專利名稱：非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件，且特別是有關(guān)于一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制造方法。
背景技術(shù)：
在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造過程中，包括氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide/Nitride/Oxide，ONO)的電子陷入層(Electron Trap Layer)很容易在形成外圍元件時(shí)受到損壞。一般而言，若非揮發(fā)性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元與ONO層在外圍元件的互補(bǔ)金氧半導(dǎo)體晶體管(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor，CMOS)工藝之后才形成，則暴露的存儲(chǔ)單元會(huì)因?yàn)闊峁に嚩艿綋p害。而且，CMOS工藝中的熱循環(huán)也會(huì)造成埋入式位線(Buried Bit Line)中的摻質(zhì)擴(kuò)散，而限制了制造者縮減元件特征尺寸(Feature Size)的能力。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制造方法能夠減少電子陷入層受到損害，并且減少存儲(chǔ)單元在CMOS工藝中暴露在熱環(huán)境中。
本發(fā)明提供一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，此方法是先提供具有一存儲(chǔ)單元區(qū)與一外圍元件區(qū)的一基底。然后，于此基底上形成一電子陷入層，此電子陷入層至少覆蓋存儲(chǔ)單元區(qū)之部分，并于基底上形成第一柵極層，此第一柵極層至少覆蓋電子陷入層。接著，于外圍元件區(qū)形成至少柵極氧化層與第二柵極層，并圖案化第一柵極層以形成復(fù)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器柵極。
在上述的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的制造方法中，也可以在存儲(chǔ)單元區(qū)的存儲(chǔ)器柵極之間的基底中先形成第一摻雜區(qū)后，于存儲(chǔ)器柵極的側(cè)壁形成復(fù)數(shù)個(gè)間隙壁，再于間隙壁之間的基底中形成第二摻雜區(qū)，而形成由第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)所構(gòu)成的階梯狀位線。
而且，在圖案化第一柵極層的步驟前，可于外圍元件區(qū)形成厚度不同且具有不同控制電壓能力的復(fù)數(shù)層氧化層。然后，在圖案化第一柵極層的步驟前，形成一保護(hù)層以覆蓋形成于外圍元件區(qū)的復(fù)數(shù)個(gè)元件。
此外，上述的制造方法更包括進(jìn)行金屬硅化物工藝，以至少于部分圖案化的第一柵極層與圖案化的第二柵極層上形成自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，此非揮發(fā)性存儲(chǔ)器包括復(fù)數(shù)個(gè)堆棧柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于一基底上；復(fù)數(shù)條階梯狀位線設(shè)置于堆棧柵極結(jié)構(gòu)之間的基底中；自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層設(shè)置堆棧柵極結(jié)構(gòu)與階梯狀位線上與復(fù)數(shù)條金屬字符線設(shè)置于自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層上，且金屬字符線電性連接堆棧柵極結(jié)構(gòu)上的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層。
本發(fā)明提供另外一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器與外圍元件，包括具有存儲(chǔ)單元區(qū)與外圍元件區(qū)的基底；復(fù)數(shù)個(gè)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體元件設(shè)置于外圍元件區(qū)；復(fù)數(shù)個(gè)堆棧柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于存儲(chǔ)單元區(qū)，堆棧柵極結(jié)構(gòu)包括一電子陷入層，此電子陷入層是在互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體元件形成之前就形成的，且電子陷入層在互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體元件形成期間受到保護(hù)以減少熱應(yīng)力。
