率(寬度:長度)，而NI和N2具有為6x的選通率。傳輸門可具有為3x的選通率?？舍槍MOS和NMOS器件設計各種其它選通率。該存儲器單元電路可針對各種設計和工藝節(jié)點(例如，22nm節(jié)點)借助兩個異步時鐘功能支持兩個R/W操作。此當前設計的潛在應用包括至少制圖法、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)和網(wǎng)絡處理器。
[0018]圖3示出根據(jù)一個實施例的用于雙端口 SRAM單元的存儲器單元電路(例如，位單元)的擴散層和晶體管層的布局300。布局300包括η型擴散層302，η型擴散層302在連續(xù)層內(nèi)具有不同區(qū)域，包括區(qū)域302、306、307、308和310。例如，可借助所述區(qū)域以及晶體管區(qū)域350和351 (例如，三柵極圖案的鰭)中的任何區(qū)域形成用于形成NMOS器件的四個多晶硅跡線?？山柚鷧^(qū)域307形成SRAM Vss。以類似方式，η型擴散層312在連續(xù)層內(nèi)具有不同區(qū)域，包括區(qū)域314、316、317、318和320。例如，可借助所述區(qū)域以及晶體管區(qū)域356和357中的任何區(qū)域形成用于形成NMOS器件的四個多晶硅跡線?？山柚鷧^(qū)域317形成SRAM Vss0
[0019]布局300還包括P型擴散層322，P型擴散層322在連續(xù)層內(nèi)具有不同區(qū)域，包括區(qū)域324、326、328。例如，可借助所述區(qū)域和晶體管區(qū)域353 (例如，三柵極圖案的鰭)中的任何區(qū)域形成用于形成PMOS器件的四個多晶硅跡線?？山柚鷧^(qū)域324和328形成SRAMVcc。以類似方式，P型擴散層330在連續(xù)層內(nèi)具有不同區(qū)域，包括區(qū)域330、332和334。例如，可借助所述區(qū)域和晶體管區(qū)域354中的任何區(qū)域形成用于形成PMOS器件的四個多晶硅跡線。可借助區(qū)域331和334形成SRAM Vcc。晶體管層包括區(qū)域350-357，其可以是三柵極圖案的鰭。布局300具有用于形成NMOS和PMOS器件的連續(xù)擴散層，其導致提高的良品率。重新使用具有晶體管區(qū)域350-357的邏輯晶體管圖案。該布局還通過消除擴散嵌合減少了復雜性。
[0020]圖4示出根據(jù)一個實施例的用于雙端口 SRAM單元的存儲器單元電路(例如，位單元)的第一金屬層(金屬I)和第一過孔層的布局400。布局400包括過孔層420，過孔層420具有不同過孔區(qū)域，包括區(qū)域422和424。第一金屬層410包括不同金屬I區(qū)域，包括區(qū)域412和414。在確保所有過孔針對工藝穩(wěn)健性自對準到金屬I的設計規(guī)則內(nèi)形成干凈的J形金屬圖案。
[0021]圖5示出根據(jù)一個實施例的用于雙端口 SRAM單元的存儲器單元電路(例如，位單元)的第一金屬層(金屬I)和第二金屬層(金屬2)的布局500。布局500包括第一金屬層520，第一金屬層520具有不同金屬區(qū)域。第二金屬層503包括不同金屬2區(qū)域，包括區(qū)域 BL A 504,BL B 506、Vcc508、BL A 510 和 BL B 512。第一端口(端口 A)的金屬 2 位線借助Vcc 508與第二端口(端口 B)的金屬2位線隔離。
[0022]圖6示出根據(jù)一個實施例的用于雙端口 SRAM單元的存儲器單元電路(例如，位單元)的第三金屬層(金屬3)的布局600。布局600包括第三金屬層520，第三金屬層520具有不同金屬區(qū)域，包括區(qū)域 WL B 628、WL B 626、Vss 624、WL A 624、WL A 622、WL A 620、Vss 618、WL B 616、WL B 614 和 Vss 612。在一個實施例中，WL A 620、Vss 618 和 WL B616示出用于存儲器單元電路的第三金屬層610。四跡線多晶硅單元允許比用于兩多晶硅跡線單元的更寬的金屬3。與兩跡線單元相比，四跡線單元具有較低字線電阻和較低字線電容(由于較寬的間隔)、針對隔離性能需要較少中繼器(其減小電路面積和延遲)、通過在端口之間具有Vss來允許端口之間的字線隔離、以及增加Vss柵格的穩(wěn)健性。
