專利名稱：主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種平面顯示器及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管是一種可將電能轉(zhuǎn)換成光能且具有高轉(zhuǎn)換效率的光電元件，常見(jiàn)的用途為指示燈、顯示面板等。由于有機(jī)發(fā)光二極管元件具備一些特性，如無(wú)視角、制程簡(jiǎn)易、低成本、高應(yīng)答速度、使用溫度范圍廣泛與全彩化等，符合多媒體時(shí)代顯示器特性的要求，近年來(lái)已成為研究的熱潮。
現(xiàn)今一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管已在積極的發(fā)展中，其于形成有薄膜晶體管陣列的一基板上形成一有機(jī)發(fā)光層以及一陰極層，而構(gòu)成一主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管。因此主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管是利用薄膜晶體管以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管元件。而關(guān)于公知主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法如下所述。
圖1所示，其顯示為公知一主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的俯視示意圖；圖2為圖1由I-I′的剖面示意圖。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1與圖2，公知主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法首先提供一基板100，其中基板100具有一發(fā)光區(qū)域120以及一非發(fā)光區(qū)域122，且基板100的發(fā)光區(qū)域120中已形成有數(shù)個(gè)陣列排列的畫素結(jié)構(gòu)107，而每一畫素結(jié)構(gòu)107包括了一主動(dòng)元件(薄膜晶體管)與一陽(yáng)極層102、一發(fā)光層104以及一陰極層106。
在公知方法中，用來(lái)控制畫素結(jié)構(gòu)的主動(dòng)元件通常是由二薄膜晶體管所組成，其中一薄膜晶體管負(fù)責(zé)開關(guān)作用，另一薄膜晶體管負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)，而薄膜晶體管可以是非晶硅薄膜晶體管或是低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPSTFT)。由于低溫多晶硅薄膜晶體管的技術(shù)可以將驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)制作在基板100上，因此現(xiàn)今許多主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器都是利用低溫多晶硅薄膜晶體管來(lái)作為畫素結(jié)構(gòu)的主動(dòng)元件。
在數(shù)個(gè)畫素結(jié)構(gòu)107中，每一畫素結(jié)構(gòu)107由一掃瞄配線(未繪示)以及一資料配線(未繪示)所控制。而且位于發(fā)光區(qū)域120二邊緣處的掃瞄配線與資料配線會(huì)繼續(xù)向非發(fā)光區(qū)域120延伸，而形成數(shù)條向外延伸的導(dǎo)線(fan-out)108，其用來(lái)與制作在非發(fā)光區(qū)域122中的驅(qū)動(dòng)電路電性連接。
除此之外，在基板100上的非發(fā)光區(qū)域122中形成有一驅(qū)動(dòng)電路110，其中驅(qū)動(dòng)電路110與畫素結(jié)構(gòu)107之間通過(guò)導(dǎo)線108而電性連接。接著，在基板100的上方設(shè)置一封裝蓋114，并且由一框膠(未繪示)而使基板100與封裝蓋114黏合，其中封裝蓋114將基板100的發(fā)光區(qū)域120以及設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路110之處覆蓋住，以防止外界水氣對(duì)顯示器內(nèi)部的元件有不良的影響。
然而，由于目前低溫多晶硅薄膜晶體管的制程良率仍不高，因此一旦驅(qū)動(dòng)電路110有異常時(shí)，要對(duì)制作在封裝蓋114內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)電路110進(jìn)行測(cè)試或修補(bǔ)將會(huì)非常的不方便，而間接的使產(chǎn)品產(chǎn)率降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法，以改善公知方法因驅(qū)動(dòng)電路形成在封裝蓋內(nèi)部而造成不易對(duì)驅(qū)動(dòng)電路作測(cè)試或修補(bǔ)的缺點(diǎn)。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法，此方法包括提供一基板，該基板具有一發(fā)光區(qū)域以及一非發(fā)光區(qū)域，其中該基板的該發(fā)光區(qū)域中已形成有復(fù)數(shù)個(gè)畫素結(jié)構(gòu)；在該基板上的該非發(fā)光區(qū)域中形成一驅(qū)動(dòng)電路，其中該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)電性連接；在該基板上方設(shè)置一封裝蓋，并且使該封裝蓋與該基板黏合，其中該封裝蓋覆蓋住該基板的該發(fā)光區(qū)域，并暴露出該驅(qū)動(dòng)電路。
其中該封裝蓋為一金屬封裝蓋或一玻璃封裝蓋。
其中每一該些畫素結(jié)構(gòu)包括由一主動(dòng)元件與一陽(yáng)極層、一發(fā)光層以及一陰極層所構(gòu)成。
其中該主動(dòng)元件由至少二非晶硅薄膜晶體管或至少二低溫多晶硅薄膜晶體管所組成。
