專利名稱：監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及監(jiān)視處理系統(tǒng)中的處理，并且尤其涉及利用帶有集成傳輸部件的監(jiān)視部件來監(jiān)視處理。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體工業(yè)中的集成電路(IC)的制造典型地在等離子體反應(yīng)器內(nèi)利用等離子體形成并幫助為從基片上去掉材料并在基片上沉積材料所需要的表面化學(xué)。通常，在真空條件下通過把電子加熱到足以保持與供給的處理氣體的電離碰撞的能量上在等離子體反應(yīng)器中形成等離子體。另外，加熱的電子可以具有足以保持離解碰撞的能量，并且選擇預(yù)定條件(例如，室壓，氣體流率等)下的特定氣體組從而產(chǎn)生適于在室內(nèi)完成特定處理(例如，從基片上去掉材料的蝕刻處理或?qū)砑硬牧系某练e處理)的充電物質(zhì)和化學(xué)反應(yīng)物質(zhì)。
例如，在蝕刻處理期間在判定等離子體處理系統(tǒng)的狀態(tài)以及判定正在產(chǎn)生的器件的品質(zhì)時(shí)監(jiān)視等離子體處理系統(tǒng)會(huì)是非常重要的。可以利用附加過程數(shù)據(jù)防止系統(tǒng)狀態(tài)以及正在產(chǎn)生的產(chǎn)品的，狀態(tài)的錯(cuò)誤后果。例如，連續(xù)使用等離子體處理系統(tǒng)可導(dǎo)致等離子體加工性能的逐步退化并且最終導(dǎo)致系統(tǒng)完全失效。附加處理相關(guān)數(shù)據(jù)以及工具相關(guān)數(shù)據(jù)會(huì)改進(jìn)材料處理系統(tǒng)的管理以及所生產(chǎn)的產(chǎn)品的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用來監(jiān)視處理系統(tǒng)中的處理的設(shè)備和方法，尤其涉及一種具有集成的傳輸部件的處理監(jiān)視部件，以及一種利用具有集成的傳輸部件的處理監(jiān)視部件來監(jiān)視處理系統(tǒng)中的處理的方法。
本發(fā)明還提供一種用于監(jiān)視材料處理系統(tǒng)中的等離子體處理的設(shè)備和方法，并且尤其涉及一種具有集成的傳輸部件的等離子體監(jiān)視部件，以及一種利用具有集成的傳輸部件的等離子體監(jiān)視部件來監(jiān)視材料處理系統(tǒng)中的等離子體過程的方法。
本發(fā)明還提供用來監(jiān)視材料處理系統(tǒng)中的處理的裝置，其包括至少一個(gè)和至少一個(gè)傳感器接口組件(SIA)耦合的RF敏感傳感器。


從下面連帶附圖對(duì)本發(fā)明的示范實(shí)施例的詳細(xì)說明本發(fā)明的這些以及其它優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得更清楚和更容易理解，附圖中圖1示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的材料處理系統(tǒng)的簡化方塊圖；圖2示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的RF敏感狀態(tài)傳感器和傳感器接口組件(SIA)的簡化方塊圖；圖3a-3c示出依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的RF敏感狀態(tài)傳感器的簡化方塊圖；圖4a-4c示出依據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)充實(shí)施例的RF敏感狀態(tài)傳感器的簡化方塊圖；圖5a-5c示出依據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)充實(shí)施例的RF敏感狀態(tài)傳感器的簡化方塊圖；圖6a-6c示出依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的傳感器接口組件的簡化方塊圖；圖7a-7c示出依據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)充實(shí)施例的傳感器接口組件的簡化方塊圖；圖8a-8c示出依據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)充實(shí)施例的傳感器接口組件的簡化方塊圖；以及圖9示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種改進(jìn)的材料處理系統(tǒng)，其包括一個(gè)可具有一個(gè)或多個(gè)處理室的處理工具。此外，該處理系統(tǒng)可包括多個(gè)和該處理工具耦合的RF敏感狀態(tài)傳感器，以便生成和傳送狀態(tài)數(shù)據(jù)，并且包括至少一個(gè)SIA，其配置成從該多個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器中的至少一個(gè)接收狀態(tài)數(shù)據(jù)。
圖1示出一種依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的材料處理系統(tǒng)的簡化方塊圖。例如，材料處理系統(tǒng)100可包括一個(gè)蝕刻系統(tǒng)，例如等離子體蝕刻器。替代地，材料處理系統(tǒng)100可包括光致抗蝕涂覆系統(tǒng)例如光致抗蝕旋涂系統(tǒng)，和/或材料處理系統(tǒng)100可包括光致圖案形成系統(tǒng)例如版印系統(tǒng)。在另一實(shí)施例中，材料處理系統(tǒng)100可包括介質(zhì)涂敷系統(tǒng)例如玻璃上涂敷(SOG)或介質(zhì)上涂敷(SOD)系統(tǒng)。在另一實(shí)施例中，材料處理系統(tǒng)100可包括一個(gè)沉積腔例如化學(xué)汽相沉積(CVD)系統(tǒng)、物理汽相沉積(PVD)系統(tǒng)、原子層沉積(ALD)系統(tǒng)和/或它們的組合。在一個(gè)補(bǔ)充實(shí)施例中，材料處理系統(tǒng)100可包括熱處理系統(tǒng)例如快速熱處理(RTP)系統(tǒng)。在另一實(shí)施例中，材料處理系統(tǒng)100可包括批擴(kuò)散煅燒或其它半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。
在該示出的實(shí)施例中，材料處理系統(tǒng)100包括處理室110、上組件120、支持基片135的基片保持器130、泵激系統(tǒng)160以及控制器170。泵激系統(tǒng)160例如可以在處理室110中提供受控壓力。處理室110例如可以便于在鄰近基片135的處理空間115中形成處理氣體。材料處理系統(tǒng)100可配置成處理200mm的基片、300mm的基片或者更大的基片。替代地，可以通過在一個(gè)或多個(gè)處理室中生成等離子體來操作材料處理系統(tǒng)。
例如可以通過自動(dòng)基片傳送系統(tǒng)經(jīng)槽閥(未示出)和室通路裝置(未示出)把基片135傳入和傳出處理室110，其中可以通過安裝在基片保持器130內(nèi)的基片提升銷(未示出)接收基片并且由基本保持器中安裝的部件機(jī)械地移動(dòng)。一旦從基片傳送系統(tǒng)接收基片135，可以把基片降低到基片保持器130的上表面上。
例如可以通過靜電夾緊系統(tǒng)把基片135固定到基片保持器130上。此外，基片保持器130還可以包括冷卻系統(tǒng)，后者包括接收來自基片保持器130的熱的并且把熱傳送到熱交換系統(tǒng)(未示出)或者當(dāng)加熱時(shí)從該熱交換系統(tǒng)傳送熱的再循環(huán)冷卻劑流。另外，例如可以通過背面氣體系統(tǒng)向基片135的背面?zhèn)魉蜌怏w以改善基片135和基片保持器135之間的氣隙熱傳導(dǎo)。當(dāng)溫度升高或降低需要對(duì)基片控制溫度時(shí)，可以采用這樣的系統(tǒng)。在其它實(shí)施例中可以包括加熱元件，例如電阻加熱元件或熱電加熱器/冷卻器。
在一替代實(shí)施例中，基片保持器130可以例如還包括一個(gè)垂直移動(dòng)部件(未示出)，其由和基片保持器130及處理室110耦接的膜盒(bellows)包圍，該膜盒配置成對(duì)處理室110中的降壓環(huán)境密封該垂直移動(dòng)部件。另外，一個(gè)膜盒罩(未示出)例如可和基片保持器130耦接并配置成保護(hù)該膜盒。基片保持器130例如還可以帶有聚焦環(huán)(未示出)、屏蔽環(huán)(未示出)和擋板(未示出)。
在該示出的圖1實(shí)施例中，基片保持器130可以包括一個(gè)可通過其使RF能與處理空間115中的處理氣體耦合的電極(未示出)。例如，通過從RF系統(tǒng)150傳輸RF能可以電氣上把基片保持器配130偏置在一RF電壓。在一些情況下，可以利用RF偏置加熱電子以形成和保持等離子體。RF偏置的典型頻率是從1兆赫到100兆赫。例如，業(yè)內(nèi)人士周知采用13.56兆赫用于等離子體處理的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。
如圖1中所示，上組件120和處理室110耦接并被配置成完成下述功能中的至少一個(gè)功能提供氣體注入系統(tǒng)，提供容性耦合等離子體(CCP)源，提供感性耦合等離子體(ICP)源，提供變壓器耦合等離子體(TCP)源，提供微波供能等離子體源，提供電子回旋加速器諧振(ECR)等離子體源，提供螺旋波等離子體源以及提供表面波等離子體源。
例如，上組件120可包括電極、絕緣環(huán)、天線、傳輸線和/或其它RF構(gòu)件(未示出)。此外，上組件120可包括永久磁鐵、電磁鐵和/或其它磁體系統(tǒng)構(gòu)件(未示出)。而且，上組件120可包括供給管路、注入部件和/或其它供氣系統(tǒng)構(gòu)件(未示出)。另外，上組件100可包括機(jī)架、蓋、密封部件和/或其它機(jī)械部件(未示出)。
在一替代實(shí)施例中，處理室110例如還可以包括用來保護(hù)處理室110免受處理空間115中的處理等離子體的室套筒(未示出)或處理管(未示出)。另外，處理室110可包括一個(gè)監(jiān)視端口(未示出)。監(jiān)視端口例如可以允許光學(xué)地監(jiān)視處理空間115。
材料處理系統(tǒng)100也包括至少一個(gè)具有集成傳輸裝置的測量部件，如在所示出的實(shí)施例中，可利用至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器190來產(chǎn)生和傳輸諸如狀態(tài)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)。例如，處理室110可包括至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器190，和/或上組件120可包括至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器190，和/或基本保持器可包括至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器190。
材料處理系統(tǒng)100還可以包括至少一個(gè)帶有集成的接收裝置的接口部件。如圖1中所示，可以利用傳感器接口組件(SIA)180與至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器190通信。例如，SIA180可接收狀態(tài)數(shù)據(jù)。