[0023]圖7示出根據(jù)一個實施例的計算裝置1200。計算裝置1200容納板1202。板1202可包括若干部件，包括但不限于處理器1204和至少一個通信芯片1206。處理器1204物理并且電耦合到板1202。在一些實施方式中，至少一個通信芯片1206也物理并且電耦合到板1202。在進一步的實施方式中，通信芯片1206是處理器1204的部分。
[0024]根據(jù)其應用，計算裝置1200可包括可以或者可以不物理并且電耦合到板1202的其它部件。這些其它部件包括但不限于易失性存儲器(例如，DRAM 1210)、非易失性存儲器(例如，ROM 1212)、具有一個或多個存儲器單元電路(例如，存儲器單元電路200)陣列的SRAM 1212、閃速存儲器、圖形處理器1220、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、芯片組1222、天線1224、顯示器、觸摸屏顯示器1226、觸摸屏控制器1228、電池1230、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器1232、全球定位系統(tǒng)(GPS)器件1234、羅盤1236、加速計、陀螺儀、揚聲器1240、相機1250以及大容量存儲器件(例如硬盤驅動器、光盤(⑶)、數(shù)字通用光盤(DVD)等等)ο
[0025]通信芯片1206實現(xiàn)了用于往來于計算裝置1200傳送數(shù)據(jù)的無線通信。術語“無線”及其派生詞可用于描述可通過非固態(tài)介質(zhì)通過使用調(diào)制電磁輻射傳輸數(shù)據(jù)的電路、器件、系統(tǒng)、方法、技術、通信信道等。該術語并不暗示相關聯(lián)器件并不包含任何導線，雖然在一些實施例中，其可能不包含任何導線。通信芯片1206可實施若干無線標準或協(xié)議中的任何標準或協(xié)議，包括但不限于W1-Fi (IEEE 802a.11族)、WiMAX (IEEE 802.16族)、IEEE802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍牙、其衍生物、以及命名為3G、4G、5G及其以后的任何其它無線協(xié)議。計算裝置1200可包括多個通信芯片1206。例如，第一通信芯片1206可專用于近距離無線通信，諸如，W1-Fi和藍牙，而第二通信芯片1206可專用于遠距離無線通信，諸如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE, Ev-DO以及其它。
[0026]計算裝置1200的處理器1204包括封裝在處理器1204內(nèi)的集成電路管芯。在本發(fā)明的一些實施例中，處理器的集成電路管芯包括根據(jù)本發(fā)明的實施方式形成的一個或多個存儲器單元電路。術語“處理器”可指代處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉變成可存儲在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何器件或器件的部分。
[0027]通信芯片1206還包括封裝在通信芯片1206內(nèi)的集成電路管芯。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，通信芯片的集成電路管芯包括根據(jù)本發(fā)明的實施方式形成的一個或多個存儲器單元電路。
[0028]在進一步的實施例中，容納在計算裝置1200內(nèi)的另一個部件可包含集成電路管芯，該集成電路管芯包括根據(jù)本發(fā)明的實施方式形成的一個或多個存儲器單元電路。
[0029]在各種實施方式中，計算裝置1200可以是膝上型計算機、上網(wǎng)本、筆記本、超級本、智能電話、平板、個人數(shù)字助理(PDA)、超級PC、移動電話、臺式計算機、服務器、打印機、掃描儀、監(jiān)視器、機頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字相機、便攜式音樂播放器或數(shù)字視頻錄像機。在進一步的實施方式中，