專利名稱：制造半導(dǎo)體非易失性存儲器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造包括具有存儲單元的非易失性存儲器的半導(dǎo)體器件，該存儲單元包括存儲晶體管和選擇晶體管，在該方法中，由場氧化物相互隔離的平行條狀有源區(qū)形成在半導(dǎo)體主體中，以便于與其表面接界，其后，將表面設(shè)置以由絕緣層覆蓋且橫向指向有源區(qū)的第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)，該導(dǎo)體跡線在導(dǎo)體跡線與有源區(qū)彼此交叉的位置處用作存儲晶體管的控制柵極，且在該導(dǎo)體跡線下方，在該導(dǎo)體跡線與有源區(qū)彼此交叉的位置處，形成這些晶體管的電荷存儲區(qū)，其后沉積一導(dǎo)電材料層，且隨后對該導(dǎo)電材料層進行平坦化處理，之后對這樣形成的平坦導(dǎo)電層設(shè)置蝕刻掩模，該蝕刻掩模具有橫向指向有源區(qū)且延伸于第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線之上并直接與其鄰接的條，其后按照圖形各向異性地蝕刻平坦導(dǎo)電層，形成橫向指向有源區(qū)的第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)，該第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)在該導(dǎo)體跡線與有源區(qū)彼此交叉的位置處用作選擇晶體管的選擇柵極。
在所述導(dǎo)體跡線與有源區(qū)彼此交叉的位置處形成存儲晶體管的控制柵極的第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線還用作存儲器的字線，而在所述導(dǎo)體跡線與有源區(qū)彼此交叉的位置處形成選擇晶體管的選擇柵極的第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線還用作存儲器的選擇線?？刂茤艠O下方的電荷存儲區(qū)可以由浮柵形成，還可以由隔離層形成，電荷俘獲中心存在于它們的界面層中。
WO 01/67517 A1公開了一種在開篇段落里所提及類型的方法，其中在沉積于導(dǎo)電材料的第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線上和之間的導(dǎo)電材料層上所進行的平坦化處理一直持續(xù)到露出第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線為止。如此，形成具有由第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線和剩余在這些導(dǎo)體跡線之間的部分導(dǎo)電材料層所接界的平坦表面的結(jié)構(gòu)。隨后，按照圖形來蝕刻存在于第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線之間的平坦導(dǎo)電層。在該工藝中，形成第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線。這些導(dǎo)體跡線剛好與第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線一樣高。
在該公知的方法中，借助于具有橫向指向有源區(qū)、并延伸于第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線之上并直接與其鄰接的條的光致抗蝕劑蝕刻掩模，按照圖形蝕刻平坦導(dǎo)電層。為了制造盡可能小的存儲單元，蝕刻掩模的條寬度必須盡可能小，所述寬度由可用的光刻設(shè)備決定。當(dāng)提供這種蝕刻掩模時，必須考慮對準容差，其結(jié)果是，蝕刻掩模的條延伸于第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線之上并直接與其鄰接。結(jié)果，第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的被蝕刻的導(dǎo)體跡線將比所述最小寬度更窄。實際上，第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線將沒有所述最小寬度的一半寬。因此，用作存儲器中的選擇線的第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線將會呈現(xiàn)出相對高的電阻。這導(dǎo)致很長的RC時間，以至于實際上僅能相對慢地讀出存儲在存儲器中的信息。較寬的導(dǎo)體跡線可以提供解決方案，但是會導(dǎo)致較大的存儲單元。通過提供具有適當(dāng)導(dǎo)電硅化物頂層的導(dǎo)體跡線，也可以獲得較低的電阻?？紤]到跡線非常小的寬度，這會導(dǎo)致電阻保持相對高。
本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠獲得具有非常緊湊的存儲單元的非易失性存儲器的方法，其中可以相對快地讀取存儲在存儲器中的信息。
