專利名稱：非揮發(fā)性內(nèi)存的結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體內(nèi)存元件的結(jié)構(gòu)以及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種非揮發(fā)性內(nèi)存(Non-Volatile Memory)的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
罩幕式只讀存儲器(Mask ROM)是非揮發(fā)性內(nèi)存中最為基礎(chǔ)的一種，一般常用的罩幕式只讀存儲器利用信道晶體管當作存儲單元，并于程序化(Program)階段選擇性地植入離子到指定的信道區(qū)域，由改變臨限電壓(Threshold Voltage)而達到控制存儲單元導(dǎo)通(On)或關(guān)閉(Off)的目的。其中，罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)為多晶硅字符線(Word Line，WL)跨過位線(Bit Line，BL)之上，存儲單元的信道則形成于字符線的下方位線之間的基底區(qū)域。而且只讀存儲器是以信道中離子植入與否，來儲存二進制數(shù)據(jù)“0”或“1”。
另一種常見的非揮發(fā)性內(nèi)存即所謂的可擦除且可編程只讀存儲器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)。典型的可擦除且可編程只讀存儲器是以摻雜的多晶硅制作浮置柵極(Floating Gate)與控制柵極(Control Gate)。其原理是利用控制柵極與源/漏極上所施加的正或負電壓來控制浮置柵極(Floating gate)中電荷的注入與排出，以達到存儲的功能。然而，當多晶硅浮置柵極層下方的穿隧氧化層有缺陷存在時，就容易造成元件的漏電流，影響元件的可靠度。
因此，為了解決可擦除且可編程只讀存儲器元件漏電流的問題，通常是采用一氮化硅層(電荷陷入層)取代多晶硅浮置柵極。此氮化硅電荷陷入層的上下通常各有一層氧化硅，而形成一種包含氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)復(fù)合層在內(nèi)的堆棧式(Stacked)柵極結(jié)構(gòu)，具有此堆棧式柵極結(jié)構(gòu)的EEPROM通稱為氮化硅只讀存儲器(NROM)。由于氮化硅具有捕捉電子的特性，因此，注入于電荷陷入層中的電子并不會均勻分布于整個電荷陷入層中，而是集中于電荷陷入層的局部區(qū)域上，并在信道方向上呈高斯分布。由于注入電荷陷入層的電子僅集中于局部的區(qū)域，因此，對于穿隧氧化層中缺陷的敏感度較小，元件漏電流的現(xiàn)象較不易發(fā)生。而且氮化硅只讀存儲器在進行程序化時，可由改變控制柵極與其兩側(cè)的源極/漏極區(qū)上所施加的電壓，使得單一的氮化硅層中可以存在兩群電子、單一群電子或是不存在電子。因此，氮化硅只讀存儲器可以在單一的存儲單元中寫入四種狀態(tài)，為一種單一存儲單元二位(2bits/cell)的非揮發(fā)性內(nèi)存。
然而，在目前提高元件集成度的趨勢下，會依據(jù)設(shè)計規(guī)則縮小元件的尺寸，因此對于非揮發(fā)性內(nèi)存而言，內(nèi)存元件的源極/漏極的寬度必須隨之縮小。而源極/漏極的寬度變窄會造成阻值上升，使得存儲單元的電流變小而導(dǎo)致過高的位線負載(Bit Line Loading)。
公知為了解決阻值上升問題的方法為增加源極/漏極的接面深度或以高濃度的摻雜制作淺接面。然而增加源極/漏極的接面深度，則又會衍生短信道效應(yīng)以及擊穿現(xiàn)象而造成漏電流問題。若是為了避免接面過深所衍生的問題，而以高濃度的摻雜制作淺接面，則又會因為摻雜其固態(tài)溶解度的限制，而無法克服位線負載的問題。因此，公知的上述兩種方法并無法克服元件小型化后所面臨的問題。
根據(jù)本發(fā)明的目的而提供一種非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，此方法是先于基底中形成面摻雜區(qū)后，于基底上形成一層罩幕層與一層圖案化的光阻層。接著，以圖案化的光阻層為罩幕，蝕刻罩幕層并于基底中形成復(fù)數(shù)個溝渠，且這些溝渠將面摻雜區(qū)分割，而形成復(fù)數(shù)條埋入式位線。移除圖案化的光阻層后，以罩幕層為罩幕，可進行一修補工藝，以修補溝渠其側(cè)壁與底部在蝕刻工藝所受的損壞。然后，去除罩幕層，于基底上形成一介電材質(zhì)層，并于介電材質(zhì)層上形成復(fù)數(shù)條字符線。