在上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器與外圍元件中，電子陷入層在互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體元件形成期間，受到覆蓋于電子陷入層上的一保護(hù)層所隔離而能夠防備熱工藝。
本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制造方法，能夠減少電子陷入層受到損害，并且減少存儲(chǔ)單元在CMOS工藝中暴露在熱環(huán)境中。
圖1A至圖15A為本發(fā)明第一實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)單元與外圍元件的制造流程剖面圖。
圖1B至圖15B為本發(fā)明第一實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元區(qū)的制造流程俯視圖。
圖16至圖22為本發(fā)明第二實(shí)施例的制造流程剖面圖。
103基底101外圍元件區(qū)102、102’存儲(chǔ)單元區(qū)104隔離結(jié)構(gòu)
105ONO層106、630、2275多晶硅層210、526犧牲氧化層315、420、525柵極氧化層730、906柵極結(jié)構(gòu)835P型摻雜836N型摻雜940位線離子植入?yún)^(qū)1045、1845、2045間隙壁1046、1047、1050、1835、1836、1846、1850摻雜區(qū)1255、1256金屬硅化物1360、1460、1970、2276硼磷硅玻璃層1565接觸窗插塞1566金屬層1631硅化鎢層1730、1731多層結(jié)構(gòu)1906多晶硅柵極1940位線2047階梯狀位線2171填充層
具體實(shí)施例方式
以下請(qǐng)參照所附圖式，詳細(xì)說明本發(fā)明的內(nèi)容。本發(fā)明的較佳實(shí)施例并不是用以限定本申請(qǐng)所界定的范圍。任何熟知此技藝者可根據(jù)下述的內(nèi)容做各種的變化。
在閃存的工藝中，通常包括形成一層電子陷入層，此電子陷入層可以儲(chǔ)存一定值的電荷。電子陷入層通常是多層結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide/Nitride/Oxide，ONO)。由于此電子陷入層是很脆弱的，因而很容易在外圍元件的制造過程中遭受到損害。而且，閃存的工藝更包括于非揮發(fā)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)之間或之上形成具有埋入式結(jié)構(gòu)的位線。這些位線一般是利用植入摻質(zhì)而形成之，并且通常是在外圍元件形成之前形成的。
圖1A至圖15A為本發(fā)明第一實(shí)施例在單一晶片形成非揮發(fā)性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元與外圍元件的工藝剖面圖。圖1B至圖15B則為本發(fā)明第一實(shí)施例在單一晶片形成非揮發(fā)性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元區(qū)的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A與圖1B，基底103可劃分為一個(gè)或多個(gè)用以制作外圍元件的外圍元件區(qū)101以及一個(gè)或多個(gè)用以制作非揮發(fā)性存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元區(qū)102。而非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元陣列或存儲(chǔ)單元區(qū)的俯視圖則以標(biāo)號(hào)102’表示。首先，在外圍元件區(qū)101形成隔離結(jié)構(gòu)104。在本實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)104例如是定義出三個(gè)次區(qū)域，并分別在每個(gè)次區(qū)域中形成具有不同電壓與電流特性的元件。然后，在基底103和隔離結(jié)構(gòu)104上形成ONO層105。當(dāng)然，ONO層105也可以形成在相當(dāng)于基底的其它不同的基礎(chǔ)層之上。接著，在ONO層105上形成一層多晶硅層106。當(dāng)然，在外圍元件的制造過程中，也可以使用其它不同的材質(zhì)保護(hù)ONO層105。在形成多晶硅層106后，俯視圖顯示出多晶硅層106覆蓋整個(gè)存儲(chǔ)單元區(qū)102’。