在一實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器190可包括一個(gè)狀態(tài)傳感器(未示出)和一個(gè)集成的發(fā)送器(未示出)，而SIA180可包括一個(gè)集成接收器(未示出)。RF敏感狀態(tài)傳感器190可利用該發(fā)送器發(fā)送數(shù)據(jù)，而SIA 180可利用該接收器接收該發(fā)送的數(shù)據(jù)。這些RF敏感狀態(tài)傳感器190可以利用相同的或不同的頻率操作，而SIA180可以利用一個(gè)或多個(gè)頻率操作。
材料處理系統(tǒng)100還可以包括一個(gè)控制器170。控制器170可以和室110、上組件120、基片保持器RF130、RF系統(tǒng)150、泵激系統(tǒng)160以及SIA180耦接。該控制器可配置成向SIA提供控制數(shù)據(jù)和從SIA接收狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，控制器170可包括微處理器、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)以及數(shù)字I/O端口，該端口能產(chǎn)生足以通信、激勵(lì)至處理系統(tǒng)100的輸入以及監(jiān)視來自處理系統(tǒng)100的輸出的控制電壓。另外，控制器170可以和室110、上組件120、基片保持器130、RF系統(tǒng)150、泵激系統(tǒng)160以及SIA180交換信息。另外，可以利用該存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的程序，根據(jù)處理方法控制材料處理系統(tǒng)100的上述構(gòu)件。另外，控制器170可配置成分析狀態(tài)數(shù)據(jù)、把狀態(tài)數(shù)據(jù)和目標(biāo)狀態(tài)數(shù)據(jù)比較，以及利用該比較改變處理和/或控制處理工具。此外，該控制器可配置成分析狀態(tài)數(shù)據(jù)、把狀態(tài)數(shù)據(jù)和歷史狀態(tài)數(shù)據(jù)比較并且利用該比較預(yù)測、防止和/或宣布故障。
圖2示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的RF敏感狀態(tài)傳感器和SIA的簡化方塊圖。在該示出的實(shí)施例中，SIA180包括SIA接收器181和SIA發(fā)送器182，以及RF敏感狀態(tài)傳感器190包括狀態(tài)傳感器191和RF敏感發(fā)送器192。
SIA180可以利用通信鏈路195和RF敏感狀態(tài)傳感器190耦合。例如，RF敏感狀態(tài)傳感器190和SIA180可以利用范圍從0.01兆赫至110.0兆赫的一個(gè)或多個(gè)RF頻率操作。替代地，通信鏈路195可包括光學(xué)裝置。
SIA接收器181可配置成接收來自一個(gè)或多個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器的信號(hào)。例如，SIA接收器181可配置成接收來自至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器的響應(yīng)信號(hào)，并且該響應(yīng)信號(hào)可包括數(shù)據(jù)，其可包括狀態(tài)數(shù)據(jù)。
另外，SIA發(fā)送器182可配置成向一個(gè)或更多的RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送信號(hào)。例如，SIA發(fā)送器182可配置成向至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送輸入信號(hào)，并且該輸入信號(hào)可包括數(shù)據(jù)，其可包括控制數(shù)據(jù)。
狀態(tài)傳感器191可配置成提供一個(gè)或多個(gè)與構(gòu)件關(guān)聯(lián)的性質(zhì)。狀態(tài)傳感器191可配置成生成狀態(tài)數(shù)據(jù)并把狀態(tài)數(shù)據(jù)提供給RF敏感發(fā)送器192。狀態(tài)數(shù)據(jù)可以包括沉積數(shù)據(jù)和腐蝕數(shù)據(jù)中的至少一個(gè)。例如，一些系統(tǒng)構(gòu)件可以在系統(tǒng)操作期間使材料沉積在它們之上，并且可以把狀態(tài)傳感器191配置成產(chǎn)生可包括膜厚度數(shù)據(jù)、膜均勻性數(shù)據(jù)以及膜組成數(shù)據(jù)中的至少一個(gè)的沉積數(shù)據(jù)。在其他實(shí)施例中，狀態(tài)傳感器191可配置成生成腐蝕數(shù)據(jù)。腐蝕數(shù)據(jù)可包括零件磨損或腐蝕的信息。此外，在系統(tǒng)操作期間一些系統(tǒng)構(gòu)件可被腐蝕，從而RF敏感狀態(tài)傳感器可用于監(jiān)視腐蝕量并且提供諸如構(gòu)件厚度數(shù)據(jù)、腐蝕深度數(shù)據(jù)以及構(gòu)件均勻性數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)。狀態(tài)數(shù)據(jù)可以包括用來控制處理、處理室和/或處理工具的測量數(shù)據(jù)和/或處理后的數(shù)據(jù)。
在各實(shí)施例中，狀態(tài)傳感器191可包括光學(xué)傳感器、微機(jī)電(MEM)傳感器、表面聲波(SAW)傳感器以及體聲波(BAW)傳感器中的至少之一。例如，光學(xué)傳感器可以是一個(gè)和某系統(tǒng)構(gòu)件耦合的窄帶或?qū)拵Р考?，并且可配置成利用一個(gè)或多個(gè)光信號(hào)生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。MEM傳感器可以和一系統(tǒng)構(gòu)件耦合并且可配置成利用一個(gè)或多個(gè)MEM諧振器生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。SAW傳感器可以和一系統(tǒng)構(gòu)件耦合并且可配置成利用一個(gè)或多個(gè)SAW諧振器生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。BAW傳感器可以和一系統(tǒng)構(gòu)件耦合并且可配置成利用一個(gè)或多個(gè)BAW諧振器生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。另外，這些傳感器可以測量、存儲(chǔ)(例如在易失性或非易失性存儲(chǔ)器中)和/或處理狀態(tài)數(shù)據(jù)。這些傳感器可生成沉積和/或腐蝕數(shù)據(jù)。
備選地，狀態(tài)傳感器191還可以包括電源、接收器、發(fā)送器、控制器、時(shí)鐘、存儲(chǔ)器(例如易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)和外殼中的至少一個(gè)。
狀態(tài)傳感器191可配置成生成用于長期或者短期的狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，狀態(tài)傳感器可以包括連續(xù)運(yùn)行計(jì)時(shí)器和觸發(fā)式計(jì)時(shí)器中的至少一個(gè)，并且可以通過和處理有關(guān)的事件或者和處理無關(guān)的事件來觸發(fā)該觸發(fā)式計(jì)時(shí)器。狀態(tài)傳感器可以把RF能轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)并利用該DC信號(hào)操作傳感器。在此方式下，可以生成和處理有關(guān)的事件，例如RF小時(shí)數(shù)據(jù)。
RF敏感發(fā)送器192可以配置成向至少一個(gè)SIA180發(fā)送信號(hào)。例如，可把RF敏感發(fā)送器192配置成發(fā)送響應(yīng)信號(hào)，并且該響應(yīng)信號(hào)可包括數(shù)據(jù)，其可包括狀態(tài)數(shù)據(jù)和/或腐蝕數(shù)據(jù)。而且，該發(fā)送器可用于處理和發(fā)送窄帶和寬帶信號(hào)，包括AM信號(hào)、FM信號(hào)和/或PM信號(hào)。另外，該發(fā)送器還可處理和發(fā)送編碼信號(hào)和/或擴(kuò)譜信號(hào)以提高它在高干擾環(huán)境中(例如半導(dǎo)體加工設(shè)施中)的性能。
在各實(shí)施例中，RF敏感發(fā)送器192可包括電源、信號(hào)源、調(diào)制器、編碼器、放大器、天線、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)、外殼和控制器中的至少之一。在一種情況中，RF敏感發(fā)送器192可包括一個(gè)天線(未示出)，當(dāng)設(shè)置在RF場中該天線充當(dāng)反向散射部件。
在替代實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器190還可以包括電源、信號(hào)源、接收器、天線、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)、計(jì)時(shí)器、外殼和控制器中至少之一。而且，RF敏感狀態(tài)傳感器190還可以包括例如在以下共同未決申請(qǐng)中說明的傳感器同一日期申請(qǐng)的標(biāo)題為“監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法和設(shè)備”的10/＿申請(qǐng)，代理機(jī)構(gòu)案卷號(hào)231748US6YA；同一日期申請(qǐng)標(biāo)題為“監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法和設(shè)備”的10/＿申請(qǐng)，代理機(jī)構(gòu)案卷號(hào)231750US6YA；同一日期申請(qǐng)標(biāo)題為“監(jiān)視材料處理系統(tǒng)中的零件的方法和設(shè)備”的10/＿申請(qǐng)，代理機(jī)構(gòu)案卷號(hào)231227US6YA；以及，同一日期申請(qǐng)標(biāo)題為“監(jiān)視材料處理系統(tǒng)中的等離子體的方法和設(shè)備”的10/＿申請(qǐng)，代理機(jī)構(gòu)案卷號(hào)231228US6YA；所有這些申請(qǐng)收錄在此作為參考。
圖3a-3c示出依據(jù)本發(fā)明的，實(shí)施例的RF敏感狀態(tài)傳感器的簡化方塊圖。在示出的實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器190包括狀態(tài)傳感器191、RF敏感發(fā)送器192和電源194。
如圖3a中所示，電源194可和RF敏感發(fā)送器192耦接。替代地，電源194可包含在RF敏感發(fā)送器192中。如圖3b中所示，電源194可和狀態(tài)傳感器191耦接。替代地，電源194可包含在狀態(tài)傳感器191中。如圖3c中所示，電源194可和狀態(tài)傳感器191以及RF敏感發(fā)送器192耦接。替代地，電源194可包含在狀態(tài)傳感器191內(nèi)和RF敏感發(fā)送器192內(nèi)。
