專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及這樣一種有源矩陣型顯示裝置，其中由薄膜晶體管(以下稱(chēng)為T(mén)FT)對(duì)利用驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)有機(jī)半導(dǎo)體膜而發(fā)光的EL(場(chǎng)致發(fā)光)元件或LED(發(fā)光二極管)元件等薄膜發(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。
背景技術(shù)：
已提出了使用EL元件或LED元件等的電流控制型發(fā)光元件的有源矩陣型顯示裝置。由于該類(lèi)型的顯示裝置中使用的發(fā)光元件都是自身發(fā)光的，故與液晶顯示裝置不同，不需要背照光源，并且具有視野角依存性少等的優(yōu)點(diǎn)。
圖22是使用了這樣的電荷注入型的有機(jī)薄膜EL元件的有源矩陣型顯示裝置的框圖。在該圖中示出的有源矩陣型顯示裝置1A中，在透明基板10上構(gòu)成了多條掃描線gate、在與該掃描線gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線sig、與該數(shù)據(jù)線sig并列的多條共同供電線com和由數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate形成為矩陣狀的多個(gè)象素7。相對(duì)于數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate，構(gòu)成了數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3和掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4。在各自的象素7中，構(gòu)成了通過(guò)掃描線gate被供給掃描信號(hào)的導(dǎo)通控制電路50和基于通過(guò)該導(dǎo)通控制電路50從數(shù)據(jù)線sig被供給的圖象信號(hào)而發(fā)光的薄膜發(fā)光元件40。在這里示出的例子中，導(dǎo)通控制電路50由通過(guò)掃描線gate在柵電極上接受掃描信號(hào)的第1TFT20、保持通過(guò)該第1TFT20從數(shù)據(jù)線sig被供給的圖象信號(hào)的保持電容cap和在柵電極上接受由該保持電容cap保持的圖象信號(hào)的第2TFT30構(gòu)成。第2TFT30和薄膜發(fā)光元件40以串聯(lián)方式連接在下述的對(duì)置電極op與共同供電線com之間。該薄膜發(fā)光元件40在第2TFT30成為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)因驅(qū)動(dòng)電流從共同供電線com流入而發(fā)光，同時(shí)該發(fā)光狀態(tài)由保持電容cap而保持預(yù)定的期間。
在這樣的結(jié)構(gòu)的有源矩陣型顯示裝置1A中，如圖23和圖24(A)、(B)中所示，在哪一個(gè)象素7中都利用島狀的半導(dǎo)體膜形成了第1TFT20和第2TFT30。第1TFT20的柵電極21作為掃描線gate的一部分而構(gòu)成。數(shù)據(jù)線sig通過(guò)第1層間絕緣膜51的接觸孔導(dǎo)電性地連接到第1TFT20的源·漏區(qū)的一方上，漏電極22導(dǎo)電性地連接到其另一方上。漏電極22朝向第2TFT30的形成區(qū)域而延伸，第2TFT30的柵電極31通過(guò)第1層間絕緣膜51的接觸孔導(dǎo)電性地連接到該延伸部分上。中繼電極35通過(guò)第1層間絕緣膜51的接觸孔導(dǎo)電性地連接到第2TFT30的源·漏區(qū)的一方上，薄膜發(fā)光元件40的象素電極41通過(guò)第2層間絕緣膜52的接觸孔導(dǎo)電性地連接到該中繼電極35上。
從圖23和圖24(A)、(B)中可知，在每個(gè)象素7中獨(dú)立地形成了象素電極41。在象素電極41的上層一側(cè)，按下述順序?qū)盈B了有機(jī)半導(dǎo)體膜43和對(duì)置電極op。雖然在每個(gè)象素7中形成了有機(jī)半導(dǎo)體膜43，但有時(shí)也越過(guò)多個(gè)象素7將其形成為條狀。對(duì)置電極op不僅在構(gòu)成了象素7的顯示部11中形成，而且也在透明基板10的大致整個(gè)面上形成。
再有，在圖23和圖24(A)中，共同供電線com通過(guò)第1層間絕緣膜51的接觸孔導(dǎo)電性地連接到第2TFT30的源·漏區(qū)的另一方上。共同供電線com的延伸部分39相對(duì)于第2TFT30的柵電極31的延伸部分36，將第1層間絕緣膜51作為電介質(zhì)膜夾住而對(duì)置，構(gòu)成了保持電容cap。
但是，在上述的有源矩陣型顯示裝置1A中，與液晶有源矩陣型顯示裝置不同，由于與象素電極41對(duì)置的對(duì)置電極op在相同的透明基板10上的數(shù)據(jù)線sig之間只介入了第2層間絕緣膜52，故大的電容寄生于數(shù)據(jù)線sig上，數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的負(fù)載較大。
因此，本發(fā)明者提出了，如圖22、圖23和圖25(A)、(B)、(C)所示，在對(duì)置電極op與數(shù)據(jù)線sig等之間設(shè)置厚的絕緣膜(堤層bank/以寬的間距附加了朝向左下方向的斜線的區(qū)域)以減少寄生于數(shù)據(jù)線sig上的電容的方案。再有，提出了，通過(guò)用該絕緣膜(堤層bank)來(lái)包圍有機(jī)半導(dǎo)體膜43的形成區(qū)域，在由噴射頭噴出的液狀的材料(噴出液)形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43時(shí)用堤層bank來(lái)攔住噴出液以防止噴出液向側(cè)方溢出的方案。
但是，在采用這樣的結(jié)構(gòu)時(shí)，如果由厚的無(wú)機(jī)材料來(lái)形成堤層bank的整體，則存在成膜時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題。此外，在對(duì)由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的厚膜進(jìn)行圖形刻蝕時(shí)，存在變成過(guò)刻蝕而損傷象素電極41的擔(dān)心。另一方面，如果由抗蝕劑等的有機(jī)材料來(lái)構(gòu)成堤層bank，則存在下述擔(dān)心在有機(jī)半導(dǎo)體膜43的與堤層bank的相接的部分處，由于構(gòu)成堤層bank的有機(jī)材料中包含的溶劑成分等的影響，有機(jī)半導(dǎo)體膜43的性能變壞。
此外，如果形成厚的堤層bank，則由于起因于堤層bank的存在而形成大的臺(tái)階差bb，故存在在該堤層bank的上層形成的對(duì)置電極op在上述的臺(tái)階差bb的部分處容易斷裂的問(wèn)題。如果在這樣的臺(tái)階差bb處在對(duì)置電極op中產(chǎn)生斷裂，則該部分的對(duì)置電極op與周?chē)膶?duì)置電極op成為絕緣狀態(tài)，從而發(fā)生顯示的點(diǎn)缺陷或線缺陷。此外，如果沿覆蓋數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3及掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4的表面的堤層bank外周在對(duì)置電極op中引起斷裂，則在顯示部11的對(duì)置電極op與端子12之間成為完全的絕緣狀態(tài)，完全不能進(jìn)行顯示。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問(wèn)題，本發(fā)明的課題在于提供這樣一種有源矩陣型顯示裝置，該顯示裝置不會(huì)損傷薄膜發(fā)光元件，能在該薄膜發(fā)光元件的有機(jī)半導(dǎo)體膜的周?chē)m當(dāng)?shù)匦纬珊竦慕^緣膜。
此外，本發(fā)明的課題在于提供這樣一種有源矩陣型顯示裝置，在該顯示裝置中，即使在有機(jī)半導(dǎo)體膜的周?chē)纬珊竦慕^緣膜從而能抑制寄生電容，在該厚的絕緣膜的上層上形成的對(duì)置電極中也不發(fā)生斷裂等。
為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明的一種顯示裝置，包括一個(gè)對(duì)置電極；以及多個(gè)象素，多個(gè)象素中的各象素包括象素電極；以及設(shè)置在所述象素電極和所述對(duì)置電極間的有機(jī)半導(dǎo)體膜，其中，除了在形成端子的區(qū)域外，所述對(duì)置電極的形成作為所述多個(gè)象素的共同之用。
根據(jù)本發(fā)明另一種顯示裝置，包括在襯底上的多條掃描線；在所述襯底上的多條數(shù)據(jù)線；在所述襯底上的多條共同供電線；在所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線之間的交叉處對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)象素電極，所述多個(gè)象素電極中的各象素電極經(jīng)一個(gè)晶體管電連接到所述多條共同供電線中的一條共同供電線上；為所述多個(gè)象素電極共用而形成的對(duì)置電極；以及所述襯底之上的諸端子，所述端子未受所述對(duì)置電極覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明的另一種顯示裝置，包括襯底；在所述襯底上形成的端子；對(duì)應(yīng)于所述襯底的顯示部分而設(shè)置的多個(gè)象素電極；以及在所述顯示部分之上形成的對(duì)置電極，在所述多個(gè)象素電極中的各象素電極和所述對(duì)置電極之間設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體膜，而所述對(duì)置電極覆蓋所述端子。
在本發(fā)明中，在下述的有源矩陣型顯示裝置中，在基板上具有多條掃描線、在與該掃描線的延伸方向交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線以及由被該數(shù)據(jù)線和上述掃描線形成為矩陣狀的多個(gè)象素構(gòu)成的顯示部，該象素的每一個(gè)具備薄膜發(fā)光元件，該薄膜發(fā)光元件具備包含通過(guò)上述掃描線在柵電極上接受掃描信號(hào)的薄膜晶體管的導(dǎo)通控制電路、在每個(gè)象素中形成的象素電極、在該象素電極的上層側(cè)層疊的有機(jī)半導(dǎo)體膜和在該有機(jī)半導(dǎo)體膜的上層側(cè)層疊的對(duì)置電極，上述薄膜發(fā)光元件基于通過(guò)上述導(dǎo)通控制電路從上述數(shù)據(jù)線被供給的圖象信號(hào)而發(fā)光，該有源矩陣型顯示裝置的特征在于由比該有機(jī)半導(dǎo)體膜形成得厚的絕緣膜來(lái)劃分上述有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域，該絕緣膜具備由比該有機(jī)半導(dǎo)體膜形成得厚的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜和由在該第一絕緣膜上層疊的有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜。
在本發(fā)明中，由于對(duì)置電極至少在顯示部的整個(gè)面上形成，處于與數(shù)據(jù)線對(duì)置的狀態(tài)，故在原有狀態(tài)下大的電容寄生于數(shù)據(jù)線上。而在本發(fā)明中，由于使厚的絕緣膜介入數(shù)據(jù)線與對(duì)置電極之間，故可防止電容寄生于數(shù)據(jù)線上。其結(jié)果，由于可降低數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載，故可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。此外，在形成厚的絕緣膜時(shí)，如果用由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜來(lái)構(gòu)成整個(gè)該厚的絕緣膜，則由于必須有長(zhǎng)的成膜時(shí)間，故生產(chǎn)率低。而在本發(fā)明中，只由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成與薄膜發(fā)光元件的有機(jī)半導(dǎo)體膜相接的第一絕緣膜，在其上層側(cè)層疊由抗蝕劑等的有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜。如果是由這樣的有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜，則由于能容易地形成厚膜，故生產(chǎn)率提高。而且，由于該第二絕緣膜不與有機(jī)半導(dǎo)體膜相接，與有機(jī)半導(dǎo)體膜相接的是由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜，故有機(jī)半導(dǎo)體膜不會(huì)受到第二絕緣膜的影響而性能變壞。因此，薄膜發(fā)光元件中不引起發(fā)光效率的下降或可靠性的下降。
