專利名稱：引線框架、半導(dǎo)體芯片封裝、及該封裝的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及引線框架、半導(dǎo)體芯片封裝和制造該半導(dǎo)體芯片封裝的方法。更具體地，本發(fā)明涉及引線框架；半導(dǎo)體芯片封裝，其采用該引線框架，并具有裸露引線框架封裝(ELP)結(jié)構(gòu)，其中該半導(dǎo)體芯片封裝的厚度因該引線框架的使用而降低；以及制造該封裝的方法。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體封裝時(shí)，可使用四邊引線扁平封裝(QFP)和焊球陣列(BGA)封裝技術(shù)來(lái)將半導(dǎo)體芯片與外部環(huán)境電子電氣連接。
在QFP的制造中可使用引線框架。引線框架不僅可以用于通過(guò)將半導(dǎo)體芯片與外部電路電連接來(lái)向外部電路提供由半導(dǎo)體芯片執(zhí)行的功能，還可以物理地支撐半導(dǎo)體芯片。
引線框架可以包括其上可安裝半導(dǎo)體芯片的管芯焊盤、可被引線鍵合到半導(dǎo)體芯片的芯片焊盤上的引線、以及可支撐管芯焊盤和引線的框架。
QFP通常可具有裸露引線框架封裝(ELP)結(jié)構(gòu)。引線框架的一部分可暴露在封裝體的外面。具體地，在具有ELP的QFP中，管芯焊盤和引線的下部可在封裝體的底表面上暴露。
傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片封裝可參照?qǐng)D10和11說(shuō)明。
圖10示出傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片封裝的俯視圖，圖11示出沿圖10的線XI-XI′截取的剖視圖。
如圖10和11所示，根據(jù)傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片封裝的半導(dǎo)體芯片封裝可以包括引線框架、半導(dǎo)體芯片50、鍵合線60和可在模塑工藝中使用的密封劑70。引線框架可以包括多個(gè)引線10，其可以沿引線框架的四邊形成；管芯焊盤20，其可以形成在引線框架的中央；以及連接條30，其可以自四邊中的每一邊的邊緣延伸且可以連接在管芯焊盤20上。
半導(dǎo)體芯片50的上表面可以是有源表面，其上可以形成多個(gè)芯片焊盤51，且可以是無(wú)源表面的下表面可粘接在管芯焊盤20的上部。
鍵合線60可以將多個(gè)芯片焊盤51與多個(gè)引線10電連接。
密封劑70可以形成來(lái)封閉半導(dǎo)體芯片50和鍵合線60。鍵合線60的鍵合部分可以用模具通過(guò)模制方法制成。另外，鍵合部分可以由絕緣材料制成。多個(gè)引線10的下表面(引線可以被70完全封閉，如圖11所示)和管芯焊盤20的下表面可以不被密封劑70封閉，且可以暴露在封裝外面。
半導(dǎo)體芯片50可以安裝在管芯焊盤20上。因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片50可以位于管芯焊盤20的上部，所以將半導(dǎo)體芯片50與引線10連接的鍵合線60的長(zhǎng)度至少會(huì)與半導(dǎo)體芯片50的厚度相等。于是，諸如高連接電阻的電特性會(huì)降低。
為了解決上述問(wèn)題，連接條30和管芯焊盤20可以向下彎曲(稱為下置(down-set))，且半導(dǎo)體芯片50可以粘接在下置管芯焊盤20的上部，從而鍵合線60的長(zhǎng)度可減小或最小化。
然而，封裝的以上結(jié)構(gòu)在調(diào)節(jié)封裝的厚度方面具有限制。
于是，通常半導(dǎo)體芯片會(huì)被構(gòu)造為具有更小的厚度，以使半導(dǎo)體芯片封裝的厚度降低或最小化。
然而，隨著半導(dǎo)體芯片減薄，在晶片處理工藝中晶片會(huì)易于折斷。結(jié)果，不能使用切割晶片的鋸開(kāi)裝置。
此外，在完成封裝的制造之后，弱化的半導(dǎo)體芯片會(huì)傾向于被甚至小沖擊所損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體芯片封裝，其具有減小或最小化的厚度，但不降低半導(dǎo)體芯片的厚度。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種無(wú)管芯焊盤的引線框架和一種采用該引線框架的半導(dǎo)體芯片封裝。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種制造半導(dǎo)體芯片封裝的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的一種半導(dǎo)體芯片封裝包括引線框架，其具有沿引線框架的四邊形成的多條引線、以及自四邊中的每一邊的邊緣延伸的連接條，其中連接條的底表面是凹陷的；半導(dǎo)體芯片，其粘接在連接條的凹陷表面上；連接器，其將半導(dǎo)體芯片的上表面上形成的多個(gè)芯片焊盤與該多條引線電連接；以及密封劑，其將半導(dǎo)體芯片的上表面、連接器和連接器的鍵合部分封閉。