電源194可以包括RF至DC轉(zhuǎn)換器、DC至DC轉(zhuǎn)換器和電池中的至少之一。RF至DC轉(zhuǎn)換器例如可以包括天線、二級(jí)管和濾波器中的至少之一。在一情況中，RF至DC轉(zhuǎn)換器可以把至少一個(gè)和處理相關(guān)的頻率轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)。在另一情況中，RF至DC轉(zhuǎn)換器可以把至少一個(gè)和處理無關(guān)的頻率轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)。例如，可以對(duì)該轉(zhuǎn)換器提供外部信號(hào)。備選地，RF至DC轉(zhuǎn)換器可以把至少一個(gè)和等離子體相關(guān)的頻率轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)。
圖4a-4c示出依據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)充實(shí)施例的RF敏感狀態(tài)傳感器的簡化方塊圖。在這些示出的實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器190包括狀態(tài)傳感器191、RF敏感發(fā)送器192和接收器196。
如圖4a中所示，接收器196可以和RF敏感發(fā)送器192耦接。替代地，接收器196可包含在RF敏感發(fā)送器192之內(nèi)。如圖4b中所示，接收器196可以和狀態(tài)傳感器191耦接。替代地，接收器196可包含在狀態(tài)傳感器191之內(nèi)。如圖4c中所示，接收器196可以和狀態(tài)傳感器191以及RF敏感發(fā)送器192耦接。替代地，接收器196可包含在狀態(tài)傳感器191之內(nèi)和RF敏感發(fā)送器192之內(nèi)。
接收器196可包括電源、信號(hào)源、天線、下變頻器、解調(diào)器、譯碼器、控制器、存儲(chǔ)器(例如易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)和轉(zhuǎn)換器中至少之一。例如，該接收器可用來接收和處理窄帶和寬帶信號(hào)，包括AM信號(hào)、FM信號(hào)和/或PM信號(hào)。另外，該接收器還可以接收和處理編碼信號(hào)和/或擴(kuò)頻信號(hào)，以提高高干擾環(huán)境例如半導(dǎo)體加工設(shè)施內(nèi)的性能。
圖5a-5c示出依據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)充實(shí)施例的RF敏感狀態(tài)傳感器的簡化方塊圖。在這些示出的實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器190包括狀態(tài)傳感器191、RF敏感發(fā)送器192和控制器198。
如圖5a中所示，控制器198可以和RF敏感發(fā)送器192耦接。替代地，控制器198可包含在RF敏感發(fā)送器192之內(nèi)。如圖5b中所示，控制器198可以和狀態(tài)傳感器191耦接。替代地，控制器198可包含在狀態(tài)傳感器191之內(nèi)。如圖5c中所示，控制器198可以和狀態(tài)傳感器191和RF敏感發(fā)送器192耦接。替代地，控制器198可包含在狀態(tài)傳感器191之內(nèi)和RF敏感發(fā)送器192之內(nèi)。
控制器198可包括微處理器、微控制器、計(jì)時(shí)器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、存儲(chǔ)器(例如易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)、A/D轉(zhuǎn)換器和D/A轉(zhuǎn)換器中至少之一。例如，該控制器可用于處理從AM信號(hào)、FM信號(hào)和/或PM信號(hào)接收的數(shù)據(jù)并且可用于處理要在AM信號(hào)、FM信號(hào)和/或PM信號(hào)上發(fā)送的數(shù)據(jù)。另外，控制器198還可用于處理編碼信號(hào)和/或擴(kuò)頻信號(hào)。另外，控制器198還可以用于存儲(chǔ)信息，例如測量數(shù)據(jù)、指令碼、傳感器信息和/或零件信息，它們可包括傳感器標(biāo)識(shí)和零件標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)。例如，輸入信號(hào)數(shù)據(jù)可被提供給控制器198。
圖6a-6c示出依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的SIA的簡化方塊圖。在這些示出的實(shí)施例中，SIA180包括SIA接收器181、SIA發(fā)送器182和電源184。
SIA發(fā)送器182可配置成向至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送輸入信號(hào)，并且該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器可以利用該輸入信號(hào)控制它的操作。例如，RF敏感狀態(tài)傳感器可以利用輸入信號(hào)信息確定何時(shí)生成狀態(tài)數(shù)據(jù)和/或何時(shí)發(fā)送響應(yīng)信號(hào)。
SIA發(fā)送器182可以包括電源、信號(hào)源、天線、上變頻器、放大器、調(diào)制器、編碼器、計(jì)時(shí)器、控制器、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)、D/A轉(zhuǎn)換器和A/D轉(zhuǎn)換器中至少之一。例如，該發(fā)送器可用于處理和發(fā)送窄帶和寬帶信號(hào)，包括AM信號(hào)、FM信號(hào)和/或PM信號(hào)。另外，SIA發(fā)送器182可配置成處理和發(fā)送編碼信號(hào)和/或擴(kuò)頻信號(hào)以提高在高干擾環(huán)境例如半導(dǎo)體加工設(shè)施中的性能。
SIA接收器181可配置成接收來自至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器的響應(yīng)信號(hào)，并且該響應(yīng)信號(hào)可包括狀態(tài)數(shù)據(jù)。
SIA接收器181可包括電源、信號(hào)源，天線，下變頻器、解調(diào)器、譯碼器、計(jì)時(shí)器，控制器、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)、D/A轉(zhuǎn)換器和A/D轉(zhuǎn)換器中至少之一。例如，SIA接收器可用于接收和處理窄帶和寬帶信號(hào)，包括AM信號(hào)、FM信號(hào)和/或PM信號(hào)。另外，SIA接收器181還可配置成接收和處理編碼信號(hào)和/或擴(kuò)頻信號(hào)以提高在高干擾環(huán)境例如半導(dǎo)體加工設(shè)施中的性能。
如圖6a中所示，電源184可和SIA發(fā)送器182耦接。替代地，電源184可包含在SIA發(fā)送器182之內(nèi)。如圖6b中所示，電源184可以和SIA接收器181耦接。替代地，電源184可包含在SIA接收器182之內(nèi)。如圖6c中所示，電源184可以和SIA接收器181以及SIA發(fā)送器182耦接。替代地，電源184可以包含在SIA接收器181以及SIA發(fā)送器182之內(nèi)。
電源184可以包括RF至DC轉(zhuǎn)換器，DC至DC轉(zhuǎn)換器、電池、濾波器、計(jì)時(shí)器、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)和控制器中至少一個(gè)。另外，電池可以對(duì)處理室是外部的并且可以利用一條或更多的電纜和SIA連接。
圖7a-7c示出依據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)充實(shí)施例的傳感器接口組件的簡化方塊圖。在這些示出的實(shí)施例中，SIA180包括SIA接收器181、SIA發(fā)送器182和控制器186。
如圖7a中所示，控制器186可以和SIA接收器181耦接。替代地，控制器186可包含在SIA接收器181之內(nèi)。如圖7b中所示，控制器186可以和SIA發(fā)送器182耦接。替代地，控制器186可包含在SIA發(fā)送器182之內(nèi)。如圖7c中所示，控制器186可以和SIA接收器181和SIA發(fā)送器182耦接。替代地，控制器186可包含在SIA接收器181之內(nèi)和SIA發(fā)送器182之內(nèi)。
控制器186可包括微處理器、微控制器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)、A/D轉(zhuǎn)換器和D/A轉(zhuǎn)換器中至少之一。該控制器例如可用于處理從響應(yīng)信號(hào)接收的數(shù)據(jù)并且可以用于處理要在輸入信號(hào)上傳送的數(shù)據(jù)?？刂破?86還可以用于存儲(chǔ)信息，例如測量數(shù)據(jù)、指令碼、傳感器信息和/或零件信息，它們可包括傳感器標(biāo)識(shí)和零件標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)。
圖8a-8c示出依據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)充實(shí)施例的傳感器接口組件的簡化方塊圖。在這些示出的實(shí)施例中，SIA180包括SIA接收器181、SIA發(fā)送器182和接口188。
如圖8a中所示，接口188可以和SIA接收器181耦接。替代地，接口188可包含在SIA接收器181之內(nèi)。如圖8b中所示，接口188可以和SIA發(fā)送器182耦接。替代地，接口188可包含在SIA發(fā)送器182之內(nèi)。如圖8c中所示，接口188可以和SIA接收器181和SIA發(fā)送器182耦接。替代地，接口188可包含在SIA接收器181之內(nèi)和SIA發(fā)送器182之內(nèi)。
接口188可包括電源、信號(hào)源、接收器、發(fā)送器、控制器、處理器、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)、計(jì)時(shí)器和轉(zhuǎn)換器中的至少之一。該接口例如可用于處理從系統(tǒng)級(jí)構(gòu)件例如控制器170(圖1)接收的數(shù)據(jù)以及對(duì)其發(fā)送的數(shù)據(jù)。
業(yè)內(nèi)人士會(huì)意識(shí)到可以把接收器和發(fā)送器組合在一個(gè)收發(fā)器中。
圖9示出一種依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法。過程900在910開始。
