專利名稱：用于同時(shí)形成硅上金屬電容器的最佳透過(guò)注入的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅上金屬(metal-on-silicon)(MOS)結(jié)構(gòu)，具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及其中包含低電阻擴(kuò)散區(qū)的MOS結(jié)構(gòu)，所說(shuō)的低電阻擴(kuò)散區(qū)具有可以接受的缺陷密度、可靠性、和過(guò)程控制性。
雙極性晶體管在集電極區(qū)使用較高的摻雜層，以減小集電極電阻和改善器件特性。這個(gè)區(qū)稱之為亞集電極，它形成在構(gòu)成雙極性晶體管的其它的擴(kuò)散區(qū)的下面。然而，在連接這個(gè)亞集電極和具有相當(dāng)?shù)偷碾娮钄U(kuò)散的表面的集電極觸點(diǎn)下面，必須形成較高的摻雜透過(guò)擴(kuò)散。這是眾所周知的、標(biāo)準(zhǔn)的、雙極性晶體管設(shè)計(jì)。
還有一個(gè)期望是在同一個(gè)模具上可以得到一種用于回路設(shè)計(jì)的電容器元件，以便在盡可能多的作為制造電容器的正常工藝流程的一部分的處理步驟中重復(fù)使用。重復(fù)使用處理步驟來(lái)制造MOS電容器的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是成本較低。用來(lái)制造MOS電容器的過(guò)程必須要提供期望的可靠性、應(yīng)用所需的缺陷密度、和對(duì)于不同的方法產(chǎn)生一致的電特性的足夠大的可控性。
在現(xiàn)有技術(shù)中，使用兩種不同的方法來(lái)制備擴(kuò)散區(qū)。在

圖1和2中表示出這些現(xiàn)有技術(shù)方法。在這些圖中，標(biāo)號(hào)10代表硅基片，標(biāo)號(hào)12代表淺溝隔離區(qū)，標(biāo)號(hào)14代表在離子注入前在基片10的表面上形成的氧化物，標(biāo)號(hào)16代表預(yù)非晶體化區(qū)，標(biāo)號(hào)18代表擴(kuò)散區(qū)。
具體來(lái)說(shuō)，在圖1a-b中表示擴(kuò)散過(guò)程，這個(gè)擴(kuò)散過(guò)程從低劑量的極淺的銻(Sb)的注入開始(Sb的濃度為1-2×1014原子/cm2，離子注入能量為45keV)，接下來(lái)是低能、高劑量的磷(P)的注入(P的濃度為4-6×1015原子/cm2，離子注入能量為20keV)。在這種現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)中，銻使硅基片從上表面到硅表面下最大約30nm的深度預(yù)非晶體化。在注入擴(kuò)展進(jìn)硅晶片后，使晶片退火，并使該表面重新結(jié)晶。預(yù)非晶化步驟消除了退火后硅中的缺陷。因?yàn)樽⑷胧菧\的，所以可以肯定，后來(lái)在這個(gè)擴(kuò)展區(qū)上生長(zhǎng)的MOS電容器氧化物必然是不可靠的。進(jìn)而，由于表面摻雜濃度的大的變化，所以這種現(xiàn)有技術(shù)必然導(dǎo)致在這個(gè)擴(kuò)展區(qū)上生長(zhǎng)的氧化物的氧化厚度的巨大變化。此外，在顯示硅氧化的各種工藝運(yùn)行當(dāng)中產(chǎn)生氧化物厚度有很寬變化的現(xiàn)有技術(shù)對(duì)小的通常的過(guò)程變化極其敏感。
圖2表示在現(xiàn)有技術(shù)中可以用來(lái)制造擴(kuò)散區(qū)的第二種注入方法。這個(gè)現(xiàn)有技術(shù)方法類似于以上如圖1a-b所示的方法，只是取消了低能、低劑量的Sb注入，即，不使用預(yù)非晶體化步驟。代之以使用高能、高劑量磷注入。這種現(xiàn)有技術(shù)方法解決了不可靠的氧化物和易變的氧化物問(wèn)題，但利用這種技術(shù)在退火后在硅中存在位錯(cuò)和堆剁差錯(cuò)。