本發(fā)明另外提供一種罩幕式只讀存儲器的制造方法，此方法是先于基底中形成面摻雜區(qū)后，于基底上形成一層罩幕層與一層第一圖案化的光阻層。接著，以第一圖案化的光阻層為罩幕，蝕刻罩幕層并于基底中形成復(fù)數(shù)個溝渠，這些溝渠的底部分別作為復(fù)數(shù)個欲編碼區(qū)域，且這些溝渠將面摻雜區(qū)分割，而形成復(fù)數(shù)條埋入式位線。移除第一圖案化的光阻層后，以罩幕層為罩幕，可進行一修補工藝，以修補溝渠其側(cè)壁與底部在蝕刻工藝所受的損壞。然后，去除罩幕層，于基底上形成一柵介電層，并于介電材質(zhì)層上形成復(fù)數(shù)條字符線。然后，于基底上形成第二圖案化光阻層，此第二圖案化光阻層具有復(fù)數(shù)個開口，這些開口位于部分欲編碼區(qū)域的上方。并以第二圖案化光阻層為罩幕，進行一離子植入工藝，以于開口下方的欲編碼區(qū)域中形成復(fù)數(shù)個編碼的離子植入?yún)^(qū)塊。
本發(fā)明又提供一種氮化硅只讀存儲器的制造方法，此方法是先于基底中形成面摻雜區(qū)后，于基底上形成一層罩幕層與一層圖案化的光阻層。接著，以圖案化的光阻層為罩幕，蝕刻罩幕層并于基底中形成復(fù)數(shù)個溝渠，且這些溝渠將面摻雜區(qū)分割，而形成復(fù)數(shù)條埋入式位線。移除圖案化的光阻層后，以罩幕層為罩幕，可進行一修補工藝，以修補溝渠其側(cè)壁與底部在蝕刻工藝所造成的損壞。然后，去除罩幕層，于基底上形成一電荷陷入層，并于電荷陷入層上形成復(fù)數(shù)條字符線。
本發(fā)明再提供一種非揮發(fā)性內(nèi)存的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)由復(fù)數(shù)條埋入式位線、復(fù)數(shù)條字符線以及一介電材質(zhì)層構(gòu)成。其中，復(fù)數(shù)條埋入式位線，位于一基底中，其中各埋入式位線之間以溝渠加以隔離；復(fù)數(shù)條字符線，覆蓋于基底以及溝渠上，且與埋入式位線以及溝渠相交錯；該介電材質(zhì)層位于溝渠、基底、與字符線之間。
本發(fā)明的特征在于由溝渠隔離埋入式位線，因此，可以制作較深的接面而不會有短信道效應(yīng)以及擊穿現(xiàn)象所造成的漏電流問題。故，本發(fā)明可以解決元件小型化所面臨的位線負載問題。
此處須特別說明的是，由于本發(fā)明在形成溝渠后將光阻圖案去除，然后進行一修補工藝，以使基底的晶格重排，因此，本發(fā)明可以修補其蝕刻工藝所造成的損壞，而不會造成漏電流的問題。
附圖標記說明100、200基底102、202存儲單元區(qū)104、204外圍電路區(qū)106、206犧牲層108、208、122、138、222光阻層110、140、210離子植入工藝112、212面摻雜區(qū)114、214墊氧化物層116、216罩幕層118、218開口120、220場氧化層124、224溝渠126、226埋入式位線128、228襯氧化層130、232柵介電層132、234字符線134、236柵極136、238源極/漏極區(qū)142離子植入?yún)^(qū)230復(fù)合介電層具體實施方式
第一實施例本發(fā)明第一實施例的一種非揮發(fā)性內(nèi)存以及制造方法，是以罩幕式只讀存儲器為例作說明。
首先，請參照

圖1A，提供一基底100，此基底100例如是P型半導(dǎo)體硅基底。此基底100可劃分為存儲單元區(qū)102以及外圍電路區(qū)104。
接著，于基底100上形成一層犧牲層106，此犧牲層106的材質(zhì)例如是氧化硅，其厚度例如是50埃至100埃左右，形成犧牲層106的方法例如是化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)。
然后，于基底100上形成一層圖案化的光阻層108，此圖案化的光阻層108覆蓋外圍電路區(qū)104，并暴露出存儲單元區(qū)102。然后進行一離子植入工藝110，于圖案化光阻層108所暴露的基底100中植入離子，而形成一面摻雜區(qū)112，其中植入的離子例如是N型離子。
