專利名稱：具有引線框架的電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種從側(cè)面突出引線框架的電子部件，具體而言涉及固體電解電容器。
背景技術(shù)：
圖7是表示制造芯片型固體電解電容器的工序的透視圖，圖8是以包含A-A線的面截?cái)鄨D7中電容器的截面圖(參照日本特許公告公報(bào)平3-30977)。
固體電解電容器，如圖8所示，構(gòu)成為由合成樹脂，具體而言由環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂構(gòu)成的殼體7覆蓋電容器主體8，與電容器主體8電連接的2個(gè)引線框架9、90從殼體7的兩側(cè)向外突出。殼體7構(gòu)成為在下半殼體71上具有上半殼體70，引線框架9、90由以鐵和鎳為主要成分的合金構(gòu)成。
電容器主體8如下所述地形成。如眾所周知地，首先，通過在電子管金屬的燒結(jié)體形成的陽極體1上結(jié)合或粘接陽極引線2，在該陽極體1上形成電介質(zhì)氧化覆膜3，在電介質(zhì)氧化覆膜3上形成由MnO2(二氧化錳)、導(dǎo)電體有機(jī)化合物的固體導(dǎo)電性材料構(gòu)成的陰極層4，來制造電容器元件5。所謂的電子管金屬，指的是通過電解氧化處理形成具有非常致密和耐久性的電介質(zhì)氧化膜的金屬，除了Al、Ta之外，相應(yīng)有Ti(鈦)、Nb(鈮)等。此外，導(dǎo)電體有機(jī)化合物，例如有聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚呋喃等導(dǎo)電性高分子，TCNQ(7，7，8，8-四氰代二甲基苯醌)絡(luò)鹽等。由于陰極層4上使用導(dǎo)電有機(jī)化合物，結(jié)果能降低ESR(等效串聯(lián)電阻)，可形成高頻特性優(yōu)良的電容器。
通過在電容器元件5的陰極層4上形成石墨層6，在該石墨層上形成銀糊劑層60而設(shè)置電容器主體8。
接著，通過電阻焊接等將一個(gè)引線框架9安裝到陽極引線2上，通過銀粘接劑將另一個(gè)引線框架90安裝到上述銀糊劑層60上。
此外，如圖7所示，準(zhǔn)備了設(shè)有相應(yīng)于殼體7的空間的上模具45和下模具46，將安裝了引線框架9、90的電容器主體8安置在下模具46上。在兩個(gè)模具45、46之間的空間填充了樹脂之后，起模，得到使引線框架9、90突出的殼體7。在上半殼體70和下半殼體71的兩側(cè)面上形成錐面73、73，以便于平滑地起模。兩模具45、46的對合面，如圖8中分型線(P.L)所示。
接著，如圖9所示，將引線框架9、90放置在彎曲夾具75上。在引線框架9、90的前端部上施加向下的力，彎曲引線框架9、90，以便于具有從殼體7向外延伸的第一片91和從該第一片91的前端部向下延伸的第二片92。
之后，如圖10所示，將殼體7的中央部保持在夾具55上。從第一片91的上方推壓輥?zhàn)?6、76，并且以基端部為中心向下彎曲第一片91。
如圖8所示，第二片92配置成與殼體7的下面接觸。對引線框架9、90通電，進(jìn)行時(shí)效老化，從而完成該電容器。各個(gè)第二片92、92被軟釬焊接到安裝基板(未圖示)上。
但是，現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中，存在著在將第一片91向下彎曲時(shí)，由于施加的彎曲負(fù)載的離散，施加在第一片91的基端部上的彎曲力比所需要的力要大的情況。因此，可能會(huì)在該基端部產(chǎn)生裂紋。如果在引線框架9、90上產(chǎn)生裂紋，ESR等的電容器特性會(huì)變差。
本發(fā)明的目的是在引線框架的彎曲加工時(shí)，使施加在基端部上的彎曲力緩和，并防止產(chǎn)生裂紋。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的電子部件構(gòu)成為具有上半殼體70和下半殼體71，向下半殼體71進(jìn)行彎曲加工的引線框架9從兩半殼體70、71的交界的位置向側(cè)方向突出。
肋片72從下半殼體71的側(cè)面上端部突出，該肋片與引線框架9的基端部下表面接觸，在引線框架9進(jìn)行彎曲加工時(shí)，承受施加在該基端部上的彎曲力而塑性變形。
肋片72與引線框架9的基端部下表面接觸，所以在將引線框架9向下半殼體71彎曲時(shí)，由肋片72承受施加在引線框架9的基端部上的彎曲力。肋片72承受該彎曲力而塑性變形。
