技術(shù)編號：9278254
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。提高存儲器陣列(諸如靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)陣列)的良品率和可靠性是具有大的片上高速緩存器的集成電路和微處理器的當前設(shè)計挑戰(zhàn)。嵌入式存儲器可包括單端口 SRAM，其具有一個用于讀取和寫入操作的訪問端口 ；或多端口 SRAM，其可提供高速通信和圖像處理。該多端口 SRAM適于并行操作并且提高芯片性能。高性能和低功率多核處理器在管芯內(nèi)具有若干CPU，其導致存儲器存取的數(shù)目顯著增加。因此，存儲器存取速度變成限制因素。對多端口 SRAM的需求已增加，因為可同...
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