在920中，設(shè)置至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器?？梢栽诓牧咸幚硐到y(tǒng)中的許多不同位置處設(shè)置RF敏感狀態(tài)傳感器。例如，RF敏感狀態(tài)傳感器可以和處理室構(gòu)件、上組件構(gòu)件和基片保持器構(gòu)件耦合。另外，當(dāng)在材料處理系統(tǒng)中使用室管路(處理管)時(shí)，RF敏感狀態(tài)傳感器可和該管路耦合。另外，RF敏感狀態(tài)傳感器可以和傳送系統(tǒng)構(gòu)件、RF系統(tǒng)構(gòu)件、供氣系統(tǒng)構(gòu)件和/或排氣系統(tǒng)構(gòu)件(當(dāng)在材料處理系統(tǒng)中使用這些構(gòu)件中的一個(gè)或多個(gè)時(shí))耦合。
RF敏感狀態(tài)傳感器可包括一個(gè)和狀態(tài)傳感器耦接的RF敏感發(fā)送器。在各實(shí)施例中，狀態(tài)傳感器可包括天線、電壓探頭、電流探頭、電壓/電流(V/I)探頭、場探頭、蘭米爾(Langmuir)探針、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)、處理器、計(jì)時(shí)器和外殼中的至少之一。例如，可以利用天線和/或探頭測量處理室內(nèi)和/或處理室外的電信號(hào)。探頭可以和各構(gòu)件耦接從而用來向處理室和/或處理工具提供RF信號(hào)。
狀態(tài)傳感器還可配置成生成數(shù)據(jù)例如狀態(tài)數(shù)據(jù)，并把該數(shù)據(jù)提供到RF敏感發(fā)送器。另外，狀態(tài)傳感器可以包括處理器、存儲(chǔ)器(例如，易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器)、計(jì)時(shí)器和電源中至少之一，并且狀態(tài)傳感器利用內(nèi)部控制過程生成、存儲(chǔ)和/或處理數(shù)據(jù)(例如狀態(tài)數(shù)據(jù))，并且接著把數(shù)據(jù)提供到RF敏感發(fā)送器。狀態(tài)傳感器可以利用和處理相關(guān)的和/或和處理無關(guān)的信號(hào)判定何時(shí)操作。替代地，狀態(tài)傳感器還可以包括接收器、發(fā)送器以及外殼中至少之一。
在各實(shí)施例中，RF敏感發(fā)送器包括一個(gè)發(fā)送器和一個(gè)天線。例如，該發(fā)送器可配置成用數(shù)據(jù)例如狀態(tài)數(shù)據(jù)調(diào)制和/或編碼輸入信號(hào)，并且該天線可配置成發(fā)送該輸入信號(hào)。
在別的情況下，RF敏感發(fā)送器可包括一個(gè)調(diào)制器和一個(gè)天線，并且該調(diào)制器可配制成用狀態(tài)數(shù)據(jù)調(diào)制輸入信號(hào)，而該天線可配置成發(fā)送該調(diào)制的信號(hào)。備選地，RF敏感發(fā)送器可包括一個(gè)天線和一個(gè)反向散射調(diào)制器。
在930，設(shè)置傳感器接口組件(SIA)?？梢栽诓牧咸幚硐到y(tǒng)中的若干不同位置上設(shè)置SIA。例如，SIA可以和處理室、上組件和基片保持器耦合。在其它實(shí)施例中，如果可以建立和RF敏感狀態(tài)傳感器的通信鏈路，可以在處理室外安裝SIA。備選地，SIA可以和監(jiān)視端口或其它輸入端口耦接。
SIA可以包括一個(gè)配置成接收來自至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器的響應(yīng)信號(hào)，并且該響應(yīng)信號(hào)可以包括數(shù)據(jù)例如狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，RF敏感狀態(tài)傳感器可配置成利用與處理相關(guān)和/或與處理無關(guān)的內(nèi)部控制過程來生成并傳送響應(yīng)信號(hào)。
另外，SIA可以包括一個(gè)配置成向至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送輸入信號(hào)的發(fā)送器，并且該輸入信號(hào)可包括用于該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器的操作數(shù)據(jù)。例如，RF敏感狀態(tài)傳感器可配置成當(dāng)它接收來自SIA的輸入信號(hào)時(shí)生成并發(fā)送響應(yīng)信號(hào)。
在別的情況中，SIA可包括一個(gè)和SIA發(fā)送器以及SIA接收器連接的電源。在其它實(shí)施例中，SIA可包括一個(gè)可以和SIA發(fā)送器和SIA接收器耦接的控制器。
在940中，可以利用帶有狀態(tài)傳感器和RF敏感發(fā)送器的RF敏感狀態(tài)傳感器來生成數(shù)據(jù)，例如狀態(tài)數(shù)據(jù)。狀態(tài)傳感器可以在處理之前、期間和之后生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，RF敏感狀態(tài)傳感器可以為處理室構(gòu)件、上組件構(gòu)件和基片保持器構(gòu)件生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。另外，當(dāng)在材料處理系統(tǒng)中使用室管路(處理管)時(shí)，RF敏感狀態(tài)傳感器可以為該管中路生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。此外，RF敏感狀態(tài)傳感器可以為傳送系統(tǒng)構(gòu)件、RF系統(tǒng)構(gòu)件、供氣系統(tǒng)構(gòu)件和/或排氣系統(tǒng)構(gòu)件生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。
RF敏感狀態(tài)傳感器可配置成提供一個(gè)或多個(gè)與構(gòu)件相關(guān)的特性。例如，狀態(tài)傳感器可配置成生成可包括沉積數(shù)據(jù)和腐蝕數(shù)據(jù)中至少之一的狀態(tài)數(shù)據(jù)。沉積數(shù)據(jù)例如可包括膜厚度數(shù)據(jù)、膜均勻性數(shù)據(jù)和膜成分?jǐn)?shù)據(jù)中的至少之一。腐蝕數(shù)據(jù)可包括構(gòu)件厚度數(shù)據(jù)、腐蝕深度數(shù)據(jù)和構(gòu)件均勻性數(shù)據(jù)中至少之一。狀態(tài)數(shù)據(jù)可以包括可用來控制處理、處理室和/或處理工具的測量數(shù)據(jù)和/或處理數(shù)據(jù)。還可以在安裝、操作和/或維護(hù)過程中使用狀態(tài)數(shù)據(jù)。狀態(tài)數(shù)據(jù)可以包括處理之前、期間和/或之后進(jìn)行的測量。替代地，狀態(tài)數(shù)據(jù)可包括等離子體處理之前、期間和/或之后進(jìn)行的測量。
在一個(gè)或更多的實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器可包括電源，并且該電源可配置成利用和處理相關(guān)的頻率促使該RF敏感狀態(tài)傳感器生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，該電源可以把提供到處理室的一些RF能轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)，并且利用該DC信號(hào)操作RF敏感狀態(tài)傳感器中的狀態(tài)傳感器。替代地，RF敏感狀態(tài)傳感器可包括和狀態(tài)傳感器耦接的電池，并且可利用DC信號(hào)使?fàn)顟B(tài)傳感器開始生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。
在其它實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器可以包括一個(gè)電源，并且該電源可配置成利用和等離子體無關(guān)的頻率使該RF敏感狀態(tài)傳感器生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，該電源可以把由輸入信號(hào)提供的部分RF能轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)，并利用該DC信號(hào)操作RF敏感狀態(tài)傳感器中的狀態(tài)傳感器。替代地，RF敏感狀態(tài)傳感器可包括和狀態(tài)傳感器耦接的電池，并且該輸入信號(hào)可用于使該狀態(tài)傳感器開始生成狀態(tài)數(shù)據(jù)。
在補(bǔ)充實(shí)施例中，可以在等離子體處理系統(tǒng)中使用RF敏感狀態(tài)傳感器，并且它可配置成利用和等離子體相關(guān)和無關(guān)的頻率生成數(shù)據(jù)，例如狀態(tài)數(shù)據(jù)。
在950，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器利用它的RF敏感發(fā)送器發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，RF敏感發(fā)送器可以發(fā)送包含諸如狀態(tài)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)的響應(yīng)信號(hào)。在一替代實(shí)施例中，一個(gè)RF敏感發(fā)送器可以和多于一個(gè)的狀態(tài)傳感器耦接，并且一個(gè)RF敏感發(fā)送器可以和一個(gè)或多個(gè)附加傳感器耦接。
可以在材料處理系統(tǒng)的若干不同位置上設(shè)置RF敏感狀態(tài)傳感器，并且它們可配置成在該材料處理系統(tǒng)進(jìn)行等離子體處理之前、期間和/或之后發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，RF敏感狀態(tài)傳感器可以和室構(gòu)件、上組件構(gòu)件和基片保持器構(gòu)件中至少之一耦合，并且可以從系統(tǒng)中的不同位置處發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。另外，當(dāng)在材料處理系統(tǒng)中使用室管路(處理管)時(shí)，RF敏感狀態(tài)處理器可從該管路發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。此外，RF敏感狀態(tài)傳感器可以從傳送系統(tǒng)構(gòu)件、RF系統(tǒng)構(gòu)件、供氣系統(tǒng)構(gòu)件和/或排氣系統(tǒng)構(gòu)件發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。
在一些實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器可以包括一個(gè)電源，并且該電源可以配置成利用和等離子體相關(guān)的頻率使該RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，該電源可以把提供給處理室的一部分RF能轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)，并用該DC信號(hào)操作該RF敏感狀態(tài)傳感器中的發(fā)送器。而且，RF敏感狀態(tài)傳感器可包括和發(fā)送器耦接的電池，并可以利用和處理相關(guān)的信號(hào)使RF敏感發(fā)送器開始發(fā)送數(shù)據(jù)。
