垂直stt-mram的磁性屏蔽的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及垂直STT-MRAM的磁性屏蔽。一種存儲(chǔ)器具有垂直自旋轉(zhuǎn)移矩（STT）磁性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（MRAM）單元的陣列，其中每個(gè)單元具有磁性層堆疊。磁性屏蔽物設(shè)置在單元之間并且具有至少磁性層堆疊的高度的最小高度。
【專利說(shuō)明】垂直STT-MRAM的磁性屏蔽

【背景技術(shù)】
[0001]垂直自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)磁性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(MRAM)是基于磁阻的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。
[0002]圖1圖示了耦合到晶體管120的垂直STT-MRAM堆疊110的示意圖100。不同于把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為電荷的典型RAM技術(shù)，MRAM數(shù)據(jù)由磁阻元件存儲(chǔ)。通常，磁阻元件由兩個(gè)磁性層制成，每個(gè)磁性層保持磁化。一個(gè)層(“固定層”或“釘住層”110A)的磁化的磁性取向被固定，并且另一層(“自由層”110C)的磁化可以被自旋極化編程電流來(lái)改變。因此，編程電流可以使兩個(gè)磁性層的磁性取向:在相同方向，從而提供跨越這些層的較低電阻(“O”狀態(tài))；或者在相反方向，從而提供跨越這些層的較高電阻(“I”狀態(tài))。自由層IlOC的磁性取向的切換和產(chǎn)生的跨越磁性層的高或低的電阻狀態(tài)提供用于典型MRAM單元的寫(xiě)和讀操作。
[0003]磁性層堆疊110連同分別位于自由層頂上和固定層下方的頂和底部電極(未示出)被稱為磁性隧道結(jié)(MTJ)。編程電流通常流動(dòng)通過(guò)訪問(wèn)晶體管120和MTJ。固定層極化編程電流的電子自旋，并且隨著自旋極化電流穿過(guò)MTJ，轉(zhuǎn)矩被創(chuàng)建。自旋極化電子電流通過(guò)對(duì)自由層施加轉(zhuǎn)矩來(lái)與自由層交互。當(dāng)穿過(guò)MTJ的自旋極化電子電流的轉(zhuǎn)矩大于臨界切換電流密度時(shí)，由自旋極化電子電流施加的轉(zhuǎn)矩足以切換自由層的磁化。因此，自由層的磁化可以與釘住層以相同或相反方向被對(duì)準(zhǔn)，并且跨越MTJ的電阻狀態(tài)被改變。
[0004]圖2圖示了 STT-MRAM單元200的示意圖，其可以被制作為形成以包括多個(gè)行和列的網(wǎng)格樣式或者以各種其它布置(依賴于系統(tǒng)需要和制作技術(shù))的存儲(chǔ)器單元陣列。STT-MRAM單元200包括磁性層堆疊210、底部電極290、頂部電極295、位線220、源極線230、訪問(wèn)晶體管240、字線250、讀/寫(xiě)電路260、感測(cè)放大器270和位線參考280。
[0005]編程電流被施加用于STT-MRAM單元200的寫(xiě)操作。為了發(fā)起編程電流，讀/寫(xiě)電路260可以生成到達(dá)位線220和源極線230的寫(xiě)電流。位線220和源極線230之間的電壓的極性確定磁性層堆疊210中自由層的磁化的切換。一旦自由層210C根據(jù)編程電流的自旋極性被磁化，則編程狀態(tài)被寫(xiě)入到STT-MRAM單元200。
[0006]為了讀STT-MRAM單元200，讀/寫(xiě)電路260生成通過(guò)磁性層堆疊210和晶體管240到達(dá)位線220和源極線230的讀電流。STT-MRAM單元200的編程狀態(tài)依賴于跨越磁性層堆疊210的電阻，其可以由位線220和源極線230之間的電壓差來(lái)確定。在一些實(shí)施例中，電壓差可以與參考280比較并且被感測(cè)放大器270放大。
[0007]豎直外部磁場(chǎng)可以影響導(dǎo)致不期望的位倒轉(zhuǎn)的自由層的磁矩。擾亂存儲(chǔ)信息僅需要幾百奧斯特(Oe)的豎直磁場(chǎng)。垂直STT-MRAM的許多應(yīng)用需要更高的磁性魯棒性。
