專利名稱：低頻細(xì)晶陶瓷電容器介質(zhì)材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于陶瓷電容器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及到低頻超薄介質(zhì)層多層陶瓷電容器高介電系數(shù)陶瓷介質(zhì)材料配方粉體的制備方法，及進(jìn)一步制備成介質(zhì)陶瓷的方法。
背景技術(shù)：
多層陶瓷電容器(簡(jiǎn)稱MLCCs)是將陶瓷胚膜與電極以多層交替形式并聯(lián)疊合經(jīng)過(guò)共燒而成的陶瓷元件。根據(jù)國(guó)際電子工業(yè)協(xié)會(huì)EIA標(biāo)準(zhǔn)，X7R型MLCC是指在-55℃～125℃的溫度區(qū)間內(nèi)，相對(duì)于25℃時(shí)的電容量的容溫變化率(TCC)≤±15％、介質(zhì)損耗≤2.5％的一類MLCCs；Y5V型MLCC是指在-30℃～85℃的溫度區(qū)間內(nèi)，相對(duì)于25℃時(shí)的電容量的容溫變化率≤+22％或者-82％、介質(zhì)損耗≤2.5％的一類MLCCs。它們是目前世界上用量最大、發(fā)展最快的兩類陶瓷電容器。由于制造和應(yīng)用環(huán)境保護(hù)要求，鈦酸鋇(BT)或鋯鈦酸鋇(BZT)基陶瓷MLCCs已經(jīng)成為當(dāng)今的主流產(chǎn)品。
通信電子整機(jī)等移動(dòng)電子產(chǎn)品的高速發(fā)展極大地促進(jìn)了片式多層陶瓷電容器的研究和開(kāi)發(fā)。MLCCs已向小型片式化、大容量化、低成本化以及集成化方向發(fā)展。特別是1～100μF高容量MLCCs在LSI的應(yīng)用，除了提高陶瓷材料的介電系數(shù)，在工藝上需要制造出厚度更薄的陶瓷介質(zhì)層，將MLCCs表面貼裝元件的陶瓷介質(zhì)膜厚度設(shè)計(jì)和做成小于3μm厚度已經(jīng)成為新一代MLCCs的主要發(fā)展方向。因?yàn)闉榱诉_(dá)到足夠好的絕緣性能，要求介質(zhì)層兩電極之間至少含有5～10個(gè)晶粒。這就要求介質(zhì)材料晶粒的尺寸要足夠小，例如100～200nm，分布足夠的均勻。目前國(guó)內(nèi)工業(yè)生產(chǎn)主要還是沿用氧化物固相反應(yīng)法合成介質(zhì)陶瓷粉體和制備MLCCs。這種工藝方法主要還是通過(guò)球磨方法來(lái)達(dá)到混料，也達(dá)到進(jìn)一步降低粉體顆粒度和優(yōu)化分布，要用以達(dá)到制備介質(zhì)層厚度3微米以下，如1.5μm的介質(zhì)層MLCCs是極其困難的。在國(guó)內(nèi)MLCCs生產(chǎn)產(chǎn)家先是使用共沉淀法制備的BT粉體，近年又開(kāi)始推廣應(yīng)用水熱法工藝制備的BT粉體(簡(jiǎn)稱水熱BT粉體)于已有的氧化物固相反應(yīng)法技術(shù)生產(chǎn)MLCCs。為了適應(yīng)國(guó)內(nèi)原有生產(chǎn)技術(shù)，水熱BT粉體要先經(jīng)過(guò)高溫煅燒進(jìn)行晶相轉(zhuǎn)變?cè)俳?jīng)過(guò)粉碎，所以煅燒后的粉體晶粒尺寸一般在500nm～1μm或者1μm以上，工業(yè)上一直未直接使用水熱納米晶(準(zhǔn)立方相)BT粉體來(lái)制造MLCCs。例如專利公開(kāi)號(hào)為1461023中國(guó)專利，在其氧化物固相反應(yīng)法工藝中所使用的水熱BT粉體的晶粒的局限尺寸達(dá)到500nm。必要指出的是，雖然目前工業(yè)界已經(jīng)應(yīng)用了化學(xué)方法制備的BT粉體為主晶相粉體，粉體在分散性和粒度分布上得到了較大程度的改善，但是瓷料制備方法仍然沿用了氧化物固相反應(yīng)法的傳統(tǒng)工藝。