在本發(fā)明中，上述第二絕緣膜最好具有比上述第一絕緣膜窄的寬度并層疊在該第一絕緣膜的內(nèi)側(cè)區(qū)域上。如果作成這樣的2層結(jié)構(gòu)，由于由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜難以與有機(jī)半導(dǎo)體膜相接，故能更可靠地防止有機(jī)半導(dǎo)體膜的性能變壞。
如果是這樣的2層結(jié)構(gòu)，也可由無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成第一絕緣膜和第二絕緣膜兩者。即，在本發(fā)明的另一形態(tài)中有一種顯示裝置，它包括多條數(shù)據(jù)線；多條掃描線；一個(gè)對(duì)置電極；一層間絕緣膜，用來(lái)覆蓋多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線；以對(duì)應(yīng)方式設(shè)于所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線之間的交叉處的多個(gè)象素電極，多個(gè)象素電極中每一個(gè)經(jīng)所述層間絕緣膜中形成的一接觸孔連接于一晶體管，該晶體管包括于導(dǎo)通控制電路中；以及多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體膜，其中每一個(gè)設(shè)于多個(gè)象素電極中相應(yīng)的一個(gè)象素電極與其對(duì)置電極之間，并由層間絕緣膜上的一絕緣膜所劃分，而絕緣膜包括第一絕緣層及淀積于第一絕緣層上的第二絕緣層，該絕緣膜由所述對(duì)置電極覆蓋。該絕緣膜具備由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜和具有比該第一絕緣膜窄的寬度并層疊在該第一絕緣膜的內(nèi)側(cè)區(qū)域上的由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜。
在本發(fā)明的另一形態(tài)中，一種顯示裝置，具有多個(gè)象素；各上述多個(gè)象素包括具有通過(guò)掃描線供給掃描信號(hào)的薄膜晶體管的導(dǎo)通控制電路，和具有象素電極、相對(duì)電極和夾在它們之間的有機(jī)半導(dǎo)體膜的薄膜發(fā)光元件；上述薄膜發(fā)光元件根據(jù)從數(shù)據(jù)線通過(guò)導(dǎo)通控制電路供給的圖象信號(hào)而發(fā)光，其特征在于上述薄膜發(fā)光元件通過(guò)絕緣膜對(duì)上述各個(gè)象素作劃分而成；該絕緣膜具備由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜和具有比該第一絕緣膜窄的寬度并層疊在該第一絕緣膜的內(nèi)側(cè)區(qū)域上的由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜而構(gòu)成。
如果以這種方式來(lái)構(gòu)成，則在形成了由應(yīng)構(gòu)成第一絕緣膜和第二絕緣膜的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜之后，首先，對(duì)第二絕緣膜進(jìn)行圖形刻蝕。此時(shí)，由于第一絕緣膜起到刻蝕中止層的作用，故即使多少有些過(guò)刻蝕也不會(huì)損傷象素電極。在結(jié)束這樣的圖形刻蝕之后，以圖形刻蝕方式形成第一絕緣膜。此時(shí)，由于只刻蝕第一絕緣膜的1層的部分，故刻蝕控制變得容易，不引起損傷象素電極那樣的過(guò)刻蝕。
在本發(fā)明中，上述導(dǎo)通控制電路具備在柵電極上接受上述掃描信號(hào)的第1TFT和通過(guò)該第1TFT其柵電極連接到上述數(shù)據(jù)線上的第2TFT，該第2TFT和上述薄膜發(fā)光元件最好以串聯(lián)方式連接在對(duì)上述數(shù)據(jù)線和掃描線來(lái)說(shuō)是另外構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電流供給用的共同供電線與上述對(duì)置電極之間。即，雖然可用1個(gè)TFT和保持電容來(lái)構(gòu)成導(dǎo)通控制電路，但如果從提高顯示品位的觀點(diǎn)來(lái)看，則最好用2個(gè)TFT和保持電容來(lái)構(gòu)成各象素的導(dǎo)通控制電路。
在本發(fā)明中，最好將上述絕緣膜作為在利用噴射法在被該絕緣膜劃分的區(qū)域內(nèi)形成上述有機(jī)半導(dǎo)體膜時(shí)防止噴出液溢出的堤層來(lái)利用，為此，上述絕緣膜的膜厚最好在1μm以上。
在本發(fā)明中，在上述象素電極的形成區(qū)域中的與上述導(dǎo)通控制電路重疊的區(qū)域最好被上述絕緣膜覆蓋。即，最好只在上述象素電極的形成區(qū)域中的沒(méi)有形成上述導(dǎo)通控制電路的平坦部分中對(duì)上述厚的絕緣膜進(jìn)行開(kāi)口，只在其內(nèi)側(cè)形成有機(jī)半導(dǎo)體膜。如果以這種方式來(lái)構(gòu)成，則可防止因有機(jī)半導(dǎo)體膜的膜厚的離散性引起的顯示不勻。此外，如果在有機(jī)半導(dǎo)體膜中有膜厚薄的部分，則薄膜發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流在該處集中，薄膜發(fā)光元件的可靠性下降，但可防止這樣的問(wèn)題。再有，即使形成了象素電極，即使在與導(dǎo)通控制電路重疊的區(qū)域中，例如驅(qū)動(dòng)電流在與對(duì)置電極之間流動(dòng)，有機(jī)半導(dǎo)體膜發(fā)光，該光也被導(dǎo)通控制電路遮住，對(duì)顯示沒(méi)有貢獻(xiàn)。在這樣的對(duì)顯示沒(méi)有貢獻(xiàn)的部分中流過(guò)有機(jī)半導(dǎo)體膜的驅(qū)動(dòng)電流從顯示這方面來(lái)看可以說(shuō)是無(wú)效電流。因此，在本發(fā)明中，在迄今為止應(yīng)流過(guò)這樣的無(wú)效電流的部分中形成上述的厚的絕緣膜，防止驅(qū)動(dòng)電流在該處流動(dòng)。其結(jié)果，由于可減小流過(guò)共同供電線中的電流，故如果相應(yīng)地使共同供電線的寬度變窄，則作為其結(jié)果，可增加發(fā)光面積，可提高亮度、對(duì)比度等的顯示性能。
在本發(fā)明中，如果對(duì)于被上述絕緣膜劃分的區(qū)域使其角部變圓，則可將有機(jī)半導(dǎo)體膜形成為沒(méi)有角的圓形的平面形狀。如果是這樣的形狀的有機(jī)半導(dǎo)體膜，則由于角部的驅(qū)動(dòng)電流不會(huì)集中，故可防止在該部分處的耐壓不足等的不良情況的發(fā)生。
在本發(fā)明中，在將上述有機(jī)半導(dǎo)體膜形成為條狀的情況下，將上述絕緣膜中的上述第一絕緣膜形成為覆蓋上述象素電極的形成區(qū)域中的與上述導(dǎo)通控制電路的形成區(qū)域重疊的區(qū)域、上述數(shù)據(jù)線、上述共同供電線和上述掃描線，另一方面，上述第二絕緣膜沿上述數(shù)據(jù)線形成為條狀，例如利用噴射法在被該第二絕緣膜劃分為條狀的區(qū)域內(nèi)形成上述有機(jī)半導(dǎo)體膜。
在以這種方式來(lái)構(gòu)成的情況下，由于導(dǎo)通控制電路被第一絕緣膜覆蓋，故只有在各象素中的象素電極的平坦部分中被形成的有機(jī)半導(dǎo)體膜對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn)。即，只在象素電極的平坦部分中形成了薄膜發(fā)光元件。因此，以恒定的膜厚形成有機(jī)半導(dǎo)體膜，不引起顯示不勻。此外，由于用第一絕緣膜來(lái)防止驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)對(duì)顯示沒(méi)有貢獻(xiàn)的部分，故具有可防止無(wú)用的電流流過(guò)共同供電線的效果。再有，如果以這種方式來(lái)構(gòu)成，則可將上述絕緣膜中的上述第一絕緣膜與上述第二絕緣膜重疊的部分作為在利用噴射法形成上述有機(jī)半導(dǎo)體膜時(shí)防止噴出液溢出的堤層來(lái)利用。在作為這樣的堤層來(lái)利用方面，上述第一絕緣膜與上述第二絕緣膜重疊的部分的膜厚最好在1μm以上。
此外，在本發(fā)明中，上述絕緣膜最好具備第1中斷部分，該中斷部分使每個(gè)象素的對(duì)置電極部分相互間通過(guò)沒(méi)有起因于該絕緣膜的臺(tái)階差的平坦部分連接起來(lái)。在本發(fā)明中，如果將上述絕緣膜形成得較厚，則該絕緣膜形成大的臺(tái)階差，存在在其上層側(cè)形成的對(duì)置電極中發(fā)生斷裂的擔(dān)心。而在本發(fā)明中，在厚的絕緣膜的預(yù)定位置上構(gòu)成第1中斷部分，使該部分變得平坦。因而，由于每個(gè)區(qū)域的對(duì)置電極通過(guò)在平坦部分中形成的部分導(dǎo)電性地連接，故例如即使由于因絕緣膜引起的臺(tái)階差在該部分中發(fā)生斷裂，也可通過(guò)與絕緣膜的第1中斷部分相當(dāng)?shù)钠教共糠挚煽康剡M(jìn)行導(dǎo)電性連接，故不發(fā)生對(duì)置基板的斷裂那樣的不良情況。因此，在有源矩陣型顯示裝置中，由于即使在有機(jī)半導(dǎo)體膜的周邊形成厚的絕緣膜來(lái)抑制寄生電容等，在絕緣膜的上層形成的對(duì)置電極中也不發(fā)生斷裂，故可提高有源矩陣型顯示裝置的顯示質(zhì)量和可靠性。
在本發(fā)明中，在通過(guò)沿上述數(shù)據(jù)線和上述掃描線形成了上述絕緣膜來(lái)包圍上述有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域的周邊的情況下，最好該絕緣膜在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上在與相鄰的象素之間、上述掃描線的延伸方向上在與相鄰的象素之間或在這兩者的方向上在與相鄰的象素之間相當(dāng)?shù)牟糠稚蠘?gòu)成上述第1中斷部分。
此外，有時(shí)上述絕緣膜沿上述數(shù)據(jù)線以條狀延伸，在該情況下，也可在該延伸方向的至少一個(gè)端部上構(gòu)成上述第1中斷部分。
在本發(fā)明中，在上述顯示部的周?chē)哂型ㄟ^(guò)上述數(shù)據(jù)線供給數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路和通過(guò)上述掃描線供給掃描信號(hào)的掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，在該掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路和上述數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的上層側(cè)也形成了上述絕緣膜，同時(shí)該絕緣膜最好在與上述掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的形成區(qū)域和上述數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的形成區(qū)域之間相當(dāng)?shù)奈恢蒙暇邆涞?中斷部分，該第2中斷部分通過(guò)沒(méi)有起因于該絕緣膜的臺(tái)階差的平坦部分使在上述顯示部一側(cè)的對(duì)置電極與基板外周一側(cè)的對(duì)置電極連接起來(lái)。如果以這種方式來(lái)構(gòu)成，則即使沿覆蓋數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路及掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的表面的絕緣膜的外周在對(duì)置電極中發(fā)生斷裂，顯示部一側(cè)的對(duì)置電極和基板外周一側(cè)的對(duì)置電極也通過(guò)沒(méi)有起因于該絕緣膜的臺(tái)階差的平坦部分連接起來(lái)，可確保顯示部一側(cè)的對(duì)置電極與基板外周一側(cè)的對(duì)置電極之間的導(dǎo)電性連接。
在本發(fā)明中，在上述中斷部分中，可以是構(gòu)成上述絕緣膜的上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜兩者發(fā)生中斷的結(jié)構(gòu)、或是構(gòu)成上述絕緣膜的上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜中的只有第二絕緣膜發(fā)生中斷的結(jié)構(gòu)的某一種。


圖1是示意性地示出與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。
圖2是抽出圖1中示出的有源矩陣型顯示裝置中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖。
圖3(A)、(B)、(C)分別是圖2的A-A’剖面圖、B-B’剖面圖和C-C’剖面圖。