[0008]面內(nèi)STT-MRAM，與垂直STT-MRAM相反，易受到水平外部磁場(chǎng)的影響。這是因?yàn)槊鎯?nèi)STT-MRAM由如下編程電流寫(xiě)入，該編程電流使兩個(gè)磁性層的磁性取向水平平行或逆平行。使用位于管芯頂部和底部上的磁性屏蔽物，可以增加面內(nèi)STT-MRAM相對(duì)于外部磁場(chǎng)的穩(wěn)定性。然而，這個(gè)磁性屏蔽概念僅適用于面內(nèi)STT-MRAM，不適用垂直STT-MRAM。對(duì)于垂直STT-MRAM應(yīng)用，豎直磁場(chǎng)是有意義的。所以，垂直STT-MRAM應(yīng)用需要有效屏蔽豎直外部磁場(chǎng)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1圖示耦合到晶體管的垂直STT-MRAM堆疊的示意圖。
[0010]圖2圖示存儲(chǔ)器單元的示意圖。
[0011]圖3圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的垂直STT-MRAM單元陣列的頂視圖。
[0012]圖4A-4B圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的垂直STT-MRAM單元陣列的側(cè)視圖。
[0013]圖5圖示均一磁場(chǎng)中的磁性屏蔽材料。
[0014]圖6A-6E圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的均一磁場(chǎng)中的垂直STT-MRAM單元的磁通密度繪圖。
[0015]圖7A-7F圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的用于制造垂直STT-MRAM單元陣列的方法。

【具體實(shí)施方式】
[0016]本公開(kāi)涉及具有垂直自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)磁性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(MRAM)單元的陣列的存儲(chǔ)器，其中每個(gè)單元具有磁性層堆疊。磁性屏蔽物設(shè)置在這些單元之間并且具有至少磁性層堆疊的高度的最小高度。
[0017]圖3圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的垂直STT-MRAM單元陣列300的頂視圖。保護(hù)具有偶極子310的每個(gè)單元免受豎直外部磁場(chǎng)的影響的磁性屏蔽物320位于單元310之間。
[0018]圖4A圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的垂直STT-MRAM單元的陣列400A的側(cè)視圖。STT-MRAM陣列400A包括形成于氧化物410中的金屬M(fèi)x 420。金屬M(fèi)x 420是圖2中示出的磁性層堆疊210和晶體管240之間的金屬導(dǎo)線。底部電極430沉積在金屬M(fèi)x 420上。磁性層堆疊440沉積在底部電極430上，磁性層堆疊440由固定磁性層440A和自由磁性層440C以及它們之間的隧道氧化物層440B構(gòu)成。出于簡(jiǎn)化的目的，附圖示出了具有堆疊層440A、440C和隧道氧化物層440B的每個(gè)磁性層堆疊440，但是如已知的那樣，實(shí)際上存在附加的層。頂部電極450A形成在磁性層堆疊440上。介電襯里460沉積在磁性屏蔽物470上,介電襯里460具有足夠大的厚度來(lái)提供與磁性屏蔽物470的電隔離。磁性屏蔽物470A優(yōu)選地放置為盡可能接近磁性層堆疊440以增加其保護(hù)STT-MRAM單元免受豎直磁場(chǎng)影響的效率。而且，磁性屏蔽物470A優(yōu)選地定位為相對(duì)于磁性層堆疊440內(nèi)的自由磁性層440C的水平和豎直對(duì)稱布置中的至少一個(gè)。隔離層465沉積在磁性屏蔽物470A上。最后，沉積在氧化物90中的金屬M(fèi) (x+1)層480位于隔離層465的頂上。金屬M(fèi) (x+1)層480是圖2中示出的位線220。頂部電極450A通過(guò)通孔467確保磁性堆疊層440C和金屬M(fèi) (χ+l)層480之間的電接觸。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識(shí)到的，陣列400A的元件不一定按比例繪制。
