專利名稱：非易失性存儲器件的讀取方法
技術領域：
本發(fā)明的示例性實施例涉及用于操作非易失性存儲器件的方法，更具體而言，涉及非易失性存儲器件的讀取方法。
背景技術：
非易失性存儲器件可以電執(zhí)行編程操作和擦除操作，而不用執(zhí)行刷新操作以在每個預定的周期重新編程數據。這種非易失性存儲器件的實例包括快閃存儲器件。非易失性存儲器件一般包括多個存儲器單元，每個存儲器單元具有隧道絕緣層、浮柵、電介質層以及控制柵的層疊結構。在非易失性存儲器件中，經由已知的FN(Fowler-Nordheim)隧穿效應,通過將電子注入到存儲器單元的浮柵或從存儲器單元的浮柵中獲取電子并且控制存儲器單元的閾值電壓，來實現編程操作和擦除操作。非易失性存儲器件由于存儲器單元的閾值電壓隨著擦除/編程操作循環(huán)的次數而上升，而具有閾值電壓分布寬度增大的問題。在韓國專利公布文本N0.10-2010-0087806中描述了此問題，此后稱韓國專利公布文本N0.10-2010-0087806為參考文件I。參考文件I提出了一種解決方法來減少以上問題。參考文件I公開了一種方法，該方法包括如下步驟:在讀取操作期間，施加讀取電壓到選中的存儲器單元的控制柵，施加較高的通過電壓到與選中的存儲器單元相鄰的未選中的存儲器單元的控制柵，以及施加較低的通過電壓到其它的未選中的存儲器單元的控制柵。另外，參考文件I公開了一種盡管執(zhí)行擦除/編程操作的循環(huán)次數增加，但在讀取操作期間仍能產生窄的存儲器單元的閾值電壓分布寬度的方法。在參考文件I中示出，由于在讀取操作期間，施加到與選中的存儲器單元相鄰的存儲器單元的控制柵的通過電壓的電平增長，所以施加到選中的存儲器單元的垂直和水平電場增加。因此，選中的存儲器單元的浮柵會容易損耗許多電荷。隨著更多的電荷被捕獲在選中的存儲器單元的浮柵中，且隨著循環(huán)增加地更多，電荷的損耗變得更嚴重?？傊谧x取操作期間限制閾值電壓分布寬度和防止電荷損耗是權衡關系，且很難達到兩者都滿足的條件。

發(fā)明內容
本發(fā)明的實施例涉及非易失性存儲器件的讀取方法，所述方法不管擦除/編程操作循環(huán)的次數如何增加，仍可改善選中的存儲器單元的閾值電壓分布寬度，并防止電荷損耗。
根據本發(fā)明的一個實施例，一種非易失性存儲器件的讀取方法包括以下步驟:施加讀取電壓到選中的存儲器單元的柵極；施加第一通過電壓到與選中的存儲器單元相鄰的存儲器單元的柵極；和施加第二通過電壓到其它的存儲器單元的柵極，其中，選中的存儲器單元沿著閾值電壓增加的方向處于第一至第T編程狀態(tài)中的單個編程狀態(tài)，其中T是大于2的自然數，且第一通過電壓隨著選中的存儲器單元接近第T編程狀態(tài)而降低。根據本發(fā)明的另一個實施例，一種非易失性存儲器件的讀取方法包括以下步驟:施加讀取電壓到選中的存儲器單元的柵極；施加第一通過電壓到與選中的存儲器單元相鄰的存儲器單元的柵極；以及施加第二通過電壓到其它的存儲器單元的柵極，其中，選中的存儲器單元沿著閾值電壓增加的方向處于第一至第T編程狀態(tài)之中的一種編程狀態(tài)，其中，T是大于2的自然數，且第一通過電壓隨著執(zhí)行擦除/編程操作的循環(huán)次數的增加而增大，以及第一通過電壓的增量程度隨著選中的存儲器單元接近第T編程狀態(tài)而降低。


圖1是說明根據本發(fā)明的一個實施例的非易失性存儲器件的電路圖。圖2示出圖1的一個存儲串ST的截面。圖3示出根據本發(fā)明的一個實施例的存儲器單元的閾值電壓分布的曲線圖。圖4是示出根據執(zhí)行擦除/編程操作的循環(huán)次數，存儲器單元的閾值電壓分布的變化的曲線圖。圖5是描述根據本發(fā)明的一個實施例的非易失性存儲器件的讀取方法的流程圖。圖6A和圖6B是例不性地描述第一通過電壓的表。圖7是描述根據本發(fā)明的另一個實施例的第一通過電壓的表。圖8是描述根據本發(fā)明的另一個實施例的第一通過電壓的表。