即，引線框架9的彎曲力的一部分由肋片72承受。肋片72承受該彎曲力而塑性變形即壓壞，在引線框架9彎曲加工時(shí)承受的來自肋片的反作用力得到緩和。彎曲力的一部分由肋片72承受，且由于來自肋片的反作用力小，所以直接施加在引線框架9的基端部上的彎曲力得到緩和，可以防止在引線框架9的基端部上產(chǎn)生裂紋。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的固體電解電容器的正視圖；圖2是從B方向所見的圖1的固體電解電容器的部分截面圖；圖3是表示圖1所示的引線框架的基端部C的彎曲加工的示圖；圖4是表示另一種固體電解電容器的透視圖；圖5是表示另一種固體電解電容器的透視圖；圖6A是從E方向所見的圖4的固體電解電容器的示圖；圖6B是從E方向所見的圖5的固體電解電容器的示圖；圖7是表示現(xiàn)有的芯片型固體電解電容器的制造工序的透視圖；圖8是從包含A-A線的面所截取的圖7的電容器的截面圖；圖9是表示現(xiàn)有的引線框架的彎曲加工的正視截面圖；圖10是表示現(xiàn)有的引線框架的彎曲加工的正視圖。
實(shí)施本發(fā)明的最佳方式(第一實(shí)施例)下面采用附圖對本發(fā)明的一個(gè)例子進(jìn)行詳細(xì)描述。
電容器元件5的結(jié)構(gòu)和現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相同。在本例子中，其特征在于，支承引線框架9、90的基端部的肋片72從下半殼體71上突出。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的固體電解電容器的正視圖，其中將第2片92向下彎曲。殼體7構(gòu)成為具有上半殼體70和下半殼體71，在兩半殼體70、71的交界的位置，下半殼體71形成為左右長度比上半殼體70的更短。即，在引線框架9、90的突出位置，下半殼體71上表面的左右長度L2形成為比上半殼體70下表面的左右長度L1更短。
肋片72從下半殼體71的側(cè)面上端部突出，該肋片與引線框架9下表面接觸。該肋片72由合成樹脂構(gòu)成，與下半殼體71的注塑成形同時(shí)設(shè)置，并配置在比上半殼體70更靠內(nèi)側(cè)。為了設(shè)置肋片72，下半殼體71上表面的左右長度L2形成為比上半殼體70下表面的左右長度L1更短。另外，將下半殼體71上表面的左右長度L2形成為比上半殼體70下表面的左右長度L1更短的結(jié)構(gòu)，正如在日本特許公告公報(bào)平3-30977中已公開的那樣，是公知的技術(shù)。本發(fā)明的特征在于，具有肋片72。
圖2是從B方向所見的圖1的固體電解電容器的部分截面圖，省略了引線框架9的第二片92。引線框架9是板狀，肋片72的進(jìn)深長度形成為比引線框架9的進(jìn)深長度短。
圖3是表示圖1所示的引線框架9的基端部C的彎曲加工的示圖。為了將引線框架9的第一片91向下彎曲，保持殼體7的中央部并使輥?zhàn)?6從上方向引線框架9的基端部附近下降。在該彎曲加工時(shí)，為了減小在引線框架9的基端部C上施加的彎曲力矩，從輥?zhàn)?6和引線框架9的接觸部位到引線框架9的基端部C的距離短較好。例如，可以使輥?zhàn)?6沿上半殼體70的錐面73下降。
引線框架9從圖3的單點(diǎn)劃線所示的位置彎曲到實(shí)線所示的位置。此時(shí)，肋片72支承引線框架9的第一片91的基端部下表面。肋片72由合成樹脂構(gòu)成，承受彎曲力而塑性變形。
即，引線框架9的彎曲力的一部分由肋片72承受。肋片72塑性變形即壓壞，在引線框架9彎曲加工時(shí)來自肋片的反作用力得到緩和。彎曲力的一部分由肋片72承受，且由于來自肋片的反作用力小，直接施加在引線框架9的基端部C上的彎曲力得到緩和。如圖3所示，彎曲部位呈圓弧形R，可以防止在引線框架9的基端部上產(chǎn)生裂紋的可能性。
此外，由于肋片72塑性變形，在引線框架9彎曲加工時(shí)，破損的肋片72的碎渣掉落。如果肋片72的進(jìn)深長度過長，肋片72的碎渣變多，污損固體電解電容器的制造裝置。為了防止該現(xiàn)象，將肋片72的進(jìn)深長度形成為比引線框架9的進(jìn)深長度短。此外，引線框架9的不接觸肋片72的部位彎曲成銳角而不會(huì)呈圓弧形，其優(yōu)點(diǎn)是使精加工形狀的外觀良好。但是，由于引線框架9不與肋片72接觸的部位過長，存在產(chǎn)生裂紋的可能性，所以肋片72過短不是優(yōu)選的。