在其它實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器可以包括一個(gè)電源，并且該電源可配置成利用和處理無關(guān)的頻率使該RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，該電源可以把由輸入信號(hào)提供的RF能的一部分轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)，并且利用該DC信號(hào)操作該RF敏感狀態(tài)傳感器中的發(fā)送器。而且，RF敏感狀態(tài)傳感器可包括一個(gè)和發(fā)送器耦接的電池，并且可以利用輸入信號(hào)使RF敏感發(fā)送器開始發(fā)送數(shù)據(jù)。
此外，該RF敏感狀態(tài)傳感器可以在等離子體處理系統(tǒng)中使用，并且可以配置成在發(fā)送諸如狀態(tài)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)時(shí)利用與等離子體相關(guān)頻率或不相關(guān)頻率發(fā)送響應(yīng)信號(hào)。
在替代的實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器可以包括一個(gè)用來接收輸入信號(hào)的接收器。例如，接收器可配置成接收輸入信號(hào)并利用該輸入信號(hào)生成用來控制RF敏感狀態(tài)傳感器的操作數(shù)據(jù)。而且，RF敏感狀態(tài)傳感器可利用該輸入信號(hào)確定何時(shí)生成數(shù)據(jù)和/或何時(shí)發(fā)送數(shù)據(jù)。
在其它實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器可包括一個(gè)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)例如狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器?？梢栽谔幚淼哪巢糠制陂g存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)并在該處理的不同部分期間予以發(fā)送。例如，狀態(tài)數(shù)據(jù)可以在等離子體事件期間存儲(chǔ)并在結(jié)束該等離子體事件后發(fā)送。
在其它實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器可包括一個(gè)可用來控制RF敏感狀態(tài)傳感器的操作的控制器。該控制器可包括操作數(shù)據(jù)和/或從SIA接收操作數(shù)據(jù)。例如，可以利用該控制器確定何時(shí)生成和發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。
在一些實(shí)施例中，RF敏感狀態(tài)傳感器可包括一個(gè)計(jì)時(shí)器。計(jì)時(shí)器可包括連續(xù)運(yùn)行計(jì)時(shí)器和觸發(fā)式計(jì)時(shí)器中至少之一，并且可以通過和處理相關(guān)或和處理無關(guān)的頻率來觸發(fā)該觸發(fā)式計(jì)時(shí)器。例如，計(jì)時(shí)器可以把RF能轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)并且利用該DC信號(hào)操作該計(jì)時(shí)器。在此方式下，可以生成RF小時(shí)數(shù)據(jù)。另外，可以通過RF敏感狀態(tài)傳感器接收的輸入信號(hào)來觸發(fā)計(jì)時(shí)器。
在960，可以利用SIA接收來自一個(gè)或多個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器的響應(yīng)信號(hào)，并且該響應(yīng)信號(hào)可包括例如狀態(tài)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)。例如，SIA中的接收器可以配置成在整個(gè)處理期間或在部分處理期間接收一個(gè)或多個(gè)響應(yīng)信號(hào)。在一些情況中，當(dāng)對(duì)處理室提供RF信號(hào)時(shí)，RF敏感狀態(tài)傳感器可發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。
另外，可以利用SIA向一個(gè)或多個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送輸入信號(hào)。例如，SIA中的發(fā)送器可配置成在整個(gè)處理期間或者部分處理期間發(fā)送一個(gè)或多個(gè)輸入信號(hào)。在一些情況中，當(dāng)RF敏感狀態(tài)傳感器當(dāng)接收來自SIA的輸入信號(hào)時(shí)它可向SIA發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。輸入信號(hào)例如可包括用于RF敏感狀態(tài)傳感器的操作數(shù)據(jù)。
SIA可利用內(nèi)部和/或外部控制數(shù)據(jù)確定何時(shí)接收以及何時(shí)發(fā)送信號(hào)。例如，可以把SIA配置成在材料處理系統(tǒng)進(jìn)行處理之前、期間和/或之后操作。
可以在材料處理系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)位置上設(shè)置SIA。例如，SIA可以和室壁、上組件和基片保持器中的至少之一耦合，并且可以從系統(tǒng)中的不同位置接收狀態(tài)數(shù)據(jù)。另外，SIA可以在材料處理系統(tǒng)中使用室管路(處理管)時(shí)從和該室管路耦合的RF敏感狀態(tài)傳感器接收狀態(tài)數(shù)據(jù)。此外，SIA可接收來自和傳送系統(tǒng)構(gòu)件、RF系統(tǒng)構(gòu)件、供氣系統(tǒng)構(gòu)件和/或排氣系統(tǒng)構(gòu)件耦合的RF敏感狀態(tài)傳感器的狀態(tài)數(shù)據(jù)。
在一些實(shí)施例中，SIA可包括一個(gè)電源，并且該電源可配置成利用和等離子體相關(guān)的頻率使SIA操作。例如，該電源可包括一個(gè)把提供給等離子體室的部分RF能轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)的RF至DC轉(zhuǎn)換器，并且可利用該DC信號(hào)操作SIA中的發(fā)送器和/或接收器。
在其它實(shí)施例中，SIA可包括一個(gè)電源并且該電源可配置成利用和等離子體無關(guān)的頻率使該SIA操作。例如，該電源可包括一個(gè)把外部信號(hào)提供的部分RF能轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)的RF至DC轉(zhuǎn)換器，并且可利用該DC信號(hào)操作SIA中的發(fā)送器和/或接收器。
另外，電源可以在處理室的外面并且利用一條或多條電纜和SIA耦接。而且，該電源可包括電池。
如果(1)向RF敏感狀態(tài)傳感器190發(fā)送請(qǐng)求消息后和/或(2)在該傳感器196的計(jì)時(shí)器規(guī)定的時(shí)間后，SIA180未從該傳感器190接收到響應(yīng)，該系統(tǒng)可能(例如向操作員)指示出錯(cuò)狀態(tài)，從而可能檢查和該不敏感傳感器對(duì)應(yīng)的設(shè)備。在此情況下可能需要暫停系統(tǒng)的操作。
在970，SIA可以向控制器發(fā)送數(shù)據(jù)例如狀態(tài)數(shù)據(jù)。此外，SIA可以預(yù)處理狀態(tài)數(shù)據(jù)。例如，SIA可以壓縮和/或加密數(shù)據(jù)。過程900在980結(jié)束。
SIA和/或系統(tǒng)控制器可配置成分析數(shù)據(jù)例如狀態(tài)數(shù)據(jù)，并且利用分析結(jié)果控制處理和/或控制處理工具。SIA和/或系統(tǒng)控制器可配置成比較狀態(tài)數(shù)據(jù)和目標(biāo)狀態(tài)數(shù)據(jù)，并且利用該比較控制處理和/或控制處理工具。SIA和/或系統(tǒng)控制器還可配置成比較狀態(tài)數(shù)據(jù)和歷史狀態(tài)數(shù)據(jù)，并且利用該比較預(yù)測、防止和/或宣布故障。此外，SIA和/或系統(tǒng)控制器可配置成分析數(shù)據(jù)例如狀態(tài)數(shù)據(jù)，并且利用該分析結(jié)果決定何時(shí)對(duì)某構(gòu)件進(jìn)行維修。另外，一個(gè)構(gòu)件或傳感器的狀態(tài)數(shù)據(jù)(或者其處理形式)可發(fā)回到另一個(gè)構(gòu)件或傳感器，從而接收傳感器的對(duì)應(yīng)設(shè)備可以知道和/或記住它使用的環(huán)境。
盡管上面僅詳細(xì)說明了本發(fā)明的一些示范實(shí)施例，業(yè)內(nèi)人士容易理解，在本質(zhì)上不背離本發(fā)明的新穎教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，對(duì)這些示范實(shí)施例的許多修改是可能的。由此，預(yù)期所有這樣的修改包含在本
權(quán)利要求
1.一種材料處理系統(tǒng)，包括一個(gè)處理工具，其中該處理工具包括至少一個(gè)處理室；多個(gè)和該處理工具耦接的RF敏感狀態(tài)傳感器，一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器配置成為該處理工具生成狀態(tài)數(shù)據(jù)和發(fā)送該狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及一個(gè)配置成從至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器接收狀態(tài)數(shù)據(jù)的傳感器接口組件(SIA)。
2.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，狀態(tài)數(shù)據(jù)包括沉積數(shù)據(jù)和腐蝕數(shù)據(jù)中至少之一。
3.如權(quán)利要求2所述的材料處理系統(tǒng)，其中，狀態(tài)數(shù)據(jù)包括膜厚度數(shù)據(jù)、膜均勻性數(shù)據(jù)和膜組成數(shù)據(jù)中至少之一。
4.如權(quán)利要求2所述的材料處理系統(tǒng)，其中，狀態(tài)數(shù)據(jù)包括構(gòu)件厚度數(shù)據(jù)、構(gòu)件均勻性數(shù)據(jù)和構(gòu)件組成數(shù)據(jù)中至少之一。
5.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括用于生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；以及和該狀態(tài)傳感器耦接的用于發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感發(fā)送器。
6.如權(quán)利要求5所述的材料處理系統(tǒng)，其中，處理傳感器包括光學(xué)傳感器、微機(jī)電(MEM)傳感器、表面聲波(SAW)傳感器和體聲波(BAW)傳感器中至少之一。