國(guó)內(nèi)在制造Y5V型MLCCs時(shí)仍然使用預(yù)合成BT粉體或者經(jīng)過(guò)煅燒的水熱BT粉體為主晶相材料，再添加鋯酸鋇(BZ)燒塊來(lái)實(shí)現(xiàn)改性效果，而不直接利用未經(jīng)過(guò)高溫煅燒和再粉碎的水熱納米晶(準(zhǔn)立方相)BZT粉體為主晶相來(lái)制造Y5V型MLCCs。例如，在專利公開(kāi)號(hào)為1402275中國(guó)專利中，制造Y5V型MLCCs時(shí)，使用了煅燒過(guò)的水熱BT粉體外加鋯酸鋇(BZ)燒塊來(lái)作為主晶相，而在瓷料制備方法上仍然沿用了氧化物固相反應(yīng)法的傳統(tǒng)工藝。該專利所述加工工藝在國(guó)內(nèi)這類瓷料及MLCCs的生產(chǎn)中仍具有代表性。因此，根據(jù)片式多層陶瓷電容器的需求和發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，從文獻(xiàn)檢索和國(guó)內(nèi)MLCCs的研究和生產(chǎn)現(xiàn)狀分析，在制備介質(zhì)材料時(shí)對(duì)主晶相粉體細(xì)度與分布均勻性以及改性雜質(zhì)與主晶相粉體的混合水平的要求就變得至關(guān)重要?？梢?jiàn)，除了對(duì)主晶相粉體的要求之外，對(duì)改性雜質(zhì)與主晶相粉體的混和方式，即配方方法也就提出了更高的要求。只有這樣才能夠滿足制備超薄介質(zhì)層的需要。最近，在制備方法上雖然有人提出將其中部分改性雜質(zhì)組分通過(guò)溶膠-凝膠方法預(yù)合成為復(fù)合添加料，再用氧化物固相反應(yīng)法的球磨混料方法來(lái)達(dá)到改性效果，但是還是仍然沒(méi)有突破球磨混料和預(yù)燒的氧化物固相反應(yīng)法的傳統(tǒng)工藝水平。以往的研究表明，當(dāng)介質(zhì)層的厚度低于500nm時(shí)，介電系數(shù)明顯降低；當(dāng)介質(zhì)層的厚度低于200nm時(shí)，介電系數(shù)不到2000。因此，對(duì)于超薄介質(zhì)層的制備，尤其是對(duì)于利用絲網(wǎng)印刷成膜工藝成型方法，要做到細(xì)晶又保持高的介電系數(shù)，同時(shí)能夠準(zhǔn)確控制材料的組成、微結(jié)構(gòu)、相結(jié)構(gòu)和介電性能就成為本發(fā)明要解決的主要問(wèn)題。細(xì)晶高介電系數(shù)陶瓷介質(zhì)材料上述相關(guān)問(wèn)題的解決也有利于厚膜集成技術(shù)和大電容量超小型片式陶瓷電容器的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種低頻細(xì)晶電容器介質(zhì)材料配方粉體的制備方法，以及進(jìn)一步制備成介質(zhì)陶瓷的方法。所得介質(zhì)陶瓷細(xì)晶且保持高的介電系數(shù)，同時(shí)能夠準(zhǔn)確控制材料的組成、微結(jié)構(gòu)、相結(jié)構(gòu)和介電性能。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明采用以下的技術(shù)方案該陶瓷電容器介質(zhì)材料配方粉體的制備方法，以水熱鈦酸鋇或者鋯鈦酸鋇納米晶粉體為主晶相成分，以金屬離子鰲合物為前驅(qū)物的改性成分，其特征在于包括如下步驟A、分散主晶相粉體利用水溶性分散劑分散主晶相粉體成料漿；B、制備前驅(qū)溶液分別將所述改性成分各金屬離子的氫氧化物、水合氧化物或者硝酸鹽制成檸檬酸或檸檬酸-EDTA絡(luò)合溶液或螯合溶液；C、制備復(fù)合螯合溶液在強(qiáng)力機(jī)械攪拌下，將B步驟所得各金屬元素的前驅(qū)溶液混合均勻成為復(fù)合螯合溶液；D、制備配方粉體將C步驟所述復(fù)合螯合溶液和A步驟所述主晶相粉體料漿充分混合成為固相含量達(dá)到15～25wt％的溶液或溶膠，調(diào)節(jié)混合液pH值至9～11，加熱至轉(zhuǎn)變?yōu)闈衲z；濕凝膠經(jīng)真空干燥轉(zhuǎn)變?yōu)楦赡z，研磨后熱分解至完全排除凝膠中所含有機(jī)成分，得到改性氧化物與主晶相晶粉體均勻混合或者包覆的配方粉體。