在一示例性實(shí)施例中，連接條向上彎曲以具有上置結(jié)構(gòu)(up-set structure)。
在一示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片封裝具有約0.3至0.4mm范圍內(nèi)的總高度。
根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，提供一種引線框架，其包括多條引線，其在引線框架的四邊上形成；以及連接條，其自四邊中的每一邊的邊緣延伸且具有凹陷的底表面。
在示例性實(shí)施例中，連接條向上彎曲，從而具有上置結(jié)構(gòu)。
在示例性實(shí)施例中，引線框架具有約0.18至0.22mm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，提供一種制造半導(dǎo)體芯片封裝的方法，其包括提供引線框架，該引線框架包括多條引線和其底表面凹陷的多條連接條；將半導(dǎo)體芯片粘接到連接條的凹陷表面上，從而半導(dǎo)體芯片的有源表面面向上方；通過(guò)連接器將半導(dǎo)體芯片的有源表面上形成的多個(gè)芯片焊盤與該多條引線電連接；以及封閉半導(dǎo)體芯片的上表面、引線框架的上部、連接器和連接器的鍵合部分，從而露出該多條引線的下表面和該半導(dǎo)體芯片的下表面。
在提供引線框架后，在一示例性實(shí)施例中，該方法還包括使用模具使連接條上置，從而連接條向上彎曲。


通過(guò)參照附圖對(duì)本發(fā)明示例性實(shí)施例的說(shuō)明，本發(fā)明將變得更清楚，其中圖1是俯視圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的引線框架；圖2示出沿圖1的線II-II′截取的剖視圖；圖3是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的引線框架；圖4是俯視圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝；圖5A和5B示出沿圖4的線V-V′截取的剖視圖；圖6A和6B是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝；圖7A是俯視圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝形成順序中的第一工序，圖7B示出沿圖7A的線VII-VII′截取的剖視圖；圖8示出圖7B的工序之后的工序中制造的半導(dǎo)體芯片封裝的剖視圖；圖9A示出圖8的工序之后的工序中制造的半導(dǎo)體芯片封裝的俯視圖，圖9B示出沿圖9A的線IX-IX′截取的剖視圖；圖10是示出傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片封裝的俯視圖；以及圖11示出沿圖10的線XI-XI′截取的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
通過(guò)參照以下對(duì)示例性實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明和附圖，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征、以及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法將更易于理解。但是，本發(fā)明可以以多種不同的形式實(shí)施，且不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為限于此處提及的示例性實(shí)施例。更確切地，提供這些示例性實(shí)施例，使得本公開(kāi)詳盡而完整，且將本發(fā)明的思想充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，且本發(fā)明將僅由所附權(quán)利要求限定。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
參照?qǐng)D1和2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的引線框架的結(jié)構(gòu)。
