專利名稱：芯片比例封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片比例封裝，更具體地說(shuō)涉及包含芯片類型器件即在一個(gè)表面上具有兩個(gè)端子以及在另一表面上具有一個(gè)端子的晶體管的芯片比例封裝以及制造該芯片比例封裝的方法。
為滿足近來(lái)半導(dǎo)電體產(chǎn)品小型化的趨勢(shì)，也已經(jīng)小型化半導(dǎo)體芯片封裝，因此，已經(jīng)引入芯片比例封裝(也稱為“芯片尺寸封裝”)。


圖1是常規(guī)芯片比例封裝的示意性剖視圖。圖1的芯片比例封裝10的結(jié)構(gòu)采用陶瓷襯底1并且是具有三個(gè)端子的晶體管封裝。
參考圖1，在陶瓷襯底1上形成三個(gè)通孔，即第一通孔2a、第二通孔2b和第三通孔2c。用導(dǎo)電材料填充第一、第二和第三通孔2a、2b和2c以便將襯底1的上表面電連接到襯底1的下表面。然后，分別在第一、第二和第三通孔2a、2b和2c的上表面上形成第一、第二和第三上導(dǎo)電焊盤3a、3b和3c。分別在第一、第二和第三通孔2a、2b和2c的下表面上形成第一、第二和第三下導(dǎo)電焊盤4a、4b和4c。將第三上導(dǎo)電焊盤3c直接連接到在晶體管5的下表面上形成的端子上，即，印刷電路板上的晶體管5的安裝面，以及將第一和第二上導(dǎo)電焊盤3a和3b通過(guò)導(dǎo)線7連接到形成在晶體管5的上表面上的另一端子。在包括晶體管5的陶瓷襯底1的上表面形成使用常規(guī)樹(shù)脂的模塑件9以便保護(hù)晶體管5免受外應(yīng)力。從而完成制造封裝10。
圖2是常規(guī)芯片比例封裝組件的剖視圖，其中將芯片比例封裝安裝在印刷電路板上。
如圖2所示，通過(guò)回流焊接將制造的晶體管封裝10安裝在印刷電路板20上。即，通過(guò)在印刷電路板20的相應(yīng)信號(hào)圖案上排列封裝10的下導(dǎo)電焊盤4a、4b和4c，然后用焊料15將下導(dǎo)電焊盤4a、4b和4c連接到印刷電路板20的信號(hào)圖案上，將晶體管封裝10安裝在印刷電路板20上。
如圖1和2所示，由于晶體管通常具有在其兩個(gè)相對(duì)面的每一個(gè)上的端子，這些端子必須通過(guò)導(dǎo)線內(nèi)連。然而，這些導(dǎo)線需要芯片的上表面上的很大空間，從而增加了封裝的整個(gè)高度。另外，由于必須在陶瓷襯底上形成與晶體管的端子數(shù)量相應(yīng)的至少三個(gè)通孔，另外要求與通孔的總直徑一樣大的區(qū)域。此外，為了不使在通孔的上表面和下表面上形成的導(dǎo)電焊盤相互連接，必須用最小間隔使導(dǎo)電焊盤彼此分開(kāi)。因此，襯底具有大尺寸以便滿足上述條件，并且襯底的尺寸在小型化封裝方面強(qiáng)加了限制。
另外，由上述封裝采用的陶瓷襯底價(jià)格很高，從而增加了封裝的生產(chǎn)成本。因此，常規(guī)的封裝制造過(guò)程要求引線接合步驟以及模塑步驟以及芯片焊接(die-bonding)步驟，從而變得更加復(fù)雜。
因此，要求一種能小型化封裝的尺寸以及簡(jiǎn)單其制造過(guò)程的封裝技術(shù)。
本發(fā)明的另一目的是根據(jù)芯片比例封裝的結(jié)構(gòu)，提供一種具有創(chuàng)新安裝方法的芯片封裝裝置。
本發(fā)明的另一目的是提供一種制造芯片比例封裝的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通過(guò)提供包括芯片的芯片比例封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)上述和其他目的，該芯片包括具有兩個(gè)第一端子的第一表面以及具有第二端子的第二表面，第二表面與第一表面相對(duì)、在除用于兩個(gè)端子的區(qū)域以外的芯片的第一表面上形成的絕緣層、在絕緣層上形成的并按指定距離彼此分開(kāi)以便連接到兩個(gè)端子的每一個(gè)上的第一和第二導(dǎo)電層、形成在芯片的第二表面上以便連接到芯片的第二表面的端子上的第三導(dǎo)電層、以及形成在第一、第二和第三導(dǎo)電層的每個(gè)指定側(cè)面上的電極面。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種包括芯片比例封裝和印刷電路板的芯片比例封裝組件。芯片比例封裝包括芯片，該芯片包括具有兩個(gè)第一端子的第一表面以及具有第二端子的第二表面，第二表面與第一表面相對(duì)、在除用于兩個(gè)端子的區(qū)域以外的芯片的第一表面上形成的絕緣層、在絕緣層上形成的并按指定距離彼此分開(kāi)以便連接到兩個(gè)端子的每一個(gè)上的第一和第二導(dǎo)電層、形成在芯片的第二表面上以便連接到芯片的第二表面的端子上的第三導(dǎo)電層、以及形成在第一、第二和第三導(dǎo)電層的每個(gè)指定側(cè)面上的電極面。