專利名稱：薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器制作過程，具體地，涉及一種使用于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的陣列基底(array substrate)及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器包含有一上基底與一下基底，以及夾于上下基底之間的一液晶層。一般來說，上基底具有一彩色濾光片(color filter)以及一共同電極(common electrode)。而下基底具有橫向延伸的柵極線(gate lines)、縱向延伸的源極線(source lines，或稱數(shù)據(jù)線)、位于柵極線與源極線交叉處附近的當(dāng)作是開關(guān)組件的薄膜晶體管(TFT)，以及由柵極線和源極線所定義的區(qū)域中的像素電極。每一薄膜晶體管具有一柵極、一源極與一漏極。柵極從柵極線延伸出來，而源極從源極線延伸出來。漏極通常是借助于一接觸孔(contact hole)而電性連接像素電極。液晶顯示器還包括墊部分(padportions)。墊部分包含有多個(gè)柵極墊以及多個(gè)源極墊(或數(shù)據(jù)墊)，其中柵極墊用來提供信號(hào)電壓至柵極線，而源極墊用來提供數(shù)據(jù)電壓至源極線。這些柵極墊以及多個(gè)源極墊最好是位于非顯示區(qū)。
為了要制作陣列基底，必須在下基底上重復(fù)進(jìn)行例如是沉積、微影蝕刻等等許多制程。然而在現(xiàn)有的陣列基底制程中，通常會(huì)使用4～6道的光罩，因此有制造成本高以及制程復(fù)雜的缺點(diǎn)。
在美國(guó)專利第6338989號(hào)中，Ahn等人提出了一種TFT-LCD的陣列基底的制造方法。該方法使用了四道光罩。第一道與第二道光罩是用來形成柵極線、柵極墊、數(shù)據(jù)線以及數(shù)據(jù)墊。第三道光罩是用來形成源極、漏極、像素電極以及使信道區(qū)露出。第四道光罩是用來圖案化覆蓋柵極線與柵極墊之絕緣層以及連接?xùn)艠O墊的接觸孔。然而，該方法沒有教導(dǎo)本案的TFT-LCD的陣列基底結(jié)構(gòu)及其制造方法。
在美國(guó)專利第6567150號(hào)中，Kim提出了一種TFT-LCD的陣列基底的制造方法。該方法使用了六道光罩。然而，該方法也沒有教導(dǎo)本案的TFT-LCD之陣列基底結(jié)構(gòu)及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種僅需兩道光罩就能形成TFT-LCD的陣列基底的方法，而能降低成本與簡(jiǎn)化制程。
本發(fā)明的另一目的在于提出一種TFT-LCD的陣列基底。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT-LCD的陣列基底的制造方法，其步驟包括依序形成一透明導(dǎo)體層、一第一金屬層、一第一絕緣層、一半導(dǎo)體層、一第二絕緣層以及一犧牲層于一基底上；形成包含一第一光阻層與一第二光阻層的一光阻圖案于部分該犧牲層上，該第二光阻層厚于該第一光阻層；以該光阻圖案為罩幕，至少去除部分該犧牲層、該第二絕緣層以及該半導(dǎo)體層而形成一第一開口與一第二開口；去除該第一光阻層；以該第二光阻層為罩幕，去除部分該犧牲層而形成寬度窄于該第二光阻層之一剩余犧牲層，以及去除部分該第二絕緣層與該半導(dǎo)體層，并且使所述第一與第二開口底部露出該基底；去除該第二光阻層；以該剩余犧牲層為罩幕，去除部分該第二絕緣層與殘余的該第一絕緣層；去除該余犧牲層與曝露的該第一金屬層，因而定義出包含一柵極的一柵極線、位于該柵極正上方的一信道層、位于該柵極線端部的一柵極墊、一像素電極以及一源極墊，其中該第一開口位于該柵極線中并且靠近該柵極；形成一絕緣間隙壁于該柵極與該柵極線的側(cè)壁上；全面形成一第二金屬層于該基底上方；以及圖案化該第二金屬層而形成一源極線、一源極與一漏極，其中該源極線交叉于該柵極線，該源極線的端部連接該源極墊，該源極從該源極線延伸出來而連接部份該信道層，該漏極系連接部份該信道層與該像素電極。