[0019]圖4B圖示根據(jù)另一示例性實(shí)施例的垂直STT-MRAM單元的陣列400B的側(cè)視圖。STT-MRAM陣列400B類似于圖4A的陣列400A，除了頂部電極450和磁性屏蔽物470被不同地定形。更具體來(lái)說(shuō)，磁性屏蔽物470B不像圖4A中示出的那樣被定形為矩形，而是替代地被定形為具有形成在其每個(gè)頂部邊緣處的水平突起。頂部電極450B被定形為其上部直徑小于磁性層堆疊440的直徑，以便容納磁性屏蔽物470B的水平突起，或“鼻狀物”。當(dāng)然，在電極450B和磁性屏蔽物470B之間仍然存在使用襯里460的電隔離。圖4B的其它元件類似于圖4A的元件，并且因此它們的描述為簡(jiǎn)短起見(jiàn)在這里被省略。如陣列400A —樣，陣列400B的元件不一定按比例繪制。
[0020]圖5圖示均一磁場(chǎng)中的磁性屏蔽材料。如可以看見(jiàn)的,磁性屏蔽材料520收集(減少、沉沒(méi))外部磁場(chǎng)。通常，該材料具有特定屬性，諸如高磁導(dǎo)率、很少或沒(méi)有磁矯頑力以及大飽和磁化。
[0021]高磁導(dǎo)率(通常至少10000)是優(yōu)選的，但是50000和140000之間是實(shí)際的。磁導(dǎo)率是屏蔽物支持磁場(chǎng)在自身內(nèi)形成的能力的度量。通過(guò)具有高磁導(dǎo)率，磁性屏蔽物收集豎直磁場(chǎng)線，因此降低在其周圍的磁場(chǎng)。
[0022]磁性屏蔽材料還優(yōu)選具有很少或沒(méi)有剩磁。剩磁是外部磁場(chǎng)移除之后材料中留下的磁化。
[0023]大飽和磁化(通常在500mT到1.5T (特斯拉)的范圍中)是優(yōu)選的。飽和是當(dāng)所施加的外部磁場(chǎng)中的增加不能進(jìn)一步增加材料的磁化，所以整體磁通密度穩(wěn)定時(shí)所達(dá)到的狀態(tài)。
[0024]磁性屏蔽物的材料可能包括一個(gè)或多個(gè)鐵磁體層。這包括鎳(Ni)、鐵(Fe)和鈷(Co )的合金(例如，鎳鐵(NiFe )、鎳鐵鈷(NiFeCo )、鈷鐵(CoFe ))，各種組合的NiFe和Co等的其它相對(duì)較高磁導(dǎo)率合金、摻雜的無(wú)定形鐵磁合金和其它材料。材料可以包含鑰和鉻的添加劑，例如Mu-金屬(Ni+Fe)，其是由近似77%的鎳，16%的鐵，5%的銅和2%的鉻或鑰構(gòu)成的一系列鎳-鐵合金。而且，可以使用表征為亞鐵磁體或鐵氧體的材料。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識(shí)到磁性屏蔽物可以由適合于收集外部磁場(chǎng)的預(yù)期目的的任何材料構(gòu)成。
[0025]圖6A-6E圖不根據(jù)不例性實(shí)施例的均一磁場(chǎng)中的垂直STT-MRAM磁性層堆疊610的磁通密度繪圖。
[0026]圖6A圖示具有0.5特斯拉(T)(其等價(jià)于400000安培每米(A/m))磁通密度的均一磁場(chǎng)中的垂直STT-MRAM磁性層堆疊610的磁通密度繪圖600A。在這個(gè)圖中不包括磁性屏蔽物以便它可以被用作與后面的圖比較的基準(zhǔn)。如從該圖頂部中的密度繪圖600A可以看到的，STT-MRAM單元附近的磁通密度是192000A/m。該圖底部圖示相同磁通的曲線圖。如所示的,磁性層堆疊610在里面把磁通集中成比外部施加的磁場(chǎng)(-0.5T)更高的值(-0.6T)。磁性層堆疊的更遠(yuǎn)的外部，磁通穩(wěn)定在-0.5T。
[0027]圖6B圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的在其附近具有水平磁性屏蔽物620B的垂直STT-MRAM磁性層堆疊610的磁通密度繪圖600B。提供的均一磁場(chǎng)與圖6A中的磁場(chǎng)相同。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)STT-MRAM磁性層堆疊610的高效磁性屏蔽，優(yōu)選的是，磁性屏蔽物620B被放置為緊密靠近STT-MRAM磁性層堆疊610以便在STT-MRAM磁性層堆疊610的附近收集盡可能多的外部磁場(chǎng)。如在該圖的上部中的密度繪圖600B可以看到的，STT-MRAM磁性層堆疊610和磁性屏蔽物620B之間的空間中的磁通密度減小到105000A/m。該圖的下部中的曲線圖示出了磁性屏蔽物620B中的磁通密度增加到-0.6T，由此，STT-MRAM磁性層堆疊610和磁性屏蔽物620B之間的空間中的磁通密度減小到-0.4T。而且，曲線圖的最左邊區(qū)域中的磁通密度顯著小于圖6A中相應(yīng)的磁通。這是因?yàn)榇判云帘挝?20B沉沒(méi)磁通密度，由此減小周圍區(qū)域中的磁通密度。