印刷電路板包括至少三個(gè)連接焊盤，以及連接到連接焊盤的電路圖案。在這里，將芯片比例封裝安裝在印刷電路板上以便將芯片的電極面連在印刷電路板的每個(gè)連接焊盤上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制造芯片比例封裝的方法，包括步驟準(zhǔn)備包括多個(gè)芯片的晶片，芯片包括分別在其上表面上的兩個(gè)端子以及在其下表面上的端子；在除用于兩個(gè)端子的區(qū)域以外的晶片的上表面上形成絕緣層；在絕緣層上形成上導(dǎo)電層以便連接到芯片的上表面的兩個(gè)端子的每一個(gè)上；在芯片的下表面上形成下導(dǎo)電層以便連接到芯片的下表面的端子上；一次切割晶片以便形成芯片比例封裝的一個(gè)側(cè)面；在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層的側(cè)面上形成電極面，側(cè)面形成在通過(guò)一次切割晶片獲得的芯片比例封裝的側(cè)面上；將形成在絕緣層上的上導(dǎo)電層劃分成連接到兩個(gè)端子的每一個(gè)的兩個(gè)區(qū)域；以及將晶片二次切割成封裝單元。
圖3a和3b是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，芯片比例封裝的透視圖和剖視圖。
參考圖3a，芯片比例封裝30包括芯片35、形成在芯片35上的絕緣層33、形成在絕緣層33的上表面以及芯片35的下表面上的導(dǎo)電層31a、31b和31c以及形成在導(dǎo)電層31a、31b和31c的側(cè)面上的電極面37a、37b和37c。在這里，具有電極面37a、37b和37c的導(dǎo)電層31a、31b和31c的側(cè)面均在芯片35的相同側(cè)面上。圖3a中未示出，在芯片35的上表面上形成兩個(gè)端子，以及在芯片35的下表面上形成一個(gè)端子。例如，上述芯片35是晶體管。
參考圖3b，在除用于端子A和B的區(qū)域以外的芯片35的上表面上形成絕緣層33。在絕緣層33上形成第一和第二導(dǎo)電層31a和31b。將第一和第二導(dǎo)電層31a和31b分別連接到在芯片35的上表面上形成的端子A和B。按指定距離使第一和第二導(dǎo)電層31a和31b彼此分開(kāi)。另外，在芯片35的下表面上形成第三導(dǎo)電層31c，并電連接到形成在芯片35的下表面上的端子(未示出)。
優(yōu)選地，第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c是用銅(Cu)制成的金屬層，但并不局限于此。另外，第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c的厚度根據(jù)印刷電路板的類型而改變。即，由印刷電路板的連接焊盤間的間隔來(lái)確定第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c的厚度。由于在導(dǎo)電層31a、31b和31c的側(cè)面上形成的電極面37a、37b和37c位于印刷電路板的相應(yīng)連接焊盤上，導(dǎo)電層31a、31b和31c要求足夠的厚度。
能用常規(guī)電鍍方法以預(yù)定厚度形成第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c。然而，使用電鍍方法形成第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c要求很長(zhǎng)時(shí)間和較高生產(chǎn)成本。因此，優(yōu)選地，首先通過(guò)電鍍形成電鍍層。然后，在電鍍層上堆疊至少一層銅層，從而容易形成具有想要的深度的導(dǎo)電層。
另外，分別在第一和第二導(dǎo)電層31a和31b的一個(gè)側(cè)面上形成第一和第二電極面37a和37b。在第三導(dǎo)電層31c的側(cè)面上形成第三電極面37c。具有第一、第二和第三電極面37a、37b和37c的第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c的側(cè)面均在芯片35的相同側(cè)面上。將第一、第二和第三電極面37a、37b和37c電和機(jī)械連接到印刷電路板的相應(yīng)連接焊盤上。因此，優(yōu)選地，第一、第二和第三電極面37a、37b和37c是具有良好電導(dǎo)性的包括金(Au)的金屬層以隨后進(jìn)行焊接。