根據(jù)上述的方法，本發(fā)明也提供一種薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底結(jié)構(gòu)，包括一基底，具有包含一柵極區(qū)的一柵極線區(qū)、連接該柵極線區(qū)端部的一柵極墊區(qū)、與該柵極線區(qū)相交叉之一源極線區(qū)、連接該源極線區(qū)端部之一源極墊區(qū)以及位于該柵極線區(qū)與該源極線區(qū)之間的一像素區(qū)；一透明導(dǎo)體層，形成于位在該柵極墊區(qū)、該柵極區(qū)、該柵極線區(qū)、像素區(qū)以及該源極墊區(qū)的該基底上；一第一金屬層，形成于位在該柵極區(qū)與該柵極線區(qū)的該透明導(dǎo)體層上；一第一絕緣層，形成于該第一金屬層上；一半導(dǎo)體層，形成于該第一絕緣層上；一絕緣間隙壁，至少形成于該第一金屬層的側(cè)壁上；一第二絕緣層，形成于部分該半導(dǎo)體層上；以及一第二金屬層，形成于位在該源極線區(qū)的該基底上方、位在該柵極區(qū)的部分該半導(dǎo)體層上以及位在該像素區(qū)的部分該透明導(dǎo)體層上。其中，位在該源極線區(qū)的該第二金屬層當(dāng)作是一源極線，位在該柵極區(qū)的部分該半導(dǎo)體層上的該第二金屬層系當(dāng)作是一源極與一漏極，該源極系連接該源極線，而該漏極系連接位在該像素區(qū)的該透明導(dǎo)體層。
根據(jù)本發(fā)明的陣列基底的制造方法，就能夠以兩道光罩完成本發(fā)明的陣列基底結(jié)構(gòu)，因而能夠降低制造成本與簡(jiǎn)化制程。
為讓本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖標(biāo)，做詳細(xì)說明如下


圖1顯示了本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的部分平面圖；圖2是沿著圖1的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示進(jìn)行一系列的沉積；圖3是沿著圖1的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示進(jìn)行使用第一道光罩的微影程序而得到具有不同厚度的光阻圖案；圖4是沿著第1圖的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示以該光阻圖案為罩幕而進(jìn)行蝕刻程序；圖5是沿著第1圖的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示以去除部分光阻圖案；圖6是沿著第1圖的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示進(jìn)行犧牲層的側(cè)壁蝕刻制程；圖7是沿著第1圖的X-Y斷線之制程剖面示意圖，其顯示形成露出基底的開口；圖8是沿著第1圖的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示以去除部分第二絕緣層以及光阻層；圖9是沿著第1圖的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示定義出柵極線、柵極、柵極墊、像素電極以及源極墊；
圖10是沿著第1圖的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示形成絕緣間隙壁于柵極線與柵極的側(cè)壁上；圖11是沿著第1圖的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示進(jìn)行使用第二道光罩的微影程序；圖12是沿著第1圖的X-Y斷線的制程剖面示意圖，其顯示定義出源極線、源極以及漏極；圖13A～13C顯示了本發(fā)明部分蝕刻步驟的一變化例的制造流程；圖14A～14C示了本發(fā)明部分蝕刻步驟的另一變化例的制造流程；以及圖15A～15C顯示了本發(fā)明部分蝕刻步驟的另一變化例的制造流程。符號(hào)說明100～本發(fā)明TFT-LCD的陣列基底；200～基底；210～透明導(dǎo)體層；220～第一金屬層；230～第一絕緣層；240～半導(dǎo)體層；250～第二絕緣層；260～犧牲層；270～光阻圖案；272～第一光阻層；274、274’～第二光阻層；310～第一道光罩；312～半透明區(qū)域；314～不透明區(qū)域；316～透明區(qū)域；320～微影制程(曝光)；410～第一開口；420～第二開口；260’～剩余的犧牲層；610～空隙；910～柵極線(區(qū))；912～柵極(區(qū))；914～信道層；916～柵極墊(區(qū))；918～像素電極(區(qū))；920～源極墊(區(qū))；1010～絕緣間隙壁；1110～經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體層；1120～第二金屬層；1130～護(hù)層；1140～第二道光罩；1142～不透明區(qū)域；1144～透明區(qū)域；1150～微影制程(曝光)；1160～光阻圖案；1210～源極線(區(qū))；1220～源極；1230～漏極。
