技術(shù)編號：6767110
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及垂直STT-MRAM的磁性屏蔽。一種存儲器具有垂直自旋轉(zhuǎn)移矩（STT）磁性隨機訪問存儲器（MRAM）單元的陣列，其中每個單元具有磁性層堆疊。磁性屏蔽物設(shè)置在單元之間并且具有至少磁性層堆疊的高度的最小高度。專利說明垂直STT-MRAM的磁性屏蔽 背景技術(shù) [0001]垂直自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)磁性隨機訪問存儲器(MRAM)是基于磁阻的嵌入式非易失性存儲器技術(shù)。 [0002]圖1圖示了耦合到晶體管120的垂直STT-MRAM堆疊110的示意圖10...
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