其中該驅(qū)動(dòng)電路包括由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管所形成的一電路。
其中該驅(qū)動(dòng)電路包括由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管所形成的一電路以及一單晶硅半導(dǎo)體電路。
其中在該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)之間包括形成有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線，以使該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)之間電性連接。
本發(fā)明提供的一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括一基板，該基板具有一發(fā)光區(qū)域以及一非發(fā)光區(qū)域，且該基板的該發(fā)光區(qū)域中配置有復(fù)數(shù)個(gè)畫素結(jié)構(gòu)；一驅(qū)動(dòng)電路，配置在該基板的該非發(fā)光區(qū)域中，且該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)電性連接；一封裝蓋，配置在該基板的上方，并與該基板黏合，其中該封裝蓋覆蓋住該基板的該發(fā)光區(qū)域并暴露出該驅(qū)動(dòng)電路。
其中該封裝蓋為一金屬封裝蓋或一玻璃封裝蓋。
其中每一該些畫素結(jié)構(gòu)包括一主動(dòng)元件與一陽(yáng)極層、一發(fā)光層以及一陰極層所構(gòu)成。
其中該主動(dòng)元件由至少二非晶硅薄膜晶體管或至少二低溫多晶硅薄膜晶體管所構(gòu)成。
其中該驅(qū)動(dòng)電路包括由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管所構(gòu)成的一電路。
其中該驅(qū)動(dòng)電路包括由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管所構(gòu)成的一電路以及一單晶硅半導(dǎo)體電路。
其中在該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)之間包括配置有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線，以使該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)之間電性連接。
由于本發(fā)明的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的封裝蓋并未覆蓋住驅(qū)動(dòng)電路，因此當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路有發(fā)生異常時(shí)，便可以直接對(duì)驅(qū)動(dòng)電路作測(cè)試或修補(bǔ)。
由于本發(fā)明的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的封裝蓋僅覆蓋住發(fā)光區(qū)域而未將驅(qū)動(dòng)電路覆蓋住，因此本發(fā)明的封裝蓋尺寸較公知所使用的封裝蓋尺寸小，因而本發(fā)明的封裝蓋強(qiáng)度較高且外界水氣滲入的面積或路徑亦較少。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下圖1為公知一主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的俯視示意圖；圖2為圖1由I-I′的剖面示意圖；圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的俯視示意圖；以及圖4為圖3由II-II′的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的俯視示意圖；圖4為圖3由II-II′的剖面示意圖。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3與圖4，本發(fā)明的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法系首先提供一基板100，其中基板100具有一發(fā)光區(qū)域120以及一非發(fā)光區(qū)域122，且基板100的發(fā)光區(qū)域120中已形成有數(shù)個(gè)陣列排列的畫素結(jié)構(gòu)107，其中每一畫素結(jié)構(gòu)107包括一主動(dòng)元件與一陽(yáng)極層102、一發(fā)光層104以及一陰極層106。
在此，畫素結(jié)構(gòu)107中的主動(dòng)元件由至少二薄膜晶體管所組成。在本實(shí)施例中，主動(dòng)元件例如是由二薄膜晶體管所組成，其中一薄膜晶體管負(fù)責(zé)開關(guān)作用，另一薄膜晶體管負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)，而薄膜晶體管可以是非晶硅薄膜晶體管或是低溫多晶硅薄膜晶體管。另外，在數(shù)個(gè)畫素結(jié)構(gòu)107中，每一畫素結(jié)構(gòu)107由一掃瞄配線(未繪示)以及一資料配線(未繪示)所控制，而位于發(fā)光區(qū)域120二邊緣處的掃瞄配線與資料配線會(huì)繼續(xù)向非發(fā)光區(qū)域120延伸，而形成數(shù)條向外延伸的導(dǎo)線(fan-out)108，其用來(lái)與制作在非發(fā)光區(qū)域122中的驅(qū)動(dòng)電路電性連接。
除此之外，在基板100上的非發(fā)光區(qū)域122中形成有一驅(qū)動(dòng)電路110，其中驅(qū)動(dòng)電路110與畫素結(jié)構(gòu)107之間通過(guò)數(shù)條導(dǎo)線108而電性連接。
特別值得一提的是，倘若畫素結(jié)構(gòu)107利用低溫多晶硅薄膜晶體管來(lái)作為主動(dòng)元件時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路110可以與畫素結(jié)構(gòu)107的主動(dòng)元件一同制作在基板100上，也就是驅(qū)動(dòng)電路110利用薄膜晶體管來(lái)完成。