具體實(shí)施例方式
圖1顯示了本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底100的部分平面圖，而圖2～12是沿著第1圖的X-Y線段的剖面示意圖，用以說明本發(fā)明的制程。
請(qǐng)參閱圖2，首先提供例如是玻璃的一絕緣基底200，然后再利用沉積法依序地沉積一透明導(dǎo)體層210、一第一金屬層220、一第一絕緣層230、一半導(dǎo)體層240、一第二絕緣層250以及一犧牲層260于該基底200上。其中，該透明導(dǎo)體層210例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)層，該第一金屬層220例如是Al或Al合金或含鋁層或鋁合金層的多層結(jié)構(gòu)的金屬層，該第一絕緣層230例如是Si3N4或SiO2層，該半導(dǎo)體層240例如是非晶硅層(amorphous silicon)，該第二絕緣層250例如是Si3N4或SiO2層，以及該犧牲層260例如是Al或Mo或Cr或ITO或IZO。
請(qǐng)參閱圖3，先涂布一光阻層(未圖標(biāo)，在此以正型光阻為例)于該犧牲層260上。接著，經(jīng)由使用一半調(diào)光罩(half-tonemask，即第一光罩)3 10的微影步驟320而形成包含一第一光阻層272與一第二光阻層274的一光阻圖案270于部分該犧牲層260上，其中該第二光阻層274厚于該第一光阻層272。此實(shí)施例所使用的半調(diào)光罩310包含有三種具有不同透光率的區(qū)域312、314與316，例如半透明區(qū)域312對(duì)應(yīng)第一光阻層272，不透明區(qū)域314系對(duì)應(yīng)第二光阻層274，而其它為透明區(qū)域316。
請(qǐng)參閱圖4，以該光阻圖案270為罩幕，至少去除部分該犧牲層260、該第二絕緣層250以及該半導(dǎo)體層240而形成一第一開口410與一第二開口420。請(qǐng)參閱圖1，該第一開口410的位置對(duì)應(yīng)于將來要形成的柵極912附近的柵極線910中，而該第二開口420的位置對(duì)應(yīng)于將來要形成的像素電極918周圍。在第4圖中，這些開口410、420以露出第一絕緣層230為例。
請(qǐng)參閱圖5，經(jīng)由灰化(ashing)程序去除該第一光阻層272，因而形成剩余的第二光阻層274’于部分該犧牲層260上。
請(qǐng)參閱圖6，以該剩余的第二光阻層274’為罩幕，依序進(jìn)行非等向性蝕刻(例如干蝕刻)與等向性蝕刻(例如濕蝕刻)去除部分該犧牲層260，而形成寬度窄于剩余之第二光阻層274’的一剩余犧牲層260’。該步驟稱為犧牲層的側(cè)蝕刻(side etching)，使得在該剩余第二光阻層274’下側(cè)形成底切空隙(undercut)610。當(dāng)該犧牲層260例如是鋁時(shí)，則上述等向性蝕刻例如是采用含硝酸溶液之濕蝕刻。值得注意的是，本發(fā)明借助于第一開口410與第二開口420的設(shè)計(jì)，使得在上述側(cè)蝕刻制程之后，位于該第一開口410周圍的該剩余犧牲層260’是不連續(xù)的。
請(qǐng)參閱圖7，接著以該剩余之第二光阻層274’為罩幕，非等向性去除(例如干蝕刻)該第二絕緣層250與該半導(dǎo)體層240以及同時(shí)去除位在該等第一與第二開口410、420內(nèi)該第一絕緣層230。之后，仍以該剩余的第二光阻層274’為罩幕，非等向性去除(例如干蝕刻)位在第一與第二開口410、420內(nèi)的該第一金屬層220與該透明導(dǎo)體層210，而露出該基底200。
這里要特別說明的是，上述圖4～7所述的蝕刻順序僅為一范例，并非限定本發(fā)明。亦即有許多種變形例也可以采用而同樣能夠得到如圖7所示的結(jié)構(gòu)，在此舉三種變形例以供應(yīng)用者參考。