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2A與圖2B，其為下一個(gè)工藝步驟。首先，利用公知的工藝?yán)缡歉墒轿g刻法移除部分(外圍元件區(qū)101)的多晶硅層106。并且，同時(shí)移除外圍元件區(qū)101的ONO層105。然后，在外圍元件區(qū)101與存儲(chǔ)單元區(qū)102上形成一層犧牲氧化層210。當(dāng)然，也可以利用其它方法形成犧牲氧化層210，其中較佳是以沉積法取代熱氧化法形成氧化層，而可以減少存儲(chǔ)單元區(qū)102的熱應(yīng)力。在犧牲氧化層210形成之后，俯視圖顯示出犧牲氧化層210覆蓋整個(gè)存儲(chǔ)單元區(qū)102’。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A與圖3B，其為適合高電壓與高電流操作的柵極氧化層的工藝。在離存儲(chǔ)單元區(qū)102’最遠(yuǎn)的已隔離的次區(qū)域中形成高壓(High Voltage，HV)柵極氧化層315。此柵極氧化層315的形成方法例如是植入摻質(zhì)至預(yù)定形成高壓柵極氧化層315的次區(qū)域的犧牲氧化層210中，然后在圖案化犧牲氧化層210之前，回蝕刻預(yù)定形成高壓柵極氧化層315的次區(qū)域的犧牲氧化層210至一預(yù)定厚度而形成之。此柵極氧化層315的另一種形成方法例如是移除預(yù)定形成高壓柵極氧化層315的次區(qū)域的犧牲氧化層210，然后于預(yù)定形成高壓柵極氧化層315的次區(qū)域中形成一層新的氧化層作為柵極氧化層315。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4A與圖4B，其為在三個(gè)外圍元件次區(qū)域之中的中央次區(qū)域形成厚的柵極氧化層420的工藝。此厚的柵極氧化層420適合中電壓與中電流操作。此厚的柵極氧化層420的形成方法與高壓柵極氧化層315的形成方法類似。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5A與圖5B，其繪示形成薄的柵極氧化層525與側(cè)壁犧牲氧化層526的工藝。此薄的柵極氧化層525適合低電壓與低電流操作。此薄的柵極氧化層525的形成方法與高壓柵極氧化層315的形成方法類似。
圖3A至圖5A與圖3B至圖5B所示的外圍柵極氧化層的形成步驟是代表外圍元件的形成工藝。上述圖標(biāo)所顯示的重點(diǎn)在于當(dāng)ONO層105受到保護(hù)之后，才形成外圍元件。其中，如果利用低熱應(yīng)力工藝(例如以沉積法形成氧化層)形成柵極氧化層，則可以進(jìn)一步的減少ONO層105的熱應(yīng)力。接著，如圖6A與圖6B所示，于外圍元件區(qū)101與存儲(chǔ)單元區(qū)102上形成一層多晶硅層630。在多晶硅層630形成之后，俯視圖顯示出多晶硅層630覆蓋整個(gè)存儲(chǔ)單元區(qū)102’。
請(qǐng)參照?qǐng)D7A與圖7B，其為圖案化外圍元件區(qū)的多晶硅層630以形成柵極結(jié)構(gòu)730的工藝。圖案化多晶硅層630后，進(jìn)行源極區(qū)/漏極區(qū)的摻雜工藝。請(qǐng)參照?qǐng)D8A與圖8B所示，源極區(qū)與漏極區(qū)例如是P型摻雜835，N型摻雜836，或兩者。此步驟為在后續(xù)的濃摻雜工藝之前，預(yù)先進(jìn)行的一淡摻雜工藝。然后，在存儲(chǔ)單元區(qū)102’中，圖案化犧牲氧化層210、多晶硅層106、ONO層105使其成條狀布局。
請(qǐng)參照?qǐng)D9A與圖9B，遮蓋及蝕刻存儲(chǔ)單元區(qū)102以形成柵極結(jié)構(gòu)906，并預(yù)備形成位線。然后，于存儲(chǔ)單元區(qū)102的基底100中形成第一位線離子植入?yún)^(qū)940。在進(jìn)行離子植入工藝時(shí)，摻質(zhì)會(huì)穿透后續(xù)用于儲(chǔ)存電荷的部分ONO層105。由于，此植入工藝在外圍元件區(qū)101的柵極氧化層形成后才進(jìn)行之，因此可以縮小存儲(chǔ)單元區(qū)的熱應(yīng)力以避免位線造成擴(kuò)散。
請(qǐng)參照?qǐng)D10A與圖10B，使用一般的方法子?xùn)艠O結(jié)構(gòu)730與柵極結(jié)構(gòu)906的側(cè)壁形成間隙壁1045。此間隙壁1045會(huì)影響外圍元件區(qū)101與存儲(chǔ)單元區(qū)102中另一個(gè)摻雜區(qū)1046、1047的圖案。此摻雜區(qū)1046、1047的摻雜濃度高于圖8A的第一摻雜區(qū)。同樣的，在圖11A與圖11B中使用一般的光罩及植入技術(shù)，進(jìn)行另一個(gè)光罩及離子植入工藝以形成摻雜區(qū)1050。
圖12A與圖11B，所示為分別在外圍元件區(qū)101與存儲(chǔ)單元區(qū)102形成金屬硅化物1255、1256的工藝。金屬硅化物結(jié)構(gòu)的形成可以降低位線的電阻值。而位線電阻值的降低則可以增加元件的操作速度。