接著，請參照圖1B，移除圖案化的光阻層108與犧牲層106(如圖1A所示)后，于基底100上依序形成一層墊氧化物層114與一層罩幕層116。墊氧化物層114的厚度例如是30埃至60埃左右，形成墊氧化物層114的方法例如是熱氧化法(Thermal Oxidation)或化學(xué)氣相沉積法。罩幕層116的材質(zhì)例如是氮化硅，形成罩幕層116的方法例如是化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)。
然后，進行一微影及蝕刻步驟，圖案化罩幕層116與墊氧化物層114以于外圍電路區(qū)104形成多個暴露基底100的開口118。
接著，請參照圖1C，于外圍電路區(qū)104中的開口118所暴露的基底100中形成場氧化層120。
然后于基底100上形成一層圖案化的光阻層122，此圖案化的光阻層122覆蓋外圍電路區(qū)104，并暴露出部分存儲單元區(qū)102。接著以圖案化的光阻層122為蝕刻罩幕，蝕刻罩幕層116、墊氧化物層114以及基底100，以于基底100中形成多個溝渠124(隔離結(jié)構(gòu))。其中，溝渠124的底部低于面摻雜區(qū)112的底部，而使得面摻雜區(qū)112被溝渠124分割而形成多個埋入式位線126。且溝渠124的底部分別作為復(fù)數(shù)個欲編碼區(qū)域，接著，請參照圖1D，移除圖案化的光阻層122后，以罩幕層116為罩幕，進行一熱氧化工藝，于暴露的溝渠124表面形成一層襯氧化層128，以修補蝕刻工藝所造成的損壞。
接著，請參照圖1E，依序移除襯氧化層128、罩幕層116與墊氧化物層114后，于基底100上形成一層?xùn)沤殡妼?30，此柵介電層130的材質(zhì)例如是氧化硅，形成柵介電層130的方法例如是熱氧化法。
接著，于基底100上形成一層導(dǎo)體層(未圖標)，此導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅，形成導(dǎo)體層的方法例如是以臨場(In-Situ)摻雜離子的方式，利用化學(xué)氣相沉積法于基底100上形成一層摻雜多晶硅層。然后，利用微影蝕刻工藝，圖案化此導(dǎo)體層以于存儲單元區(qū)102形成字符線132以及于外圍電路區(qū)104形成復(fù)數(shù)個柵極134。然后，于外圍電路區(qū)104的柵極134兩側(cè)的基底100中形成源極/漏極區(qū)136。
接著，請參照圖1F，在進行編碼布植工藝時，先利用光罩形成一圖案化的光阻層138，以暴露出欲編碼區(qū)域。接著，進行離子植入工藝140，以圖案化的光阻層138為罩幕，將離子植入溝渠124下方的欲編碼區(qū)域中，以形成編碼的離子植入?yún)^(qū)142，以進行程序化，將所欲形成的程序代碼編入只讀存儲器中。完成罩幕式只讀存儲器的工藝為熟悉此技術(shù)者所周知，在此不再贅述。
在上述實施例中，由于由溝渠124隔離罩幕式只讀存儲器的埋入式位線126，因此，可以制作較深的接面，而不會有短信道效應(yīng)以及擊穿現(xiàn)象所造成的漏電流問題。故，本發(fā)明可以解決元件小型化所面臨的位線負載問題。
另須特別說明的是，本發(fā)明于形成溝渠124后將圖案化光阻層122去除，并以罩幕層116作為熱氧化的罩幕，于暴露的溝渠124表面形成襯氧化層128，由熱氧化的步驟使得基底100中的晶格重組，故得以修補其蝕刻工藝所造成的損壞，而不會造成漏電流的問題。
此外，本發(fā)明將欲編碼區(qū)域設(shè)于溝渠124底部，并在選定的欲編碼區(qū)域中植入摻質(zhì)以加載數(shù)據(jù)，并以編碼區(qū)域是否能在讀取時開啟信道來進行數(shù)據(jù)判讀。第二實施例本發(fā)明第二實施例的一種非揮發(fā)性內(nèi)存以及制造方法，是以氮化硅只讀存儲器為例作說明。
首先，請參照圖2A，提供一基底200，此基底200例如是P型半導(dǎo)體硅基底。此基底200可劃分為存儲單元區(qū)202以及外圍電路區(qū)204。
接著，于基底200上形成一層犧牲層206，此犧牲層206的材質(zhì)例如是氧化硅，其厚度例如是50埃至100埃左右，形成犧牲層206的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
然后，于基底200上形成一層圖案化的光阻層208，此圖案化的光阻層208覆蓋外圍電路區(qū)204，并暴露出存儲單元區(qū)202。然后進行一離子植入工藝210，于圖案化光阻層208所暴露的基底200中植入離子，而形成一面摻雜區(qū)212，其中植入的離子例如是N型離子。