第一變形例的流程請(qǐng)參閱圖13A～13C。以該光阻圖案270為罩幕，去除部分該犧牲層260、該第二絕緣層250、該半導(dǎo)體層240以及該第一絕緣層230而形成第一開口410與第二開口420，這些開口410、420系露出該第一金屬層220。然后，經(jīng)由灰化程序去除該第一光阻層272，因而形成剩余的第二光阻層274’于部分該犧牲層260上。接著，以該剩余的第二光阻層274’為罩幕，依序進(jìn)行非等向性與等向性蝕刻去除部分該犧牲層260，而形成寬度窄于該剩余的第二光阻層274’的剩余犧牲層260’，此時(shí)也將該等第一與第二開口410、420內(nèi)的該第一金屬層220去除，此變形例的該犧牲層260’與該第一金屬層220最好是采用相同金屬材質(zhì)，例如是鋁。接著，以該剩余的第二光阻層274’為罩幕，非等向性去除(例如干蝕刻)該第二絕緣層250與該半導(dǎo)體層240以及去除位在該等第一與第二開口410、420內(nèi)的該透明導(dǎo)體層210，而露出該基底200。如此就能夠得到如第7圖所示的結(jié)構(gòu)。
第二變形例的流程請(qǐng)參閱第14A～14C圖。以該光阻圖案270為罩幕，去除部分該犧牲層260、該第二絕緣層250、該半導(dǎo)體層240、該第一絕緣層230以及該第一金屬層220而形成第一開口410與第二開口420，該等開口410、420露出該透明導(dǎo)體層210。然后，經(jīng)由灰化程序去除該第一光阻層272，因而形成剩余的第二光阻層274’于部分該犧牲層260上。接著，以該剩余的第二光阻層274’為罩幕，依序進(jìn)行非等向性與等向性蝕刻去除部分該犧牲層260，而形成寬度窄于該剩余之第二光阻層274’的剩余犧牲層260’，此變形例的該犧牲層260’例如是鋁，而該第一金屬層220最好是采用鋁合金或是經(jīng)過陽極處理的鋁金屬。接著，以該剩余的第二光阻層274’為罩幕，非等向性去除(例如干蝕刻)該第二絕緣層250與該半導(dǎo)體層240以及去除位在該等第一與第二開口410、420內(nèi)的該透明導(dǎo)體層210，而露出該基底200。如此就能夠得到如第7圖所示的結(jié)構(gòu)。
第三變形例的流程請(qǐng)參閱圖15A～15C。以該光阻圖案270為罩幕，去除部分該犧牲層260、該第二絕緣層250、該半導(dǎo)體層240、該第一絕緣層230、該第一金屬層220以及該透明導(dǎo)體層210而形成第一開口410與第二開口420，這些開口410、420露出該基底200。然后，經(jīng)由灰化程序去除該第一光阻層272，因而形成剩余之第二光阻層274’于部分該犧牲層260上。接著，以該剩余的第二光阻層274’為罩幕，依序進(jìn)行非等向性與等向性蝕刻去除部分該犧牲層260，而形成寬度窄于該剩余的第二光阻層274’的剩余犧牲層260’，此變形例的該犧牲層260’例如是鋁，而該第一金屬層220最好是采用鋁合金或是經(jīng)過陽極處理的鋁金屬。接著，以該剩余之第二光阻層274’為罩幕，非等向性去除(例如干蝕刻)該第二絕緣層250與該半導(dǎo)體層240。如此就能夠得到如圖7所示的結(jié)構(gòu)。
再來請(qǐng)參閱圖8，先去除該剩余的第二光阻層274’，而露出該剩余犧牲層260’。然后以該剩余犧牲層260’為罩幕，去除部分該第二絕緣層250與該第一絕緣層230。
請(qǐng)參閱第9圖，去除該剩余犧牲層260’與曝露的該第一金屬層220，因而定義出包含一柵極912的一柵極線910、位于該柵極912正上方的一信道層(channel layer)914、位于該柵極線910端部的一柵極墊916、一像素電極918以及一源極墊920，其中該第一開口410位于該柵極線910中并且靠近該柵極912。這里要注意的是，請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明借助于第一開口410以及第一開口410附近的柵極線910寬度較窄的設(shè)計(jì)，使得位于第一開口410周圍的柵極線910上方的半導(dǎo)體層240，在經(jīng)上述眾多蝕刻制程之后變得不連續(xù)。
請(qǐng)參閱圖10，先全面沉積一順應(yīng)的絕緣層(未圖標(biāo))覆蓋于該基板200上方，然后經(jīng)由非等向性蝕刻(例如干蝕刻)而形成一絕緣間隙壁1010于該柵極線910、該柵極912與半導(dǎo)體層240的側(cè)壁上，其中該絕緣間隙壁1010例如是Si3N4或SiO2層。。
請(qǐng)參閱圖11，依序沉積一經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體層1110、一第二金屬層1120與一護(hù)層1130于整個(gè)基底200上方。其中該經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體層1110例如是摻雜n+型離子的硅層，該第二金屬層1120例如是Al或Al合金或含鋁層或鋁合金層的多層結(jié)構(gòu)的金屬層，而該護(hù)層1130例如是Si3N4層。之后，經(jīng)由使用一第二光罩1140的微影步驟1150形成一光阻圖案1160。符號(hào)1142代表不透明區(qū)域，而符號(hào)1144代表透明區(qū)域。