但是，對(duì)于高解析度極高頻的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器而言，其驅(qū)動(dòng)電路110可能無(wú)法利用薄膜晶體管來(lái)完成，而必須利用一單晶硅半導(dǎo)體電路來(lái)完成。此時(shí)，可以將部分不受頻率影響的元件直接制作在基板100上，然后再利用與不受頻率影響的元件電性連接的一外部電路(單晶硅半導(dǎo)體電路)來(lái)提供高頻訊號(hào)，而構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路110。
之后，在基板100上設(shè)置一封裝蓋200，并且由形成在封裝蓋200以及基板100之間的一框膠(未繪示)而將封裝蓋200與基板100黏合，其中封裝蓋200覆蓋住基板100的發(fā)光區(qū)域120，并使基板100上的驅(qū)動(dòng)電路110暴露出來(lái)。在此，封裝蓋200可以是一金屬封裝蓋或是一玻璃封裝蓋。
本發(fā)明的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括一基板100、一驅(qū)動(dòng)電路110以及一封裝蓋200。
其中，基板100具有一發(fā)光區(qū)域120以及一非發(fā)光區(qū)域122，且基板100的發(fā)光區(qū)域120中配置有數(shù)個(gè)陣列排列的畫素結(jié)構(gòu)107，而每一畫素結(jié)構(gòu)107包括一主動(dòng)元件與一陽(yáng)極層102、一發(fā)光層104以及一陰極層106。在本發(fā)明中，主動(dòng)元件例如是由至少二非晶硅薄膜晶體管或是至少二低溫多晶硅薄膜晶體管所組成。
另外，驅(qū)動(dòng)電路110配置在基板100上的非發(fā)光區(qū)域122中，其中驅(qū)動(dòng)電路110與畫素結(jié)構(gòu)107之間由數(shù)條導(dǎo)線108而彼此電性連接，且驅(qū)動(dòng)電路110例如是由數(shù)個(gè)薄膜晶體管所構(gòu)成的一電路，或是由數(shù)個(gè)薄膜晶體管以及一單晶硅半導(dǎo)體電路所構(gòu)成。
再者，封裝蓋200配置在基板100的上方，且封裝蓋200與基板100黏合，其中封裝蓋200覆蓋住基板100的發(fā)光區(qū)域120并暴露出基板100上的驅(qū)動(dòng)電路110。在本發(fā)明中，封裝蓋200可以是一金屬封裝蓋或是一玻璃封裝蓋。
在本發(fā)明中，由于封裝蓋200并未覆蓋住驅(qū)動(dòng)電路110，換言之，驅(qū)動(dòng)電路110是制作在封裝蓋200外部，因此當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路110產(chǎn)生異常時(shí)，便可以直接對(duì)驅(qū)動(dòng)電路110作測(cè)試或修補(bǔ)，進(jìn)而提高產(chǎn)品良率。
特別是，倘若產(chǎn)品為一高解析度極高頻的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，由于其驅(qū)動(dòng)電路無(wú)法利用薄膜晶體管來(lái)完成，而必須利用單晶硅半導(dǎo)體電路來(lái)完成，因此此時(shí)會(huì)將部分不受頻率影響的元件直接制作在基板100上，然后利用與不受頻率影響的元件電性連接的一外部電路(單晶硅半導(dǎo)體電路)來(lái)提供高頻訊號(hào)而構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路110。由于單晶硅半導(dǎo)體電路無(wú)法直接制作在基板100上，而必須裝設(shè)在封裝蓋200的外部，因此若是將不受頻率影響的元件和單晶硅半導(dǎo)體電路(整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路110)都配置在封裝蓋200外部，將可以縮短兩種電路之間的訊號(hào)衰退，因此將兩種電路都擺置在封裝蓋200外部是最佳的選擇。
另外，由于本發(fā)明的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的封裝蓋200僅覆蓋住基板100的發(fā)光區(qū)域120而未將基板100上的驅(qū)動(dòng)電路110覆蓋住，因此本發(fā)明的封裝蓋200尺寸較公知所使用的封裝蓋尺寸小。而封裝蓋200尺寸的縮小具有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)，其一，較小尺寸的封裝蓋200其強(qiáng)度較高，因此更能保護(hù)顯示器內(nèi)部的元件免于遭受外力的損害。其二，較小尺寸的封裝蓋200其與基板100黏合的區(qū)域面積相對(duì)較小，因此能減少外界水氣滲入的面積或路徑。
綜合以上所述，本發(fā)明具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，由于其封裝蓋并未覆蓋住驅(qū)動(dòng)電路，因此當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路有發(fā)生異常時(shí)，便可以直接對(duì)驅(qū)動(dòng)電路作測(cè)試或修補(bǔ)。
2、由于本發(fā)明的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的封裝蓋僅覆蓋住發(fā)光區(qū)域而未將驅(qū)動(dòng)電路覆蓋住，本發(fā)明的封裝蓋尺寸較公知所使用的封裝蓋尺寸小，因此本發(fā)明的封裝蓋強(qiáng)度較高且外界水氣滲入的面積或路徑亦較少。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視申請(qǐng)專利范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法，包括提供一基板，該基板具有一發(fā)光區(qū)域以及一非發(fā)光區(qū)域，其中該基板的該發(fā)光區(qū)域中已形成有復(fù)數(shù)個(gè)畫素結(jié)構(gòu)；在該基板上的該非發(fā)光區(qū)域中形成一驅(qū)動(dòng)電路，其中該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)電性連接；在該基板上方設(shè)置一封裝蓋，并且使該封裝蓋與該基板黏合，其中該封裝蓋覆蓋住該基板的該發(fā)光區(qū)域，并暴露出該驅(qū)動(dòng)電路。