接著，請參照圖2B，移除圖案化的光阻層208與犧牲層206(如圖2A所示)后，于基底200上依序形成一層墊氧化物層214與一層罩幕層216。墊氧化物層214的厚度例如是30埃至60埃左右，形成墊氧化物層214的方法例如是熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法。罩幕層216的材質(zhì)例如是氮化硅，形成罩幕層216的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
然后，進行一微影及蝕刻步驟，圖案化罩幕層216與墊氧化物層214以于外圍電路區(qū)204形成多個暴露基底200的開口218。
接著，請參照圖2C，于外圍電路區(qū)204中的開口218所暴露的基底200中形成場氧化層220。
然后于基底200上形成另一層圖案化的光阻層222，此圖案化的光阻層222覆蓋外圍電路區(qū)204，并暴露出部分存儲單元區(qū)202。接著以圖案化的光阻層222為蝕刻罩幕，蝕刻罩幕層216、墊氧化物層214以及基底200，以于基底200中形成多個溝渠224(隔離結(jié)構(gòu))。其中，溝渠224的底部低于面摻雜區(qū)212的底部，而使得面摻雜區(qū)212被溝渠224分割而形成多個埋入式位線226。
接著，請參照圖2D，移除圖案化光阻層222后，以罩幕層216為罩幕，進行一熱氧化工藝，于暴露的溝渠224表面形成一層襯氧化層228，以修補蝕刻工藝所造成的損壞。
接著，請參照圖2E，依序移除襯氧化層228、罩幕層216與墊氧化物層214后，于存儲單元區(qū)202形成一層復(fù)合介電層230(電荷陷入層)以及于外圍電路區(qū)204形成一層介電層232。復(fù)合介電層230例如是一氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層，形成復(fù)合介電層230的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。介電層232的材質(zhì)例如是氧化硅，形成介電層232的方法例如是熱氧化法。其中，于存儲單元區(qū)202形成一層復(fù)合介電層230以及于外圍電路區(qū)204形成一介電層232的步驟例如是先形成一層罩幕層(未圖標)覆蓋住存儲單元區(qū)202并裸露外圍電路區(qū)204，接著于外圍電路區(qū)204的基底200上形成介電層232后，移除覆蓋住存儲單元區(qū)202的罩幕層。然后，再形成另一層罩幕層(未圖標)覆蓋住外圍電路區(qū)204并裸露存儲單元區(qū)202，接著于存儲單元區(qū)202的基底200上形成一層復(fù)合介電層230，再移除覆蓋住外圍電路區(qū)204的罩幕層。
接著，請參照圖2F，于基底200上形成一層導(dǎo)體層(未圖標)，此導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅，形成導(dǎo)體層的方法例如是以臨場摻雜離子的方式，利用化學(xué)氣相沉積法于基底200上形成一層摻雜多晶硅層。然后，利用微影蝕刻工藝，圖案化此導(dǎo)體層以于存儲單元區(qū)202形成字符線234以及于外圍電路區(qū)204形成多個柵極236。然后，于外圍電路區(qū)204的柵極236兩側(cè)的基底200中形成源極/漏極區(qū)238。完成氮化硅只讀存儲器的工藝為熟悉此技術(shù)者所周知，在此不再贅述。
上述說明本發(fā)明的氮化硅只讀存儲器的制造方法，接著說明本發(fā)明提出的氮化硅只讀存儲器的結(jié)構(gòu)。
請參照圖2F，本發(fā)明的氮化硅只讀存儲器是由基底200、復(fù)數(shù)條埋入式位線226、復(fù)數(shù)條字符線234以及一復(fù)合介電層230(電荷陷入層)構(gòu)成。其中，復(fù)數(shù)條埋入式位線226位于基底200中，且各埋入式位線226之間是以溝渠224加以隔離；復(fù)數(shù)條字符線234覆蓋于基底200以及溝渠224上，且與埋入式位線226以及溝渠224相交錯；復(fù)合介電層230(電荷陷入層)位于基底200與字符線234之間。
在上述實施例中，由于由溝渠224隔離氮化硅只讀存儲器的埋入式位線226，因此，可以制作較深的接面，而不會有短信道效應(yīng)以及擊穿現(xiàn)象所造成的漏電流問題。故，本發(fā)明可以解決元件小型化所面臨的位線負載問題。