圖1是俯視圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的引線框架，圖2示出沿圖1的線II-II′截取的剖視圖。
如圖1和2所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的引線框架可通過(guò)金屬板的蝕刻加工和/或壓力加工形成。引線框架可包括多條引線100，其可沿引線框架的四條邊形成；以及連接條200，其可自四條邊中的每一條邊的邊緣延伸。
連接條200可通過(guò)選擇性蝕刻工藝形成，其可以是半蝕刻(half etching)。
例如，當(dāng)引線框架的厚度是0.2mm時(shí)，每個(gè)連接條200的底表面可凹進(jìn)約0.1mm。
此外，連接條200可以向上彎曲，即具有凹陷部分的連接條200可以按上置布置的方式從中心部分向周圍邊緣部分延伸，使得連接條200的周圍邊緣部分的厚度可小于連接條200的中心部分的厚度。
此構(gòu)造可提供一空間，使得半導(dǎo)體芯片能粘接在連接條200的下表面上。
因?yàn)檫B接條可以在其底表面上凹陷且可具有上置結(jié)構(gòu)，所以可以確保半導(dǎo)體芯片能粘接到連接條200的下表面上的空間，而不必提供管芯焊盤。結(jié)果，半導(dǎo)體芯片封裝的總尺寸可減小。
接著，參考圖3說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的引線框架的結(jié)構(gòu)。
圖3是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的引線框架。
如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的本示例性實(shí)施例的引線框架可以通過(guò)金屬板的蝕刻加工和/或壓力加工以與前述示例性實(shí)施例相似的方式形成。引線框架可以包括多條引線，其可沿引線框架的四邊形成；以及連接條200，其可自四邊中每一邊的邊緣延伸。
凹陷區(qū)域可利用半蝕刻和/或類似的工藝形成在連接條200的下表面上，以確保粘接半導(dǎo)體芯片的空間。
因此，除連接條200不需要上置外，根據(jù)本發(fā)明的本示例性實(shí)施例的引線框架的結(jié)構(gòu)可與根據(jù)本發(fā)明的前述示例性實(shí)施例的引線框架的結(jié)構(gòu)相似。
參照?qǐng)D4、5A和5B詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的結(jié)構(gòu)。
圖4是俯視圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝；圖5A和5B示出沿圖4的線V-V′截取的剖視圖。
如圖4、5A和5B所示，根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝可包括引線框架、半導(dǎo)體芯片500、鍵合線600和密封劑700。引線框架可包括可沿引線框架的四邊形成的多條引線100。連接條200還可自四邊中每一邊的邊緣延伸。密封劑700可用于模塑工藝。
引線框的連接條200可通過(guò)選擇性蝕刻工藝形成，該蝕刻工藝可以是半蝕刻。例如，如果引線框架的厚度是0.2mm，則連接條200的底表面可以凹進(jìn)約0.1mm。
半導(dǎo)體芯片500可粘接在連接條200的下部蝕刻表面上。連接條200的從連接條200的中部至端部的部分(半導(dǎo)體芯片500可粘接在其上)可向上彎曲，即上置，從而確保封裝中用于半導(dǎo)體芯片500的空間。
半導(dǎo)體芯片500的其上可粘接連接條200的上表面可以是有源表面，在該有源表面上可形成多個(gè)芯片焊盤510。連接條200可以粘接在半導(dǎo)體芯片500的有源表面的邊緣部分上，在該部分未形成芯片焊盤510。
在一示例性實(shí)施例中，芯片焊盤510可具有邊緣形式的焊盤結(jié)構(gòu)，其中芯片焊盤510可沿半導(dǎo)體芯片500的四條邊形成。芯片焊盤510也可以具有一種邊緣形式的焊盤結(jié)構(gòu)，其中芯片焊盤510可在半導(dǎo)體芯片500的兩條邊上形成。此外，芯片焊盤510可具有中心形式的焊盤結(jié)構(gòu)，其中芯片焊盤510可形成在半導(dǎo)體芯片500的中心部分。
絕緣粘接劑可用于將半導(dǎo)體芯片500粘接在連接條200上。液相、b級(jí)或膜型粘接劑可用作該絕緣粘接劑。b級(jí)粘接劑可為液態(tài)和固態(tài)之間的中間態(tài)。
鍵合線600可將多個(gè)芯片焊盤510與多條引線100電連接。在一示例性實(shí)施例中，鍵合線600可由Au、Au-Al合金、Au-Pd合金等制成。
