1.一種存儲(chǔ)裝置，包括：
多個(gè)導(dǎo)電條帶(conductive strip)所組成的多個(gè)堆疊(stack)，所述導(dǎo)電條帶交錯(cuò)于多個(gè)絕緣條帶(insulating strip)，所述堆疊包括所述導(dǎo)電條帶的一底層(bottom layer)、所述導(dǎo)電條帶的多個(gè)中間層(intermediate layer)、及所述導(dǎo)電條帶的一頂層(top layer)；
多個(gè)半導(dǎo)體垂直體結(jié)構(gòu)(semiconductive vertical structure)，與所述堆疊正交；
多個(gè)存儲(chǔ)元件(memory element)，位于所述堆疊與所述半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)的側(cè)表面的多個(gè)交會(huì)點(diǎn)的多個(gè)鄰接區(qū)域；
多個(gè)第一導(dǎo)線，用以控制位于所述導(dǎo)電條帶的該頂層的多個(gè)晶體管開(kāi)關(guān)(transistor switch)；
多個(gè)第二導(dǎo)線，用以控制多個(gè)局部字符線驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)(local word line driver switch)；以及
多個(gè)第三導(dǎo)線，包括多個(gè)全局字符線(global word line)，所述全局字符線通過(guò)所述局部字符線驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)電性耦接至所述中間層。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，還包括：
一控制電路(control circuitry)，用以使所述第一導(dǎo)線選擇所述堆疊的至少一第一特定堆疊(first particular stack)、使所述第二導(dǎo)線選擇所述堆疊的該至少一第一特定堆疊、并使所述第三導(dǎo)線選擇所述中間層的一特定層(particular layer)。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述局部字符線驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)為多個(gè)晶體管(transistor)，所述晶體管具有多個(gè)側(cè)面柵(lateral gate)，所述側(cè)面柵位于多個(gè)側(cè)面導(dǎo)電通道(lateral conductive channel)之上，所述側(cè)面導(dǎo)電通道電性耦接于所述導(dǎo)電條帶及所述第三導(dǎo)線。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述局部字符線驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)為多個(gè)晶體管，所述晶體管具有圍繞于垂直導(dǎo)電通道(vertical conductive channel)的多個(gè)柵(gate)，所述垂直導(dǎo)電通道電性耦接于所述導(dǎo)電條帶及所述第三導(dǎo)線。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，不同的所述中間層電性耦接至不同的多個(gè)階梯接點(diǎn)(staircase contact)，且不同的所述第三導(dǎo)線電性耦接至不同的所述階梯接點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)線包括一特定譯碼線(particular decoding line)，該特定譯碼線選擇所述堆疊的多個(gè)，被選擇的所述堆疊電性耦接至所述第一導(dǎo)線的多個(gè)的一第一集合，該第一集合的不同的所述第一導(dǎo)線選擇不同的所述堆疊。
7.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)線的一第一導(dǎo)電譯碼線僅選擇所述堆疊的其中之一。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，還包括：
一控制回路，用以使所述第一導(dǎo)線選擇所述堆疊的至少一第一特定堆疊、使所述第二導(dǎo)線選擇所述堆疊的該至少一第一特定堆疊并且不選擇所述堆疊的其他部分、并使所述第三導(dǎo)線選擇所述中間層的至少一特定層并且不選擇所述中間層的其他部分。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，還包括：
多個(gè)第四導(dǎo)線，包括多個(gè)位線，位線電性耦接至所述半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)，
其中一控制回路使所述第四導(dǎo)線選擇所述半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)的一子集合，該子集合排列成一列，該列正交于所述堆疊。
10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第三導(dǎo)線平行于所述第四導(dǎo)線。
11.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，還包括：
一第一譯碼器，電性耦接于所述第一導(dǎo)線；以及
一第二譯碼器，電性耦接至所述第二導(dǎo)線，其中該第一譯碼器及該第二譯碼器位于所述堆疊上相對(duì)的一第一側(cè)與一第二側(cè)，且所述第一導(dǎo)線平行于所述第二導(dǎo)線。
12.一種存儲(chǔ)裝置的操作方法，包括：
使多個(gè)第一導(dǎo)線選擇多個(gè)堆疊的至少一第一特定堆疊(first particular stack)，所述堆疊由多個(gè)導(dǎo)電條帶(conductive strip)所組成，所述導(dǎo)電條帶交錯(cuò)于多個(gè)絕緣條帶(insulating strip)，其中所述堆疊包括所述導(dǎo)電條 帶的一底層、所述導(dǎo)電條帶的多個(gè)中間層、及所述導(dǎo)電條帶的一頂層，所述第一導(dǎo)線控制位于該頂層的多個(gè)晶體管開(kāi)關(guān)(transistor switch)；
使多個(gè)第二導(dǎo)線控制多個(gè)局部字符線驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)(local word line driver switch)，以選擇所述堆疊的該至少一第一特定堆疊；以及
使所述第三導(dǎo)線通過(guò)所述局部字符線驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)選擇所述中間層的至少一特定層(particular layer)，所述第三導(dǎo)線包括多個(gè)全局字符線(global word line)，
其中所述第一導(dǎo)線、所述第二導(dǎo)線及所述第三導(dǎo)線輔助多個(gè)存儲(chǔ)元件的至少之一的選擇，所述存儲(chǔ)元件位于所述堆疊與多個(gè)半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)(semiconductive vertical structure)的側(cè)表面的多個(gè)交會(huì)點(diǎn)的多個(gè)鄰接區(qū)域，所述半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)正交于所述堆疊。
13.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其特征在于，所述局部字符線驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)為多個(gè)晶體管，所述晶體管具有多個(gè)側(cè)面柵(lateral gate)，所述側(cè)面柵位于多個(gè)側(cè)面導(dǎo)電通道(lateral conductive channel)之上，所述側(cè)面導(dǎo)電通道電性耦接于所述導(dǎo)電條帶及所述第三導(dǎo)線。
14.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其特征在于，所述局部字符線驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)為多個(gè)晶體管，所述晶體管具有圍繞于垂直導(dǎo)電通道(vertical conductive channel)的多個(gè)柵(gate)，所述垂直導(dǎo)電通道電性耦接于所述導(dǎo)電條帶及所述第三導(dǎo)線。
15.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其特征在于，不同的所述中間層電性耦接至不同的多個(gè)階梯接點(diǎn)(staircase contact)，且不同的所述第三導(dǎo)線電性耦接至不同的所述階梯接點(diǎn)。
16.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)線包括一特定譯碼線(particular decoding line)，該特定譯碼線選擇所述堆疊的多個(gè)，被選擇的所述堆疊電性耦接至所述第一導(dǎo)線的多個(gè)的一第一集合，該第一集合的不同的所述第一導(dǎo)線選擇不同的所述堆疊。
17.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)線的一第一導(dǎo)電譯碼線僅選擇所述堆疊的其中之一。
18.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其特征在于，還包括：
使所述第一導(dǎo)線選擇所述堆疊的至少一第一特定堆疊、使所述第二導(dǎo)線選擇所述堆疊的該至少一第一特定堆疊并且所述堆疊的其他部分、并使所述第三導(dǎo)線選擇所述中間層的至少一特定層并且不選擇所述中間層的其他部分。
19.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其特征在于，還包括：
使多個(gè)第四導(dǎo)線選擇所述半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)的一子集合，子集合排列成一列，該列正交于所述堆疊。
20.如權(quán)利要求19所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其特征在于，所述第三導(dǎo)線平行于所述第四導(dǎo)線。