本實(shí)用新型涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置。
背景技術(shù):
隨著電子設(shè)備的不斷普及,人們對(duì)于高密度和低功耗的非易失性存儲(chǔ)器的需求與日俱增??煽啃允窃u(píng)價(jià)存儲(chǔ)器的一個(gè)重要指標(biāo)。可靠性是指產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成規(guī)定的功能。
數(shù)據(jù)保持力是評(píng)價(jià)非易失性存儲(chǔ)器可靠性的重要參數(shù)。數(shù)據(jù)保持力是指非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后沒(méi)有失真或丟失,仍可有效讀出的能力。目前,提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)保持力的方法是在非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除操作過(guò)程中加入恢復(fù)操作,進(jìn)而提高數(shù)據(jù)的可靠性。
但是用戶對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行一次的擦除操作和編程操作后,僅對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作。對(duì)存儲(chǔ)單元而言,浮柵中存儲(chǔ)的電荷量決定了存儲(chǔ)單元的閾值電壓,而存儲(chǔ)單元的閾值電壓則決定了存儲(chǔ)單元是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“0”,還是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“1”。由于存儲(chǔ)單元內(nèi)部自身缺陷及外部影響,會(huì)造成浮柵中存儲(chǔ)的電荷流失,從而引起存儲(chǔ)單元閾值電壓的降低,隨著時(shí)間的推移,當(dāng)閾值電壓降壓到一定值后,存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)發(fā)生變化,當(dāng)用戶下次再對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作時(shí),會(huì)造成誤讀,導(dǎo)致非易失性存儲(chǔ)器的可靠性降低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型提供一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置,以減少非易失性存儲(chǔ)器讀操作過(guò)程中的誤讀,提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置,該裝置包括:
讀取比較器,所述讀取比較器的輸入端與讀取參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連,用于根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求,將所述存儲(chǔ)單元的單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較,并輸出讀取結(jié)果;
校驗(yàn)比較器,所述校驗(yàn)比較器的輸入端與校驗(yàn)參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連,用于將所述存儲(chǔ)單元的單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較,并輸出校驗(yàn)結(jié)果;其中,所述校驗(yàn)參考電壓大于所述讀取參考電壓;
偏移地址記錄單元,與所述讀取比較器和所述校驗(yàn)比較器相連,用于根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果,在確定單元電壓低于設(shè)定門(mén)限值時(shí),確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元,則記錄所述偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址;
讀取糾正單元,與所述偏移地址記錄單元相連,用于如果接收到的讀取請(qǐng)求命中所述偏移單元地址時(shí),確定對(duì)所述偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值,并抑制所述讀取比較器的輸出。
在上述方案中,可選的是,如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓,且大于讀取參考電壓,則確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元;
如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓,則確定所述存儲(chǔ)單元為擦除存儲(chǔ)單元;
如果所述單元電壓大于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓,則確定所述存儲(chǔ)單元為編程存儲(chǔ)單元。
在上述方案中,可選的是,所述設(shè)定值為“0”。
在上述方案中,可選的是,讀取比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和讀取參考存儲(chǔ)單元的漏極相連,校驗(yàn)比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元的漏極相連,