鑒于現(xiàn)有技術(shù)制造擴(kuò)散區(qū)的方法存在上述缺點(diǎn)，一直在需要開發(fā)新的改進(jìn)方法，以便能夠形成具有可以接受的缺陷密度、可靠性、和過(guò)程控制性的擴(kuò)散區(qū)，這個(gè)擴(kuò)散區(qū)還具有低的電阻。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種制造具有低電阻(薄膜電阻率ρ小于約50.0歐姆/sq.)的擴(kuò)散區(qū)的方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種制造具有可接受的缺陷密度、可靠性、和過(guò)程控制性的擴(kuò)散區(qū)的方法。
本發(fā)明的下一個(gè)目的是提供一種制造能夠用在MOS電容器中的擴(kuò)散區(qū)的方法。
通過(guò)使用本發(fā)明的方法，可以實(shí)現(xiàn)這些目的和其它目的以及優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于高劑量摻雜的(如磷)的注入步驟進(jìn)行選擇，以便可以保持注入的最大值Rp在由先前進(jìn)行的預(yù)先的非晶體化步驟產(chǎn)生的非晶體區(qū)內(nèi)。具體來(lái)說(shuō)，使用本發(fā)明的方法在硅基片中形成低電阻擴(kuò)散區(qū)過(guò)程中，所說(shuō)方法包括如下步驟(a)使硅基片經(jīng)受第一次離子注入步驟，進(jìn)行第一次離子注入步驟的條件應(yīng)該使所說(shuō)的硅基片內(nèi)形成非晶化硅區(qū)；(b)使包含所說(shuō)的非晶化硅區(qū)的硅基片經(jīng)受第二次離子注入步驟，進(jìn)行的第二次離子注入步驟是通過(guò)在所說(shuō)的硅基片內(nèi)注入摻雜劑離子從而使所說(shuō)的摻雜劑離子的注入峰值在非晶化硅區(qū)域內(nèi)；和(c)退火所說(shuō)的硅基片，以使所說(shuō)的非晶化硅區(qū)重新晶體化，從而在所說(shuō)的硅基片內(nèi)形成擴(kuò)散區(qū)。
應(yīng)該說(shuō)明的是，本發(fā)明方法提供的擴(kuò)散區(qū)滿足下述3個(gè)標(biāo)準(zhǔn)(1)低電阻；(2)在注入的硅的退火期間形成的硅缺陷低；(3)具有均勻厚度的可靠的氧化物區(qū)，交叉晶片均勻度約為±5％。雖然現(xiàn)有技術(shù)方法可能滿足一個(gè)或者甚至于兩個(gè)性質(zhì)，但它們不能滿足所有的性質(zhì)。
本發(fā)明的另一方面涉及形成其中包括本發(fā)明的擴(kuò)散區(qū)的MOS電容器。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的這一方面包括先進(jìn)行上述的步驟(a)-(c)，然后再進(jìn)行如下的步驟(d)在所說(shuō)的硅基片上形成電介質(zhì)層；(e)在所說(shuō)的電介質(zhì)層上形成摻雜的多晶硅層；(f)退火所說(shuō)的摻雜的多晶硅層使其活化。
本發(fā)明除了提供制造方法外，還涉及到通過(guò)這些方法獲得的結(jié)構(gòu)。按照本發(fā)明的這一方面，所提供的MOS結(jié)構(gòu)包括其中形成有擴(kuò)散區(qū)的硅基片，所說(shuō)的擴(kuò)散區(qū)的電阻為50歐姆/sq.或更小，并且形成在距所說(shuō)的硅基片的表面約500埃或更大的深度處。
當(dāng)將MOS結(jié)構(gòu)用作MOS電容器時(shí)，這種MOS結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所說(shuō)的硅基片上形成的電介質(zhì)層；和，在所說(shuō)的電介質(zhì)層上的活化的摻雜的多晶硅層。
圖1a-b是剖面圖，表示在硅基片內(nèi)制造擴(kuò)散區(qū)的現(xiàn)有技術(shù)方法；(a)Sb注入；和，(b)磷注入。
圖2是剖面圖，表示在硅基片內(nèi)制造擴(kuò)散區(qū)的現(xiàn)有技術(shù)方法，其中只使用磷注入。
圖3a-c是剖面圖，表示在形成本發(fā)明的擴(kuò)散區(qū)過(guò)程中使用的方法(a)Sb注入；(b)磷注入，其中磷注入的峰值在預(yù)非晶化區(qū)內(nèi)；(c)在退火之后。