請(qǐng)參閱第12圖，以該光阻圖案1160為罩幕，圖案化該護(hù)層1130、該第二金屬層1120與該經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體層1110而定義出由第二金屬層1110所構(gòu)成之一源極線(或稱數(shù)據(jù)線)1210、一源極1220與一漏極1230，其中該源極線1210系交叉于該柵極線910，該源極線1210的端部電性連接該源極墊920，該源極1220從該源極線1210延伸出來而電性連接部份該信道層914，該漏極1230電性連接部份該信道層914與該像素電極918。最后，去除該光阻圖案1160。如此，經(jīng)由上述本發(fā)明制程，即能以兩道微影制程(即兩道光罩)就能得到TFT-LCD的陣列基底100。
根據(jù)上述制程，本發(fā)明也提供了一種薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底結(jié)構(gòu)100。請(qǐng)參閱圖1與圖12，該陣列基底結(jié)構(gòu)100包括一絕緣基底200，具有包含一柵極區(qū)912的一柵極線區(qū)910、連接該柵極線區(qū)910端部的一柵極墊區(qū)916、與該柵極線區(qū)910相交叉的一源極線區(qū)1210、連接該源極線區(qū)1210端部的一源極墊區(qū)920以及位于該柵極線區(qū)910與該源極線區(qū)1210之間的一像素區(qū)918；一透明導(dǎo)體層210，形成于位在該柵極墊區(qū)916、該柵極區(qū)912、該柵極線區(qū)910、像素區(qū)918以及該源極墊區(qū)920的該基底200上；一第一金屬層220，形成于位在該柵極區(qū)912與該柵極線區(qū)910的該透明導(dǎo)體層210上；一第一絕緣層230，形成于該第一金屬層220上；一半導(dǎo)體層240，形成于該第一絕緣層230上；一絕緣間隙壁1010，至少形成于該第一金屬層220的側(cè)壁上；一第二絕緣層250，形成于部分該半導(dǎo)體層240上；以及一第二金屬層1120，形成于位在該源極線區(qū)1210的該基底200上方、位在該柵極區(qū)912的部分該半導(dǎo)體層240上以及位在該像素區(qū)918的部分該透明導(dǎo)體層210上。其中，位在該源極線區(qū)1210的該第二金屬層1120系當(dāng)作是一源極線1210，位在該柵極區(qū)912的部分該半導(dǎo)體層240上的該第二金屬層1120當(dāng)作是一源極1220與一漏極1230，該源極1220電性連接該源極線1210，而該漏極1230電性連接位在該像素區(qū)918的該透明導(dǎo)體層210。
本發(fā)明的特征在于TFT-LCD的陣列基底的制程以第一道光罩(即半調(diào)光罩)形成包含一第一光阻層與一第二光阻層的一光阻圖案于部分該犧牲層上，該第二光阻層厚于該第一光阻層；以該光阻圖案為罩幕，至少去除部分該犧牲層、該第二絕緣層以及該半導(dǎo)體層而形成一第一開口與一第二開口；去除該第一光阻層；以該第二光阻層為罩幕，去除部分該犧牲層而形成寬度窄于該第二光阻層的一剩余犧牲層，以及去除部分該第二絕緣層與該半導(dǎo)體層，并且使該等第一與第二開口底部露出該基底；去除該第二光阻層；以該剩余犧牲層為罩幕，去除部分該第二絕緣層與該第一絕緣層；去除該余犧牲層與曝露的該第一金屬層，因而定義出包含一柵極的一柵極線、位于該柵極正上方的一信道層、位于該柵極線端部的一柵極墊、一像素電極以及一源極墊，其中該第一開口位于該柵極線中并且靠近該柵極；形成一絕緣間隙壁于該柵極與該柵極線的側(cè)壁上；全面形成一第二金屬層于該基底上方；以及利用第二道光罩來圖案化該第二金屬層而形成一源極線、一源極與一漏極。