[0028]圖6C圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的具有與圖6B的磁性屏蔽物相比具有更高的高度的磁性屏蔽物620B的垂直STT-MRAM磁性層堆疊610的磁通密度繪圖600C。提供的均一磁場(chǎng)與圖6A中的磁場(chǎng)相同。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)STT-MRAM磁性層堆疊610的高效磁性屏蔽，優(yōu)選的是，磁性屏蔽物高度高于要保護(hù)的STT-MRAM磁性層堆疊610的磁性層堆疊430。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，磁性屏蔽物620C是位于磁性單元堆疊下方和上方的金屬導(dǎo)線之間的最大可能聞度。
[0029]如可以從該圖的上部中的密度繪圖600C看到的，STT-MRAM磁性層堆疊610和磁性屏蔽物620C之間的空間中的磁通密度減小到115000A/m。該圖的下部中的曲線圖示出了磁性屏蔽物620C中的磁通密度增加到-1.75T，由此，STT-MRAM磁性層堆疊610和磁性屏蔽物620C之間的空間中的磁通密度減小到僅-0.25T。而且，曲線圖的最左邊區(qū)域中的磁通密度顯著小于圖6B中相應(yīng)的磁通。如上面提到的，這是因?yàn)榇判云帘挝?20C沉沒(méi)磁通密度，由此減小周圍區(qū)域中的磁通密度。
[0030]圖6D圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的具有與圖6B和6C的磁性屏蔽物相比具有更大水平屏蔽寬度的磁性屏蔽物620C的垂直STT-MRAM磁性層堆疊610的磁通密度繪圖600D。提供的均一磁場(chǎng)與圖6A中的磁場(chǎng)相同。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)STT-MRAM磁性層堆疊610的高效磁性屏蔽，優(yōu)選的是，屏蔽物的水平寬度足夠大以填充未被邊界磁性層堆疊占據(jù)的空間。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，磁性屏蔽物620D填充STT-MRAM單元之間的盡可能多的空間。
[0031]如可以從該圖的上部中的密度繪圖600D看到的，STT-MRAM磁性層堆疊610和磁性屏蔽物620D之間的空間中的磁通密度減小到僅24000A/m。該圖的下部中的曲線圖示出了磁性屏蔽物620D中的磁通密度增加到-1.0T,由此，STT-MRAM磁性層堆疊610和磁性屏蔽物620D之間的空間中的磁通密度減小到幾乎0T。而且，曲線圖的最左邊區(qū)域中的磁通密度顯著小于圖6C中相應(yīng)的磁通。再次，這是因?yàn)榇判云帘挝?20D沉沒(méi)磁通密度，由此減小周圍區(qū)域中的磁通密度。
[0032]圖6E圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的類似于圖6D的磁性屏蔽物的具有更大水平屏蔽寬度的、但是另外包括位于左上角的鼻狀物的磁性屏蔽物620E的垂直STT-MRAM磁性層堆疊610的磁通密度繪圖600E。提供的均一磁場(chǎng)與圖6A中的磁場(chǎng)相同。
[0033]如可以從該圖的上部中的密度繪圖600E看到的，STT-MRAM磁性層堆疊610和磁性屏蔽物620E之間的空間中的磁通密度減小到僅14000A/m。該圖的下部中的曲線圖示出了磁性屏蔽物620E中的磁通密度增加到-1.0T,由此，STT-MRAM磁性層堆疊610和磁性屏蔽物620E之間的空間中的磁通密度減小到幾乎0T。而且，曲線圖的最左邊區(qū)域中的磁通密度顯著小于圖6D中相應(yīng)的磁通。這歸因于磁性屏蔽物620E的鼻狀物，其進(jìn)一步折射磁場(chǎng)線，并且因此提高屏蔽。
[0034]圖7A-7F圖示根據(jù)示例性實(shí)施例的用于制造垂直STT-MRAM單元陣列的方法。為了成本有效，在制程前端(FEOL)處理期間，磁性屏蔽物應(yīng)當(dāng)被集成在單元陣列中。