其中,存儲(chǔ)單元的漏極與第一電阻相連,第一電阻的另一端與電源相連,存儲(chǔ)單元的源極接地;
讀取參考單元的漏極與第二電阻相連,第二電阻的另一端與電源相連,讀取參考單元的源極接地;
校驗(yàn)參考單元的漏極與第三電阻相連,第三電阻的另一端與電源相連,校驗(yàn)參考單元的源極接地。
本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)在存儲(chǔ)單元讀取數(shù)據(jù)過(guò)程中,根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果,在確定單元電壓低于設(shè)定門(mén)限值時(shí),確定并記錄偏移存儲(chǔ)單元,在下次讀取該存儲(chǔ)單元時(shí),將該存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值,從而減少非易失性存儲(chǔ)器讀操作過(guò)程中的誤讀,提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一中的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例三中的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的讀取比較器和校驗(yàn)比較器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的執(zhí)行方法的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明??梢岳斫獾氖?,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本實(shí)用新型,而非對(duì)本實(shí)用新型的限定。另外還需要說(shuō)明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例一
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,本實(shí)施例可適用于存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)的情況,如圖1所示,本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置,包括讀取比較器110、校驗(yàn)比較器120、偏移地址記錄單元130和讀取糾正單元140。
其中,讀取比較器110的輸入端與讀取參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連,用于根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求,將存儲(chǔ)單元的單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較,并輸出讀取結(jié)果。
在非易失性存儲(chǔ)器讀取操作過(guò)程中,若存儲(chǔ)單元為經(jīng)過(guò)擦除操作的擦除存儲(chǔ)單元,其漏極電流較大,若存儲(chǔ)單元為經(jīng)過(guò)編程操作的編程存儲(chǔ)單元,其漏極電流較小,通過(guò)將存儲(chǔ)單元的漏極電流與參考電流的比較可得到存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)單元的漏極電流與參考電流的比較可通過(guò)電路轉(zhuǎn)換為電壓的比較,從而通過(guò)電壓比較器得到存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
示例性的,讀取比較器可為反相電壓比較器,電壓比較器的同相端接入存儲(chǔ)單元的輸出端,電壓比較器的反相端接入讀取參考電壓,當(dāng)存儲(chǔ)單元的單元電壓大于讀取參考電壓時(shí),讀取結(jié)果為“0”,說(shuō)明該存儲(chǔ)單元經(jīng)過(guò)編程操作,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為“0”;當(dāng)存儲(chǔ)單元的單元電壓小于參考電壓時(shí),讀取結(jié)果為“1”,說(shuō)明該存儲(chǔ)單元經(jīng)過(guò)擦除操作,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為“1”。
校驗(yàn)比較器120的輸入端與校驗(yàn)參考電壓和存儲(chǔ)單元的輸出端相連,用于將存儲(chǔ)單元的單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較,并輸出校驗(yàn)結(jié)果;其中,校驗(yàn)參考電壓大于所述讀取參考電壓;
示例性的,校驗(yàn)比較器可為反相電壓比較器,電壓比較器的同相端接入存儲(chǔ)單元的輸出端,電壓比較器的反相端接入校驗(yàn)參考電壓,當(dāng)存儲(chǔ)單元的單元電壓大于校驗(yàn)參考電壓時(shí),校驗(yàn)結(jié)果為“0”;當(dāng)存儲(chǔ)單元的單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓時(shí),校驗(yàn)結(jié)果為“1”。