為獲得該目的，根據(jù)本發(fā)明的方法其特征在于沉積一定厚度的導(dǎo)電層，以至于平坦化處理產(chǎn)生完全覆蓋存在于第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線上的絕緣層的一平坦層，以便于通過蝕刻該平坦導(dǎo)電層，形成延伸至第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線上方的第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)。在露出第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線上的絕緣層之前，可以停止該平坦化處理，或可以當(dāng)露出該絕緣層時可以停止該平坦化處理，其后，沉積一附加導(dǎo)電材料層。無論哪種情況，形成完全覆蓋由絕緣層覆蓋的第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線的平坦導(dǎo)電層。所用的蝕刻掩模與前述公知方法中所采用的相同，因為在這情況下，也必須考慮對準容差。在這種情況下，掩模的條也延伸至第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線上方，以便于第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的跡線在其上側(cè)具有一寬度，該寬度實際上等于蝕刻掩模的條的寬度。由于第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線部分地重疊第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線，它們與第一系統(tǒng)的跡線鄰接的寬度受限制，其結(jié)果是，選擇柵極的長度非常小。存儲單元非常緊湊。由于導(dǎo)體跡線接近于頂端處相對寬，所以它們的橫截面超出借助于公知方法形成的第二系統(tǒng)導(dǎo)體跡線的橫截面。結(jié)果，跡線具有較小的電阻。適當(dāng)導(dǎo)電的硅化物頂層將會具有更大的橫截面，且因此對電阻具有更加有利的影響。
如果在這樣形成的包括所述兩個導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)上，沉積一絕緣材料層，在其上形成包括與第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線平行延伸、并經(jīng)由形成于絕緣層中的接觸窗與其連接的金屬條的金屬化，進一步減小了形成存儲器選擇線的第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線的電阻。因此通過設(shè)置在絕緣材料層上的金屬條將選擇線分路。
優(yōu)選地，接觸窗形成在場隔離區(qū)上方的絕緣層中，存在于絕緣層上的金屬化經(jīng)由該接觸窗連接于第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線。結(jié)果，鄰近選擇柵極形成接觸，而非在所述選擇柵極上方。在本文的后面部分中將顯而易見，這允許接觸表面比第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線更寬，此外，減小了在接觸形成期間損壞選擇晶體管的風(fēng)險。
由于絕緣層中的接觸窗必須相對于窄的第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線對準，所以選擇線與金屬跡線之間的電接觸會受對準誤差的不利影響。如果用于蝕刻第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線的蝕刻掩模條在將要形成于絕緣層中的接觸窗的位置處設(shè)置有較寬部分，以便于將第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線在所述位置處設(shè)置有比這些導(dǎo)體跡線的寬度更長且更寬的接觸表面，則可以排除這一影響。然后將接觸窗相對于接觸窗以如此方式對準，以便于對準誤差不會對金屬跡線與選擇線之間的電阻有任何影響。
如果第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)設(shè)置有接觸表面，該接觸表面的一側(cè)與導(dǎo)體跡線的一側(cè)相重合，其相反一側(cè)延伸超出第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的相鄰導(dǎo)體跡線，則將使用很小的空間來形成接觸表面。