在如圖3b所示的上述芯片比例封裝30中，在除用于包括兩個(gè)端子A和B的區(qū)域以外的芯片35的上表面上形成絕緣層33。在絕緣層33上形成第一和第二導(dǎo)電層31a和31b。在芯片35的下表面上形成第三導(dǎo)電層31c。在這里，將第一和第二導(dǎo)電層31a和31b分別連接到端子A和B。將第三導(dǎo)電層31c連接到形成在芯片35的下表面上的端子(未示出)。分別在形成在芯片35的上表面上的第一和第二導(dǎo)電層31a和31b的側(cè)面和形成在芯片35的下表面上的第三導(dǎo)電層31c的側(cè)面上形成第一、第二和第三電極面37a、37b和37c。具有第一、第二和第三電極面37a、37b和37c的側(cè)面是印刷電路板上的安裝面。將芯片比例封裝30旋轉(zhuǎn)90度，然后將旋轉(zhuǎn)后的芯片比例封裝30安裝在印刷電路板上以便將第一、第二和第三電極面37a、37b和37c連接到印刷電路板的相應(yīng)連接焊盤上。
通過(guò)自然氧化在第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c的外露表面上形成氧化層。這些氧化層充當(dāng)用于保護(hù)第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c的層，從而確保第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c的可靠性。然而，為防止第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c嚴(yán)重氧化，可在除第一、第二和第三電極面37a、37b和37c外的第一、第二和第三導(dǎo)電層31a、31b和31c上形成鈍化層37。優(yōu)選地，鈍化層37是通過(guò)涂上絕緣樹(shù)脂形成的絕緣薄膜。如果必要的話，可在芯片35的外露側(cè)面上形成鈍化層37。
圖4是芯片封裝裝置50的透視圖，其中根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，將芯片比例封裝40安裝在印刷電路板51上。
如圖4所示，芯片封裝裝置50包括芯片比例封裝40和用于安裝芯片比例封裝40的印刷電路板51。如圖3a和3b所示，在芯片比例封裝40中，在芯片45的上表面上形成絕緣層43。在絕緣層43的上表面上形成第一和第二導(dǎo)電層41a和41b。將第一和第二導(dǎo)電層41a和41b分別連接到形成在芯片45的上表面上的兩個(gè)端子(未示出)。在芯片45的下表面上形成第三導(dǎo)電層41c。將第三導(dǎo)電層41c連接到形成在芯片45的下表面上的端子(未示出)。在第一、第二和第三導(dǎo)電層41a、41b和41c的指定側(cè)面上形成第一、第二和第三電極面47a、47b和47c。第一、第二和第三電極面47a、47b和47c將是印刷電路板51上芯片比例封裝40的安裝面。通過(guò)第一、第二和第三導(dǎo)電層41a、41b和41c分別將第一、第二和第三電極面47a、47b和47c連接到芯片45的每個(gè)相應(yīng)端子(未示出)。通過(guò)將芯片比例封裝40布置在芯片比例封裝40的第一、第二和第三電極面47a、47b和47c以及通過(guò)在第一、第二和第三電極面47a、47b和47c和連接焊盤57a、57b和57c間進(jìn)行焊接，將芯片比例封裝40安裝在印刷電路板51上，從而完成制造圖4的芯片封裝裝置50。
經(jīng)連接到印刷電路板51的連接焊盤57a、57b和57c的芯片比例封裝40的第一、第二和第三電極面47a、47b和47c，將在印刷電路板51上形成的指定電路(未示出)連接到芯片45的每個(gè)端子上。因此，如上所述，第一、第二和第三導(dǎo)電層41a、41b和41c具有視印刷電路板51的連接焊盤57a、57b和57c間的間隔而定的指定深度。
另外，本發(fā)明提供了一種制造上述芯征比例封裝的方法。圖5a至5f是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，描述制造芯片比例封裝的方法的每個(gè)步驟的透視圖。
首先，如圖5a所示，準(zhǔn)備包括多個(gè)芯片的晶片105。在每個(gè)芯片的上表面和下表面上形成端子。在這里，按晶片105的上表面的虛線劃分每個(gè)芯片。圖5a部分示出了晶片105。然而，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)具有多個(gè)芯片的晶片105的整個(gè)結(jié)構(gòu)將是顯而易見(jiàn)的。
芯片包括分別在其上表面上的兩個(gè)端子101a和101b以及在其下表面上的一個(gè)端子(未示出)。另外，在晶片105的上表面上形成具有多個(gè)窗口的掩膜圖案106，從而暴露用于晶片105的端子101a和101b的區(qū)域。掩膜圖案106的窗口與用于晶片105的端子101a和101b的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。掩膜圖案106用氧化層制成。