7.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和室構(gòu)件耦接。
8.如權(quán)利要求7所述的材料處理系統(tǒng)，其中，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成為室構(gòu)件生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；以及和該狀態(tài)傳感器耦接的用于為該室構(gòu)件發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感發(fā)送器。
9.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，還包括上組件，其中，至少一個(gè)RF敏感電傳感器和該上組件的至少一個(gè)構(gòu)件耦接。
10.如權(quán)利要求9所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該至少一個(gè)RF敏感電傳感器包括配置成為該上組件的該至少一個(gè)構(gòu)件生成電數(shù)據(jù)的電傳感器；以及和該電傳感器耦接的用于為該上組件的該至少一個(gè)構(gòu)件發(fā)送電數(shù)據(jù)的RF敏感發(fā)送器。
11.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，還包括基片保持器，其中，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和該基片保持器耦接。
12.如權(quán)利要求11所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該基片保持器包括夾盤、靜電夾盤(ESC)、罩、聚焦環(huán)、隔板和電極中至少之一。
13.如權(quán)利要求11所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成為該基片保持器生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；以及和該狀態(tài)傳感器耦接的用于為該基片保持器發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感發(fā)送器。
14.如權(quán)利要求11所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成用于為該基片保持器上的晶片生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；以及和該狀態(tài)傳感器耦接的用于為該晶片發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感發(fā)送器。
15.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，還包括環(huán)，其中至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和該環(huán)耦接。
16.如權(quán)利要求15所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該環(huán)包括聚焦環(huán)、屏蔽環(huán)、沉積環(huán)、電極環(huán)和絕緣環(huán)中至少之一。
17.如權(quán)利要求15所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成為該環(huán)生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；以及和該狀態(tài)傳感器耦接的用于為該環(huán)發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感發(fā)送器。
18.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，還包括板，其中，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和該板耦接。
19.如權(quán)利要求18所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該板包括排氣板、隔板、電極板和絕緣板中至少之一。
20.如權(quán)利要求18所述的材料處理系統(tǒng)，其中，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成用于為該板生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；以及和該狀態(tài)傳感器耦接的用于為該板發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感發(fā)送器。
21.如權(quán)利要求5所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器還包括一個(gè)和該狀態(tài)傳感器及該RF敏感發(fā)送器中至少之一耦接的計(jì)時(shí)器。
22.如權(quán)利要求5所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該RF敏感發(fā)送器包括一個(gè)配置成發(fā)送響應(yīng)信號(hào)的天線以及一個(gè)和該天線耦接的發(fā)送器，其中，該發(fā)送器配置成利用該狀態(tài)數(shù)據(jù)調(diào)制和/或編碼該響應(yīng)信號(hào)。
23.如權(quán)利要求5所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器還包括一個(gè)和該狀態(tài)傳感器和該RF敏感發(fā)送器中至少之一耦接的電源。
24.如權(quán)利要求23所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該電源包括配置成把從與處理相關(guān)的信號(hào)發(fā)射的能轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)的RF至DC轉(zhuǎn)換器、配置成把與處理無關(guān)的信號(hào)轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)的RF至DC轉(zhuǎn)換器、DC至DC轉(zhuǎn)換器以及電池中的至少之一。
25.如權(quán)利要求24所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該電源向該狀態(tài)傳感器提供DC信號(hào)。
26.如權(quán)利要求24所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該電源向該RF敏感發(fā)送器提供DC信號(hào)。
27.如權(quán)利要求5所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器還包括一個(gè)和該狀態(tài)傳感器及該RF敏感發(fā)送器中至少之一耦接的控制器。
28.如權(quán)利要求27所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該控制器包括微處理器、微控制器、計(jì)時(shí)器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、存儲(chǔ)器、接收器、A/D轉(zhuǎn)換器和D/A轉(zhuǎn)換器中至少之一。
29.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括用于生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；和該狀態(tài)傳感器耦接的用于發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感發(fā)送器；以及和該狀態(tài)傳感器及該RF敏感發(fā)送器中至少之一耦接的接收器。
30.如權(quán)利要求29所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該RF敏感發(fā)送器包括天線和反向散射調(diào)制器。
31.如權(quán)利要求29所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該RF敏感發(fā)送器包括一個(gè)配置成發(fā)射響應(yīng)信號(hào)的天線以及一個(gè)和該天線耦接的發(fā)送器，其中，該發(fā)送器配置成用狀態(tài)數(shù)據(jù)調(diào)制和/或編碼該響應(yīng)信號(hào)。
32.如權(quán)利要求31所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該RF敏感發(fā)送器還包括RF至DC轉(zhuǎn)換器、DC至DC轉(zhuǎn)換器和電池中至少之一。
33.如權(quán)利要求29所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器還包括至少一個(gè)電源，一個(gè)電源利用RF至DC轉(zhuǎn)換器、DC至DC轉(zhuǎn)換器和電池中至少之一提供DC信號(hào)。
34.如權(quán)利要求29所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該接收器包括天線和處理器，該天線配置成接收輸入信號(hào)，該處理器配置成利用該輸入信號(hào)生成操作數(shù)據(jù)，并且利用該操作數(shù)據(jù)控制該RF敏感發(fā)送器、該接收器和該狀態(tài)傳感器中至少之一。
35.如權(quán)利要求34所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該接收器還包括配置成把從與處理相關(guān)的信號(hào)發(fā)射的能轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)的RF至DC轉(zhuǎn)換器、配置成把與處理無關(guān)的信號(hào)轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)的RF至DC轉(zhuǎn)換器、DC至DC轉(zhuǎn)換器以及電池中的至少之一。
36.如權(quán)利要求29所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器還包括和該接收器、該狀態(tài)傳感器和該RF敏感發(fā)送器中至少之一耦接的控制器。
37.如權(quán)利要求36所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該控制器包括微處理器、微控制器、計(jì)時(shí)器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、存儲(chǔ)器、A/D轉(zhuǎn)換器和D/A轉(zhuǎn)換器中至少之一。