圖4a-b是剖面圖，表示在形成本發(fā)明的MOS電容器中使用的處理步驟(a)在硅基片上形成電介質(zhì)層；(b)形成電容器的終端。
圖5是注入特性曲線的曲線圖，其中包括使用現(xiàn)有技術(shù)方法形成的擴(kuò)散區(qū)和由本發(fā)明產(chǎn)生的擴(kuò)散區(qū)。
現(xiàn)在通過(guò)參照本發(fā)明的附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明，本發(fā)明提供其中形成有擴(kuò)散區(qū)的MOS結(jié)構(gòu)。應(yīng)該說(shuō)明的是，用類似的標(biāo)號(hào)描述類似的和/或?qū)?yīng)的部件。
首先參照附圖3a-c，它們表示在制造低電阻擴(kuò)散區(qū)過(guò)程中本發(fā)明使用的基本處理步驟。具體來(lái)說(shuō)，圖3a表示本發(fā)明的方法的第一注入步驟，即，預(yù)非晶化步驟，其中在硅基片10的表面內(nèi)形成非晶化硅區(qū)16。如圖所示，硅基片10包括淺溝隔離區(qū)12和在硅基片10的表面上形成的氧化物層14，但氧化物層14不覆蓋淺溝隔離(STI)區(qū)。在各個(gè)注入步驟期間使用氧化物層(如SiO2)作為掩模，并且在重新晶體化退火步驟之前或之后使用在本領(lǐng)域中眾所周知的常規(guī)的剝離技術(shù)從這個(gè)結(jié)構(gòu)的表面上除去這個(gè)氧化物層。
硅基片10包括在半導(dǎo)體制造中可以使用的任何基片?；?0可以是硅晶片、硅芯片、絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)、或其它類似結(jié)構(gòu)，它可包含位于其中的各種隔離區(qū)和有源器件區(qū)。在附圖中只表示出淺溝隔離區(qū)，但本發(fā)明還包括其中包含常規(guī)的隔離區(qū)/有源區(qū)的其它硅基片。
使用在本領(lǐng)域中眾所周知的常規(guī)方法制造圖3a所示的結(jié)構(gòu)。例如，STI區(qū)12是使用平版印刷術(shù)和干蝕刻方法制造的，從而可以在硅基片10的表面內(nèi)提供淺溝隔離區(qū)。淺溝隔離區(qū)填充有一種電介質(zhì)材料，例如，原硅酸四乙酯(TEOS)，并且使之稠化。在用TEOS填充淺溝之前還可形成襯里材料。除去在平版印刷步驟中使用的抗蝕劑，然后，使用常規(guī)的平面化方法，例如，活性離子蝕刻(RIE)、化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)、或研磨，可以使這個(gè)結(jié)構(gòu)平面化。
通過(guò)使用能夠在基片10的表面上生長(zhǎng)薄的氧化物層的熱氧化方法，在基片10的表面上形成氧化物層14。按照本發(fā)明，在隨后的注入過(guò)程中，使用這種氧化物作為注入的掩模。另外，形成網(wǎng)板氧化物層的方法是利用適當(dāng)?shù)目刮g劑在這個(gè)結(jié)構(gòu)上制圖，然后，使用常規(guī)的淀積技術(shù)，例如化學(xué)蒸汽淀積(CVD)、等離子體增強(qiáng)CVD、濺射、或其它類似的淀積方法，在基片10的外露表面上淀積包含氧化物的材料，如SiO2。
盡管在形成氧化物層中使用不同的技術(shù)，但氧化物層14的最終厚度從約20埃到約200埃。更加優(yōu)選地，氧化物層14的最終厚度從約60埃到約100埃。
如圖3a所示，使這個(gè)結(jié)構(gòu)經(jīng)受第一次離子注入步驟，其中，使用重原子(如Ge、Sb、In、AS、或其它摻雜物)在硅基片中產(chǎn)生預(yù)非晶化區(qū)。具體來(lái)說(shuō)，第一次離子注入步驟用來(lái)在基片表面的下面的一個(gè)區(qū)內(nèi)破壞硅基片的晶體結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生一個(gè)深的、非晶形注入的、包含非晶化硅的區(qū)。第一次離子注入步驟使用的離子劑量從約1×1014到約5×1014原子/cm2，第一次離子注入步驟的能量大于50keV，最好約100到約500keV。使用這些條件，在硅基片的表面，產(chǎn)生了一個(gè)預(yù)非晶化區(qū)，其深度從約80到約150nm。應(yīng)該說(shuō)明的是，重原子注入的深度必須足夠保持這個(gè)非晶化硅區(qū)的上表面離開這個(gè)氧化物層。