如圖5b所示，在晶片105的上表面上形成絕緣層113。然后，如圖5c所示，分別在絕緣層113的上表面和晶片105的下表面上形成上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層121a和121b。在這里，在絕緣層113的上表面上形成上導(dǎo)電層121a以便將上導(dǎo)電層121a連接到晶片105的兩個(gè)端子101a和101b上。因此，為形成金屬層以填充用于端子101a和101b的窗口，優(yōu)選地通過(guò)電鍍法形成上導(dǎo)電層121a。然而，如上所述，導(dǎo)電層具有視連接焊盤間的間隔而定的預(yù)定厚度以便導(dǎo)電層具有在其上形成電極面的足夠尺寸的側(cè)面。因此，最優(yōu)選地，通過(guò)形成電鍍層然后在電鍍層上堆疊至少一層銅層來(lái)形成上導(dǎo)電層，然而填充在其上未形成絕緣層的與端子101a和101b相對(duì)應(yīng)的窗口。然后，沿圖5的線Y-Y′將晶片105一次切割成兩行芯片。
如圖5d所示，通過(guò)一次切割晶片105獲得切割部分。從而，僅形成每個(gè)芯片比例封裝的一個(gè)側(cè)面。在通過(guò)一次切割晶片105獲得的芯片封裝的側(cè)面的上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層121a和121b的側(cè)面上分別形成上電極面和下電極面137′和137″。通過(guò)電鍍有選擇地在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層121a和121b的側(cè)面上形成上電極面和下電極面137′和137″。即，不在由硅制成的芯片35的側(cè)面上形成電極面。然而，在由金屬制成的上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層121a和121b的側(cè)面上形成第一和第二電極面137′和137″。
沿圖5d的線X-X′去除部分上導(dǎo)電層121a，從而將上導(dǎo)電層121a和形成在上導(dǎo)電層121a的側(cè)面上的電極層137′劃分成連接到芯片的兩個(gè)端子上的兩部分，如圖5e所示。在這里，絕緣層113用來(lái)防止芯片受到來(lái)自劃分上導(dǎo)電層121a的損害。
然后，為將一次切割的晶片105劃分為多個(gè)封裝單元，執(zhí)行二次切割步驟，從而完成制造多個(gè)芯片比例封裝140。如圖5f所示，可進(jìn)一步在芯片比例封裝140的上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層121a和121b的外露表面上形成鈍化層139。鈍化層139是用通過(guò)涂上絕緣樹(shù)脂形成的絕緣薄膜制成。鈍化層139用來(lái)防止上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層121a和121b氧化，從而提高芯片比例封裝140的可靠性。如果必要的話，根據(jù)芯片比例封裝140的工作條件可省略鈍化層139。
如圖5a至5f所示的制造芯片比例封裝的方法是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。因此，在本發(fā)明的范圍和精神范圍內(nèi)可不同地改變制造芯片比例封裝的方法。具體來(lái)說(shuō)，根據(jù)切割步驟，可大大地改變形成鈍化的步驟。
例如，在如圖5a至5f所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，在二次切割步驟后，通過(guò)只涂一次絕緣樹(shù)脂，在除用于電極面外的導(dǎo)電層的外露表面上形成鈍化層。然而，可通過(guò)在形成上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層后在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層上涂上絕緣樹(shù)脂以及通過(guò)在二次切割步驟后在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層的側(cè)面上涂上絕緣樹(shù)脂來(lái)形成鈍化層。由于將具有導(dǎo)電層的晶片的底面固定到膠帶(tape)或真空裝置上，前者在導(dǎo)電層上形成鈍化層方面有困難。然而，在切割步驟前在導(dǎo)電層上形成后者的鈍化層，后者解決了該問(wèn)題。
可同時(shí)實(shí)現(xiàn)如圖5e所示將絕緣層上的上導(dǎo)電層劃成為兩部分的步驟和如圖5f所示的二次切割晶片的步驟。即，通過(guò)控制二次切割步驟的刀片可同時(shí)執(zhí)行將上導(dǎo)電層劃分成兩部分的步驟以及將晶片切割成封裝單元的步驟以便刀片的切割深度與導(dǎo)電層的厚度相對(duì)應(yīng)。