偏移地址記錄單元130,與讀取比較器和校驗(yàn)比較器相連,用于根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果,在確定單元電壓低于設(shè)定門(mén)限值時(shí),確定存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元,則記錄偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址;
示例性的,記錄偏移單元地址可為將偏移單元的地址寫(xiě)入當(dāng)前讀取存儲(chǔ)器的任一指定長(zhǎng)度的空閑存儲(chǔ)單元中或?qū)懭肴我恢付ǖ拇鎯?chǔ)器中。
讀取糾正單元140,與偏移地址記錄單元相連,用于如果接收到的讀取請(qǐng)求命中偏移單元地址時(shí),確定對(duì)偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值,并抑制讀取比較器的輸出。
示例性的,將存儲(chǔ)器中記錄的偏移存儲(chǔ)單元的地址加載至任一寄存器中,如果當(dāng)前讀取的存儲(chǔ)單元地址與寄存器中加載的地址相同,則認(rèn)為讀取請(qǐng)求命中偏移單元地址,則將該存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值。
示例性的,存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值可為,如果設(shè)定值為“1”,可將讀取結(jié)果的輸出端與“1”進(jìn)行或運(yùn)算,如果設(shè)定值為“0”,可將讀取結(jié)果的輸出端與“0”進(jìn)行與運(yùn)算。
本實(shí)施例的技術(shù)方案,通過(guò)根據(jù)讀取比較器的讀取結(jié)果與校驗(yàn)比較器的校驗(yàn)結(jié)果,在確定單元電壓低于設(shè)定門(mén)限值時(shí),確定并記錄偏移存儲(chǔ)單元,使得下次讀取該存儲(chǔ)單元時(shí),將其讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值,從而減少非易失性存儲(chǔ)器讀操作過(guò)程中的誤讀,提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
實(shí)施例二
實(shí)施例二為對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的進(jìn)一步說(shuō)明。在實(shí)施例一所述的裝置中,偏移地址記錄單元具體用于:如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓,且大于讀取參考電壓,則確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元;
如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓,則確定所述存儲(chǔ)單元為擦除存儲(chǔ)單元;
如果所述單元電壓大于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓,則確定所述存儲(chǔ)單元為編程存儲(chǔ)單元。
設(shè)定值為“0”。
非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元由于內(nèi)部自身缺陷及外部影響,會(huì)造成浮柵中存儲(chǔ)的電荷流失,從而引起存儲(chǔ)單元閾值電壓的降低。對(duì)于經(jīng)過(guò)編程操作的編程存儲(chǔ)單元而言,閾值電壓降低到一定值后,編程存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)將由“0”變?yōu)椤?”。在閾值電壓降低的過(guò)程中,存儲(chǔ)單元的漏極電流增大,其單元輸出端電壓也會(huì)有相應(yīng)的變化,優(yōu)選的單元電壓相應(yīng)增大。通過(guò)將校驗(yàn)參考電壓設(shè)置大于讀取參考電壓,若存儲(chǔ)單元單元電壓的變化使得校驗(yàn)結(jié)果發(fā)生改變,而未使讀取結(jié)果發(fā)生改變,則確定該存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元。即在存儲(chǔ)單元讀取操作過(guò)程中,對(duì)于沒(méi)有嚴(yán)重偏移的編程存儲(chǔ)單元,其漏極電流較小,單元電壓大于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓,讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果為“0”;對(duì)于發(fā)生嚴(yán)重偏移的編程存儲(chǔ)單元,當(dāng)閾值電壓降低到一定值時(shí),由于校驗(yàn)參考電壓設(shè)置大于讀取參考電壓,則可使存儲(chǔ)單元的單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓,且大于讀取參考電壓,這時(shí)校驗(yàn)結(jié)果為“1”,讀取結(jié)果為“0”,說(shuō)明該存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元;對(duì)于擦除存儲(chǔ)單元,其漏極電流較大,單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓,讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果為“1”。通過(guò)設(shè)定值為“0”,可使得發(fā)生嚴(yán)重偏移的編程存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果強(qiáng)制輸出為“0”,避免由于閾值電壓降低,導(dǎo)致編程存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)由“0”變?yōu)椤?”,從而導(dǎo)致誤讀的情況。