另須特別說明的是，由于本發(fā)明在形成溝渠224后將圖案化光阻層222去除，并以罩幕層216作為熱氧化的罩幕，于暴露的溝渠224表面形成襯氧化層228，由熱氧化的步驟使得基底中的晶格重組，故得以修補其蝕刻工藝所造成的損壞，而不會造成漏電流的問題。
雖然本發(fā)明已以二實施例說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當以權(quán)利要求書為準。
權(quán)利要求
1.一種非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，其特征為該方法包括于一基底中形成一面摻雜區(qū)；于該基底上形成一罩幕層與一圖案化光阻層；以該圖案化光阻層為罩幕，進行一蝕刻工藝，以蝕刻該罩幕層并于該基底中形成復(fù)數(shù)個溝渠，該些溝渠將該面摻雜區(qū)分割，而形成復(fù)數(shù)條埋入式位線；移除該光阻圖案；移除該罩幕層；于該基底上形成一介電材質(zhì)層；以及于該介電材質(zhì)層上形成復(fù)數(shù)條字符線。
2.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，其特征為其中于移除該光阻圖案的步驟后與移除該罩幕層的步驟前還包括以該罩幕層為罩幕，進行一修補工藝，以修補該些溝渠其側(cè)壁與底部在該蝕刻工藝所受的損壞。
3.如權(quán)利要求2所述的非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，其特征為其中該修補工藝包括以該罩幕層為罩幕，進行一熱氧化工藝，以在該些溝渠的側(cè)壁與表面形成一襯氧化層；以及移除該襯氧化層。
4.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，其特征為其中該介電材質(zhì)層包括一氧化硅層。
5.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，其特征為其中該介電材質(zhì)層包括一氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層。
6.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，其特征為其中該罩幕層包括氮化硅層。
7.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，其特征為其中形成該罩幕層于該基底前還包括形成一墊氧化硅層。
8.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，其特征為其中形成該面摻雜區(qū)的方法包括離子植入法。
9.一種罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為該方法包括于一基底中形成一面摻雜區(qū)；于該基底上形成一罩幕層與一第一圖案化光阻層；以該第一圖案化光阻層為罩幕，進行一蝕刻工藝，以蝕刻該罩幕層并于該基底中形成復(fù)數(shù)個溝渠，該些溝渠的底部分別作為復(fù)數(shù)個欲編碼區(qū)域，且該些溝渠將該面摻雜區(qū)分割，而形成復(fù)數(shù)條埋入式位線；移除該第一圖案化光阻層；移除該罩幕層；于該基底上形成一柵介電層；于該柵介電層上形成復(fù)數(shù)條字符線；于該基底上形成第二圖案化光阻層，該第二圖案化光阻層具有復(fù)數(shù)個開口，該些開口位于部分該些欲編碼區(qū)域的上方；以及以該第二圖案化光阻層為罩幕，進行一離子植入工藝，以于該些開口下方的該些欲編碼區(qū)域中形成復(fù)數(shù)個編碼的離子植入?yún)^(qū)。
10.如權(quán)利要求9所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中于移除該第一圖案化光阻層的步驟后與移除該罩幕層的步驟前還包括以該罩幕層為罩幕，進行一修補工藝，以修補該些溝渠其側(cè)壁與底部在該蝕刻工藝所受的損壞。
11.如權(quán)利要求10所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中該修補工藝包括以該罩幕層為罩幕，進行一熱氧化工藝，以在該些溝渠的側(cè)壁與表面形成一襯氧化層；以及移除該襯氧化層。
12.如權(quán)利要求9所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中該柵介電層包括氧化硅層。