根據(jù)制造本發(fā)明的芯片比例封裝的方法，將晶片切割成多個(gè)具有一個(gè)芯片的芯片比例封裝，以及在芯片比例封裝的一個(gè)側(cè)面的上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層的側(cè)面上形成電極面以及在導(dǎo)電層的其他表面上形成鈍化層。因此，可按順序和方法的不同來(lái)改變用于形成芯片比例封裝的側(cè)面的每個(gè)切割步驟以及用于形成鈍化層和電極面的步驟。這些改變和改進(jìn)均在本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)。
從上述描述可以看出，本發(fā)明通過(guò)在具有端子的芯片的上表面和下表面上形成導(dǎo)電層，以及通過(guò)在導(dǎo)電層的相同側(cè)面上形成電極面，提供一種小型化和更容易制造的芯片比例封裝，從而提高封裝的可靠性。另外，本發(fā)明提供一種用于制造芯片比例封裝的方法，其中省略了常規(guī)的引線接合步驟或通孔形成步驟，從而簡(jiǎn)化制造過(guò)程和降低制造成本。
盡管為了說(shuō)明目的已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到在不脫離由附加權(quán)利要求公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和精神的情況下可能做出不同的改變、添加或代替。
權(quán)利要求
1.一種芯片比例封裝，包括芯片，包括具有兩個(gè)第一端子的第一表面以及具有第二端子的第二表面，第二表面與第一表面相對(duì)；絕緣層，形成在除用于兩個(gè)端子的區(qū)域以外的芯片的第一表面上；第一和第二導(dǎo)電層，形成在絕緣層上并按指定距離使彼此分開(kāi)以便連接到兩個(gè)端子的每一個(gè)上；第三導(dǎo)電層，形成在芯片的第二表面上以便連接到芯片的第二表面的端子上；以及電極面，形成在第一、第二和第三導(dǎo)電層的每個(gè)指定側(cè)面上。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片比例封裝，進(jìn)一步包括鈍化層，每個(gè)鈍化層形成在除具有電極面的側(cè)面以外的第一、第二和第三導(dǎo)電層的外露表面上。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片比例封裝，其中所述鈍化層是用通過(guò)涂上絕緣樹(shù)脂形成的絕緣薄膜制成的。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片比例封裝，其中芯片的側(cè)面以及第一、第二和第三導(dǎo)電層的側(cè)面形成一個(gè)平面。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片比例封裝，其中第一、第二和第三導(dǎo)電層是包括銅(Cu)的金屬層。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片比例封裝，其中電極面是包括金(Au)的金屬層。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片比例封裝，其中第一、第二和第三導(dǎo)電層的每一個(gè)包括用電鍍層制成的第一層以及堆疊在第一層上的用至少一個(gè)銅層制成的第二層。
8.如權(quán)利要求1所述的芯片比例封裝，其中芯片是晶體管。
9.一種芯片比例封裝組件，包括芯片比例封裝，包括芯片，包括具有兩個(gè)第一端子的第一表面以及具有第二端子的第二表面，第二表面與第一表面相對(duì)；絕緣層，形成在除用于兩個(gè)端子的區(qū)域以外的芯片的第一表面上；第一和第二導(dǎo)電層，形成在絕緣層上并按指定距離使彼此分開(kāi)以便連接到兩個(gè)端子的每一個(gè)上；第三導(dǎo)電層，形成在芯片的第二表面上以便連接到芯片的第二表面的端子上；以及電極面，形成在第一、第二和第三導(dǎo)電層的每個(gè)指定側(cè)面上；以及印刷電路板，包括至少三個(gè)連接焊盤以及連接到連接焊盤上的電路圖案，其中將芯片比例封裝安裝在印刷電路板上以便將芯片的電極面連在印刷電路板的每個(gè)連接焊盤上。
10.如權(quán)利要求9所述的芯片比例封裝組件，進(jìn)一步包括鈍化層，每個(gè)鈍化層形成在除具有電極面的側(cè)面以外的第一、第二和第三導(dǎo)電層的外露表面上。
11.如權(quán)利要求10所述的芯片比例封裝組件，其中所述鈍化層是用通過(guò)涂上絕緣樹(shù)脂形成的絕緣薄膜制成的。
12.如權(quán)利要求9所述的芯片比例封裝組件，其中第一、第二和第三導(dǎo)電層是包括銅(Cu)的金屬層。
13.如權(quán)利要求9所述的芯片比例封裝組件，其中電極面是包括金(Au)的金屬層。
14.如權(quán)利要求9所述的芯片比例封裝組件，其中第一、第二和第三導(dǎo)電層的每一個(gè)包括用電鍍層制成的第一層以及堆疊在第一層上的用至少一個(gè)銅層制成的第二層。
15.如權(quán)利要求9所述的芯片比例封裝組件，其中芯片是晶體管。