通過在兩個步驟中沉積導(dǎo)電材料層，可以不利用臨界光刻步驟來形成蝕刻掩模，在其第一步驟中，沉積一摻雜多晶硅層，且在第二步驟中，在其上沉積一未摻雜多晶硅層，之后在平坦化處理中露出摻雜多晶硅層，隨后，進行氧化處理，其中在摻雜多晶硅上形成氧化物層，該氧化物層比形成在未摻雜多晶硅上的氧化物層更厚。隨后，對這樣形成的氧化硅進行蝕刻處理直到再次露出未摻雜硅層為止，其后在殘留于摻雜多晶硅層上的氧化硅層中形成期望的蝕刻掩模。結(jié)果，氧化硅層留在摻雜層上，該氧化硅層在第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線的任意一側(cè)上和上方延伸?？梢允褂煤唵蔚姆桥R界蝕刻掩模以便在氧化硅層中形成期望的蝕刻掩模，該期望的蝕刻掩模用于按照圖形蝕刻平坦的導(dǎo)電材料層，這里是平坦的多晶硅層。
參考下述實施例，本發(fā)明的這些和其它方案顯而易見并被闡明。
附圖中

圖1至7以橫截面圖和平面圖方式示意性示出了制造非易失性存儲器的一部分的幾個階段，其中使用了根據(jù)本發(fā)明的方法的第一實施例；圖8以橫截面圖和平面圖的方式示意性示出制造非易失性存儲器的一部分的階段，其中使用了根據(jù)本發(fā)明的方法的第二實施例；圖9至14以橫截面圖和平面圖方式示意性示出制造非易失性存儲器的一部分的幾個階段，其中使用了根據(jù)本發(fā)明的方法的第三實施例。
圖1至7以橫截面圖和平面圖方式示意性示出制造非易失性存儲器的一部分的幾個階段。具有相同附圖數(shù)字的附圖示出制造工藝中相同的階段；具有無附加圖號的附圖示出平面圖，而具有附加a、b和c的圖號的附圖分別示出沿平面圖中表示的線A-A、B-B和C-C的橫截面圖。
在如圖1中所示的方法中，首先以常規(guī)方法將由場氧化物3相互隔離的平行條狀有源區(qū)4形成在半導(dǎo)體主體1中，這里為輕p型摻雜硅主體，以便與其表面2接界。橫向地形成連接區(qū)5至有源區(qū)，在后面的步驟中將會描述的該連接區(qū)將互連選擇晶體管的源極。
隨后，將有源區(qū)設(shè)置有近似9nm厚的隧道氧化層6，在其上沉積近似200nm厚的n型摻雜多晶硅層，其中形成覆蓋有源區(qū)4的圖1中示出的條7，且其中，顯而易見的，形成存儲晶體管的浮柵。在條7形成之后，沉積中間電介質(zhì)層8，這里為包括近似6nm厚的氧化硅層、近似6nm厚的氮化硅層和近似6nm厚的氧化硅層的層。
隨后，如圖2中所示，在表面2上形成平坦的n型摻雜多晶硅層9。實際上，該層具有大體上平坦的表面。隨后用近似100nm厚的氮化硅層10覆蓋層9。隨后，如圖3中所示，在層9和10中形成近似200nm寬的導(dǎo)體跡線11，其以絕緣頂層12覆蓋。在該蝕刻工藝中，還蝕刻了條7，導(dǎo)致浮柵13的形成。在浮柵13與導(dǎo)體條11之間，有一中間電介質(zhì)層8。隨后，將導(dǎo)體跡線11的側(cè)壁設(shè)置絕緣層14，其還覆蓋中間電介質(zhì)層8和浮柵13。鄰近于導(dǎo)體跡線11，除去隧道氧化物6并用近似6nm厚的柵氧化物15來代替。
導(dǎo)體跡線11形成由絕緣層12覆蓋的第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)，該導(dǎo)體跡線橫向延伸至有源區(qū)4，且在所述導(dǎo)體跡線與有源區(qū)4彼此交叉的位置處，用作存儲晶體管的控制柵極，而在所述導(dǎo)體跡線的下方，在所述交叉的位置處，形成電荷存儲區(qū)，這里是以這些晶體管的浮柵13的形式。
接著，如圖3和4中所示，沉積導(dǎo)電材料層16，隨后如圖4中所示，對其進行平坦化處理，其中形成平坦層17，在其上設(shè)置具有橫向指向有源區(qū)4并且延伸于第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線11之上并直接與其鄰接的條18的蝕刻掩模。接著，如圖5中所示，按照圖形各向異性地蝕刻平坦導(dǎo)電層17，由此形成橫向延伸至有源區(qū)的近似200nm寬的導(dǎo)體跡線19的第二系統(tǒng)，在所述導(dǎo)體跡線與有源區(qū)4彼此交叉的位置處，該導(dǎo)體跡線用作選擇晶體管的選擇柵極，且它們還用作存儲器中的選擇線。
將導(dǎo)電層16沉積一定厚度，以便于平坦化處理導(dǎo)致形成平坦層17，其完全覆蓋存在于第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線11上的絕緣層12，以便于通過蝕刻該平坦導(dǎo)電層17，形成在第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線11之上延伸的導(dǎo)體跡線19的第二系統(tǒng)。在該實例中，在導(dǎo)體跡線11上形成的頂層12上的平坦導(dǎo)電層17的厚度近似為100nm。
利用導(dǎo)體跡線的兩個系統(tǒng)的所述導(dǎo)體跡線11和19作為掩模，通過離子注入在半導(dǎo)體主體1中形成相對輕摻雜源區(qū)20和漏區(qū)21。隨后，以常規(guī)方法在導(dǎo)體跡線11和19的垂直壁上形成絕緣間隔物22。利用這樣形成的結(jié)構(gòu)作為掩模，通過離子注入最終在半導(dǎo)體主體1中形成相對重摻雜的源區(qū)23和漏區(qū)24。