本實(shí)施例的技術(shù)方案,通過(guò)將校驗(yàn)參考電壓設(shè)置為大于讀取參考電壓,偏移地址記錄單元,可檢測(cè)出偏移存儲(chǔ)單元、擦除存儲(chǔ)單元及編程存儲(chǔ)單元,并可在存儲(chǔ)單元的閾值電壓值未達(dá)到使得存儲(chǔ)數(shù)據(jù)變化之前,有效記錄閾值電壓發(fā)生嚴(yán)重偏移的存儲(chǔ)單元,在下次讀取該單元時(shí),通過(guò)將讀取結(jié)果設(shè)定值設(shè)為“0”,可防止由于浮柵漏電,電子丟失,導(dǎo)致存儲(chǔ)單元閾值電壓降低,從而使得編程存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)由“0”變?yōu)椤?”,導(dǎo)致誤讀的情況,從而提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
實(shí)施例三
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的讀取比較器和校驗(yàn)比較器的結(jié)構(gòu)示意圖。實(shí)施例三為對(duì)本實(shí)用新型上述實(shí)施例提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置中讀取比較器和校驗(yàn)比較器進(jìn)一步說(shuō)明。讀取比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和讀取參考存儲(chǔ)單元的漏極相連,校驗(yàn)比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元的漏極相連,
其中,存儲(chǔ)單元的漏極與第一電阻相連,第一電阻的另一端與電源相連,存儲(chǔ)單元的源極接地;
讀取參考單元的漏極與第二電阻相連,第二電阻的另一端與電源相連,讀取參考單元的源極接地;
校驗(yàn)參考單元的漏極與第三電阻相連,第三電阻的另一端與電源相連,校驗(yàn)參考單元的源極接地。
優(yōu)選的,如圖2所示,讀取比較器為電壓比較器SA,電壓比較器SA的同相端與存儲(chǔ)單元CA的漏極相連,存儲(chǔ)單元CA的漏極與第一電阻RA的一端相連,存儲(chǔ)單元CA的源極接地,第一電阻RA的另一端與電源VCC相連,電壓比較器SA的反相端與讀取參考存儲(chǔ)單元CR的漏極相連,讀取參考存儲(chǔ)單元CR的漏極與第二電阻RR的一端相連,讀取參考存儲(chǔ)單元CR的源極接地,第二電阻RR的另一端與電源VCC相連,其中RA=RR。讀取比較器SA通過(guò)將存儲(chǔ)單元CA的漏極電壓VA與讀取參考存儲(chǔ)單元CR的漏極電壓Vref比較得到讀取結(jié)果。由于VA=VCC-RAIA,Vref=VCC-RRIref且RA=RR,則當(dāng)IA>Iref時(shí),VA<Vref,SA輸出讀取結(jié)果“1”;當(dāng)IA<Iref時(shí),VA>Vref,SA輸出讀取結(jié)果“0”。
校驗(yàn)比較器為電壓比較器SA1,電壓比較器SA1的同相端與存儲(chǔ)單元CA的漏極相連,電壓比較器SA1的反相端與校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元CR1的漏極相連,校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元CR1的漏極與第三電阻RR1的一端相連,校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元CR1的源極接地,第三電阻RR1的另一端與電源VCC相連,其中RR1=RA。校驗(yàn)比較器通過(guò)將存儲(chǔ)單元CA的漏極電壓VA與校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元CR1的漏極電壓Vref1比較得到校驗(yàn)結(jié)果。由于VA=VCC-RAIA,Vref1=VCC-RR1Iref1且RR1=RA,則當(dāng)IA>Iref1時(shí),VA<Vref1,SA1輸出校驗(yàn)結(jié)果“1”;當(dāng)IA<Iref1時(shí),VA>Vref1,SA1輸出校驗(yàn)結(jié)果“0”。
由于存儲(chǔ)單元內(nèi)部自身缺陷及外部影響,會(huì)造成浮柵中存儲(chǔ)的電荷流失,從而引起存儲(chǔ)單元閾值電壓的降低。在存儲(chǔ)單元的讀取中,若閾值電壓降低,則會(huì)引起存儲(chǔ)單元漏極電流IA增大,即存儲(chǔ)單元漏極電壓VA降低,因此,存儲(chǔ)單元漏極電壓VA的變化可以反映存儲(chǔ)單元閾值電壓的變化趨勢(shì)。若存儲(chǔ)單元為經(jīng)過(guò)編程操作的編程存儲(chǔ)單元,且閾值電壓未發(fā)生嚴(yán)重偏移,則存儲(chǔ)單元呈現(xiàn)高閾值電壓,即VA較大,使得VA>Vref,VA>Vref1,即SA輸出讀取結(jié)果“0”,SA1輸出校驗(yàn)結(jié)果“0”;若閾值電壓降低,VA也會(huì)降低,由于Vref1>Vref,當(dāng)VA降低到一定值時(shí),可使VA>Vref,VA<Vref1,即SA輸出讀取結(jié)果“0”,SA1輸出校驗(yàn)結(jié)果“1”,可確定此時(shí)存儲(chǔ)單元的閾值電壓發(fā)生嚴(yán)重偏移,若閾值電壓繼續(xù)降低,則將導(dǎo)致VA<Vref,即讀取結(jié)果為“1”,這時(shí)讀取結(jié)果為錯(cuò)誤的,通過(guò)將該存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果確定并輸出為“0”,則可避免誤讀現(xiàn)象。若存儲(chǔ)單元為經(jīng)過(guò)擦除操作的擦除存儲(chǔ)單元,則存儲(chǔ)單元呈現(xiàn)低閾值電壓,即VA較小,使得VA<Vref,VA<Vref1,即SA輸出讀取結(jié)果“1”,SA1輸出校驗(yàn)結(jié)果“1”。