16.一種制造芯片比例封裝的方法，所述方法包括步驟準(zhǔn)備包括多個(gè)芯片的晶片，所述芯片包括分別在其上表面上的兩個(gè)端子以及在其下表面上的端子；在除用于兩個(gè)端子的區(qū)域外的晶片的上表面上形成絕緣層；在絕緣層上形成上導(dǎo)電層以便連接到芯片的上表面的兩個(gè)端子的每一個(gè)上；在芯片的下表面上形成下導(dǎo)電層以便連接到芯片的下表面的端子上；一次切割晶片以便形成芯片比例封裝的一個(gè)側(cè)面；在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層的側(cè)面上形成電極面，所述側(cè)面形成在通過(guò)一次切割晶片獲得的芯片比例封裝的側(cè)面上；將在絕緣層上形成的上導(dǎo)電層劃分成連接到兩個(gè)端子的每一個(gè)上的兩個(gè)區(qū)域；以及將晶片二次切割成封裝單元。
17.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，進(jìn)一步包括步驟在形成上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層的步驟后，在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層的每個(gè)上表面和下表面上形成鈍化層；以及在除具有電極面的側(cè)面以外的上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層的每個(gè)側(cè)面上形成鈍化層。
18.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，進(jìn)一步包括在二次切割晶片的步驟后，形成鈍化層的步驟，每個(gè)鈍化層形成在除具有電極面的側(cè)面以外的第一和第二導(dǎo)電層的外露表面上。
19.如權(quán)利要求17或18所述的制造芯片比例封裝的方法，其中所述鈍化層用通過(guò)涂上絕緣樹(shù)脂形成的絕緣薄膜制成。
20.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，其中一次切割晶片的步驟是切割晶片以便將晶片的劃線切割成兩行的步驟。
21.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，其中通過(guò)控制切割深度，同時(shí)執(zhí)行將形成在絕緣層上的上導(dǎo)電層劃分成兩個(gè)區(qū)域的步驟與將晶片二次切割成封裝單元的步驟。
22.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，其中通過(guò)電鍍法形成上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層。
23.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，其中導(dǎo)電層是包括銅(Cu)的金屬層。
24.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，其中電極面是包括金(Au)的金屬層。
25.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，其中通過(guò)形成連接到每個(gè)端子的電鍍層以及在電鍍層上堆疊至少一層銅層來(lái)形成每個(gè)上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層。
26.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，其中通過(guò)電鍍法形成電極面。
27.如權(quán)利要求16所述的制造芯片比例封裝的方法，其中芯片是晶體管。
全文摘要
公開(kāi)了一種芯片比例封裝以及制造該芯片比例封裝的方法。芯片比例封裝包括形成在絕緣層上并通過(guò)指定距離使彼此分開(kāi)以便連接到兩個(gè)端子的每一個(gè)上的第一和第二導(dǎo)電層，形成在芯片的第二表面上以便連接到芯片的第二表面的端子的第三導(dǎo)電層，以及形成在第一、第二和第三導(dǎo)電層的每個(gè)指定側(cè)面上的電極面。在總的封裝尺寸方面小型化芯片比例封裝。另外，制造芯片比例封裝的方法不需要引線接合步驟或通孔形成步驟，從而簡(jiǎn)化芯片比例封裝的制造過(guò)程并提高芯片比例封裝的可靠性。
文檔編號(hào)H01L23/12GK1445846SQ03101448
公開(kāi)日2003年10月1日 申請(qǐng)日期2003年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月18日
發(fā)明者尹畯皓, 崔龍七, 裴錫洙 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社