(第二實(shí)施例)圖3中肋片72配置成比上半殼體70更靠內(nèi)側(cè)。結(jié)果是，在引線框架9的彎曲加工時(shí)，如圖3中D部所示，引線框架9與上半殼體70分離。上半殼體70的分離殘?jiān)掣皆谝€框架9上，不僅導(dǎo)致外觀不好，而且如果這些分離殘?jiān)鼊兟?，它們又?huì)對配置在固體電解電容器的周邊處的電子部件帶來不良影響。
因此，發(fā)明人作出如下設(shè)計(jì)。圖4和圖5是表示另外的固體電解電容器的透視圖。如圖4所示，在上半殼體70的側(cè)面向上下方向開設(shè)凹條85，引線框架9位于該凹條85的下端部內(nèi)。肋片72位于引線框架9的下側(cè)。
圖6A是從E方向所見的圖4的示圖。凹條85的底面86的下端部與肋片72的前端相對。即，凹條85的底面86的下端與肋片72的前端以夾持著引線框架9的方式重疊放置。因此，即使以基端部為中心向下彎曲引線框架9，引線框架9和上半殼體70也不會(huì)分離，從而能夠防止分離殘?jiān)掣皆谝€框架9上的可能性。
也可以如圖5所示，從上半殼體70的下端部突出在進(jìn)深方向上分開的遮檐板87、87，將引線框架9配置于兩遮檐板87、87之間的凹部88內(nèi)。圖6B是從E方向所見的圖5的示圖。凹部88中上半殼體70的底面86的下端與肋片72的前端相對。和前面一樣，即使以基端部為中心向下彎曲引線框架9，引線框架9和上半殼體70也不會(huì)分離。特別地，圖5所示的固體電解電容器可僅通過將形成圖7所示的現(xiàn)有產(chǎn)品的上模具45的下端部削成對應(yīng)于遮檐板87、87的形狀形成。
在本實(shí)施例中，作為電子部件，盡管將固體電解電容器作為例示，但是也可以是彎曲引線框架9、90的IC等其它部件。
此外，雖然引線框架9、90是從下半殼體71中突出，但是也可以是從上半殼體70中突出。
另一方面，這種類型的電容器，需要進(jìn)一步減小ESR，可考慮使引線框架9、90由銅、銀、金等導(dǎo)電性高的材料制成。但是，這樣的材料彎曲強(qiáng)度低，這些材料的合金提高了彎曲強(qiáng)度，與鐵-鎳合金相比，使引線框架9、90容易產(chǎn)生裂紋。發(fā)明人主張，傾向于采用添加鉻(Cr)、錫(Sn)的銅合金。
即使引線框架9、90由這樣的材料制成，通過采用本實(shí)施例的肋片72，也可以防止裂紋的產(chǎn)生。由導(dǎo)電性高的銅、銀、金等或其合金制成引線框架9、90，可減小ESR。
權(quán)利要求
1.一種電子部件，該電子部件構(gòu)成為具有上半殼體(70)和下半殼體(71)，向下半殼體(71)進(jìn)行彎曲加工的引線框架(9)從兩半殼體(70、71)的交界位置向側(cè)方向突出，其特征在于，肋片(72)從下半殼體(71)的側(cè)面上端部突出，該肋片與引線框架(9)的基端部下表面接觸，在引線框架(9)進(jìn)行彎曲加工時(shí)承受施加在該基端部上的彎曲力而塑性變形。
2.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，在兩半殼體(70、71)的交界位置，下半殼體(71)形成為左右長度比上半殼體(70)的更短，肋片72配置成比上半殼體(70)更靠內(nèi)側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，肋片(72)的進(jìn)深長度形成為比引線框架(9)的進(jìn)深長度短。
4.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，引線框架(9)設(shè)置于形成在上半殼體(70)的側(cè)面上的凹部(88)或凹條(85)內(nèi)，該凹部(88)或凹條(85)的底面(86)的下端部形成與肋片72的前端相對的深度。
5.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，引線框架(9)由選自銅、銀、金或其合金的材料制成。
全文摘要
一種電子部件，該電子部件構(gòu)成為具有上半殼體(70)和下半殼體(71)。向下半殼體(71)進(jìn)行彎曲加工的引線框架(9)從下半殼體(71)的上端部向側(cè)方向突出。肋片(72)從下半殼體(71)的側(cè)面上端部突出，該肋片與引線框架(9)的基端部下表面接觸，在引線框架(9)進(jìn)行彎曲加工時(shí)承受施加在該基端部上的彎曲力而塑性變形。
文檔編號H01L23/31GK1502129SQ0280814
公開日2004年6月2日 申請日期2002年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月13日
發(fā)明者加藤千博, 松崎健一郎, 一郎 申請人:三洋電機(jī)株式會(huì)社, 三洋電子部品株式會(huì)社