技術編號：7174702
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有關于一種半導體存儲器元件，且特別是有關于一種。背景技術 在非揮發(fā)性存儲器的制造過程中，包括氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide/Nitride/Oxide，ONO)的電子陷入層(Electron Trap Layer)很容易在形成外圍元件時受到損壞。一般而言，若非揮發(fā)性存儲器存儲單元與ONO層在外圍元件的互補金氧半導體晶體管(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor，CMOS)工藝之后才形成，則暴露的存儲單元會因...
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