圖4(A)、(B)、(C)分別是與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2、3有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置的與圖2的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。
圖5是抽出與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖。
圖6(A)、(B)、(C)分別是與圖5的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。
圖7是示意性地示出與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。
圖8是抽出圖7中示出的有源矩陣型顯示裝置中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖。
圖9(A)、(B)、(C)分別是與圖8的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。
圖10是示意性地示出與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的變形例1有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。
圖11是抽出圖10中示出的有源矩陣型顯示裝置中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖。
圖12(A)、(B)、(C)分別是與圖11的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。
圖13是示意性地示出與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的變形例2有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。
圖14是抽出圖13中示出的有源矩陣型顯示裝置中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖。
圖15(A)、(B)、(C)分別是與圖14的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。
圖16是示意性地示出與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的變形例3有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。
圖17是抽出圖16中示出的有源矩陣型顯示裝置中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖。
圖18(A)、(B)、(C)分別是與圖17的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。
圖19是示意性地示出與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)6有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。
圖20是抽出圖19中示出的有源矩陣型顯示裝置中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖。
圖21(A)、(B)、(C)分別是與圖20的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。
圖22是示意性地示出與現(xiàn)有的和本發(fā)明的比較例有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。
圖23是抽出圖22中示出的有源矩陣型顯示裝置中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖。
圖24(A)、(B)、(C)分別是與圖23的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。
圖25(A)、(B)、(C)分別是與比較例有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置中的與圖23的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。
1有源矩陣型顯示裝置2顯示部3數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路7象素10 透明基板12 端子20 第1TFT21 第1TFT的柵電極30 第2TFT31 第2TFT的柵電極40 發(fā)光元件41 象素電極43 有機(jī)半導(dǎo)體61 第一絕緣膜62 第二絕緣膜bank 堤層(絕緣膜)
cap 保持電容com 共同供電線gate 掃描線op 對(duì)置電極off 堤層的中斷部分sig 數(shù)據(jù)線具體實(shí)施方式
參照

本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。再有，在以下的說(shuō)明中，對(duì)于與參照?qǐng)D22至圖25已說(shuō)明的構(gòu)成要素共同的部分，附以相同的符號(hào)。
(整體結(jié)構(gòu))圖1是示意性地示出有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖，圖2是抽出圖1中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖，圖3(A)、(B)、(C)分別是圖2的A-A’剖面圖、B-B’剖面圖和C-C’剖面圖。
在圖1中示出的有源矩陣型顯示裝置1中，作為其基體的透明基板10的中央部分成為顯示部11。在透明基板10的外周部分中，在數(shù)據(jù)線sig的端部構(gòu)成了輸出圖象信號(hào)的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3，在掃描線gate的端部構(gòu)成了輸出掃描信號(hào)的掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4。在這些驅(qū)動(dòng)電路3、4中，由N型的TFT和P型的TFT構(gòu)成互補(bǔ)型TFT，該互補(bǔ)型TFT構(gòu)成了移位寄存器電路、電平移動(dòng)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路等。在顯示部11中，與液晶有源矩陣型顯示裝置的有源矩陣基板相同，在透明基板10上構(gòu)成了多條掃描線gate、在與該掃描線gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線sig和由數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate形成為矩陣狀的多個(gè)象素7。
在各自的象素7中，構(gòu)成了通過(guò)掃描線gate被供給掃描信號(hào)的導(dǎo)通控制電路50和基于通過(guò)該導(dǎo)通控制電路50從數(shù)據(jù)線sig被供給的圖象信號(hào)而發(fā)光的薄膜發(fā)光元件40。在這里示出的例子中，導(dǎo)通控制電路50由通過(guò)掃描線gate在柵電極上接受掃描信號(hào)的第1TFT20、保持通過(guò)該第1TFT20從數(shù)據(jù)線sig被供給的圖象信號(hào)的保持電容cap和在柵電極上接受由該保持電容cap保持的圖象信號(hào)的第2TFT30構(gòu)成。第2TFT30和薄膜發(fā)光元件40以串聯(lián)方式連接在下述的對(duì)置電極op與共同供電線com之間。再有，關(guān)于保持電容cap，除了在對(duì)置電極op與共同供電線com之間形成的結(jié)構(gòu)之外，也可在對(duì)置電極op和與掃描線gate并列地形成的電容線之間形成。
在這樣的結(jié)構(gòu)的有源矩陣型顯示裝置1中，如圖2和圖3(A)、(B)中所示，在哪一個(gè)象素7中都利用島狀的半導(dǎo)體膜(硅膜)形成了第1TFT20和第2TFT30。
第1TFT20的柵電極21作為掃描線gate的一部分而構(gòu)成。數(shù)據(jù)線sig通過(guò)第1層間絕緣膜51的接觸孔導(dǎo)電性地連接到第1TFT20的源·漏區(qū)的一方上，漏電極22導(dǎo)電性地連接到其另一方上。漏電極22朝向第2TFT30的形成區(qū)域而延伸，第2TFT30的柵電極31通過(guò)第1層間絕緣膜51的接觸孔導(dǎo)電性地連接到該延伸部分上。
與數(shù)據(jù)線sig同時(shí)地形成的中繼電極35通過(guò)第1層間絕緣膜51的接觸孔導(dǎo)電性地連接到第2TFT30的源·漏區(qū)的一方上，薄膜發(fā)光元件40的由ITO(銦錫氧化物)膜構(gòu)成的透明的象素電極41通過(guò)第2層間絕緣膜52的接觸孔導(dǎo)電性地連接到該中繼電極35上。
從圖2和圖3(B)、(C)中可知，在每個(gè)象素7中獨(dú)立地形成了象素電極41。在象素電極41的上層一側(cè)，按下述順序?qū)盈B了聚苯撐乙烯撐(PPV)等的有機(jī)半導(dǎo)體膜43和由含有鋰的鋁或鈣等金屬模構(gòu)成的對(duì)置電極op，構(gòu)成了薄膜發(fā)光元件40。在這里示出的例子中，雖然在每個(gè)象素7中形成了有機(jī)半導(dǎo)體膜43，但有時(shí)也越過(guò)多個(gè)象素7將其形成為條狀。對(duì)置電極op在顯示部11整體中和在除了至少形成了端子12部分的周?chē)獾膮^(qū)域中形成。該端子12包含了導(dǎo)電性地連接到利用與對(duì)置電極op同時(shí)形成的布線(未圖示)被形成的對(duì)置電極op上的端子。
作為薄膜發(fā)光元件40，也可采用設(shè)置了空穴注入層來(lái)提高發(fā)光效率(空穴注入率)的結(jié)構(gòu)、設(shè)置了電子注入層來(lái)提高發(fā)光效率(電子注入率)的結(jié)構(gòu)、形成了空穴注入層和電子注入層兩者的結(jié)構(gòu)。
再有，在圖2和圖3(A)中，共同供電線com通過(guò)第1層間絕緣膜51的接觸孔導(dǎo)電性地連接到第2TFT30的源·漏區(qū)的另一方上。共同供電線com的延伸部分39相對(duì)于第2TFT30的柵電極31的延伸部分36，將第1層間絕緣膜51作為電介質(zhì)膜夾住而對(duì)置，構(gòu)成了保持電容cap。關(guān)于保持電容cap，除了在與共同供電線com之間形成的結(jié)構(gòu)之外，可在對(duì)置電極op和與掃描線gate并列地形成的電容線之間形成。此外，也可利用第1TFT20的漏區(qū)和第2TFT30的柵電極31來(lái)構(gòu)成保持電容cap。
在以這種方式構(gòu)成的有源矩陣型顯示裝置1中，如果被掃描信號(hào)選擇的第1TFT20變成導(dǎo)通狀態(tài)，則將來(lái)自數(shù)據(jù)線sig的圖象信號(hào)通過(guò)第1TFT20施加到第2TFT30的柵電極31上，同時(shí)圖象信號(hào)通過(guò)第1TFT20寫(xiě)入到保持電容cap中。結(jié)果，如果第2TFT30變成導(dǎo)通狀態(tài)，則分別將對(duì)置電極op和象素電極41作為負(fù)極和正極施加電壓，在施加電壓超過(guò)閾值電壓的區(qū)域中，流過(guò)有機(jī)半導(dǎo)體膜43的電流(驅(qū)動(dòng)電流)急劇增大。因而，發(fā)光元件40作為場(chǎng)致發(fā)光元件或LED元件而發(fā)光，發(fā)光元件40的光被對(duì)置電極op反射，透過(guò)透明的象素電極41和透明基板10而射出。由于進(jìn)行這樣的發(fā)光用的驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)由對(duì)置電極op、有機(jī)半導(dǎo)體膜43、象素電極41、第2TFT30和共同供電線com構(gòu)成的電流路徑，故如果第2TFT30變成關(guān)斷狀態(tài)，則電流不流動(dòng)。但是，由于即使第1TFT20變成關(guān)斷狀態(tài)，第2TFT30的柵電極也由于保持電容cap而保持于與圖象信號(hào)相當(dāng)?shù)碾娢?，故?TFT30仍處于原來(lái)的導(dǎo)通狀態(tài)。因此，驅(qū)動(dòng)電流繼續(xù)流過(guò)發(fā)光元件40，該象素仍處于原來(lái)的點(diǎn)亮狀態(tài)。該狀態(tài)維持到將新的圖象數(shù)據(jù)寫(xiě)入到保持電容cap中、第2TFT30變成關(guān)斷狀態(tài)為止。
(堤層的結(jié)構(gòu))在以這種方式構(gòu)成的有源矩陣型顯示裝置1中，在本形態(tài)中，為了防止大的電容寄生于數(shù)據(jù)線sig上，如圖1、圖2和圖3(A)、(B)、(C)中所示，沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate，設(shè)置了比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的絕緣膜(堤層bank/附加了朝向左下方向的1條斜線、或以寬的間距2條一組的斜線的區(qū)域)，在該堤層bank的上層側(cè)形成了對(duì)置電極op。即，由于在數(shù)據(jù)線sig與對(duì)置電極op之間介入了第2層間絕緣膜52和厚的堤層bank，故寄生于數(shù)據(jù)線sig上的電容極小。因此，可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