38.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括用于生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；以及和該狀態(tài)傳感器耦接的用于發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感收發(fā)器。
39.如權(quán)利要求38所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該RF敏感收發(fā)器包括配置成發(fā)射響應(yīng)信號(hào)的天線、和該天線耦接的發(fā)送器、第二天線、接收器和處理器，其中該發(fā)送器配置成利用狀態(tài)數(shù)據(jù)調(diào)制和/或編碼該響應(yīng)信號(hào)，該第二天線配置成接收輸入信號(hào)，該接收器配置成利用該輸入信號(hào)生成操作數(shù)據(jù)，該處理器配置成利用該操作數(shù)據(jù)控制該RF敏感收發(fā)器。
40.如權(quán)利要求38所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器還包括一個(gè)和該狀態(tài)傳感器及該RF敏感收發(fā)器中至少之一耦接的控制器。
41.如權(quán)利要求40所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該控制器包括微處理器、微控制器、計(jì)時(shí)器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、存儲(chǔ)器、A/D轉(zhuǎn)換器和D/A轉(zhuǎn)換器中至少之一。
42.如權(quán)利要求38所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器還包括和該狀態(tài)傳感器及該RF敏感收發(fā)器中至少之一耦接的至少一個(gè)電源，一個(gè)電源包括RF至DC轉(zhuǎn)換器、DC至DC轉(zhuǎn)換器和電池中至少之一。
43.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該SIA包括配置成從至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器接收包含狀態(tài)數(shù)據(jù)的響應(yīng)信號(hào)的接收器；以及配置成向該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送輸入信號(hào)的發(fā)送器，其中，該輸入信號(hào)使該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器把該響應(yīng)信號(hào)發(fā)送到該接收器。
44.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該材料處理系統(tǒng)還包括和該SIA耦接的控制器，該控制器配置成分析該狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中該控制器比較該狀態(tài)數(shù)據(jù)和目標(biāo)電性能數(shù)據(jù)并且利用該比較改變處理。
45.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該材料處理系統(tǒng)還包括和該SIA耦接的控制器，該控制器配置成分析狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中該控制器比較該狀態(tài)數(shù)據(jù)和歷史狀態(tài)數(shù)據(jù)并且利用該比較預(yù)測故障。
46.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該材料處理系統(tǒng)還包括和該SIA耦接的控制器，該控制器配置成分析狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中該控制器比較該狀態(tài)數(shù)據(jù)和歷史狀態(tài)數(shù)據(jù)并且利用該比較宣布故障。
47.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該材料處理系統(tǒng)還包括和該SIA耦接的控制器，該控制器配置成向該SIA提供指令數(shù)據(jù)。
48.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該材料處理系統(tǒng)還包括和該SIA耦接的控制器，該控制器配置成分析狀態(tài)數(shù)據(jù)并控制該處理工具。
49.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，還包括RF系統(tǒng)，其中一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和至少一個(gè)RF系統(tǒng)構(gòu)件耦接。
50.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，還包括供氣系統(tǒng)，其中一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和至少一個(gè)供氣系統(tǒng)構(gòu)件耦接。
51.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，還包括傳送系統(tǒng)，其中一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和至少一個(gè)傳送系統(tǒng)構(gòu)件耦接。
52.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，還包括排氣系統(tǒng)，其中一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和至少一個(gè)排氣系統(tǒng)構(gòu)件耦接。
53.如權(quán)利要求1所述的材料處理系統(tǒng)，其中，該材料處理系統(tǒng)還包括和該SIA耦接的控制器，該控制器配置成分析狀態(tài)數(shù)據(jù)并且利用分析結(jié)果確定何時(shí)對(duì)該加工工作進(jìn)行維護(hù)。
54.一種RF敏感狀態(tài)傳感器，包括配置成為材料處理系統(tǒng)中的一個(gè)構(gòu)件生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；以及和該狀態(tài)傳感器耦接的用于發(fā)送該構(gòu)件的該狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感發(fā)送器。
55.如權(quán)利要求54所述的RF敏感狀態(tài)傳感器，其中，該構(gòu)件是蝕刻系統(tǒng)的一個(gè)部分。
56.如權(quán)利要求54所述的RF敏感狀態(tài)傳感器，其中，該構(gòu)件是沉積系統(tǒng)中的一部分。
57.如權(quán)利要求54所述的RF敏感狀態(tài)傳感器，其中，該構(gòu)件是清潔系統(tǒng)中的一部分。
58.如權(quán)利要求54所述的RF敏感狀態(tài)傳感器，其中，該構(gòu)件是傳送系統(tǒng)中的一部分。
59.一種等離子體處理系統(tǒng)，包括一個(gè)處理工具，其中該處理工具包括等離子體室；多個(gè)和該處理工具耦接的用來生成和發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感狀態(tài)傳感器，其中，至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和該等離子體室耦接；以及一個(gè)配置成從該多個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器接收狀態(tài)數(shù)據(jù)的傳感器接口組件(SIA)。
60.如權(quán)利要求59所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，該處理系統(tǒng)還包括一個(gè)和該SIA耦接的控制器，該控制器配置成分析狀態(tài)數(shù)據(jù)并控制該等離子體處理系統(tǒng)。
61.一種監(jiān)視包含處理工具的材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該處理工具包括至少一個(gè)處理室，該方法包括設(shè)置和該處理工具耦接的RF敏感狀態(tài)傳感器，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器配置成生成和發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及設(shè)置傳感器接口組件(SIA)，其中，該SIA配置成接收來自該RF敏感狀態(tài)傳感器的狀態(tài)數(shù)據(jù)。
62.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及發(fā)送該狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器接收包含操作數(shù)據(jù)的輸入信號(hào)并且利用該操作數(shù)據(jù)，以使用響應(yīng)信號(hào)發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。
63.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及發(fā)送該狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該狀態(tài)數(shù)據(jù)包括沉積數(shù)據(jù)和腐蝕數(shù)據(jù)中至少之一。
64.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括把至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器耦接到室構(gòu)件；為該室構(gòu)件生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及為該室構(gòu)件發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括狀態(tài)傳感器和與該狀態(tài)傳感器耦接的RF敏感發(fā)送器。
65.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該方法還包括把至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器耦接到上組件的一個(gè)構(gòu)件；為上組件的該構(gòu)件生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及為上組件的該構(gòu)件發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括狀態(tài)傳感器和與該狀態(tài)傳感器耦接的RF敏感發(fā)送器。