其中，A步驟中所述主晶相粉體為準(zhǔn)立方相水熱鈦酸鋇、準(zhǔn)立方相或菱方相水熱鋯鈦酸鋇粉體，晶粒尺寸為30nm～100nm，主晶相摩爾數(shù)為96～98.5mol％；所述分散劑包括小分子量無(wú)機(jī)電解質(zhì)、小分子量聚合物或氨化有機(jī)酸。
B步驟中所述改性成分金屬元素至少含有Li、Zn、Sr、Mg、Ca、Y、Al、Sb、Bi、Sc、Si、Ti、Ta、Nb、Co、Ni、Mn和鑭系元素中的四種。對(duì)于金屬元素Nb，用水合Nb2O5制成0.02～0.05mol/L的Nb的檸檬酸鹽絡(luò)合溶液；對(duì)于其它金屬元素，用它們的水合氧化物或者硝酸鹽制成0.02～0.10mol/L的檸檬酸-EDTA絡(luò)合溶液或螯合溶液。
所述前驅(qū)液在充分?jǐn)嚢韬蜏囟葹?0～95℃條件下進(jìn)行制備，溶液的pH值控制在7～10之間。
步驟D中所述混合溶液在50～95℃溫度下水浴加熱至轉(zhuǎn)變?yōu)闈衲z，所述濕凝膠轉(zhuǎn)變?yōu)楦赡z的真空干燥溫度為25～80℃；所述熱分解溫度為550～700℃；上述方法所得配方粉體進(jìn)一步制備成介質(zhì)陶瓷的方法如下(1)、依上述方法制得配方粉體；(2)、所得配方粉體加入有機(jī)載體成型胚膜；(3)、所得胚膜經(jīng)過(guò)干燥、排膠和燒結(jié)成陶瓷介質(zhì)層膜。
作為一種改進(jìn)，所得配方粉體用水溶性分散劑進(jìn)行分散處理形成料漿后再加入有機(jī)載體成型胚膜。在燒結(jié)過(guò)程中，當(dāng)溫度在950℃～1280℃時(shí)，升溫速率控制在450～1000℃/小時(shí)。
用本發(fā)明的工藝方法制備配方粉體介質(zhì)材料，組成簡(jiǎn)單，組成、微結(jié)構(gòu)、相結(jié)構(gòu)和介電性能嚴(yán)格可控，尤其適用于超薄介質(zhì)層的制備和絲網(wǎng)印刷成膜工藝；與氧化物固相反應(yīng)法比較，工藝中免除了混料球磨、預(yù)燒等耗能工藝，尤其是可以直接使用水熱合成BT、BZT納米晶粉體，免除了水熱主晶相粉體的煅燒和晶相轉(zhuǎn)變等耗能工藝，節(jié)省能源、開(kāi)支、避免因球磨帶來(lái)的第二次有害雜質(zhì)的引入和因煅燒和球磨引起的團(tuán)聚現(xiàn)象。
通過(guò)控制燒結(jié)過(guò)程的升溫速率，可以控制陶瓷中晶粒尺寸生長(zhǎng)在一定范圍內(nèi)，并獲得優(yōu)良的電學(xué)性能。對(duì)于以水熱納米晶BT為主晶相粉體的改性陶瓷滿足X7R標(biāo)準(zhǔn)的要求，晶粒尺寸可以控制在100～1000nm的范圍內(nèi)，且材料工藝性能穩(wěn)定，可靠性高，適合于制造大容量或超薄介質(zhì)層(例如介質(zhì)層厚度小于3微米)的多層陶瓷電容器或片式大電容量陶瓷電容器。對(duì)于以水熱納米晶BZT為主晶相粉體的改性陶瓷滿足Y5V標(biāo)準(zhǔn)的要求，晶粒尺寸可以控制在100～2000nm的范圍內(nèi)。材料工藝性能穩(wěn)定，可靠性高，適合于制造大容量薄介質(zhì)層的多層陶瓷電容器或者片式大電容量陶瓷電容器。


圖1為實(shí)施例1的陶瓷燒結(jié)樣品的SEM電鏡照片。
圖2為實(shí)施例1的陶瓷燒結(jié)樣品的介電系數(shù)溫度特性。
圖3為實(shí)施例1的陶瓷燒結(jié)樣品的TCC特性。