在第一次離子注入步驟中使用的優(yōu)選重原子是Sb，優(yōu)選的條件是Sb離子劑量為1-5×1014原子/cm2，注入能量為200keV或更大。使用這些條件，Sb注入的深度距硅基片表面約90nm。
接下來(lái)，如圖3b所示，在圖3a所示的結(jié)構(gòu)上進(jìn)行第二次離子注入步驟。具體來(lái)說(shuō)，第二次離子注入步驟注入高劑量的雜質(zhì)原子，如P、As、或其它摻雜物，其中，對(duì)于注入的摻雜物的能量進(jìn)行選擇，以保持最大的注入(也稱之為注入范圍Rp)發(fā)生在由第一次離子注入步驟產(chǎn)生的非晶化區(qū)內(nèi)。在本發(fā)明的這個(gè)步驟中使用的摻雜物原子不同于在產(chǎn)生非晶化區(qū)中使用的重原子。第二次離子注入步驟使用的摻雜物劑量從約1×1015到約8×1015原子/cm2，第二次離子注入步驟的能量從約50到約150keV。再一次地強(qiáng)調(diào)指出，在第二次離子注入步驟中使用的條件必須足以在由第一次離子注入步驟產(chǎn)生的非晶化區(qū)內(nèi)注入摻雜物原子，即第二次離子注入步驟注入的深度距硅基片的表面從約80到約150nm。在圖3b中，標(biāo)號(hào)16’代表這個(gè)新的區(qū)，其中摻雜物原子已注入這個(gè)預(yù)非晶化區(qū)內(nèi)，通過(guò)在由第一次離子注入步驟產(chǎn)生的非晶化區(qū)中注入摻雜物離子，避免了不期望的缺陷的形成。
在本發(fā)明的第二次離子注入步驟中使用的優(yōu)選摻雜物是P，優(yōu)選的條件是P離子劑量為4×1015原子/cm2，注入能量為70keV。應(yīng)該說(shuō)明的是，本發(fā)明的方法可以利用任何公知的離子注入設(shè)備進(jìn)行第一和第二次離子注入步驟。
在把摻雜物離子注入非晶化區(qū)后，使這個(gè)結(jié)構(gòu)經(jīng)受退火，退火的條件應(yīng)該足以重新晶體化所說(shuō)的非晶化硅，從而形成擴(kuò)散區(qū)18。在圖3c中表示出退火后的結(jié)構(gòu)?？梢允褂脿t子退火，或使用快速熱退火(RTA)實(shí)現(xiàn)退火。這兩種退火技術(shù)對(duì)于本領(lǐng)域的普遍技術(shù)人員來(lái)說(shuō)都是眾所周知的。一般來(lái)說(shuō)，這個(gè)退火步驟是在可與小于約3％的氧氣混合的惰性氣體(如He、Ar、N2)氣氛中完成的。還有一種可能是，使用氧化的環(huán)境代替惰性氣體氣氛。
退火的精確溫度和時(shí)間根據(jù)所用的退火技術(shù)以及硅基片中的摻雜物的類型有所改變。準(zhǔn)確的退火溫度和時(shí)間對(duì)于本發(fā)明來(lái)說(shuō)并非至關(guān)重要，只要能夠重新晶體化所說(shuō)的非晶化硅并活化所說(shuō)的摻雜物就成。
下面，如圖4a，所示，在硅基片的部分表面上形成電介質(zhì)層20，電介質(zhì)層20覆蓋硅基片的某些部分，但不是所有STI區(qū)。電介質(zhì)層或者可以利用在本領(lǐng)域中眾所周知的常規(guī)的熱氧化條件熱生長(zhǎng)，或者可以利用常規(guī)的技術(shù)淀積而成，例如利用CVD、等離子體增強(qiáng)CVD、濺射、旋涂、或其它類似的淀積技術(shù)。在本發(fā)明中可以使用的適宜電介質(zhì)材料是典型的絕緣材料，包括(但不限于)氧化物、氮化物、金剛石、類金剛石碳、paralyene聚合物、硅聚合物、以及其它類似材料。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，電介質(zhì)層是熱生長(zhǎng)的氧化物層。電介質(zhì)層20的厚度一般從約30到約200埃。更加優(yōu)選地，電介質(zhì)層20的厚度從約50到約100埃。