在此，堤層bank由第一絕緣膜61和第二絕緣膜62構(gòu)成，其中，第一絕緣膜61由形成得比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，第二絕緣膜62由在該第一絕緣膜61上層疊的抗蝕劑或聚酰亞胺膜等的有機(jī)材料構(gòu)成。例如，有機(jī)半導(dǎo)體膜43、第一絕緣膜61和第二絕緣膜62的膜厚分別是0.05μm～0.2μm、0.2μm～1.0μm和1μm～2μm。
如果是這樣的2層結(jié)構(gòu)，則由于第二絕緣膜62由在形成厚膜方面較為容易的抗蝕劑或聚酰亞胺膜構(gòu)成，故只將第一絕緣膜61由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成即可。因而，與堤層bank整體由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的情況不同，不需要用PECVD法等花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間形成由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜。因此，可提高有源矩陣型顯示裝置1的生產(chǎn)率。
此外，如果是這樣的2層結(jié)構(gòu)，則雖然有機(jī)半導(dǎo)體膜43與由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜61相接，但未與由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62相接。因此，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43不會(huì)受到由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62的影響而性能變壞，故在薄膜發(fā)光元件40中不引起發(fā)光效率的降低及可靠性的降低。
此外，從圖1中可知，由于在透明基板10的周邊區(qū)域(顯示部11的外側(cè)區(qū)域)中也形成了堤層bank，故數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3和掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4也被堤層bank所覆蓋。對(duì)置電極op必須至少在顯示部11中形成，但沒(méi)有必要在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域中形成。但是，由于對(duì)置電極op通常用掩模濺射法來(lái)形成，故對(duì)準(zhǔn)精度較差，有時(shí)對(duì)置電極op與驅(qū)動(dòng)電路重疊。而在本形態(tài)中，即使對(duì)置電極op與這些驅(qū)動(dòng)電路的形成區(qū)域處于重疊狀態(tài)，在驅(qū)動(dòng)電路的布線層與對(duì)置電極op之間也介入了堤層bank。因此，由于可防止電容寄生于驅(qū)動(dòng)電路3、4上，故可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
再有，在本形態(tài)中，在象素電極41的形成區(qū)域中，堤層bank也在與導(dǎo)通控制電路50的中繼電極35重疊的區(qū)域中形成。因此，在與中繼電極35重疊的區(qū)域中不形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43。即，在象素電極41的形成區(qū)域中，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43只在平坦的部分上形成，故以恒定的膜厚形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43，不會(huì)引起顯示的不勻。此外，如果在有機(jī)半導(dǎo)體膜43中存在膜厚薄的部分，則薄膜發(fā)光元件40的驅(qū)動(dòng)電流在該處集中，薄膜發(fā)光元件40的可靠性下降，但可防止這樣的問(wèn)題。再有，如果在與中繼電極35重疊的區(qū)域中沒(méi)有堤層bank，則即使在該部分中驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)與對(duì)置電極op之間，有機(jī)半導(dǎo)體膜43也發(fā)光，但是，該光被夾在中繼電極35與對(duì)置電極op之間，不向外射出，對(duì)顯示沒(méi)有貢獻(xiàn)。在這樣的對(duì)顯示沒(méi)有貢獻(xiàn)的部分中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流從顯示這方面來(lái)看，可以說(shuō)是無(wú)效電流。而在本形態(tài)中，由于在迄今為止應(yīng)流過(guò)這樣的無(wú)效電流的部分中形成堤層bank，防止驅(qū)動(dòng)電流在該處流動(dòng)，故可防止無(wú)用的電流流過(guò)共同供電線com。因此，共同供電線com的寬度可相應(yīng)地變窄。作為其結(jié)果，可增加發(fā)光面積，可提高亮度、對(duì)比度等的顯示性能。
再有，如果用黑色的抗蝕劑來(lái)形成堤層bank，則堤層bank起到黑色矩陣的功能，提高了對(duì)比度等顯示的品位。即，在與本形態(tài)有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置1中，由于對(duì)置電極op在透明基板10的表面一側(cè)在象素7的整個(gè)面上形成，故在對(duì)置電極op處的反射光使對(duì)比度下降。而如果用黑色的抗蝕劑來(lái)構(gòu)成擔(dān)當(dāng)防止寄生電容的功能的堤層bank，則由于堤層bank也起到黑色矩陣的功能，遮住來(lái)自對(duì)置電極op的反射光，故可提高對(duì)比度。
(有源矩陣型顯示裝置的制造方法)由于以這種方式形成的堤層bank以包圍有機(jī)半導(dǎo)體膜43的形成區(qū)域的方式來(lái)構(gòu)成，故在有源矩陣型顯示裝置的制造工序中，在由噴射頭噴出的液狀的材料(噴出液)形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43時(shí)攔住噴出液以防止噴出液向側(cè)方溢出。再有，在以下說(shuō)明的有源矩陣型顯示裝置的制造方法中，由于到在透明基板10上制造第1TFT20和第2TFT30為止的工序與制造有源矩陣型液晶顯示裝置的有源矩陣基板的工序大致相同，故參照?qǐng)D3(A)、(B)、(C)只簡(jiǎn)單地說(shuō)明其概略。
首先，對(duì)于透明基板10，根據(jù)需要，將TEOS(四乙基氧硅烷)及氧氣等作為原料氣體，利用等離子CVD法形成由厚度約為2000～5000埃的氧化硅膜構(gòu)成的基底保護(hù)膜(未圖示)，之后利用等離子CVD法在基底保護(hù)膜的表面上形成由厚度約為300～700埃的非晶態(tài)的硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體膜。其次，對(duì)由非晶態(tài)的硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體膜進(jìn)行激光退火或固相生長(zhǎng)法等結(jié)晶化工序，使半導(dǎo)體膜結(jié)晶化成為多晶硅膜。
其次，對(duì)半導(dǎo)體膜進(jìn)行圖形刻蝕，作成島狀的半導(dǎo)體膜，將TEOS(四乙基氧硅烷)及氧氣等作為原料氣體，利用等離子CVD法在其表面上形成由厚度約為600～1500埃的氧化硅膜或氮化膜構(gòu)成的柵絕緣膜57。
其次，利用濺射法形成由鋁、鉭、鉬、鈦、鎢等的金屬模構(gòu)成的導(dǎo)電膜，之后進(jìn)行圖形刻蝕，形成柵電極21、31和柵電極31的延伸部分36(柵電極形成工序)。在該工序中也形成掃描線gate。
在該狀態(tài)下，注入高濃度的磷離子，相對(duì)于柵電極21、31以自對(duì)準(zhǔn)的方式形成源·漏區(qū)。再有，未導(dǎo)入雜質(zhì)的部分成為溝道區(qū)。
其次，在形成了第1層間絕緣膜51之后，形成各接觸孔，其次，形成數(shù)據(jù)線sig、漏電極22、共同供電線com、共同供電線com的延伸部分39和中繼電極35。其結(jié)果，形成第1TFT20、第2TFT30和保持電容cap。
其次，形成第2層間絕緣膜52，在該層間絕緣膜中，在與中繼電極35相當(dāng)?shù)牟糠痔幮纬山佑|孔。其次，在第2層間絕緣膜52的整個(gè)表面上形成了ITO膜之后，進(jìn)行圖形刻蝕，在每個(gè)象素7中形成通過(guò)接觸孔與第2TFT30的源·漏區(qū)導(dǎo)電性地連接的象素電極41。
其次，利用PECVD法等在第2層間絕緣膜52的表面一側(cè)形成由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜(形成第一絕緣膜61用的無(wú)機(jī)膜)，之后沿掃描線gate和數(shù)據(jù)線sig形成抗蝕劑(第二絕緣膜62)。其后，將該抗蝕劑作為掩模，對(duì)由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜進(jìn)行圖形刻蝕，形成第一絕緣膜61。即使在以這種方式利用圖形刻蝕形成第一絕緣膜61時(shí)，由于第一絕緣膜61較薄，故不引起過(guò)刻蝕。因而，象素電極41不會(huì)受到損傷。
如果進(jìn)行這樣的刻蝕工序，則由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜沿掃描線gate和數(shù)據(jù)線sig遺留下來(lái)，形成第一絕緣膜61。以這種方式形成由第一絕緣膜61和第二絕緣膜62構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的堤層bank。此時(shí)，將沿?cái)?shù)據(jù)線sig留下的抗蝕劑部分的寬度做得較寬，以便覆蓋共同供電線com。其結(jié)果，應(yīng)形成發(fā)光元件40的有機(jī)半導(dǎo)體膜43的區(qū)域被堤層bank所包圍。
其次，利用噴射法在被堤層bank劃分成矩陣狀的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43。為此，相對(duì)于堤層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)域，從噴射頭噴出構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體膜43用的液狀的材料(前體/噴出液)，將其固定在堤層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43。在此，由于堤層bank的第二絕緣膜62由抗蝕劑或聚酰亞胺膜構(gòu)成，故是憎水性的。與此不同，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43的前體使用親水性的溶劑，故有機(jī)半導(dǎo)體膜43的涂敷區(qū)域被堤層bank可靠地確定，不會(huì)溢出到鄰接的象素7中。因此，能只在預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43等。
在該工序中，從噴射頭噴出的前體由于表面張力的影響鼓起約2μm至約4μm的厚度，故堤層bank的厚度必須是約1μm至約3μm。在該狀態(tài)下，從噴射頭噴出的前體處于與第二絕緣膜62相接的狀態(tài)，但在進(jìn)行了100℃～150℃的熱處理之后，由于從前體中除去了溶劑成分，故固定在堤層bank的內(nèi)側(cè)后的有機(jī)半導(dǎo)體膜43的厚度是約0.05μm至約0.2μm。因此，在該狀態(tài)下有機(jī)半導(dǎo)體膜43沒(méi)有與第二絕緣膜62相接。
再有，如果由堤層bank構(gòu)成的隔壁的高度是1μm以上，則即使堤層bank不是憎水性的，堤層bank也能充分起到作為隔壁的作用。如果預(yù)先形成這樣厚的堤層bank，則即使在使用涂敷法來(lái)代替噴射法形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43的情況下也能規(guī)定該形成區(qū)域。
其后，在透明基板10的大致整個(gè)面上形成對(duì)置電極op。
按照這樣的制造方法，由于能利用噴射法在預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43，故能以高的生產(chǎn)率制造全彩色的有源矩陣型顯示裝置1。