圖4為實(shí)施例2中陶瓷燒結(jié)樣品的介電系數(shù)溫度特性。
圖5為實(shí)施例2中陶瓷燒結(jié)樣品的TCC特性。
具體實(shí)施例方式
下面以實(shí)施例子具體說(shuō)明與本發(fā)明有關(guān)的實(shí)施方案，僅僅是用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方案的有限例子，并不限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的全部范圍體現(xiàn)在前面的各項(xiàng)權(quán)利要求中。
實(shí)施例1本實(shí)施例以粒徑為30nm～100nm的水熱BT納米晶粉體為主晶相成分，用下面的組成和制備工藝方法制備溫度特性符合EIA-X7R標(biāo)準(zhǔn)的陶瓷介質(zhì)材料配方粉體及進(jìn)一步制成介質(zhì)陶瓷。
在溫度為50～95℃時(shí)，先用水合氧化鈮配制成0.04mol/L檸檬酸鰲合溶液，用鑭和鎂、鋅、鈷、錳的硝酸鹽或水合氧化物分別配制成0.04mol/L和0.03mol/L的檸檬酸-EDTA鰲合溶液，在50～95℃溫度下用氨水控制pH值為7～10。按照0.5mol％ZnO、0.5mol％La2O3、0.2mol％MgO、0.50mol％Nb2O5、0.4mol％CoO、0.2mol％Mn的改性氧化物成分配比，將它們充分混合配制成金屬離子復(fù)合鰲合溶液A備用；在強(qiáng)力攪拌下，按照0.75mol％SiO2組成，用水玻璃溶于水熱納米晶BaTiO3粉體水溶液中，待凝膠化后用蒸餾水多次洗滌，并以含有分散劑氨化有機(jī)酸的料漿B形式存放備用；在溫度為50～95℃時(shí)將含有其它全部改性成分金屬離子的復(fù)合鰲合溶液A與上述包覆了水合SiO2的BaTiO3粉體稀料漿B充分混合成為固相含量達(dá)到15-25wt％(重量百分?jǐn)?shù))的溶液，用氨水調(diào)節(jié)溶液的pH值于9～11，待溶液逐漸凝膠化后，經(jīng)過(guò)真空干燥，在550～650℃的溫度下進(jìn)行熱分解徹底排除粉體中的有機(jī)成分，用氨化有機(jī)酸分散劑對(duì)粉體進(jìn)行分散處理成配方粉體料漿C形式存放備用。
上述方法制備的配方粉體料漿C與PVA粘合劑充分混和，用軋膜的方法成膜，排膠后以500℃/小時(shí)的升溫速率從950℃升至1240℃燒結(jié)成陶瓷介質(zhì)膜，晶粒平均尺寸約為100nm，陶瓷燒結(jié)體的典型SEM形貌見(jiàn)圖1。在介質(zhì)膜兩主平面上絲網(wǎng)印刷上電極。介質(zhì)層的介電特性測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表1，介電系數(shù)溫度特性和容溫系數(shù)TCC特性分別見(jiàn)圖2和3。所述介質(zhì)陶瓷材料的室溫介電系數(shù)為3600，在-55～125℃范圍內(nèi)的TCC為+4.5％～-14.7％，介質(zhì)損耗小于2％，絕緣電阻率大于1012Ωcm，材料性能符合ELA-X7R標(biāo)準(zhǔn)。
表1樣燒結(jié)條件 介電常數(shù) TCC(％) 介電常數(shù) 介電常數(shù) TCC(％) tgδ(25℃) ρ(25℃)品 -55℃ 25℃125℃ (％) (Ωcm)BT1 快燒燒結(jié) 3115 -13.5 3600 3073-14.7 1.40 ≥1012實(shí)施例2本實(shí)施例以粒徑為30nm～100nm的水熱BZT納米晶粉體為主晶相成分，根據(jù)表2中的改性氧化物配方組成，用下面的工藝方法制備介質(zhì)陶瓷膜，其電學(xué)測(cè)試性能也列于表2中。由表可見(jiàn)，所列配方瓷料滿足EIA-Y5V標(biāo)準(zhǔn)。下面按照表2中所列BZT1組分作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，表中其它組分的制備方法與此相同。