13.如權(quán)利要求9所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中該罩幕層包括氮化硅層。
14.如權(quán)利要求9所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中形成該罩幕層于該基底前還包括形成一墊氧化硅層。
15.如權(quán)利要求9所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中形成該面摻雜區(qū)的方法包括離子植入法。
16.一種氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為該方法包括于一基底形成一面摻雜區(qū)；于該基底上形成一罩幕層與一圖案化光阻層；以該圖案化光阻層為罩幕，進行一蝕刻工藝，以蝕刻該罩幕層并于該基底中形成復(fù)數(shù)個溝渠，該些溝渠將該面摻雜區(qū)分割，而形成復(fù)數(shù)條埋入式位線；移除該光阻圖案；移除該罩幕層；于該基底上形成一電荷陷入層；以及于該電荷陷入層上形成復(fù)數(shù)條字符線。
17.如權(quán)利要求16所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為其中于移除該光阻圖案的步驟后與移除該罩幕層的步驟前還包括以該罩幕層為罩幕，進行一修補工藝，以修補該些溝渠其側(cè)壁與底部在該蝕刻工藝所受的損壞。
18.如權(quán)利要求17所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為其中該修補工藝包括以該罩幕層為罩幕，進行一熱氧化工藝，以在該些溝渠的側(cè)壁與表面形成一襯氧化層；以及去除該襯氧化層。
19.如權(quán)利要求16所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為其中該捕捉層包括一氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層。
20.如權(quán)利要求16所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為其中形成該面摻雜區(qū)的方法包括離子植入法。
21.一種非揮發(fā)性內(nèi)存，其特征為該非揮發(fā)性內(nèi)存包括一基底；復(fù)數(shù)條埋入式位線，位于該基底中，其中相鄰二埋入式位線之間是以一隔離結(jié)構(gòu)加以隔離；復(fù)數(shù)條字符線，覆蓋于該基底以及該些隔離結(jié)構(gòu)上，且與該些埋入式位線以及該些隔離結(jié)構(gòu)相交錯；以及一介電材質(zhì)層，位于該基底與該些字符線之間。
22.如權(quán)利要求21所述的非揮發(fā)性內(nèi)存，其特征為其中該介電材質(zhì)層包括一氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層。
23.如權(quán)利要求21所述的非揮發(fā)性內(nèi)存，其特征為其中該隔離結(jié)構(gòu)包括一溝渠。
24.如權(quán)利要求21所述的非揮發(fā)性內(nèi)存，其特征為其中該介電材質(zhì)層包括一氧化硅層。
25.如權(quán)利要求21所述的非揮發(fā)性內(nèi)存，其特征為其中該字符線包括多晶硅。
26.如權(quán)利要求21所述的非揮發(fā)性內(nèi)存，其特征為其中該字符線包括摻雜多晶硅。
全文摘要
一種非揮發(fā)性內(nèi)存的制造方法，此方法是先于基底中形成面摻雜區(qū)后，于基底上形成一層罩幕層與一層圖案化的光阻層。接著，以圖案化的光阻層為罩幕，蝕刻罩幕層并于基底中形成復(fù)數(shù)個溝渠，且這些溝渠將面摻雜區(qū)分割，而形成復(fù)數(shù)條埋入式位線。移除圖案化的光阻層后，以罩幕層為罩幕，進行一修補工藝，以修補溝渠其側(cè)壁與底部在蝕刻工藝所受的損壞。然后，去除罩幕層，在基底上形成一介電材質(zhì)層，并在介電材質(zhì)層上形成復(fù)數(shù)條字符線。
文檔編號H01L21/70GK1435874SQ02103140
公開日2003年8月13日 申請日期2002年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月31日
發(fā)明者賴漢昭, 林宏德, 盧道政 申請人:旺宏電子股份有限公司