然后在圖4a所示的整個(gè)結(jié)構(gòu)上形成一層摻雜的或未摻雜的多晶硅層22，并且對(duì)于該多晶硅層和電介質(zhì)層進(jìn)行制圖，以形成圖4b所示的結(jié)構(gòu)。多晶硅層是使用本領(lǐng)域的普遍技術(shù)人員眾所周知的常規(guī)淀積技術(shù)形成的。例如，可以使用化學(xué)蒸汽淀積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)蒸汽淀積、或?yàn)R射在電介質(zhì)層20的表面上形成多晶硅層。淀積多晶硅層的一個(gè)特別優(yōu)選的方法是硅烷在低溫(如在600°和750℃之間)下的熱解。多晶硅層的厚度(這個(gè)量對(duì)于本發(fā)明來(lái)說(shuō)并非至關(guān)重要)一般來(lái)說(shuō)從約500到約3000埃。制圖過(guò)程是使用常規(guī)的平版印刷術(shù)和活化離子蝕刻完成的。
如以上所述，多晶硅的摻雜可以在淀積過(guò)程期間完成，或者在已經(jīng)形成多晶硅層后完成。當(dāng)摻雜是在淀積過(guò)程期間完成時(shí)，淀積氣體包括n型或p型摻雜物，即乙硼烷。當(dāng)摻雜是在形成多晶硅層后完成時(shí)，通過(guò)常規(guī)的離子注入方法引入摻雜原子。由于使用了這些技術(shù)，使摻雜的多晶硅層包含的摻雜物濃度從約1×1014到約×1021原子/cm2。形成摻雜的多晶硅層后的常規(guī)的退火足以使摻雜原子在整個(gè)多晶硅層上均勻分布，將摻雜原子在硅顆粒中的濃度提高到溶解度極限或接近溶解度極限，并且重新晶體化硅薄膜，因而在多晶硅層中形成顆粒邊界。這個(gè)退火步驟是使用常規(guī)的爐子退火或快速熱退火實(shí)現(xiàn)的。再一次地，準(zhǔn)確的退火溫度和時(shí)間可以根據(jù)加入多晶硅中的摻雜原子的類型以及所選的退火方法的類型進(jìn)行改變。
現(xiàn)在關(guān)注圖5，圖5是摻雜離子濃度(y軸)相對(duì)于注入深度(x軸)的曲線圖。這個(gè)曲線圖對(duì)于使用現(xiàn)有技術(shù)的方法(CE1和CE2)的擴(kuò)散摻雜特性曲線和使用本發(fā)明方法的擴(kuò)散摻雜特性曲線進(jìn)行了比較。應(yīng)該注意的是，CE1代表在現(xiàn)有技術(shù)的圖1a-b中表示的方法，CE2代表在現(xiàn)有技術(shù)的圖2中表示的方法。
雖然參照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例具體描述和表示了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的普遍技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不偏離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍的條件下還可以進(jìn)行形式上的和細(xì)節(jié)上的上述的和其他的變化。因此期望，本發(fā)明不限于上述的精確形式，本發(fā)明將落在所附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種在硅基片中形成擴(kuò)散區(qū)的方法，所說(shuō)方法包括如下步驟(a)使硅基片經(jīng)受第一次離子注入步驟，進(jìn)行第一次離子注入步驟的條件應(yīng)該使所說(shuō)的硅基片內(nèi)形成非晶化硅區(qū)；(b)使包含所說(shuō)的非晶化硅區(qū)的硅基片經(jīng)受第二次離子注入步驟，進(jìn)行的第二次離子注入步驟是通過(guò)在所說(shuō)的硅基片內(nèi)注入摻雜劑離子從而使所說(shuō)的摻雜劑離子的注入峰值在非晶化硅區(qū)域內(nèi)；和(c)退火所說(shuō)的硅基片，以使所說(shuō)的非晶化硅區(qū)重新晶體化，從而在所說(shuō)的硅基片內(nèi)形成擴(kuò)散區(qū)。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)硅基片進(jìn)一步包括嵌入其中的淺溝隔離區(qū)以及在所說(shuō)硅基片上形成的氧化物層，所說(shuō)的氧化物層不覆蓋全部淺溝隔離區(qū)。
3.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的第一次離子注入步驟利用了選自下列的重原子Ge、Sb、In、As、和能夠提供所說(shuō)的非晶化硅區(qū)的其它摻雜物。