在溫度為50～95℃和pH值在7-9條件下，先用水合氧化鈮配制成0.04mol/L的檸檬酸鰲合水溶液，將釔、鎂、鋅、鎳、錳的硝酸鹽或者水合氧化物分別配制成0.03mol/L的檸檬酸或者檸檬酸-EDTA鰲合水溶液，并按照表2中配方BZT1～BZT4中任一組所列改性氧化物成分配比，將它們充分混合配制成金屬離子復(fù)合鰲合溶液A備用；在溫度為50～95℃時(shí)，將所述金屬離子復(fù)合鰲合溶液A與水熱納米晶Ba(Zr0.15Ti0.85)O3粉體充分混合成為固相含量達(dá)到15～25wt％的水溶液，用氨水調(diào)節(jié)溶液的pH值于9～11，待溶液逐漸凝膠化后，進(jìn)行真空干燥，在550～700℃的溫度下進(jìn)行熱分解排除粉體中的有機(jī)成分，用氨化有機(jī)酸分散劑對(duì)粉體進(jìn)行分散處理成配方粉體料漿B形式存放備用。
所得配方粉體料漿B與PVA粘合劑充分混和，用軋膜的方法成膜，排膠后以650℃/小時(shí)的升溫速率從950℃升至1280℃燒結(jié)成陶瓷介質(zhì)膜。在介質(zhì)膜兩主平面上絲網(wǎng)印刷上電極。介質(zhì)層的介電特性詳細(xì)測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表3，介電系數(shù)和容溫系數(shù)TCC溫度特性見(jiàn)圖4和5。所述介質(zhì)陶瓷材料的室溫介電系數(shù)為23159，在-55～125℃范圍內(nèi)的TCC為+0～-74％，介質(zhì)損耗小于2.3％，絕緣電阻率大于1012Ωcm，符合ELA-Y5V型陶瓷電容器的標(biāo)準(zhǔn)。
表2樣 Nb2O5Y2O3La2O3ZnO CaO MgO NiO MnO 介電常數(shù) TCC(％)品mol％25℃ Max MinBZT10.25 0.5 - 0.25 -0.3 0.3 0.223.159 0 -73.7BZT2 - 0.3 0.6 0.2 0.3 0.3 0.3 0.216639 0 -72BZT3 -- 0.6 0.2 1.2- -0.210517 11.6 -41.6BZT40.35 - - 0.35 1.2- -0.59868 13.5 -50.5
表3樣介電常數(shù) TCC(％) 介電常數(shù) 介電常數(shù) TCC(％) tgδ(25℃)ρ(25℃)品燒結(jié)條件-30℃25℃ 85℃ (％) (Ωcm)BZT2 快燒技術(shù)6382 -72.2 23159 6091 -73.71.55 ≥101權(quán)利要求
1.一種低頻細(xì)晶陶瓷電容器介質(zhì)材料的制備方法，以水熱鈦酸鋇或者鋯鈦酸鋇納米晶粉體為主晶相成分，以金屬離子螯合物為前驅(qū)物的改性成分，其特征在于包括如下步驟A、分散主晶相粉體利用水溶性分散劑分散主晶相粉體成料漿；B、制備前驅(qū)溶液分別將所述改性成分各金屬離子的氫氧化物或水合氧化物、硝酸鹽制成檸檬酸或檸檬酸-EDTA絡(luò)合溶液或螯合溶液；C、制備復(fù)合螯合溶液在機(jī)械攪拌下，將B步驟所得各金屬元素的前驅(qū)溶液混合均勻成為復(fù)合螯合溶液；D、制備配方粉體將C步驟所述復(fù)合螯合溶液和A步驟所述主晶相粉體料漿充分混合成為固相含量達(dá)到15～25wt％的溶液或溶膠，調(diào)節(jié)混合液pH值至9～11，加熱至轉(zhuǎn)變?yōu)闈衲z；濕凝膠經(jīng)干燥轉(zhuǎn)變?yōu)楦赡z，再進(jìn)行熱分解排除凝膠中有機(jī)成分，得到改性氧化物與主晶相晶粉體均勻混合或者包覆的配方粉體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