球形接點(diǎn)(ball bond)可形成在鍵合線600上，其可鍵合到半導(dǎo)體芯片500的芯片焊盤510和引線100二者上。此外，球形接點(diǎn)可形成在鍵合線600上，其可鍵合到芯片焊盤510和引線100中的一個(gè)上；針腳接點(diǎn)(stitch bond)可形成在鍵合線600上，其鍵合到芯片焊盤510和引線100中的另一個(gè)上，其上可不形成球形接點(diǎn)。具有針腳形狀的針腳接點(diǎn)可通過(guò)壓制鍵合線600的鍵合表面等形成。具有球形的球形接點(diǎn)可形成在鍵合線600的鍵合表面。密封劑700可由諸如環(huán)氧樹(shù)脂模塑料(epoxy molding compound)(EMC)的絕緣材料制成。采用利用模具的模塑法，密封劑700可封閉半導(dǎo)體芯片500的上表面和側(cè)表面(不包括下表面)、除多條引線100的下表面外的引線框架的所有部分、鍵合線600、以及鍵合線600的鍵合部分。
在此情形下，半導(dǎo)體芯片500的上表面、鍵合線600、以及鍵合線600的鍵合部分需用絕緣材料封閉。
引線框架可由銅和/或銅合金制成。在一示例性實(shí)施例中，引線框架的諸如引線100的下表面的部分(其不被封閉)可覆蓋以難以氧化和/或具有高電導(dǎo)率的材料，例如Sn-Pb合金、Pd-Au合金和Ag-Au合金。
此外，引線100的暴露的下表面可用于將外部基板與封裝電連接。半導(dǎo)體芯片500的下表面可以露出，從而半導(dǎo)體芯片500中產(chǎn)生的熱可有效消散。
如圖5B所示，散熱效果可通過(guò)例如在半導(dǎo)體芯片500的下表面上額外包括散熱裝置900來(lái)提高。具有上述構(gòu)造的半導(dǎo)體芯片封裝可具有0.3-0.4mm的厚度。
在根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝中，因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片可容納在無(wú)管芯焊盤的引線框架中且半導(dǎo)體芯片的下表面暴露，所以封裝的厚度可降低和/或可獲得散熱效果。
根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的結(jié)構(gòu)將參照?qǐng)D6A和6B得以說(shuō)明。
圖6A和6B是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝。
如圖6A和6B所示，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝可包括含多條引線和連接條200的引線框架、半導(dǎo)體芯片500、鍵合線600和/或密封劑700。
半導(dǎo)體芯片500可粘接在引線框架的連接條200的下表面上。凹陷區(qū)域可通過(guò)半蝕刻形成在連接條200的下表面上，從而在封裝中為粘接半導(dǎo)體芯片500提供空間。
如圖6B所示，散熱效果可通過(guò)例如在半導(dǎo)體芯片500的下表面上額外包括散熱裝置900來(lái)提高。
除了連接條不必上置外，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的構(gòu)造可與半導(dǎo)體芯片封裝的前述示例性實(shí)施例相似。因此，根據(jù)本發(fā)明的本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝可具有與根據(jù)前述示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝相似的效果和/或優(yōu)點(diǎn)。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D7A至9B和圖4、5A和5B說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的制造方法。
圖7A是俯視圖，示出用于形成根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的示例性工藝，圖7B是沿圖7A的線VII-VII′截取的剖視圖。
如圖7A和7B所示，首先可形成引線框架。引線框架可包括多條引線100，其可沿引線框架的四邊形成；以及連接條200，其可自四邊中的每一邊的邊緣延伸，且可通過(guò)金屬板的蝕刻加工或壓力加工形成。
連接條200可通過(guò)選擇性蝕刻工藝半蝕刻，從而具有與引線框架厚度的約一半相當(dāng)?shù)暮穸?。籍此，凹陷區(qū)域可形成在連接條200的下表面。
圖8示出由圖7B所示工序之后進(jìn)行的工序制造的半導(dǎo)體芯片封裝的剖視圖。