具體實施例方式下面將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。但是，本發(fā)明可以用不同的方式實施，而不應解釋為限定為本文所提供的實施例。確切地說，提供這些實施例使得本公開清楚且完整，并向本領域技術人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。在說明書中，相同的附圖標記在本發(fā)明的不同附圖與實施例中表示相似的部分。附圖并非按比例繪制，在某些情況下，為了清楚地示出實施例的特征可能對比例進行了夸大處理。當提及第一層在第二層“上”或在襯底“上”時，其不僅涉及第一層直接形成在第二層上或在襯底上的情況，還涉及在第一層與第二層之間或在第一層與襯底之間存在第三層的情況。圖1是說明根據本發(fā)明的一個實施例的非易失性存儲器件的電路圖，以及圖2示出圖1的存儲串ST的截面。參見圖1和圖2，非易失性存儲器件的單元陣列包括多個存儲串ST、多個位線BLo和BLe以及公共源極線CSL，所述多個位線BLo和BLe分別與存儲串ST的一側耦接，所述公共源極線CSL與存儲串ST的另一側共同耦接。盡管本發(fā)明的實施例示出包括兩個存儲串ST和兩個位線BLo和BLe的器件，但是本發(fā)明的范圍不限定于此，且可以不同地改變存儲串的數目和分別與存儲串耦接的位線的數目。此外，位線BLo和BLe可以包括交替布置的多個奇數位線BLo和多個偶數位線BLe。與奇數位線BLo耦接的存儲器單元中的奇數頁編程/讀取操作可以獨立于與偶數位線BLe耦接的存儲器單元中的偶數頁編程/讀取操作。每個存儲串ST包括串聯耦接的源極選擇晶體管SST、多個存儲器單元MC以及漏極選擇晶體管DST。每個存儲器單元MC包括浮柵FG和控制柵CG的層疊結構。一個存儲串ST中的每個控制柵CG分別與另一個存儲串ST中的每個控制柵CG耦接，以形成字線WL。共享一個字線WL的存儲器單元MC由字線WL控制。漏極選擇晶體管DST控制相應的存儲串ST與相應的位線BLo或BLe之間的耦接。存儲串ST中的漏極選擇晶體管DST的柵極彼此耦接，以形成一個漏極選擇線DSL。源極選擇晶體管SST控制相應的存儲串ST與公共源極線CSL之間的耦接。存儲串ST中的源極選擇晶體管SST的柵極彼此耦接，以形成一個源極選擇線SSL。為了容易地描述讀取方法，假設偶數位線BLe是選中的位線，且將選中的字線表示為WLn，以及將與選中的字線WLn相鄰的未選中的字線表示為WLn+1和WLn_1;以及將其它的未選中的字線表示為WLk。屬于與選中的位線BLe耦接的存儲串ST且與選中的字線WLn-接的存儲器單元MCn變成讀取操作的目標。 在上述非易失性存儲器件中，每個存儲器單元MC可以隨著執(zhí)行擦除/編程操作而處于擦除狀態(tài)或編程狀態(tài)。具體地，多電平單元(mult1-level cell)可以處于多個編程狀態(tài)中的任何一種。這將在下文參照圖3來描述。

圖3是示出根據本發(fā)明的一個實施例的存儲器單元的閾值電壓分布的曲線圖。參見圖3，每個存儲器單元MC可以具有在擦除狀態(tài)E和第一至第三編程狀態(tài)P1、P2以及P3之中的任何狀態(tài)?？梢詫⒕哂胁脸隣顟B(tài)E的存儲器單元MC設定為具有負的閾值電壓分布并具有數據“II”?？梢詫⒕哂械谝痪幊虪顟B(tài)Pl的存儲器單元MC設定成具有正的閾值電壓分布并具有數據“01”。可以將具有第二編程狀態(tài)P2的存儲器單元MC設定成具有比第一編程狀態(tài)Pl的正的閾值電壓分布大的另一正的閾值電壓分布，并具有數據“00”。可以將具有第三編程狀態(tài)P3的存儲器單元MC設定成具有比第二編程狀態(tài)P2的正的閾值電壓分布大的另一正的閾值電壓分布，并具有數據“10”。因此，可以儲存諸如“00”、“01”、“10”以及“11”的2比特數據。隨著被編程的存儲器單元MC的閾值電壓變得越高，即隨著被編程的存儲器單元從第一編程狀態(tài)Pl向第三編程狀態(tài)P3接近,儲存在存儲器單元MC的浮柵FG中的電荷的數量變得越來越多。