第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線19部分地重疊第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線11，這是之所以它們鄰近于第一系統(tǒng)的跡線11的寬度尺寸，即近似100nm，相對小的原因，以及選擇柵極因此具有非常小的長度。存儲單元非常緊湊。然而，接近于頂端，導(dǎo)體跡線19相對寬，即近似200nm，且因此具有相對大的橫截面。結(jié)果，跡線具有相對低的電阻，以便于可以相對迅速地讀取存儲在存儲器中的信息。為了進一步減小電阻，可以按照常規(guī)方法在導(dǎo)體跡線19上形成適當(dāng)導(dǎo)電的硅化物頂層25。另外，硅化物層26形成在源和漏區(qū)上。
如圖7中所示，在這樣形成的包括導(dǎo)體跡線11和19兩個系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)上，沉積氧化硅絕緣層27并對其平坦化，在該絕緣層上形成包括金屬條28的金屬化，該金屬條平行于第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線19延伸，并經(jīng)由在絕緣層27中形成的接觸窗29與其連接。結(jié)果，進一步減小了導(dǎo)體跡線19的電阻，通過設(shè)置在絕緣材料層上的金屬條28來將它們分路。
此外，沉積絕緣層30并對其平坦化，在該絕緣層上形成包括金屬條31的金屬化，該金屬條31經(jīng)由形成在絕緣層30和27中的接觸窗32與漏區(qū)24接觸。金屬條31形成存儲器的位線。
如圖7中所示，接觸窗29形成在場隔離區(qū)3之上。結(jié)果，將鄰近于選擇柵極制作接觸，而非在所述選擇柵極上方制作。在本文后面的段落里將會顯而易見，這允許接觸表面的寬度超出第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線19的寬度，且此外，減小了在接觸形成期間選擇晶體管損壞的風(fēng)險。
值得注意的是，圖7示出包括四個存儲單元的非易失性存儲器的一部分；所述部分形成一個完整存儲器的構(gòu)件塊。所述完整存儲器包括在水平方向以及垂直方向并置的大量這些構(gòu)件塊。還應(yīng)注意的是，實際上，金屬條28不需要在這些導(dǎo)體跡線位于場氧化物區(qū)3之上的每一位置處連接于導(dǎo)體跡線19。例如，圖7示出在位于接觸窗29左側(cè)的導(dǎo)體跡線19之上沒有接觸窗。實際上，金屬條28以一定間隔，例如四個存儲單元，連接于接觸跡線19。
圖8c和8分別以橫截面圖和平面圖的方式示意性示出制造非易失性存儲器的一部分的階段，其中在要形成于絕緣層27中的接觸窗29的位置處，用于蝕刻第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線19的蝕刻掩模的條18設(shè)置有較寬部分，以便于如圖18中所示，第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線19在所述位置處設(shè)置有比這些導(dǎo)體跡線19更長且更寬的接觸表面33。基于此，對準誤差不能影響金屬跡線19與選擇線19之間的電阻。
如果導(dǎo)體跡線19設(shè)置有接觸表面33，其一側(cè)如圖7中所示與導(dǎo)體跡線19的一側(cè)重合，而其相反側(cè)延伸超出第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的并置的導(dǎo)體跡線19，則接觸表面33的形成不會占據(jù)半導(dǎo)體主體1的表面2上的大量空間。
圖9至14以橫截面和平面圖的方式示意性示出制造非易失性存儲器的一部分的幾個階段，其中無需臨界光刻步驟而形成具有條18的蝕刻掩模，且其中容易地形成導(dǎo)電材料的平坦層，其延伸于導(dǎo)體跡線11的絕緣頂層12之上。在兩個步驟中沉積導(dǎo)電材料層16。在第一步驟中，沉積一摻雜多晶硅層34，而在第二步驟中，在其上沉積一未摻雜多晶硅層35。在平坦化處理中，露出摻雜結(jié)晶硅層34，如圖10中所示。該層34的露出可以用作探測停止平坦化處理的點。層34在導(dǎo)體跡線11的絕緣頂層12上方延伸。
隨后，進行氧化處理，其中在摻雜多晶硅上形成氧化層36，其厚度超過形成于未摻雜多晶硅上的氧化物層37的厚度。接著對兩層氧化硅36和37進行蝕刻處理，直到再次露出未摻雜的硅層為止，其后在殘留于摻雜多晶硅層上的氧化硅層38中形成期望的蝕刻掩模。
然后氧化硅層38剩余在摻雜層34上，并且在第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線11的任意一側(cè)上和上方延伸。隨后，提供非臨界蝕刻掩模39，借助于其形成具有條18的期望的蝕刻掩模，其用于按照圖形蝕刻平坦的導(dǎo)電材料層，這里為平坦的多晶硅層34。
權(quán)利要求