66.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該方法還包括把至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器耦合到基片保持器上；為該基片保持器生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及為該基片保持器發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括狀態(tài)傳感器和與該狀態(tài)傳感器耦接的RF敏感發(fā)送器。
67.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該方法還包括把至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器耦合到晶片上；為該晶片生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及為該晶片發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括狀態(tài)傳感器和與該狀態(tài)傳感器耦接的RF敏感發(fā)送器。
68.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該方法還包括把至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器耦接到傳送系統(tǒng)構(gòu)件、RF系統(tǒng)構(gòu)件、供氣系統(tǒng)構(gòu)件和排氣系統(tǒng)構(gòu)件中至少之一；為該構(gòu)件生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及為該構(gòu)件發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括狀態(tài)傳感器和與該狀態(tài)傳感器耦接的RF敏感發(fā)送器。
69.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該方法還包括使至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和環(huán)耦接；為該環(huán)生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及為該環(huán)發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括狀態(tài)傳感器和與該狀態(tài)傳感器耦接的RF敏感發(fā)送器。
70.如權(quán)利要求69所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該環(huán)包括聚焦環(huán)、屏蔽環(huán)、沉積環(huán)、電極環(huán)和絕緣環(huán)中至少之一。
71.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該方法還包括使至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器和板耦接；為該板生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及為該板發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器包括狀態(tài)傳感器和與該狀態(tài)傳感器耦接的RF敏感發(fā)送器。
72.如權(quán)利要求71所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該板包括隔板、排氣板、電極板和注入板中至少之一。
73.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該方法還包括使至少一個(gè)電源和一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器耦接，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器包括狀態(tài)傳感器和與該狀態(tài)傳感器耦接的RF敏感發(fā)送器；生成DC信號(hào)；以及向該RF敏感發(fā)送器和該狀態(tài)傳感器中至少之一提供該DC信號(hào)。
74.如權(quán)利要求73所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，其中，該方法還包括利用電池、濾波器、RF至DC轉(zhuǎn)換器和DC至DC轉(zhuǎn)換器中至少之一生成DC信號(hào)。
75.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括利用該SIA發(fā)送輸入信息，該SIA包括發(fā)送器，其中該輸入信號(hào)包括操作數(shù)據(jù)；以及接收狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該SIA包括配置成從至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器接收響應(yīng)信號(hào)的接收器。
76.如權(quán)利要求75所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及發(fā)送該狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器接收該輸入信號(hào)并且利用該操作數(shù)據(jù)，以便利用響應(yīng)信號(hào)發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)。
77.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括利用該SIA發(fā)送輸入信號(hào)，該SIA包括發(fā)送器，其中，該輸入信號(hào)包括操作數(shù)據(jù)；接收輸入信號(hào)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成接收該輸入信號(hào)并從該輸入信號(hào)獲得該操作數(shù)據(jù)的接收器；生成狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成生成狀態(tài)數(shù)據(jù)的狀態(tài)傳感器；發(fā)送該狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成利用響應(yīng)信號(hào)發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的發(fā)送器；以及接收狀態(tài)數(shù)據(jù)，該SIA包括配置成接收來自至少一個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器的響應(yīng)信號(hào)的接收器。
78.如權(quán)利要求77所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括當(dāng)不在產(chǎn)生等離子體時(shí)利用該SIA發(fā)送輸入信號(hào)；以及當(dāng)不在產(chǎn)生等離子體時(shí)接收該輸入信號(hào)。
79.如權(quán)利要求77所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括當(dāng)進(jìn)行處理時(shí)生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；當(dāng)不在產(chǎn)生等離子體時(shí)利用該RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送響應(yīng)信號(hào)；以及當(dāng)不在產(chǎn)生等離子體時(shí)接收響應(yīng)信號(hào)。
80.如權(quán)利要求77所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成存儲(chǔ)該狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。
81.如權(quán)利要求77所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括提供DC信號(hào)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成產(chǎn)生該DC信號(hào)并且把該DC信號(hào)提供給RF敏感狀態(tài)傳感器接收器和RF敏感狀態(tài)傳感器發(fā)送器中至少之一的電源。
82.如權(quán)利要求81所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括提供DC信號(hào)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成通過把至少一個(gè)與等離子體相關(guān)的頻率轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)來產(chǎn)生該DC信號(hào)的電源。
83.如權(quán)利要求81所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括提供DC信號(hào)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成通過把至少一個(gè)與離子無關(guān)的頻率轉(zhuǎn)換成該DC信號(hào)來產(chǎn)生該DC信號(hào)的電源。
84.如權(quán)利要求81所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括提供DC信號(hào)，其中，該RF敏感狀態(tài)傳感器包括配置成通過把該輸入信號(hào)的一部分轉(zhuǎn)換成DC信號(hào)來產(chǎn)生該DC信號(hào)的電源。
85.如權(quán)利要求61所述的監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的方法，該方法還包括如果未從該RF敏感狀態(tài)傳感器接收狀態(tài)數(shù)據(jù)，則停止該處理工具中的處理。
全文摘要
本發(fā)明提出一種監(jiān)視材料處理系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)備和方法，其中該材料處理系統(tǒng)包括一個(gè)處理工具、若干和該處理工具耦接的用于產(chǎn)生并發(fā)送狀態(tài)數(shù)據(jù)的RF敏感狀態(tài)傳感器，以及一個(gè)配置成從該多個(gè)RF敏感狀態(tài)傳感器接收狀態(tài)數(shù)據(jù)的傳感器接口組件(SIA)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1860600SQ200380104226
公開日2006年11月8日 申請(qǐng)日期2003年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月31日
發(fā)明者詹姆斯·E·克萊考特卡 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社