請(qǐng)參照?qǐng)D13A與圖13B，在外圍元件區(qū)與存儲(chǔ)單元區(qū)上形成硼磷硅玻璃層(PBSG)1360。請(qǐng)參照?qǐng)D14A與圖14B，蝕刻硼磷硅玻璃層(PBSG)1460以形成接觸窗開口1461。請(qǐng)參照?qǐng)D15A與圖15B所示，后續(xù)的工藝包括形成接觸窗插塞1565填滿接觸窗開口1461、形成金屬層1566以及圖案化和蝕刻金屬層1566。
圖16至圖22為本發(fā)明第二實(shí)施例的形成非揮發(fā)性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元與外圍元件的工藝剖面圖。在第二實(shí)施例中，開始的數(shù)個(gè)步驟與上述的圖1A至圖5A所示的工藝相同。請(qǐng)參照?qǐng)D16，在形成柵極氧化層后，于先前(圖1A至圖5A)所架構(gòu)的結(jié)構(gòu)上形成一層多晶硅層630與一層硅化鎢層1631。如圖所示，沉積的多晶硅層630與外加的硅化鎢層1631都覆蓋于外圍元件區(qū)101與存儲(chǔ)單元區(qū)102，當(dāng)然可視實(shí)際需要而只與于外圍元件101形成多晶硅層630與硅化鎢層1631。請(qǐng)照?qǐng)D17，圖案化外圍元件區(qū)101并回蝕刻多晶硅層630與外加的硅化鎢層1631。此圖案化和蝕刻步驟可形成多層結(jié)構(gòu)1730、1731。
圖18為間隙壁1845的形成工藝與離子植入工藝。在此圖中，同時(shí)顯示了P型離子與N型離子的植入。N型離子的植入包括兩個(gè)步驟，以形成摻雜區(qū)1850、1835。同樣的，P型離子的植入包括兩個(gè)步驟，以形成摻雜區(qū)1846、1836。而且，在存儲(chǔ)單元區(qū)102有一層或多層的保護(hù)層可以保護(hù)多晶硅與ONO層105。請(qǐng)參照?qǐng)D19，于外圍元件區(qū)上覆蓋一層硼磷硅玻璃層1970。然后，圖案化存儲(chǔ)單元區(qū)以形成多晶硅柵極1906，并穿過ONO層而形成位線1940。請(qǐng)參照第20圖所示，在存儲(chǔ)單元區(qū)形成間隙壁2045后，進(jìn)行另一個(gè)離子植入工藝。在上述步驟之后可形成一階梯狀位線2047，此階梯狀位線2047可選擇性的覆蓋一層金屬硅化物層(如圖12至圖15所示)。
請(qǐng)參照?qǐng)D21，形成一層填充層2171。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D22，于存儲(chǔ)單元區(qū)沉積一層用于形成字符線的多晶硅層2275。之后，于外圍元件區(qū)101與存儲(chǔ)單元區(qū)102形成一層硼磷硅玻璃層2276。
權(quán)利要求
1.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，該方法包括下列步驟提供具有一存儲(chǔ)單元區(qū)與一外圍元件區(qū)的一基底；形成一電子陷入層，該電子陷入層至少覆蓋該存儲(chǔ)單元區(qū)的部分；形成一第一柵極層，該第一柵極層至少覆蓋該電子陷入層；于該外圍元件區(qū)形成至少一柵極氧化層與一第二柵極層；以及圖案化該第一柵極層以形成復(fù)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，該電子陷入層包括氧化硅/氮化硅/氧化硅層。
3.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，該第一柵極層與該第二柵極層包括多晶硅。
4.如權(quán)利要求3所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括于該存儲(chǔ)單元區(qū)的該基底中形成復(fù)數(shù)條階梯狀位線。
5.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，于該外圍元件區(qū)形成至少一層該柵極氧化層的步驟包括以熱氧化法于該基底形成氧化層。
6.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，于該外圍元件區(qū)形成至少一層該柵極氧化層的步驟包括以沉積法于該基底形成氧化層。
7.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括在圖案化該第一柵極層的步驟前，于該外圍元件區(qū)形成厚度不同的復(fù)數(shù)層氧化層。
8.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括在圖案化該第一柵極層的步驟前，于該外圍元件區(qū)形成具有不同控制電壓能力的復(fù)數(shù)層氧化層。
9.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括于該存儲(chǔ)單元區(qū)的該基底中形成復(fù)數(shù)條階梯狀位線。