根據(jù)本發(fā)明，就能夠以兩道光罩完成本發(fā)明的陣列基底結(jié)構(gòu)，因而能夠降低制造成本與簡(jiǎn)化制程。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作許多更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其步驟包括依序形成一透明導(dǎo)體層、一第一金屬層、一第一絕緣層、一半導(dǎo)體層、一第二絕緣層以及一犧牲層于一基底上；形成包含一第一光阻層與一第二光阻層的一光阻圖案于部分該犧牲層上，該第二光阻層厚于該第一光阻層；以該光阻圖案為罩幕，至少去除部分該犧牲層、該第二絕緣層以及該半導(dǎo)體層而形成一第一開口與一第二開口；去除該第一光阻層；以該第二光阻層為罩幕，去除部分該犧牲層而形成寬度窄于該第二光阻層之一剩余犧牲層，以及去除部分該第二絕緣層與該半導(dǎo)體層，并且使該等第一與第二開口底部露出該基底；去除該第二光阻層；以該剩余犧牲層為罩幕，去除部分該第二絕緣層與該第一絕緣層；去除該余犧牲層與曝露之該第一金屬層，因而定義出包含一柵極的一柵極線、位于該柵極正上方的一信道層、位于該柵極線端部的一柵極墊、一像素電極以及一源極墊，其中該第一開口位于該柵極線中并且靠近該柵極；形成一絕緣間隙壁于該柵極與該柵極線的側(cè)壁上；全面形成一第二金屬層于該基底上方；以及圖案化該第二金屬層而形成一源極線、一源極與一漏極，其中該源極線系交叉于該柵極線，該源極線的端部系連接該源極墊，該源極從該源極線延伸出來而連接部份該信道層，該漏極連接部份該信道層與該像素電極。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，包含所述第一與第二光阻層的該光阻圖案經(jīng)由使用一半調(diào)光罩的微影步驟所形成。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該第二金屬層經(jīng)由使用一光罩的微影步驟所形成。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該透明導(dǎo)體層銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)層。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該第一金屬層系A(chǔ)l或Al合金或含鋁層或鋁合金層的多層結(jié)構(gòu)的金屬層。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該第一絕緣層系Si3N4或SiO2層。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該半導(dǎo)體層系非晶硅層。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該第二絕緣層系Si3N4或SiO2層。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該犧牲層Al或Mo或或Cr或ITO或IZO。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該絕緣間隙壁Si3N4或SiO2層。
11.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該第二金屬層Al或Al合金或含鋁層或鋁合金層的多層結(jié)構(gòu)的金屬層。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，還包括形成一經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體層于該第二金屬層下。
13.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，還包括形成一護(hù)層于該第二金屬層上。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，該護(hù)層是Si3N4層。
15.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底的制造方法，其中，形成該剩余犧牲層以及使所述第一與第二開口底部露出該基底的步驟包括以該第二光阻層為罩幕，進(jìn)行側(cè)蝕刻而去除部分該犧牲層而形成寬度窄于該第二光阻層之該剩余犧牲層；以該第二光阻層為罩幕，非等向性去除該等第一與第二開口內(nèi)的該第一絕緣層、該第二絕緣層與該半導(dǎo)體層；以該第二光阻層為罩幕，非等向性去除所述第一與第二開口內(nèi)的該第一金屬層與該透明導(dǎo)體層。