[0035]圖7A圖示STT-MRAM 700A，其包括形成在氧化物410中的金屬M(fèi)x 420。底部電極430沉積在氧化物410和金屬M(fèi)x 420的層上。由磁性層440A、440C以及它們之間隧道氧化物層440B構(gòu)成的磁性層堆疊440沉積在底部電極430上。頂部電極450A沉積在磁性層堆疊440上。
[0036]圖7B圖示在構(gòu)造STT-MRAM 700A之后、使用硬掩膜并且刻蝕以形成個(gè)體MTJ的STT-MRAM陣列700B，MTJ由底部電極430、具有層440A、440B、440C的MRAM堆疊以及頂部電極450A構(gòu)成。
[0037]圖7C圖示在介電襯里460沉積在STT-MRAM陣列700B上用于電隔離之后的STT-MRAM 陣列 700C。
[0038]圖7D圖示在磁性屏蔽物470A沉積在其上之后的STT-MRAM陣列700D。磁性屏蔽物470A經(jīng)受化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)，其中介電襯里460充當(dāng)CMP停止層。
[0039]圖7E圖示在隔離層465沉積在磁性屏蔽物470A上之后的STT-MRAM陣列700E。
[0040]圖7F圖示在隔離層465頂上使用溝槽和通孔過(guò)程在氧化物490中形成金屬M(fèi)(χ+l)層480之后的STT-MRAM陣列700F。這個(gè)溝槽和通孔過(guò)程在金屬M(fèi) (x+1) 480和頂部電極450A之間通過(guò)通孔467形成電接觸。要注意STT-MRAM陣列700F等價(jià)于圖4A的STT-MRAM 陣列 400A。
[0041]技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識(shí)到圖7A-7F的個(gè)體層如何形成以便產(chǎn)生圖4A的STT-MRAM單元400A，并且還意識(shí)到可以存在多于一種方式來(lái)形成這些層。為簡(jiǎn)短起見(jiàn)，并且為了不會(huì)不必要地模糊本公開(kāi)的各方面，用于制造垂直STT-MRAM單元400A的陣列的方法的更詳細(xì)描述被省略。
[0042]另外，技術(shù)人員還將從上面的描述意識(shí)到如何制造圖4B的垂直STT-MRAM單元400B的陣列。所以，進(jìn)一步詳細(xì)描述在這里被認(rèn)為是不必要的。
[0043]雖然上文已結(jié)合示例性實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是要理解術(shù)語(yǔ)“示例性”僅意指作為示例，而不是最好的或優(yōu)選的。因此，本公開(kāi)意圖覆蓋可以包括在本公開(kāi)的范圍內(nèi)的替代物、修改和等價(jià)物。
[0044]雖然本文中已圖示和描述了具體實(shí)施例，但是將被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員意識(shí)到的是，在不脫離本申請(qǐng)的范圍的情況下，各種替代和/或等價(jià)實(shí)施方式可以替換示出和描述的具體實(shí)施例。這個(gè)申請(qǐng)意圖覆蓋本文中討論的具體實(shí)施例的任何變更或變型。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲(chǔ)器，包括: 垂直自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)磁性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(MRAM)單元的陣列，其中每個(gè)單元具有磁性層堆疊；以及 磁性屏蔽物，設(shè)置在所述單元之間并且具有至少所述磁性層堆疊的高度的最小高度，以便由此屏蔽所述單元免受存儲(chǔ)器外部磁場(chǎng)的影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物的高度比所述磁性層堆疊的高度聞。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物被定形為具有形成在其頂部邊緣中的至少一個(gè)處的水平突起。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的存儲(chǔ)器，其中所述單元中的至少一個(gè)具有形成在所述磁性層堆疊上方的電極，并且所述電極的上部的直徑小于磁性層堆疊的直徑，以便容納所述磁性屏蔽物的水平突起。