的照片。該照片表明安裝在半導(dǎo)體封裝105上的引線120多個(gè)部分C被腐蝕。特別地，它表明在彎曲部分B腐蝕更加嚴(yán)重。當(dāng)分析半導(dǎo)體封裝105的XPS組分時(shí)，如圖8A所示，注意檢測出Ni和Fe。
圖7B表示經(jīng)過根據(jù)本發(fā)明的熱處理并且經(jīng)歷了鹽水噴霧試驗(yàn)的半導(dǎo)體封裝205的照片。該照片表明在安裝在半導(dǎo)體封裝205的引線220上沒有被腐蝕的部分。特別是甚至在彎曲部分B也沒有腐蝕部分。當(dāng)分析半導(dǎo)體封裝105的XPS組分時(shí)，如圖8A所示，注意沒有檢測出Ni和Fe，而是僅檢測出構(gòu)成保護(hù)鍍覆層的Au和Ag。
圖9是根據(jù)本發(fā)明方法制造的引線框200以及具有該引線框的半導(dǎo)體封裝205。
參照?qǐng)D9，本發(fā)明的引線框200包括基底金屬層221、Ni鍍覆層222、Pd鍍覆層223，以及擴(kuò)散層225。
基底金屬層221是引線框200的骨架，其由鎳和鐵作為主要元素而組成。在此情況中，基底金屬層221可以由合金42組成。
Ni鍍覆層222在金屬層221上沉積。Ni鍍覆層222由鎳或鎳合金組成，防止合金42或Ni向引線框的表面上擴(kuò)散。
Pd鍍覆層223在Ni鍍覆層222上沉積，其由鈀或鈀合金組成。Pd鍍覆層223起著增強(qiáng)焊接性質(zhì)的作用。
保護(hù)鍍覆層224可以在Pd鍍覆層223上沉積。保護(hù)鍍覆層224起著防止Pd鍍覆層223的表面被氧化的作用。保護(hù)鍍覆層224由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd的至少一種金屬組成。
擴(kuò)散層225在基底金屬層221、Ni鍍覆層222和Pd鍍覆層223的至少暴露部分上沉積。也就是說，在與內(nèi)引線中的半導(dǎo)體芯片引線焊接的焊接部分W上產(chǎn)生的可能由裂紋引起的暴露部分220c，以及與外引線焊接的外部焊接部分S都用擴(kuò)散層225填充，從而防止暴露的部分暴露到外部空氣中。
在形成Pd鍍覆層223和Ni鍍覆層222的步驟中，引線框中可能混有氫氣，因而降低了引線框的密封性并且使鍍覆層不穩(wěn)定。
但是，在本發(fā)明中，實(shí)施了熱處理，氫氣被高溫激活。結(jié)果，氫原子彼此反應(yīng)，擴(kuò)散到表面上并且排放到外面，從而通過增加鍍覆層的密封性和可靠性提高了鍍覆層的耐腐蝕性。
在引線框的彎曲操作期間，彎曲部分B處可能經(jīng)常產(chǎn)生小裂紋。但是，在本發(fā)明中，通過施用擴(kuò)散層，防止基底金屬層221、Ni鍍覆層222和Pd鍍覆層223暴露到外部空氣中，可以防止在彎曲部分B處引線框的腐蝕。
擴(kuò)散層225由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd的至少一種金屬組成，設(shè)計(jì)成通過熱處理形成擴(kuò)散層。
半導(dǎo)體芯片50被安裝在引線框200上，并且與外電路電連接，從而定義了半導(dǎo)體封裝205。半導(dǎo)體封裝205一般包含引線框200、半導(dǎo)體芯片50、導(dǎo)線252和模塑樹脂255。
也就是說，半導(dǎo)體芯片安置在管芯墊210上，并且內(nèi)引線130通過導(dǎo)線252與半導(dǎo)體芯片50線接合。外引線140與外電路電連接。半導(dǎo)體芯片50和內(nèi)引線130用模塑樹脂255模塑，從而定義了半導(dǎo)體封裝205。
圖9進(jìn)一步表示具有本發(fā)明引線框的半導(dǎo)體封裝的實(shí)例。但是，本發(fā)明沒有局限于這種實(shí)例根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)樵趯?shí)施了引線框的彎曲操作后，進(jìn)一步實(shí)施熱處理操作，所以基底金屬層221、Ni鍍覆層222和Pd鍍覆層223不會(huì)暴露到外部空氣中。結(jié)果，甚至在引線框彎曲操作期間產(chǎn)生小裂紋時(shí)，也可以防止具有由合金42組成的基底金屬層的引線框的腐蝕。