16.一種薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，包括一基底，具有包含一柵極區(qū)的一柵極線區(qū)、連接該柵極線區(qū)端部的一柵極墊區(qū)、與該柵極線區(qū)相交叉的一源極線區(qū)、連接該源極線區(qū)端部的一源極墊區(qū)以及位于該柵極線區(qū)與該源極線區(qū)之間的一像素區(qū)；一透明導(dǎo)體層，形成于位在該柵極墊區(qū)、該柵極區(qū)、該柵極線區(qū)、像素區(qū)以及該源極墊區(qū)的該基底上；一第一金屬層，形成于位在該柵極區(qū)與該柵極線區(qū)的該透明導(dǎo)體層上；一第一絕緣層，形成于該第一金屬層上；一半導(dǎo)體層，形成于該第一絕緣層上；一絕緣間隙壁，至少形成于該第一金屬層的側(cè)壁上；一第二絕緣層，形成于部分該半導(dǎo)體層上；以及一第二金屬層，形成于位在該源極線區(qū)的該基底上方、位在該柵極區(qū)的部分該半導(dǎo)體層上以及位在該像素區(qū)的部分該透明導(dǎo)體層上。
17.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，其中，位在該源極線區(qū)的該第二金屬層當(dāng)作是一源極線，位在該柵極區(qū)的部分該半導(dǎo)體層上的該第二金屬層當(dāng)作是一源極與一漏極，該源極連接該源極線，而該漏極連接位在該像素區(qū)的該透明導(dǎo)體層。
18.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，其中，該透明導(dǎo)體層銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)層。
19.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，其中，該第一金屬層Al或Al合金或含鋁層或鋁合金層的多層結(jié)構(gòu)的金屬層。
20.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，其中，該第一絕緣層Si3N4或SiO2層。
21.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，其中，該半導(dǎo)體層系非晶硅層。
22.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，其中，該第二絕緣層Si3N4或SiO2層。
23.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，其中，該絕緣間隙壁Si3N4或SiO2層。
24.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，其中，該第二金屬層Al或Al合金或含鋁層或鋁合金層的多層結(jié)構(gòu)的金屬層。
25.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，還包括一經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體層，形成于該第二金屬層下。
26.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，還包括一護(hù)層，形成于該第二金屬層上。
27.如權(quán)利要求26所述的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基底，其中，該護(hù)層是Si3N4層。
全文摘要
一種TFT－LCD的陣列基底及其制造方法。依序形成透明導(dǎo)體層、第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層以及犧牲層于基底上。利用第一道光罩，形成具有不同厚度的光阻圖案于部分犧牲層上。以光阻圖案為罩幕，經(jīng)由一系列蝕刻程序而定義出包含柵極的柵極線、位于柵極正上方的信道層、位于柵極線端部的柵極墊、像素電極以及源極墊。形成絕緣間隙壁于柵極與柵極線的側(cè)壁上。利用第二道光罩，形成源極線、源/漏極，源極線端部連接源極墊，源極連接源極線與信道層，漏極連接信道層與像素電極。根據(jù)本發(fā)明，僅需兩道光罩就能形成陣列基底。
文檔編號(hào)H01L29/66GK1632685SQ20051000704
公開日2005年6月29日 申請(qǐng)日期2005年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月27日
發(fā)明者黃俊儒 申請(qǐng)人:廣輝電子股份有限公司