1.一種制造包括具有存儲單元的非易失性存儲器的半導(dǎo)體器件的方法，該存儲單元包括存儲晶體管和選擇晶體管，在該方法中，由場氧化物相互隔離的平行條狀有源區(qū)形成在半導(dǎo)體主體中，以便于與其表面接界，其后，為表面設(shè)置由絕緣層覆蓋的、且橫向指向有源區(qū)的第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)，該導(dǎo)體跡線在導(dǎo)體跡線與有源區(qū)彼此交叉的位置處用作存儲晶體管的控制柵極，且在該導(dǎo)體跡線下方，在導(dǎo)體跡線與有源區(qū)彼此交叉的位置處，形成這些晶體管的電荷存儲區(qū)，其后沉積一導(dǎo)電材料層，且隨后對該導(dǎo)電材料層進行平坦化處理，之后為這樣形成的平坦導(dǎo)電層設(shè)置蝕刻掩模，該蝕刻掩模具有橫向指向有源區(qū)、且延伸于第一系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線上方并直接與其鄰接的條，其后按照圖形各向異性地蝕刻平坦導(dǎo)電層，形成橫向指向有源區(qū)的第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)，其在導(dǎo)體跡線與有源區(qū)彼此交叉的位置處用作選擇晶體管的選擇柵極，其特征在于沉積一定厚度的導(dǎo)電層，以至于平坦化處理產(chǎn)生一平坦層，其完全覆蓋了在第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線上存在的絕緣層，以便于通過蝕刻該平坦導(dǎo)電層，形成第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)，其延伸至第一系統(tǒng)導(dǎo)體跡線上方。
2.如權(quán)利要求1中所述的方法，其特征在于在這樣形成的包括所述兩個導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)上，沉積一絕緣材料層，在該絕緣材料層上形成包括金屬條的金屬化，該金屬條平行于第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線延伸，并經(jīng)由形成于絕緣層中的接觸窗而與其連接。
3.如權(quán)利要求2中所述的方法，其特征在于接觸窗形成在場隔離區(qū)上方的絕緣層中，存在于絕緣層上的金屬化經(jīng)由該接觸窗連接于第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線。
4.如權(quán)利要求3中所述的方法，其特征在于蝕刻掩模的條在將要形成于絕緣層中的接觸窗的位置處設(shè)置有較寬部分，以便于將第二系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線在所述位置處設(shè)置有接觸表面，該蝕刻掩模的條用于蝕刻第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的導(dǎo)體跡線。
5.如權(quán)利要求4中所述的方法，其特征在于第二導(dǎo)體跡線系統(tǒng)設(shè)置有接觸表面，該接觸表面的一側(cè)與導(dǎo)體跡線的一側(cè)相重合，且其相反側(cè)延伸超出第一導(dǎo)體跡線系統(tǒng)的相鄰導(dǎo)體跡線。
6.如前述權(quán)利要求的任意一項中所述的方法，其特征在于通過在兩個步驟中沉積導(dǎo)電材料層來形成蝕刻掩模，在其第一步驟中，沉積一摻雜多晶硅層，且在第二步驟中，在其上沉積一未摻雜多晶硅層，之后在平坦化處理中露出摻雜多晶硅層，隨后，進行氧化處理，其后，對這樣形成的氧化硅進行蝕刻處理直到再次露出未摻雜多晶硅層為止，其后在殘留于摻雜多晶硅層上的氧化硅層中形成期望的蝕刻掩模。
全文摘要
一種制造包括具有存儲晶體管和選擇晶體管的非易失性存儲器的半導(dǎo)體器件的方法。在該方法中，半導(dǎo)體主體設(shè)置有由場氧化區(qū)(4的3)相互隔離的條狀有源區(qū)(4)。然后在表面(2)上形成第一導(dǎo)體11系統(tǒng)，其垂直地指向有源區(qū)并由絕緣層(12)覆蓋，在這些導(dǎo)體與有源區(qū)彼此交叉的位置處，在這些導(dǎo)體下方形成電荷存儲區(qū)(13)。這些導(dǎo)體形成存儲器的字線，且在所述導(dǎo)體與有源區(qū)彼此交叉的位置處，它們形成控制柵極。接著，沉積導(dǎo)電層(16)并對其平坦化。然后對平坦化的導(dǎo)電層(16)設(shè)置具有垂直地指向有源區(qū)的條的蝕刻掩模，該條延伸于導(dǎo)體(11)上方并鄰接于導(dǎo)體(11)。然后在平坦化的導(dǎo)電層中蝕刻第二導(dǎo)體(19)系統(tǒng)。這里平坦化的層完全覆蓋具有絕緣頂層(12)的導(dǎo)體(11)，以便于第二系統(tǒng)的導(dǎo)體(19)延伸于第一系統(tǒng)的導(dǎo)體(11)上方。因此，可以制造非常緊湊的存儲器，能夠在非常短的時間內(nèi)讀出寫入存儲器中的數(shù)據(jù)。
文檔編號H01L29/788GK1653609SQ03810208
公開日2005年8月10日 申請日期2003年5月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月7日
發(fā)明者R·T·F·范沙伊克, M·斯洛特布姆 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司