4.權(quán)利要求3的方法，其特征在于所說(shuō)的重原子是Sb。
5.權(quán)利要求1的方法，其特征在于第一次離子注入步驟使用的離子劑量從約1×1014到約5×1014原子/cm2，能量為50keV或更大。
6.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的非晶化硅區(qū)形成在距硅基片的表面下從約80到約150nm的深度處。
7.權(quán)利要求1的方法，其特征在于在第一次離子注入步驟中使用Sb，使用的離子劑量約1-5×1014原子/cm2，實(shí)現(xiàn)Sb注入的能量為200keV或更大。
8.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的第二次離子注入步驟利用了選自下列的摻雜原子P、As、和其它摻雜物。
9.權(quán)利要求8的方法，其特征在于所說(shuō)的摻雜原子是P。
10.權(quán)利要求1的方法，其特征在于第二次離子注入步驟使用的摻雜物劑量從約1×1015到約8×1015原子/cm2，能量從約50keV到約150keV。
11.權(quán)利要求1的方法，其特征在于在第二次離子注入步驟中使用P，其劑量為4×1015原子/cm2，所說(shuō)的第二次離子注入步驟是在能量為70keV的情況下實(shí)現(xiàn)的。
12.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的退火步驟包括爐子退火或快速熱退火。
13.權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說(shuō)的退火步驟是在可與小于3％的氧氣進(jìn)行任選混合的惰性氣體氣氛中完成的。
14.權(quán)利要求2的方法，其特征在于；在所說(shuō)的退火步驟之前或之后除去所說(shuō)的氧化物層。
15.權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括(d)在所說(shuō)的硅基片上形成電介質(zhì)層；(e)在所說(shuō)的電介質(zhì)層上形成摻雜的多晶硅層；(f)退火所說(shuō)的摻雜的多晶硅層以使其活化。
16.一種MOS結(jié)構(gòu)，包括在其中形成有擴(kuò)散區(qū)的硅基片，所說(shuō)的擴(kuò)散區(qū)的電阻為50歐姆/sq.或更小，并且是距所說(shuō)的硅基片的表面約500?；蚋蟮纳疃忍幮纬傻?。
17.權(quán)利要求16的MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于進(jìn)一步包括在所說(shuō)的硅基片上形成的電介質(zhì)層；和在所說(shuō)的電介質(zhì)層上形成的活化的摻雜的多晶硅層。
18.權(quán)利要求16的MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于所說(shuō)的電介質(zhì)層是選自下列的電介質(zhì)材料氧化物、氮化物、金剛石、類金剛石碳、paralyene聚合物、和硅聚合物。
全文摘要
一種在硅基片中形成具有低電阻的、可接受的缺陷密度、可靠性、和過(guò)程控制性的擴(kuò)散區(qū)的方法,該方法包括:(a)使硅基片經(jīng)受第一次離子注入以使硅基片內(nèi)形成非晶化硅區(qū);(b)使包含非晶化硅區(qū)的硅基片經(jīng)受第二次離子注入,從而使所說(shuō)的摻雜劑離子的注入峰值在非晶化硅區(qū)內(nèi);和(c)退火所說(shuō)的硅基片,以使非晶化硅區(qū)重新晶體化,從而在硅基片內(nèi)形成擴(kuò)散區(qū)。
文檔編號(hào)H01L27/04GK1289142SQ0012877
公開日2001年3月28日 申請(qǐng)日期2000年9月20日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月21日
發(fā)明者D·D·科爾鮑, D·L·哈拉梅 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司