再有，在圖1中示出的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3及掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4中也形成TFT，但這些TFT是利用在上述的象素7中形成TFT的工序的全部或一部分而形成的。因此，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的TFT也是在與象素7的TFT相同的層間形成的。此外，關(guān)于上述第1TFT20和第2TFT30，兩者是N型、兩者是P型、一者是N型另一者是P型這樣的情況的任一種都是可以的，但由于即使是這樣的任一種的組合，也能利用眾所周知的方法來(lái)形成TFT，故省略其說(shuō)明。
圖4(A)、(B)、(C)分別是本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置中的與圖2的A-A’線、B-B’線和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。再有，由于本形態(tài)與實(shí)施形態(tài)1的基本結(jié)構(gòu)相同，故在圖4中對(duì)于共同的部分附以相同的符號(hào)，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。此外，由于本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置中的堤層bank的形成區(qū)域與實(shí)施形態(tài)1相同，故同樣地參照?qǐng)D1和圖2進(jìn)行說(shuō)明。
在本形態(tài)中，也為了防止大的電容寄生于數(shù)據(jù)線sig上，如圖1、圖2和圖4(A)、(B)、(C)中所示，沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate，設(shè)置了比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的絕緣膜(堤層bank/附加了朝向左下方向的1條斜線、或以寬的間距2條一組的斜線的區(qū)域)，在該堤層bank的上層側(cè)形成了對(duì)置電極op。
在此，堤層bank由第一絕緣膜61和第二絕緣膜62構(gòu)成，其中，第一絕緣膜61由形成得比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，第二絕緣膜62由在該第一絕緣膜61上層疊的抗蝕劑或聚酰亞胺膜等的有機(jī)材料構(gòu)成，這一點(diǎn)與實(shí)施形態(tài)1相同。
在本形態(tài)中，從圖4(A)、(B)、(C)中可知，關(guān)于由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62，具有比由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜61窄的寬度，被層疊在該第一絕緣膜61的內(nèi)側(cè)區(qū)域中。例如，第二絕緣膜62與象素電極41重疊的部分的寬度是1μm～3μm，在第一絕緣膜61與第二絕緣膜62之間，存在向一側(cè)1μm～5μm的偏移。因此，堤層bank成為層疊了寬度不同的第一絕緣膜61與第二絕緣膜62的2層結(jié)構(gòu)。如果是這樣的2層結(jié)構(gòu)，則由于第二絕緣膜62由較為容易形成厚膜的抗蝕劑或聚酰亞胺膜構(gòu)成，故只由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成第一絕緣膜61即可。因而，與厚的堤層bank整體由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的情況不同，不需要用PECVD法等花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間形成由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜。因此，可提高有源矩陣型顯示裝置1的生產(chǎn)率。此外，如果是這樣的2層結(jié)構(gòu)，則雖然有機(jī)半導(dǎo)體膜43與由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜61相接，但沒(méi)有與第二絕緣膜62相接。而且，由于第二絕緣膜62在第一絕緣膜61的內(nèi)側(cè)形成，故相應(yīng)地有機(jī)半導(dǎo)體膜43難以與第二絕緣膜62相接。因此，能可靠地防止有機(jī)半導(dǎo)體膜43受到由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62的影響而性能變壞，在薄膜發(fā)光元件40中不引起發(fā)光效率的降低及可靠性的降低。
其它的結(jié)構(gòu)與實(shí)施形態(tài)1相同。在此，任一個(gè)象素7都被堤層bank所包圍。因此，由于能利用噴射法在預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43，故能以高的生產(chǎn)率制造全彩色的有源矩陣型顯示裝置1等，能起到與實(shí)施形態(tài)1相同的效果。
在形成這樣的結(jié)構(gòu)的堤層bank時(shí)，在第2層間絕緣膜52的表面一側(cè)利用PECVD法等形成了由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜(形成第一絕緣膜61用的無(wú)機(jī)膜)后，將其沿掃描線gate和數(shù)據(jù)線sig遺留下來(lái)，在形成了第一絕緣膜61之后，除去在該圖形刻蝕中使用的抗蝕劑，其后在第一絕緣膜61的上層將寬度比其窄的抗蝕劑或聚酰亞胺作為第二絕緣膜62來(lái)形成即可。通過(guò)這樣做，即使在利用圖形刻蝕形成第一絕緣膜61時(shí)，由于第一絕緣膜61較薄，故不引起過(guò)刻蝕。因而，象素電極41不會(huì)受到損傷。
本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置1只是在構(gòu)成堤層bank的材料方面與實(shí)施形態(tài)2不同，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施形態(tài)2相同。因而，對(duì)于共同的部分附以相同的符號(hào)進(jìn)行圖示，省略其說(shuō)明。此外，與實(shí)施形態(tài)2相同，參照?qǐng)D1、圖2和圖4進(jìn)行說(shuō)明。
在本形態(tài)中，也為了防止大的電容寄生于數(shù)據(jù)線sig上，如圖1、圖2和圖4(A)、(B)、(C)中所示，沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate，設(shè)置了比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的絕緣膜(堤層bank/附加了朝向左下方向的1條斜線、或以寬的間距2條一組的斜線的區(qū)域)，在該堤層bank的上層側(cè)形成了對(duì)置電極op。
在此，堤層bank由第一絕緣膜61和第二絕緣膜62構(gòu)成，其中，第一絕緣膜61由形成得比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，第二絕緣膜62由在該第一絕緣膜61上層疊的氧化硅膜等的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成。如果是這樣的2層結(jié)構(gòu)，則由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43沒(méi)有與有機(jī)材料相接，故有機(jī)半導(dǎo)體膜43不會(huì)受到有機(jī)材料的影響而性能變壞。因此，在薄膜發(fā)光元件40中不引起發(fā)光效率的降低及可靠性的降低。
在此，關(guān)于第二絕緣膜62，具有比第一絕緣膜61窄的寬度，被層疊在該第一絕緣膜61的內(nèi)側(cè)區(qū)域中。因此，堤層bank成為層疊了寬度不同的第一絕緣膜61與第二絕緣膜62的2層結(jié)構(gòu)。
在形成這樣的2層結(jié)構(gòu)的堤層bank時(shí)，在依次形成了應(yīng)構(gòu)成第一絕緣膜61和第二絕緣膜62的無(wú)機(jī)材料(氮化硅膜和氧化硅膜)之后，首先對(duì)第二絕緣膜62進(jìn)行圖形刻蝕。此時(shí)，由于第一絕緣膜61起到刻蝕中止層的功能，即使多少有點(diǎn)過(guò)刻蝕，也不會(huì)損傷象素電極41。在結(jié)束了這樣的圖形刻蝕之后，以圖形刻蝕方式形成第一絕緣膜61。此時(shí)，由于只刻蝕第一絕緣膜61的1層的部分，故刻蝕的控制是容易的，不會(huì)引起損傷象素電極41那樣的過(guò)刻蝕。
其它的結(jié)構(gòu)與實(shí)施形態(tài)1、2相同。因而，任一個(gè)象素7都被堤層bank所包圍。因此，由于能利用噴射法在預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43，故能以高的生產(chǎn)率制造全彩色的有源矩陣型顯示裝置1等，能起到與實(shí)施形態(tài)1相同的效果。
再有，在上述形態(tài)中，由于沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate形成了堤層bank，故成為用堤層bank將象素7劃分成矩陣狀的結(jié)構(gòu)，但也可只沿?cái)?shù)據(jù)線sig來(lái)形成堤層bank。在該情況下，由于也能利用噴射法在由堤層bank劃分成條狀的的區(qū)域內(nèi)以條狀形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43，故能以高的生產(chǎn)率制造全彩色的有源矩陣型顯示裝置1。
此外，在上述形態(tài)中，雖然堤層bank劃分的區(qū)域的任一角部都成為角狀，但如果在該處使其變圓，則可將有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成為沒(méi)有角的圓形的平面形狀。如果是這樣的形狀的有機(jī)半導(dǎo)體膜43，則由于角部的驅(qū)動(dòng)電流不會(huì)集中，故可防止在該部分處的耐壓不足等的不良情況的發(fā)生。
由于本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置1的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施形態(tài)1至3相同，故同樣參照?qǐng)D1來(lái)說(shuō)明，同時(shí)，對(duì)于共同的部分附以相同的符號(hào)進(jìn)行圖示，省略其說(shuō)明。
圖5是抽出本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖，圖6(A)、(B)、(C)分別是圖5的A-A’剖面圖、B-B’剖面圖和C-C’剖面圖。
在本形態(tài)中，如以下所說(shuō)明的那樣，將第一絕緣膜61與第二絕緣膜62部分地重疊，使其各自發(fā)揮不同的功能。即，在本形態(tài)中，也如圖1中所示，構(gòu)成了多條掃描線gate、在與該掃描線gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線sig、與該數(shù)據(jù)線sig并列的多條共同供電線com和由數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate形成為矩陣狀的多個(gè)象素7。
在本形態(tài)中，如圖5和圖6中所示，這樣來(lái)形成第一絕緣膜61(附加了朝向左下方向的2條一組的斜線的區(qū)域)，使其覆蓋象素電極41的形成區(qū)域中的與導(dǎo)通控制電路50的形成區(qū)域重疊的區(qū)域、數(shù)據(jù)線sig、共同供電線com和掃描線gate。與此不同，只在第一絕緣膜61的形成區(qū)域中的沿?cái)?shù)據(jù)線sig的部分上將第二絕緣膜62(以寬的間距附加了朝向左下方向的斜線的區(qū)域)形成為條狀。此外，在由該第二絕緣膜62劃分成條狀的區(qū)域內(nèi)形成了有機(jī)半導(dǎo)體膜43。
在以這種方式構(gòu)成的情況下，在用噴射法形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43時(shí)，也將第一絕緣膜61與第二絕緣膜62重疊的部分作為防止噴出液溢出的堤層bank來(lái)利用，同時(shí)可將有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成為條狀。因此，在本形態(tài)中，第一絕緣膜61與第二絕緣膜62重疊的部分的膜厚為1μm以上。
在以這種方式構(gòu)成的情況下，由于在數(shù)據(jù)線sig與對(duì)置電極op之間介入了第2層間絕緣膜52和厚的堤層bank(第一絕緣膜61和第二絕緣膜62)，故寄生于數(shù)據(jù)線sig上的電容極小。因此可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