示例性的,第一電阻、第二電阻和第三電阻的阻值可以不相等。可通過(guò)控制讀取參考存儲(chǔ)單元與校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元中浮柵存儲(chǔ)的電荷來(lái)控制讀取參考存儲(chǔ)單元和校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元的閾值電壓,進(jìn)而確定讀取參考電壓與校驗(yàn)參考電壓。
本實(shí)施例的技術(shù)方案,通過(guò)將讀取比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和讀取參考存儲(chǔ)單元的漏極相連,校驗(yàn)比較器的輸入端分別與存儲(chǔ)單元的漏極和校驗(yàn)參考存儲(chǔ)單元的漏極相連,得到讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果,并根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果確定并記錄偏移存儲(chǔ)單元,使得下次讀取該存儲(chǔ)單元時(shí),將其讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值,從而減少非易失性存儲(chǔ)請(qǐng)讀操作過(guò)程中的誤讀,提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置的執(zhí)行方法的流程示意圖,基于上述實(shí)施例中任一的非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取裝置來(lái)執(zhí)行。
步驟310、根據(jù)接收到的讀取請(qǐng)求,讀取存儲(chǔ)單元的單元電壓;
優(yōu)選的,接收到的讀取請(qǐng)求具體為:存儲(chǔ)單元的柵極、讀取參考存儲(chǔ)單元的柵極及校驗(yàn)存儲(chǔ)單元的柵極施加讀電壓。
優(yōu)選的,讀電壓的大小為5V-7V。
步驟320、通過(guò)讀取比較器將單元電壓與讀取參考電壓進(jìn)行比較,以輸出讀取結(jié)果;
步驟330、通過(guò)校驗(yàn)比較器將單元電壓與校驗(yàn)參考電壓進(jìn)行比較,以輸出校驗(yàn)結(jié)果;
這里需要說(shuō)明的是步驟320和步驟330的執(zhí)行順序不作限定,可以順序執(zhí)行,也可以先執(zhí)行步驟330,再執(zhí)行步驟320,也可并行執(zhí)行。
步驟340、如果根據(jù)讀取結(jié)果和校驗(yàn)結(jié)果,在確定單元電壓低于設(shè)定門(mén)限值時(shí),確定存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元,則通過(guò)偏移地址記錄單元記錄偏移存儲(chǔ)單元的偏移單元地址;
優(yōu)選的,如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓,且大于讀取參考電壓,則確定所述存儲(chǔ)單元為偏移存儲(chǔ)單元;
如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓,則確定所述存儲(chǔ)單元為擦除存儲(chǔ)單元;
如果所述單元電壓小于校驗(yàn)參考電壓和讀取參考電壓,則確定所述存儲(chǔ)單元為編程存儲(chǔ)單元。
步驟350、如果接收到的讀取請(qǐng)求命中偏移單元地址時(shí),通過(guò)讀取糾正單元確定對(duì)偏移存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果為設(shè)定值。
優(yōu)選的,設(shè)定值為“0”。
本實(shí)施例的技術(shù)方案,通過(guò)根據(jù)讀取比較器的讀取結(jié)果與校驗(yàn)比較器的校驗(yàn)結(jié)果,在確定單元電壓低于設(shè)定門(mén)限值時(shí),確定并記錄偏移存儲(chǔ)單元,使得下次讀取該存儲(chǔ)單元時(shí),將其讀取結(jié)果確定并輸出為設(shè)定值,從而減少非易失性存儲(chǔ)請(qǐng)讀操作過(guò)程中的誤讀,提高非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的可靠性。
注意,上述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解,本實(shí)用新型不限于這里所述的特定實(shí)施例,對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此,雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明,但是本實(shí)用新型不僅僅限于以上實(shí)施例,在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的情況下,還可以包括更多其他等效實(shí)施例,而本實(shí)用新型的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。