技術總結
本發(fā)明涉及一種感測控制信號發(fā)生電路和包括其的半導體存儲器件。在一個實施例中，半導體存儲器件可以包括：存儲塊，適用于包括串聯(lián)耦接的多個存儲單元和分別耦接到多個位線的多個單元串；頁緩沖器，適用于響應于感測控制信號而耦接到相應位線，且每個頁緩沖器適用于感測被傳送給感測節(jié)點的相應位線的電壓，以及儲存與感測的結果相對應的數(shù)據(jù)或者暫時儲存要被編程至選中存儲單元中的數(shù)據(jù)；以及感測控制信號發(fā)生單元，適用于在編程操作期間產(chǎn)生具有以恒定斜率上升的斜坡信號的形式的感測控制信號。

技術研發(fā)人員：金英鎰
受保護的技術使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號碼：201610752057
技術研發(fā)日：2016.08.29
技術公布日：2017.06.30