此外，因?yàn)橥ㄟ^熱處理操作可以消除由于引線框的氫氣引起的應(yīng)力集中現(xiàn)象，所以進(jìn)一步提高了引線框的密封性和可靠性。
當(dāng)已經(jīng)參照其示例性的實(shí)施方案具體地表示并描述了本發(fā)明時(shí)，本領(lǐng)域一般技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其中可以做出形式和細(xì)節(jié)上的各種變化，而不會(huì)背離由下面權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，其包含提供由鐵和鎳作為主要元素而組成的引線框基底金屬層；在所述基底金屬層上形成一層或多層鍍覆層；在所述引線框上安裝半導(dǎo)體芯片；模塑所述半導(dǎo)體芯片和至少一部分所述引線框；彎曲所述引線框以預(yù)定形狀形成所述引線框；以及在彎曲后熱處理所述引線框。
2.權(quán)利要求1的方法，其中在約150-350℃的溫度下實(shí)施熱處理。
3.權(quán)利要求1的方法，其中熱處理中的熱處理時(shí)間約為1-10分鐘。
4.權(quán)利要求1的方法，其中形成一層或多層鍍覆層包括在所述基底金屬層上形成由鎳或鎳合金組成的Ni鍍覆層；以及在所述Ni鍍覆層上形成由鈀或鈀合金組成的Pd鍍覆層。
5.權(quán)利要求4的方法，其中形成一層或多層鍍覆層還包括在所述Pd鍍覆層上形成由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd的至少一種金屬或合金組成的保護(hù)鍍覆層。
6.權(quán)利要求1的方法，其中熱處理引線框包括形成由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd的至少一種金屬組成的擴(kuò)散層。
7.權(quán)利要求1的方法，其中所述基底金屬層由合金42組成。
8.一種引線框，其包括由鎳和鐵作為主要元素而組成的基底金屬層；在所述基底金屬層至少一個(gè)表面上沉積的Ni鍍覆層，所述Ni鍍覆層由鎳或鎳合金組成；在所述Ni鍍覆層上形成的Pd鍍覆層，所述Pd鍍覆層由鈀或鈀合金組成；以及在所述基底金屬、所述Ni鍍覆層、所述Pd鍍覆層的至少暴露部分上沉積的擴(kuò)散層。
9.權(quán)利要求8的引線框，其中其還包含安置在Pd鍍覆層和擴(kuò)散層之間的保護(hù)鍍覆層，所述保護(hù)鍍覆層由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd的至少一種金屬組成。
10.權(quán)利要求8的引線框，其中所述擴(kuò)散層由選自Ag、Au、Co、Ti和Pd的至少一種金屬組成。
11.權(quán)利要求8的引線框，其中所述基底金屬層由合金42組成。
12.權(quán)利要求8的引線框，其中在Ni鍍覆層上形成Pd鍍覆層后，通過熱處理引線框來獲得所述擴(kuò)散層。
全文摘要
提供了一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，其連接半導(dǎo)體芯片與外部電路板并且具有由鐵和鎳作為主要元素而組成的基底金屬層。所述方法包括制備引線框的基底金屬層；在基底金屬層上形成一層或多層鍍覆層；在引線框上安裝半導(dǎo)體芯片；模塑半導(dǎo)體芯片和至少一部分引線框；彎曲引線框以預(yù)定形狀形成引線框；以及熱處理引線框。
文檔編號(hào)H01L21/48GK1661787SQ200510051998
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2005年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月23日
發(fā)明者李尚勳, 白城官, 樸世喆 申請(qǐng)人:三星Techwin株式會(huì)社