2.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，其中該封裝蓋為一金屬封裝蓋或一玻璃封裝蓋。
3.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，其中每一該些畫素結(jié)構(gòu)包括由一主動(dòng)元件與一陽(yáng)極層、一發(fā)光層以及一陰極層所構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其中該主動(dòng)元件由至少二非晶硅薄膜晶體管或至少二低溫多晶硅薄膜晶體管所組成。
5.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，其中該驅(qū)動(dòng)電路包括由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管所形成的一電路。
6.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，其中該驅(qū)動(dòng)電路包括由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管所形成的一電路以及一單晶硅半導(dǎo)體電路。
7.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，其中在該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)之間包括形成有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線，以使該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)之間電性連接。
8.一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括一基板，該基板具有一發(fā)光區(qū)域以及一非發(fā)光區(qū)域，且該基板的該發(fā)光區(qū)域中配置有復(fù)數(shù)個(gè)畫素結(jié)構(gòu)；一驅(qū)動(dòng)電路，配置在該基板的該非發(fā)光區(qū)域中，且該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)電性連接；一封裝蓋，配置在該基板的上方，并與該基板黏合，其中該封裝蓋覆蓋住該基板的該發(fā)光區(qū)域并暴露出該驅(qū)動(dòng)電路。
9.如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中該封裝蓋為一金屬封裝蓋或一玻璃封裝蓋。
10.如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中每一該些畫素結(jié)構(gòu)包括一主動(dòng)元件與一陽(yáng)極層、一發(fā)光層以及一陰極層所構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中該主動(dòng)元件由至少二非晶硅薄膜晶體管或至少二低溫多晶硅薄膜晶體管所構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中該驅(qū)動(dòng)電路包括由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管所構(gòu)成的一電路。
13.如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中該驅(qū)動(dòng)電路包括由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管所構(gòu)成的一電路以及一單晶硅半導(dǎo)體電路。
14.如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中在該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)之間包括配置有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線，以使該驅(qū)動(dòng)電路與該些畫素結(jié)構(gòu)之間電性連接。
全文摘要
一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法，此方法首先提供一基板，其中基板具有一發(fā)光區(qū)域以及一非發(fā)光區(qū)域，且基板的發(fā)光區(qū)域中已形成有數(shù)個(gè)陣列排列的畫素結(jié)構(gòu)。接著，在基板上的非發(fā)光區(qū)域中形成一驅(qū)動(dòng)電路，且驅(qū)動(dòng)電路系與畫素結(jié)構(gòu)之間為彼此電性連接。之后，在基板的上方設(shè)置一封裝蓋并且將封裝蓋與基板黏合，其中封裝蓋覆蓋住基板的發(fā)光區(qū)域，并使基板上的驅(qū)動(dòng)電路暴露出來(lái)。在本發(fā)明中，由于驅(qū)動(dòng)電路是制作于封裝蓋外，因此當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路發(fā)生異常時(shí)便可以直接對(duì)驅(qū)動(dòng)電路作測(cè)試或修補(bǔ)。
文檔編號(hào)H01L27/15GK1516284SQ0310145
公開日2004年7月28日 申請(qǐng)日期2003年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月9日
發(fā)明者利錦洲, 宋志峯 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司