如圖8所示，連接條的自連接條200的中部至端部的部分可向上彎曲，即上置。通過(guò)用例如模具(die)的工具向上壓連接條200的下表面，可形成連接條200的上置部分。
圖9A示出經(jīng)歷了圖8所示的工序之后的工序后的半導(dǎo)體芯片封裝的俯視圖，圖9B示出沿圖9A的線IX-IX′截取的剖視圖。
如圖9A和9B所示，半導(dǎo)體芯片500可用絕緣粘接劑粘接在上置連接條的下表面上。
半導(dǎo)體芯片500的其上可粘接連接條200的上表面可為有源表面，在該有源表面上可形成多個(gè)芯片焊盤510。連接條200可粘接在有源表面的其上不形成芯片焊盤510的邊緣部分上。液相、b級(jí)或膜型粘接劑可用作絕緣粘接劑。例如，b級(jí)粘接劑可以是液態(tài)和固態(tài)之間的中間態(tài)粘接劑。
接著，可用鍵合線600來(lái)進(jìn)行引線鍵合工藝，從而將可形成在半導(dǎo)體芯片500的上表面上的芯片焊盤510與引線100電連接。在一示例性實(shí)施例中，用于將多個(gè)芯片焊盤510與多條引線100電連接的鍵合線600可由Au、Au-Al合金、Au-Pd合金和/或類似物制成。
此外，球形接點(diǎn)可形成在鍵合線600上，半導(dǎo)體芯片500的芯片焊盤510和引線100二者可粘附在其上。球形接點(diǎn)可形成在鍵合線600上，其可鍵合到芯片焊盤510和引線100中的一個(gè)上；針腳接點(diǎn)可形成在鍵合線600上，其可鍵合到其上未形成球形接點(diǎn)的另一個(gè)上。
再參見(jiàn)圖4、5A和5B，采用利用模具的模塑法，密封劑700可封閉半導(dǎo)體芯片500的上表面和側(cè)表面(不包括下表面)、除多條引線100的下表面外的引線框架的所有部分、鍵合線600、以及鍵合線600的鍵合部分。密封劑700可由諸如EMC的絕緣材料制成。
引線框架可由銅或銅合金形成。在一示例性實(shí)施例中，引線框架的不被環(huán)氧模塑樹(shù)脂(EMC)封閉的部分在形成引線框架的同時(shí)可覆蓋以更難以氧化和/或具有高導(dǎo)電率的材料，例如Sn-Pb合金、Pd-Au合金和/或Ag-Au合金。
在一優(yōu)選實(shí)施例中，引線框架可以具有約0.18至0.22mm的厚度。
在一優(yōu)選實(shí)施例中，每個(gè)連接條的凹陷部分被蝕刻成具有小于引線框架的厚度的一半的厚度。
如上所述，雖然在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的制造方法中僅示出了一個(gè)封裝，但通?？梢园磁康姆绞酵瑫r(shí)加工多個(gè)封裝，例如以帶形形式制造，且可以通過(guò)之后進(jìn)行的單個(gè)化工藝(singulationprocess)將其分割成單獨(dú)的封裝。
單個(gè)化方法可通過(guò)采用模具沖制和/或鋸片等的分割工藝來(lái)進(jìn)行。
雖然已經(jīng)參照附圖通過(guò)其示例性實(shí)施例具體顯示和說(shuō)明了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，在不脫離如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，可對(duì)其作形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。例如，雖然本發(fā)明的示例性實(shí)施例示出了四條邊，每條邊均包括引線和連接條，但是引線和連接條可設(shè)置在比所有四條邊更少的邊上。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片可粘接在底表面凹陷的連接條的下表面上，不需要單獨(dú)的管芯焊盤，所以半導(dǎo)體芯片封裝的厚度可降低或最小化。此外，用于容納半導(dǎo)體芯片的空間可通過(guò)一個(gè)或更多個(gè)上置連接條來(lái)提供。半導(dǎo)體芯片的下表面可極大地暴露，從而半導(dǎo)體芯片的散熱可得到改善。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片封裝，包括引線框架，其具有沿該引線框架的四邊形成的多條引線、以及自該四邊中的每一邊的邊緣延伸的連接條，其中該連接條的底表面是凹陷的；半導(dǎo)體芯片，其粘接在該連接條的凹陷表面上；連接器，其將該半導(dǎo)體芯片的上表面上形成的多個(gè)芯片焊盤與該多條引線電連接；以及密封劑，其將該半導(dǎo)體芯片的該上表面、該連接器和該連接器的鍵合部分封閉。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片封裝，其中該多條引線的下表面暴露在該封裝外面。
3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片封裝，其中該半導(dǎo)體芯片的該下表面暴露在該封裝外面。