于A步驟中所述主晶相粉體為準(zhǔn)立方相水熱鈦酸鋇、準(zhǔn)立方相或菱方相水熱鋯鈦酸鋇粉體，晶粒尺寸為30nm～100nm，主晶相摩爾數(shù)為96～98.5mol％；所述分散劑包括小分子量聚合物、氨化有機(jī)酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于B步驟中所述改性成分金屬元素含有Li、Zn、Sr、Mg、Ca、Y、Al、Sb、Bi、Sc、Si、Ti、Ta、Nb、Co、Ni、Mn和鑭系元素中的至少四種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于在所述B步驟中，對(duì)于改性成分金屬元素Nb，用水合Nb2O5制成0.02～0.05mol/L的Nb的檸檬酸鹽絡(luò)合溶液；對(duì)于其它金屬元素，用它們的水合氧化物或者硝酸鹽制成0.02～0.10mol/L的檸檬酸-EDTA絡(luò)合溶液或螯合溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在所述B步驟中，溫度控制在50～95℃，溶液的pH值控制在7～10之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于步驟D中所述混合溶液在50～95℃溫度下加熱至轉(zhuǎn)變?yōu)闈衲z；所述濕凝膠在真空條件下干燥轉(zhuǎn)變?yōu)楦赡z。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于步驟D中所述熱分解溫度為550～700℃。
8.一種低頻細(xì)晶陶瓷電容器介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于依次包括如下步驟(1)、依權(quán)利要求1所述方法制得配方粉體；(2)、所得配方粉體加入有機(jī)載體成型胚膜；(3)、所得胚膜經(jīng)過(guò)干燥、排膠和燒結(jié)，成陶瓷介質(zhì)層膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所得配方粉體用水溶性分散劑進(jìn)行分散處理形成料漿后再加入有機(jī)載體成型胚膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于(3)步驟所述燒結(jié)過(guò)程中，當(dāng)溫度在950℃～1280℃時(shí)，升溫速率控制在450～1000℃/小時(shí)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種低頻細(xì)晶電容器介質(zhì)材料配方粉體的制備方法，以及進(jìn)一步制備成介質(zhì)陶瓷的方法。該陶瓷電容器介質(zhì)材料配方粉體的制備方法，以水熱鈦酸鋇或者鋯鈦酸鋇納米晶粉體為主晶相成分，以金屬離子鰲合物為前驅(qū)物的改性成分，經(jīng)過(guò)分散主晶相粉體、制備前驅(qū)溶液、制備復(fù)合螯合溶液、制備配方粉體、成型胚膜、干燥、排膠和燒結(jié)，得陶瓷介質(zhì)層膜。本發(fā)明的方法尤其適應(yīng)于應(yīng)用絲網(wǎng)印刷成膜技術(shù)制造超細(xì)晶粒、超薄介質(zhì)層的MLCCs和大電容量片式陶瓷電容器。
文檔編號(hào)H01G4/30GK1604245SQ20041005210
公開(kāi)日2005年4月6日 申請(qǐng)日期2004年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月8日
發(fā)明者莊志強(qiáng), 劉勇, 王悅輝, 王歆 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)