此外，雖然以條狀形成了有機(jī)半導(dǎo)體膜43，但由于象素電極41的形成區(qū)域中的與導(dǎo)通控制電路50的形成區(qū)域重疊的區(qū)域和掃描線gate被第二絕緣膜62所覆蓋，故只在各象素7中的象素電極41的平坦部分上形成的有機(jī)半導(dǎo)體膜43有助于發(fā)光。即，只在象素電極41的平坦部分上形成薄膜發(fā)光元件40。因此，以恒定的膜厚形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43，不會(huì)引起顯示不勻及驅(qū)動(dòng)電流的集中。此外，由于用第一絕緣膜61來(lái)防止驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)對(duì)顯示沒(méi)有貢獻(xiàn)的部分上，故也具有可防止無(wú)用的電流流過(guò)共同供電線com的效果。
在此，如果對(duì)于第一絕緣膜61用比有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成，對(duì)于第二絕緣膜62用抗蝕劑或聚酰亞胺等的有機(jī)材料來(lái)構(gòu)成，則只用無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成第一絕緣膜61即可。因而，與將厚的堤層bank整體由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的情況不同，不需要用PECVD法等花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間形成由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜。因此，可提高有源矩陣型顯示裝置1的生產(chǎn)率。此外，如果是這樣的2層結(jié)構(gòu)，有機(jī)半導(dǎo)體膜43與由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜61相接，但沒(méi)有與由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62相接。。因此，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43不會(huì)受到由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62的影響而性能變壞，故在薄膜發(fā)光元件40中不引起發(fā)光效率的降低及可靠性的降低等，起到與實(shí)施形態(tài)1相同的效果。
與此不同，對(duì)于第一絕緣膜61用比有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成得厚的氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成，對(duì)于第二絕緣膜62用在該第一絕緣膜61上層疊的氧化硅膜等的無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成的情況下，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43沒(méi)有與有機(jī)材料相接，故不會(huì)受到有機(jī)材料的影響而性能變壞。因此，在薄膜發(fā)光元件40中不引起發(fā)光效率的降低及可靠性的降低。此外，由于第二絕緣膜62以窄的寬度層疊在第一絕緣膜61的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，故在對(duì)第二絕緣膜62進(jìn)行圖形刻蝕時(shí)，第一絕緣膜61起到作為刻蝕中止層的功能等，具有與實(shí)施形態(tài)3相同的效果。
圖7是示意性地示出有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。圖8是抽出其中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖。圖9(A)、(B)、(C)分別是圖8的A-A’剖面圖、B-B’剖面圖和C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢蒙系钠拭鎴D。再有，由于本形態(tài)的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施形態(tài)1相同，故對(duì)于共同的部分附以相同的符號(hào)進(jìn)行圖示，省略其說(shuō)明。
在本形態(tài)中，在本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置1中，也沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate，設(shè)置了比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的絕緣膜(堤層bank/附加了朝向左下方向的1條斜線、或以寬的間距2條一組的斜線的區(qū)域)，在該堤層bank的上層側(cè)形成了對(duì)置電極op。即，由于在數(shù)據(jù)線sig與對(duì)置電極op之間介入了第2層間絕緣膜52和厚的堤層bank，故寄生于數(shù)據(jù)線sig上的電容極小。因此，可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
在此，堤層bank由第一絕緣膜61和第二絕緣膜62構(gòu)成，其中第一絕緣膜61由比有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成，第二絕緣膜62由在該第一絕緣膜61上層疊的抗蝕劑或聚酰亞胺膜等的有機(jī)材料來(lái)構(gòu)成。例如，有機(jī)半導(dǎo)體膜43、第一絕緣膜61和第二絕緣膜62的膜厚分別是0.05μm～0.2μm、0.2μm～1.0μm和1μm～2μm。因而，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43與由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜61相接，但沒(méi)有與由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62相接。。因此，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43不會(huì)受到由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62的影響而性能變壞，故在薄膜發(fā)光元件40中不引起發(fā)光效率的降低及可靠性的降低等，起到與實(shí)施形態(tài)1相同的效果。
在以這種方式構(gòu)成的有源矩陣型顯示裝置1中，有機(jī)半導(dǎo)體膜43被堤層bank所包圍。因此，在原有狀態(tài)下，各象素7的對(duì)置電極op越過(guò)堤層bank與鄰接的象素7的對(duì)置電極op連接。而在本形態(tài)中，在堤層bank中，在數(shù)據(jù)線sig的延伸方向上與相鄰的象素7之間相當(dāng)?shù)牟糠稚闲纬闪说谝唤^緣膜61和第二絕緣膜62兩者發(fā)生中斷的中斷部分off(第1中斷部分)。此外，也在堤層bank中，在掃描線gate的延伸方向上與相鄰的象素7之間相當(dāng)?shù)牟糠稚闲纬闪说谝唤^緣膜61和第二絕緣膜62兩者發(fā)生中斷的中斷部分off(第1中斷部分)。再有，在堤層bank中，在數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate的各延伸方向的端部的每一端部處形成了第一絕緣膜61和第二絕緣膜62兩者發(fā)生中斷的中斷部分off(第1中斷部分)。
由于在這樣的中斷部分off中沒(méi)有厚的堤層bank，故是沒(méi)有起因于堤層bank的大的臺(tái)階差的平坦部分，在該部分中被形成的對(duì)置電極op不會(huì)發(fā)生斷裂。因而，各象素7的對(duì)置電極op通過(guò)沒(méi)有起因于堤層bank的臺(tái)階差的平坦部分可靠地連接。因此，即使在象素7的周?chē)纬珊竦慕^緣膜(堤層bank)從而能抑制寄生電容等，在該厚的絕緣膜(堤層bank)的上層上形成的對(duì)置電極op中也不發(fā)生斷裂。
此外，在透明基板10的周邊區(qū)域(顯示部11的外側(cè)區(qū)域)中，數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3和掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4都被堤層bank(在形成區(qū)域中附以斜線)所覆蓋。因此，即使對(duì)置電極op與這些驅(qū)動(dòng)電路的形成區(qū)域處于重疊狀態(tài)，在驅(qū)動(dòng)電路的布線層與對(duì)置電極op之間也介入了堤層bank。因此，由于可防止電容寄生于驅(qū)動(dòng)電路3、4上，故可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
而且，在掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的上層一側(cè)形成的堤層bank在與掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4的形成區(qū)域和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的形成區(qū)域之間相當(dāng)?shù)奈恢蒙闲纬闪说谝唤^緣膜61和第二絕緣膜62兩者發(fā)生中斷的中斷部分off(第2中斷部分)。因此，顯示部11的一側(cè)的對(duì)置電極op與基板外周一側(cè)的對(duì)置電極op通過(guò)堤層bank的中斷部分off連接，該中斷部分off也是沒(méi)有起因于堤層bank的臺(tái)階差的平坦部分。因而，由于在該中斷部分off中被形成的對(duì)置電極op不會(huì)斷裂，故顯示部11的一側(cè)的對(duì)置電極op與基板外周一側(cè)的對(duì)置電極op通過(guò)堤層bank的中斷部分off可靠地連接，以布線方式連接到基板外周一側(cè)的對(duì)置電極op的端子12與顯示部11的對(duì)置電極op可靠地連接。
再有，在本形態(tài)中，由于在象素電極41的形成區(qū)域中的與導(dǎo)通控制電路50的中繼電極35重疊的區(qū)域中也形成了堤層bank，故可防止無(wú)用的無(wú)效電流的流動(dòng)。因此，可相應(yīng)地使共同供電線com的寬度變窄。
在制造這樣的結(jié)構(gòu)的有源矩陣型顯示裝置1時(shí)，也與實(shí)施形態(tài)1相同，在第2層間絕緣膜52的表面一側(cè)沿掃描線gate和數(shù)據(jù)線sig形成堤層bank。此時(shí)，在堤層bank的預(yù)定部分中預(yù)先形成中斷部分off。此外，將沿?cái)?shù)據(jù)線sig形成的堤層bank的寬度做得較寬，以便覆蓋共同供電線com。其結(jié)果，應(yīng)形成薄膜發(fā)光元件40的有機(jī)半導(dǎo)體膜43的區(qū)域被堤層bank所包圍。
其次，利用噴射法在被堤層bank劃分成矩陣狀的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43。為此，相對(duì)于堤層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)域，從噴射頭噴出構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體膜43用的液狀的材料(前體)，將其固定在堤層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43。在此，由于堤層bank的第二絕緣膜62由抗蝕劑或聚酰亞胺膜構(gòu)成，故是憎水性的。與此不同，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43的前體使用親水性的溶劑，故有機(jī)半導(dǎo)體膜43的涂敷區(qū)域被堤層bank可靠地確定，不會(huì)溢出到鄰接的象素7中。此外，即使劃分有機(jī)半導(dǎo)體膜43的形成區(qū)域的堤層bank中有中斷部分off，由于這樣的中斷部分off是窄的，故有機(jī)半導(dǎo)體膜43的涂敷區(qū)域被堤層bank可靠地確定，不會(huì)溢出到鄰接的象素7中。因此，能只在預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43等。
再有，從噴射頭噴出的前體由于表面張力的影響鼓起約2μm至約4μm的厚度，故堤層bank的厚度必須是約1μm至約3μm。在該狀態(tài)下，從噴射頭噴出的前體處于與第二絕緣膜62相接的狀態(tài)，但在進(jìn)行了100℃～150℃～的熱處理之后，由于從前體中除去了溶劑成分，故固定在堤層bank的內(nèi)側(cè)后的有機(jī)半導(dǎo)體膜43的厚度是約0.05μm至約0.2μm。因此，在該狀態(tài)下有機(jī)半導(dǎo)體膜43沒(méi)有與第二絕緣膜62相接。
再有，如果由堤層bank構(gòu)成的隔壁的高度是1μm以上，則即使堤層bank不是憎水性的，堤層bank也能充分起到作為隔壁的作用。因而，如果預(yù)先形成這樣的厚的堤層bank，則即使在使用涂敷法來(lái)代替噴射法形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43的情況下也能規(guī)定該形成區(qū)域。