4.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體芯片封裝，其中該連接條向上彎曲從而具有上置結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片封裝，其中該連接器是鍵合線。
6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片封裝，其中該密封劑是環(huán)氧模塑樹(shù)脂(EMC)。
7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片封裝，其中該引線框架的未被封閉的部分覆蓋有自Sn-Pb合金、Pd-Au合金和Ag-Au合金構(gòu)成的組中選出的導(dǎo)電抗氧化材料。
8.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片封裝，還包括粘附在該半導(dǎo)體芯片的該暴露的下表面上的散熱裝置。
9.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片封裝，其中該封裝的總高度在約0.3至約0.4mm的范圍內(nèi)。
10.一種引線框架，包括多條引線，其形成在該引線框架的四邊；以及連接條，其自該四邊中的每一邊的邊緣延伸且具有凹陷的底表面。
11.如權(quán)利要求10的引線框架，其中該連接條向上彎曲，從而具有上置結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11的引線框架，其中該引線框架具有約0.18至約0.22mm的厚度。
13.如權(quán)利要求12的引線框架，其中每個(gè)連接條的該凹陷部分被蝕刻成具有小于該引線框架的厚度的一半的厚度。
14.一種制造半導(dǎo)體芯片封裝的方法，包括提供引線框架，該引線框架具有多條引線和連接條，其中所述連接條的底表面是凹陷的；將半導(dǎo)體芯片粘接到該連接條的該凹陷表面上，從而該半導(dǎo)體芯片的有源表面面向上方；將該半導(dǎo)體芯片的該有源表面上形成的多個(gè)芯片焊盤與該多條引線電連接；封閉該半導(dǎo)體芯片的上表面、該引線框架的上表面、該連接器和該連接器的鍵合部分，從而暴露該多條引線的下表面和該半導(dǎo)體芯片的下表面。
15.如權(quán)利要求14的方法，還包括在提供該引線框架后，用模具使該連接條上置，從而該連接條向上彎曲。
16.如權(quán)利要求14的方法，還以自Sn-Pb合金、Pd-Au合金和Ag-Au合金構(gòu)成的組中選出的導(dǎo)電抗氧化材料覆蓋該引線框架的未被封閉的部分。
17.如權(quán)利要求14的方法，其中該封裝的總高度在約0.3至約0.4mm的范圍內(nèi)。
18.如權(quán)利要求14的方法，其中該多條引線和該半導(dǎo)體芯片的該下表面暴露在該封裝外面。
19.如權(quán)利要求18的方法，還包括粘附在該半導(dǎo)體芯片的該暴露的下表面上的散熱裝置。
20.如權(quán)利要求14的方法，其中該引線框架具有約0.18至約0.22mm的厚度。
21.如權(quán)利要求20的方法，其中每個(gè)連接條的該凹陷部分被蝕刻成具有小于該引線框架的厚度的一半的厚度。
22.如權(quán)利要求14的方法，其中該連接器是鍵合線。
23.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片封裝，其中在該四邊中的每一邊，該引線框架延伸超出該引線。
24.如權(quán)利要求10的引線框架，其中在該四邊中的每一邊，該引線框架延伸超出該引線。
25.如權(quán)利要求14的方法，其中該引線框架延伸超出該引線。
全文摘要
本發(fā)明涉及引線框架、半導(dǎo)體芯片封裝和制造該半導(dǎo)體芯片封裝的方法。其中半導(dǎo)體芯片封裝具有引線框架，其具有沿該引線框架的四邊形成的多條引線、以及自該四邊中的每一邊的邊緣延伸的連接條，其中該連接條的底表面是凹陷的；半導(dǎo)體芯片，其粘接在該連接條的凹陷表面上；連接器，其將該半導(dǎo)體芯片的上表面上形成的多個(gè)芯片焊盤與該多條引線電連接；以及密封劑，其將該半導(dǎo)體芯片的該上表面、該連接器和該連接器的鍵合部分封閉。
文檔編號(hào)H01L21/50GK1652314SQ20051000623
公開(kāi)日2005年8月10日 申請(qǐng)日期2005年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月4日
發(fā)明者尹漢信, 金賢基 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社