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物的所述高度是在位于所述單元上方和下方的位線和源極線之間可能的最大高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物被定位成相對(duì)于所述磁性層堆疊內(nèi)的自由磁性層的水平和豎直對(duì)稱布置中的至少一個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物具有至少10000的磁導(dǎo)率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物具有在50000和140000之間的磁導(dǎo)率。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物由一層或多層鐵磁體構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的存儲(chǔ)器，其中鐵磁體包括選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的合金的組中的合金:鎳(Ni)、鐵(Fe)和/或鈷(Co)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物包括亞鐵磁體和鐵氧體中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物包括一層或多層不同的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中所述磁性屏蔽物基本上沒(méi)有磁矯頑力。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，還包括: 介電襯里，設(shè)置在所述單元和所述磁性屏蔽物之間，并且具有足夠大的厚度來(lái)提供電隔離。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中設(shè)置在所述單元之間的所述磁性屏蔽物的水平寬度足夠大以填充未被邊界磁性堆疊和任何介電襯里占據(jù)的空間。
16.—種產(chǎn)生存儲(chǔ)器的方法,包括: 提供垂直自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)磁性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(MRAM)單元堆疊； 刻蝕所述單元堆疊以形成單元的陣列，其中每個(gè)單元具有磁性層堆疊；以及 在所述單元之間沉積磁性屏蔽物， 其中所述磁性屏蔽物具有至少所述磁性層堆疊的高度的最小高度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，還包括: 在沉積所述磁性屏蔽物之前，在所述單元的陣列上沉積介電襯里；以及 平面化所述磁性屏蔽物到所述介電襯里。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述平面化是化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)，并且所述介電襯里是CMP停止層。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述磁性屏蔽物的高度比所述磁性層堆疊的高度聞。
20.—種存儲(chǔ)器，包括: 自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)磁性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(MRAM)單元的陣列，其中每個(gè)單元具有磁性層堆置；以及 磁性屏蔽物，設(shè)置在所述單元之間并且具有至少所述磁性層堆疊的高度的最小高度，以便由此屏蔽所述單元免受存儲(chǔ)器外部磁場(chǎng)的影響。
【文檔編號(hào)】G11C11/15GK104518080SQ201410500816
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】R.阿林格, K.霍夫曼, K.克諾布洛赫, R.施特倫茨 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司