圖10是示意性地示出有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖，圖11是抽出其中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖，圖12(A)、(B)、(C)分別是圖11的A-A’剖面圖、B-B’剖面圖和C-C’線剖面圖。再有，由于本形態(tài)與實(shí)施形態(tài)1的基本結(jié)構(gòu)相同，故在各圖中對(duì)于共同的部分附以相同的符號(hào)，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖10、圖11和圖12(A)、(B)、(C)中所示，在本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置1中，也沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate，設(shè)置了比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的絕緣膜(堤層bank/附加了朝向左下方向的1條斜線、或以寬的間距2條一組的斜線的區(qū)域)，在該堤層bank的上層側(cè)形成了對(duì)置電極op。即，由于在數(shù)據(jù)線sig與對(duì)置電極op之間介入了第2層間絕緣膜52和厚的堤層bank，故寄生于數(shù)據(jù)線sig上的電容極小。因此，可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
在此，堤層bank由第一絕緣膜61和第二絕緣膜62構(gòu)成，其中第一絕緣膜61由比有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成，第二絕緣膜62由在該第一絕緣膜61上層疊的抗蝕劑或聚酰亞胺膜等的有機(jī)材料來(lái)構(gòu)成。因而，有機(jī)半導(dǎo)體膜43與由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜61相接，但沒(méi)有與由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62相接。因此，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43不會(huì)受到由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62的影響而性能變壞，故在薄膜發(fā)光元件40中不引起發(fā)光效率的降低及可靠性的降低等，起到與實(shí)施形態(tài)1相同的效果。
此外，在本形態(tài)中，由于沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate形成了堤層bank，故任一個(gè)象素7都被堤層bank所包圍。因此，由于能利用噴射法在預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43，故能以高的生產(chǎn)率制造全彩色的有源矩陣型顯示裝置1。
而且，在堤層bank中，在與掃描線gate的延伸方向上相鄰的象素7之間相當(dāng)?shù)牟糠稚闲纬闪酥袛嗖糠謔ff(第1中斷部分)。此外，在堤層bank中，在數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate的各延伸方向的端部的每一端部處形成了中斷部分off(第1中斷部分)。再有，在掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的上層一側(cè)形成的堤層bank在與掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4的形成區(qū)域和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的形成區(qū)域之間相當(dāng)?shù)奈恢蒙闲纬闪酥袛嗖糠謔ff(第2中斷部分)。因而，對(duì)置電極op通過(guò)沒(méi)有起因于堤層bank的臺(tái)階差的平坦部分(中斷部分off)可靠地連接，不會(huì)斷裂。
圖13是示意性地示出有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。圖14是抽出其中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖，圖15(A)、(B)、(C)分別是與圖14的A-A’剖面圖、B-B’剖面圖和C-C’線剖面圖。再有，由于本形態(tài)與實(shí)施形態(tài)1的基本結(jié)構(gòu)相同，故各圖中對(duì)于共同的部分附以相同的符號(hào)，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖13、圖14和圖15(A)、(B)、(C)中所示，在本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置1中，也沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate，設(shè)置了比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的絕緣膜(堤層bank/附加了朝向左下方向的1條斜線、或以寬的間距2條一組的斜線的區(qū)域)，在該堤層bank的上層側(cè)形成了對(duì)置電極op。即，由于在數(shù)據(jù)線sig與對(duì)置電極op之間介入了第2層間絕緣膜52和厚的堤層bank，故寄生于數(shù)據(jù)線sig上的電容極小。因此，可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
在此，堤層bank由第一絕緣膜61和第二絕緣膜62構(gòu)成，其中第一絕緣膜61由比有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成，第二絕緣膜62由在該第一絕緣膜61上層疊的抗蝕劑或聚酰亞胺膜等的有機(jī)材料來(lái)構(gòu)成。因而，有機(jī)半導(dǎo)體膜43與由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜61相接，但沒(méi)有與由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62相接。因此，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43不會(huì)受到由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62的影響而性能變壞，故在薄膜發(fā)光元件40中不引起發(fā)光效率的降低及可靠性的降低等，起到與實(shí)施形態(tài)1相同的效果。
此外，在本形態(tài)中，由于沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate形成了堤層bank，故任一個(gè)象素7都被堤層bank所包圍。因此，由于能利用噴射法在預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43，故能以高的生產(chǎn)率制造全彩色的有源矩陣型顯示裝置1。
而且，在堤層bank中，在數(shù)據(jù)線sig的延伸方向上與相鄰的象素7之間相當(dāng)?shù)牟糠稚闲纬闪酥袛嗖糠謔ff(第1中斷部分)。此外，在堤層bank中，在數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate的各延伸方向的端部的每一端部處形成了中斷部分off(第1中斷部分)。再有，在掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的上層一側(cè)形成的堤層bank在與掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4的形成區(qū)域和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的形成區(qū)域之間相當(dāng)?shù)奈恢蒙闲纬闪酥袛嗖糠謔ff(第2中斷部分)。因而，對(duì)置電極op通過(guò)沒(méi)有起因于堤層bank的臺(tái)階差的平坦部分(中斷部分off)可靠地連接，不會(huì)斷裂。
圖16是示意性地示出有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。圖17是抽出其中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖，圖18(A)、(B)、(C)分別是與圖17的A-A’剖面圖、B-B’剖面圖和C-C’線剖面圖。再有，由于本形態(tài)與實(shí)施形態(tài)1的基本結(jié)構(gòu)相同，故在各圖中對(duì)于共同的部分附以相同的符號(hào)，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖16、圖17和圖18(A)、(B)、(C)中所示，在本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置1中，也沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate設(shè)置了比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的絕緣膜(堤層bank/附加了朝向左下方向的1條斜線、或以寬的間距2條一組的斜線的區(qū)域)，在該堤層bank的上層側(cè)形成了對(duì)置電極op。即，由于在數(shù)據(jù)線sig與對(duì)置電極op之間介入了第2層間絕緣膜52和厚的堤層bank，故寄生于數(shù)據(jù)線sig上的電容極小。因此，可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
在此，堤層bank由第一絕緣膜61和第二絕緣膜62構(gòu)成，其中第一絕緣膜61由比有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成，第二絕緣膜62由在該第一絕緣膜61上層疊的抗蝕劑或聚酰亞胺膜等的有機(jī)材料來(lái)構(gòu)成。
此外，在本形態(tài)中，由于沿?cái)?shù)據(jù)線sig和掃描線gate形成了堤層bank，故任一個(gè)象素7都被堤層bank所包圍。因此，由于能利用噴射法在預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43，故能以高的生產(chǎn)率制造全彩色的有源矩陣型顯示裝置1。
而且，在堤層bank中，在數(shù)據(jù)線sig的延伸方向上與相鄰的象素7之間相當(dāng)?shù)牟糠稚闲纬闪酥袛嗖糠謔ff(第1中斷部分)。此外，在堤層bank中，在數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate的各延伸方向的端部的每一端部處形成了中斷部分off(第1中斷部分)。再有，在掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的上層一側(cè)形成的堤層bank在與掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4的形成區(qū)域和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的形成區(qū)域之間相當(dāng)?shù)奈恢蒙闲纬闪酥袛嗖糠謔ff(第2中斷部分)。
但是，在本形態(tài)中，在中斷部分off中，在形成堤層bank方面使用的第一絕緣膜61(附以2條一組的斜線的區(qū)域)和第二絕緣膜62(附以朝向左下的1條斜線的區(qū)域)中，只有第二絕緣膜62發(fā)生中斷，即使是中斷部分off，也在該處形成了第一絕緣膜61。
在以這種方式構(gòu)成的情況下，由于在中斷部分off處只有薄的第一絕緣膜61，沒(méi)有厚的第二絕緣膜62，故對(duì)置電極op通過(guò)中斷部分off可靠地連接，不會(huì)斷裂。
再有，在上述形態(tài)中，是在第1中斷部分和第2中斷部分兩者中形成了第一絕緣膜61的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不限定于此，也可以是只在第1中斷部分和第2中斷部分的某一部分中形成了第一絕緣膜61的結(jié)構(gòu)。此外，如本形態(tài)那樣的在中斷部分中形成了第一絕緣膜61的結(jié)構(gòu)也可適用于其它實(shí)施形態(tài)中已說(shuō)明的圖形的堤層bank。