10.如權(quán)利要求4所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，形成該些階梯狀位線的步驟包括于該些存儲(chǔ)器柵極之間的該基底中形成一第一摻雜區(qū)；于該些存儲(chǔ)器柵極的側(cè)壁形成復(fù)數(shù)個(gè)間隙壁；以及于該些間隙壁之間的該基底中形成一第二摻雜區(qū)。
11.如權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，形成該些階梯狀位線的步驟包括于該些存儲(chǔ)器柵極之間的該基底中形成一第一摻雜區(qū)；于該些存儲(chǔ)器柵極的側(cè)壁形成復(fù)數(shù)個(gè)間隙壁；以及于該些間隙壁之間的該基底中形成一第二摻雜區(qū)。
12.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括于該外圍元件區(qū)與該存儲(chǔ)單元區(qū)形成復(fù)數(shù)條位線，此步驟包括于該基底中植入一第一摻質(zhì)；形成復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)壁間隙壁；以及于該些側(cè)壁間隙壁之間植入一第二摻質(zhì)以形成復(fù)數(shù)條階梯狀位線。
13.如權(quán)利要求12所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括進(jìn)行金屬硅化物工藝，以至少于該些階梯狀位線上形成自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求12所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括進(jìn)行金屬硅化物工藝，以至少于部分圖案化的該第一柵極層與圖案化的該第二柵極層上形成自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求13所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，進(jìn)行金屬硅化物工藝的步驟中，更包括至少于部分圖案化的該第一柵極層與圖案化的該第二柵極層上形成自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物。
16.如權(quán)利要求15所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括于圖案化的該第一柵極層上形成一金屬字符線，其中該金屬字符線電性連接該存儲(chǔ)單元區(qū)內(nèi)覆蓋于圖案化的該第一柵極層上的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物。
17.如權(quán)利要求15所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括于圖案化的該第一柵極層上形成一金屬字符線，其中該金屬字符線電性連接該些存儲(chǔ)器柵極。
18.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括于圖案化該第一柵極層的步驟之前，形成成一保護(hù)層至少覆蓋形成于該外圍元件區(qū)的復(fù)數(shù)個(gè)元件。
19.如權(quán)利要求18所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，該保護(hù)層包括硼磷硅玻璃層。
20.如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括于圖案化該第一柵極層的步驟之前，形成成一保護(hù)層至少覆蓋形成于該外圍元件區(qū)的復(fù)數(shù)個(gè)元件。
21.如權(quán)利要求8所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括于圖案化該第一柵極層的步驟之前，形成成一保護(hù)層至少覆蓋形成于該外圍元件區(qū)的復(fù)數(shù)個(gè)元件。
22.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，更包括下列步驟于該外圍元件區(qū)的該第二柵極層上形成一導(dǎo)體層；圖案化該導(dǎo)體層與該第二柵極層以形成復(fù)數(shù)個(gè)堆棧結(jié)構(gòu)；以及于該外圍元件區(qū)的該基底中形成另外的復(fù)數(shù)條位線。
23.如權(quán)利要求22所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，該導(dǎo)體層包括硅化鎢。
24.如權(quán)利要求22所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是，形成另外的該些位線的步驟包括植入一第一摻質(zhì)；于該些堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成復(fù)數(shù)個(gè)間隙壁；以及于該些間隙壁之間植入一第二摻質(zhì)。