圖19是示意性地示出有源矩陣型顯示裝置的整體布局的框圖。圖20是抽出其中被構(gòu)成的象素的1個(gè)而示出的平面圖，圖21(A)、(B)、(C)分別是圖20的A-A’剖面圖、B-B’剖面圖和C-C’線剖面圖。再有，由于本形態(tài)與實(shí)施形態(tài)1的基本結(jié)構(gòu)相同，故在各圖中對(duì)于共同的部分附以相同的符號(hào)，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖19、圖20和圖21(A)、(B)、(C)中所示，在本形態(tài)的有源矩陣型顯示裝置1中，沿?cái)?shù)據(jù)線sig設(shè)置了比有機(jī)半導(dǎo)體膜43厚的絕緣膜(堤層bank/附加了朝向左下方向的1條斜線、或以寬的間距2條一組的斜線的區(qū)域)，在該堤層bank的上層側(cè)形成了對(duì)置電極op。即，由于在數(shù)據(jù)線sig與對(duì)置電極op之間介入了第2層間絕緣膜52和厚的堤層bank，故寄生于數(shù)據(jù)線sig上的電容極小。因此，可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
在此，堤層bank由第一絕緣膜61和第二絕緣膜62構(gòu)成，其中第一絕緣膜61由比有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成，第二絕緣膜62由在該第一絕緣膜61上層疊的抗蝕劑或聚酰亞胺膜等的有機(jī)材料來(lái)構(gòu)成。因而，有機(jī)半導(dǎo)體膜43與由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜61相接，但沒(méi)有與由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62相接。因此，由于有機(jī)半導(dǎo)體膜43不會(huì)受到由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜62的影響而性能變壞，故在薄膜發(fā)光元件40中不引起發(fā)光效率的降低及可靠性的降低等，起到與實(shí)施形態(tài)1相同的效果。
此外，在本形態(tài)中，由于沿?cái)?shù)據(jù)線sig形成了堤層bank，故由于能利用噴射法在由堤層bank劃分成條狀的區(qū)域內(nèi)以條狀形成對(duì)應(yīng)于R、G、B的各有機(jī)半導(dǎo)體膜43，故能以高的生產(chǎn)率制造全彩色的有源矩陣型顯示裝置1。
而且，在堤層bank中，在數(shù)據(jù)線sig的延伸方向的端部處形成了第一絕緣膜61和第二絕緣膜62這兩者發(fā)生中斷的中斷部分off(第1中斷部分)。因而，各象素7的對(duì)置電極op在掃描線gate的延伸方向上相對(duì)于鄰接的象素7的對(duì)置電極op，越過(guò)厚的堤層bank而連接。盡管如此，在數(shù)據(jù)線sig的延伸方向上，各象素7的對(duì)置電極op在數(shù)據(jù)線sig的端部通過(guò)中斷部分off(沒(méi)有起因于堤層bank的臺(tái)階差的平坦部分)與在掃描線gate的延伸方向上鄰接的象素7的列連接。因此，可以說(shuō)各象素7的對(duì)置電極op通過(guò)沒(méi)有起因于堤層bank的臺(tái)階差的平坦部分與其它象素7的對(duì)置電極op連接，任一個(gè)象素7的對(duì)置電極op都不會(huì)處于斷裂狀態(tài)。
此外，在透明基板10的周邊區(qū)域(顯示部11的外側(cè)區(qū)域)中，數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3和掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4都被堤層bank所覆蓋。因此，即使對(duì)置電極op與這些驅(qū)動(dòng)電路的形成區(qū)域處于重疊狀態(tài)，在驅(qū)動(dòng)電路的布線層與對(duì)置電極op之間也介入了堤層bank。因此，由于可防止電容寄生于驅(qū)動(dòng)電路3、4上，故可降低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。
而且，在掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的上層側(cè)形成的堤層bank在與掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4的形成區(qū)域和數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的形成區(qū)域之間相當(dāng)?shù)奈恢蒙闲纬闪酥袛嗖糠謔ff(第2中斷部分)。因而，對(duì)置電極op通過(guò)沒(méi)有起因于堤層bank的臺(tái)階差的平坦部分(中斷部分off)可靠地連接，不會(huì)斷裂。
再有，如在實(shí)施形態(tài)5的變形例3中已說(shuō)明的那樣，在堤層bank的中斷部分off中只有第二絕緣膜62發(fā)生中斷的結(jié)構(gòu)也可適用于實(shí)施形態(tài)6。
此外，如在實(shí)施形態(tài)5、6中已說(shuō)明的那樣，通過(guò)對(duì)于堤層bank形成中斷部分off來(lái)防止對(duì)置電極op的斷裂的這樣的發(fā)明也能適用于實(shí)施形態(tài)3中已說(shuō)明的使用了由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的堤層bank的情況。
發(fā)明的利用可能性如以上已說(shuō)明的那樣，在與本發(fā)明有關(guān)的有源矩陣型顯示裝置中，在形成絕緣膜以便包圍有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域方面，由第一絕緣膜和第二絕緣膜來(lái)構(gòu)成該絕緣膜，其中，第一絕緣膜由比有機(jī)半導(dǎo)體膜厚的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，第二絕緣膜由在其上層疊的有機(jī)材料構(gòu)成。因而，按照本發(fā)明，由于使厚的絕緣膜介入數(shù)據(jù)線與對(duì)置電極之間，故可防止電容寄生于數(shù)據(jù)線上。因此，可降低數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載，可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。此外，在本發(fā)明中，由于只由無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成薄膜發(fā)光元件的與有機(jī)半導(dǎo)體膜相接的第一絕緣膜，在其上層側(cè)，層疊了由能容易形成厚膜的抗蝕劑等的有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜，故生產(chǎn)率高。而且，由于第二絕緣膜不與有機(jī)半導(dǎo)體膜相接，與有機(jī)半導(dǎo)體膜相接的是由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一絕緣膜，故有機(jī)半導(dǎo)體膜不會(huì)受到第二絕緣膜的影響而性能變壞。因此，薄膜發(fā)光元件中不會(huì)引起發(fā)光效率的下降或可靠性的下降。
在此，在第二絕緣膜具有比第一絕緣膜窄的寬度并層疊在該第一絕緣膜的內(nèi)側(cè)區(qū)域中的情況下，由于由有機(jī)材料構(gòu)成的第二絕緣膜難以與有機(jī)半導(dǎo)體膜相接，故能更可靠地防止有機(jī)半導(dǎo)體膜的性能變壞。
在本發(fā)明的其它的形態(tài)中，在形成絕緣膜以便包圍有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域方面，由第一絕緣膜和第二絕緣膜來(lái)構(gòu)成該絕緣膜，其中，第一絕緣膜由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，第二絕緣膜由具有比該第一絕緣膜窄的寬度、層疊在該第一絕緣膜的內(nèi)側(cè)區(qū)域上的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成。因而，在本發(fā)明中，也由于使厚的絕緣膜介入數(shù)據(jù)線與對(duì)置電極之間，故可防止電容寄生于數(shù)據(jù)線上。因此，由于可降低數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載，故可謀求低功耗化或顯示工作的高速化。此外，在形成了由應(yīng)構(gòu)成第一絕緣膜和第二絕緣膜的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的膜之后，在對(duì)第二絕緣膜進(jìn)行圖形刻蝕時(shí)，由于第一絕緣膜起到刻蝕中止層的功能，故即使多少有些過(guò)刻蝕也不會(huì)損傷象素電極。在結(jié)束這樣的圖形刻蝕之后，在以圖形刻蝕方式形成第一絕緣膜時(shí)，由于只刻蝕第一絕緣膜的1層的部分，故刻蝕控制變得容易，不引起損傷象素電極那樣的過(guò)刻蝕。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括一個(gè)對(duì)置電極；以及多個(gè)象素，多個(gè)象素中的各象素包括象素電極；以及設(shè)置在所述象素電極和所述對(duì)置電極間的有機(jī)半導(dǎo)體膜，其中，除了在形成端子的區(qū)域外，所述對(duì)置電極的形成作為所述多個(gè)象素的共用。
2.一種顯示裝置，包括在襯底上的多條掃描線；在所述襯底上的多條數(shù)據(jù)線；在所述襯底上的多條共同供電線；在所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線之間的交叉處對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)象素電極，所述多個(gè)象素電極中的各象素電極經(jīng)一個(gè)晶體管電連接到所述多條共同供電線中的一條共同供電線上；為所述多個(gè)象素電極共用而形成的對(duì)置電極；以及所述襯底之上的諸端子，所述端子未受所述對(duì)置電極覆蓋。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于在各所述象素電極和所述對(duì)置電極間設(shè)置的有機(jī)半導(dǎo)體膜。
4.一種顯示裝置，包括襯底；在所述襯底上形成的諸端子；對(duì)應(yīng)于所述襯底的顯示部分而設(shè)置的多個(gè)象素電極；以及在所述顯示部分之上形成的對(duì)置電極，在所述多個(gè)象素電極中的各象素電極和所述對(duì)置電極之間設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體膜，而所述對(duì)置電極覆蓋所述端子。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于所述端子包括一個(gè)電連接于所述對(duì)置電極的端子。
6.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于所述端子包括一個(gè)連接于所述多條共同供電線的端子。
7.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于還包括用來(lái)驅(qū)動(dòng)多條掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，所述端子形成于所述襯底的所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路的周邊區(qū)域上。
8.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于還包括用來(lái)驅(qū)動(dòng)所述多條掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，以及用來(lái)驅(qū)動(dòng)多條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，所述端子形成于所述襯底的所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路和所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)周邊區(qū)域上。
全文摘要
本發(fā)明以實(shí)現(xiàn)不會(huì)損傷薄膜發(fā)光元件并能在該薄膜發(fā)光元件的有機(jī)半導(dǎo)體膜的周?chē)m當(dāng)?shù)匦纬珊竦慕^緣膜的顯示裝置為目的，顯示裝置包括一個(gè)對(duì)置電極；以及多個(gè)象素，多個(gè)象素中各象素包括象素電極；以及設(shè)置在所述象素電極和所述對(duì)置電極間的有機(jī)半導(dǎo)體膜，其中，除了在形成端子的區(qū)域外，所述對(duì)置電極的形成作為所述多個(gè)象素的共同之用。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1538364SQ20041004340
公開(kāi)日2004年10月20日 申請(qǐng)日期1998年8月20日 優(yōu)先權(quán)日1997年8月21日
發(fā)明者湯田坂一夫 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社