25.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器包括復(fù)數(shù)個(gè)堆棧柵極結(jié)構(gòu)位于一基底上；復(fù)數(shù)條階梯狀位線位于該些堆棧柵極結(jié)構(gòu)之間的該基底中；一自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層位于該些堆棧柵極結(jié)構(gòu)與該些階梯狀位線上；以及復(fù)數(shù)條金屬字符線位于該自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層上，該些金屬字符線電性連接該些堆棧柵極結(jié)構(gòu)上的該自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層。
26.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器與外圍元件，其特征是，包括一基底，具有一存儲(chǔ)單元區(qū)與一外圍元件區(qū)；復(fù)數(shù)個(gè)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體元件位于該外圍元件區(qū)；以及復(fù)數(shù)個(gè)堆棧柵極結(jié)構(gòu)位于該存儲(chǔ)單元區(qū)，該些堆棧柵極結(jié)構(gòu)包括一電子陷入層，該電子陷入層是在該些互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體元件形成之前就形成的，且該電子陷入層在該些互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體元件形成期間受到保護(hù)以減少熱應(yīng)力。
27.如權(quán)利要求26所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器與外圍元件，其特征是，該電子陷入層在該些互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體元件形成期間，受到覆蓋于該電子陷入層上的一保護(hù)層所隔離而能夠防備熱工藝。
28.如權(quán)利要求27所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器與外圍元件，其特征是，該保護(hù)層包括多晶硅。
29.如權(quán)利要求27所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器與外圍元件，其特征是，該些互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體元件包括復(fù)數(shù)個(gè)柵極氧化層，該些柵極氧化層是以沉積法形成，而不是熱氧化法。
30.如權(quán)利要求26所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器與外圍元件，其特征是，該電子陷入層包括氧化硅/氮化硅/氧化硅層。
31.如權(quán)利要求27所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器與外圍元件，其特征是，該電子陷入層包括氧化硅/氮化硅/氧化硅層。
32.如權(quán)利要求29所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器與外圍元件，其特征是，該電子陷入層包括氧化硅/氮化硅/氧化硅層。
全文摘要
一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制造方法，其提供具有存儲(chǔ)單元區(qū)與外圍元件區(qū)的基底。然后，于基底上依序形成至少覆蓋存儲(chǔ)單元區(qū)的部分的電子陷入層與至少覆蓋電子陷入層的第一柵極層。接著，于外圍元件區(qū)形成至少柵極氧化層與第二柵極層后，圖案化第一柵極層以形成復(fù)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器柵極。此非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制造方法能夠減少電子陷入層受到損害，并且減少存儲(chǔ)單元在CMOS工藝中暴露在熱環(huán)境中。
文檔編號(hào)H01L21/8239GK1567568SQ03145409
公開日2005年1月19日 申請(qǐng)日期2003年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月12日
發(fā)明者郭東政, 劉建宏, 潘錫樹, 黃守偉 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司