為了在讀取操作期間對讀取目標存儲器單元MCn的狀態(tài)進行讀取，在擦除狀態(tài)E或第一至第三編程狀態(tài)P1、P2以及P3之中的任何一種編程狀態(tài)下施加不同的電壓。施加處于擦除狀態(tài)E的閾值電壓與第一編程狀態(tài)Pl的閾值電壓之間的第一讀取電壓到所述讀取目標存儲器單元MC1J^控制柵CG。施加處于第一編程狀態(tài)Pl的閾值電壓與第二編程狀態(tài)P2的閾值電壓之間的第二讀取電壓Vr2到所述讀取目標存儲器單元MCn的控制柵CG。施加處于第二編程狀態(tài)P2的閾值電壓與第三編程狀態(tài)P3的閾值電壓之間的第三讀取電壓Vr3到所述讀取目標存儲器單元MCn的控制柵CG。盡管此實施例示例性地說明了每個存儲器單元MC具有擦除狀態(tài)E和三種編程狀態(tài)P1、P2以及P3中的任何一種，但是本發(fā)明的范圍不限定于此。在另一個實施例中，每個存儲器單元MC可以具有擦除狀態(tài)E和第一至第T編程狀態(tài)中的任何一種，其中T是大于2的自然數?？梢约僭O閾值電壓從擦除狀態(tài)E到第T編程狀態(tài)是遞增的。每個狀態(tài)的閾值電壓分布不彼此重疊。此外，如現有技術中所描述的，隨著執(zhí)行擦除/編程操作的循環(huán)次數增加，編程進入多個編程狀態(tài)中的任何一種編程狀態(tài)的存儲器單元MC的閾值電壓分布寬度增大。然而，閾值電壓分布寬度的增量程度根據存儲器單元的編程狀態(tài)而不同。這被實驗證實，如圖4所示。圖4是示出根據執(zhí)行擦除/編程操作的循環(huán)次數，存儲器單元的閾值電壓分布的變化的曲線圖。從圖4可以看出，在執(zhí)行預定次數的擦除/編程操作的循環(huán)之后，被編程為第一至第三編程狀態(tài)P1、P2和P3之中的任何一種編程狀態(tài)的存儲器單元MC的閾值電壓分布的寬度相比于初始狀態(tài)有所增加。具體地，被編程進入第一編程狀態(tài)Pl的存儲器單元MC的閾值電壓分布寬度的增量程度最大(參見箭頭①)。被編程進入第三編程狀態(tài)P3的存儲器單元MC的閾值電壓分布寬度的增量程度最小(參見箭頭③)。因此，當每個存儲器單元MC沿著閾值電壓增加的方向被編程進入第一至第T編程狀態(tài)之中的任何一種編程狀態(tài)時，閾值電壓分布的增量程度在向著第T編程狀態(tài)的方向上可以是遞減的，其中T是大于2的自然數。本發(fā)明的申請人已經注意到圖4所示的實驗結果，并設計了可以解決改進閾值電壓分布寬度與防止電荷損耗之間平衡關系的問題的讀取方法。根據圖4的實驗結果，當每個存儲體單元MC沿著閾值電壓增加的方向被編程進入第一至第T編程狀態(tài)之中的任何一種編程狀態(tài)時，被編程 進入第一編程狀態(tài)的存儲器單元MC隨著擦除/編程操作循環(huán)的次數的增加，而具有最大的閾值電壓分布寬度的增加，同時由于在浮柵中捕獲的電荷的數量最小，所以在相鄰的存儲器單元具有最少的電荷損耗，其中T是大于2的自然數。相反地，被編程進入第T編程狀態(tài)的存儲器單元MC隨著擦除/編程操作循環(huán)的次數的增加而具有最小的閾值電壓分布寬度的增加，同時由于在浮柵中捕獲的電荷的數量最多，所以具有最多的因相鄰存儲器單元引起的電荷損耗?？紤]這些特性，本發(fā)明的一個實施例可以體現以下參照圖5、6A以及6B描述的讀取方法。圖5是描述根據本發(fā)明的一個實施例的非易失性存儲器件的讀取方法的流程圖。通過再次一起參照圖1至圖4來描述此讀取方法。參見圖5，在步驟S501中，通過施加預定的電壓例如約IV到選中的位線BLe以及施加可以導通漏極選擇晶體管DST的電壓例如電源電壓Ncc到漏極選擇線DSL，來將選中的位線BLe和與選中的位線BLe耦接的存儲串ST的溝道預充電。隨后，在步驟S503中，施加讀取電壓Vr到選中的字線WLn ;施加第一通過電壓Vpassi到與選中的字線WLn相鄰的字線WLnil ；以及施加第二通過電壓Vpass2到其它的字線WLk。根據所述讀取目標存儲器單元MCn的狀態(tài)而將施加到選中的字線WLn的讀取電壓Vr設定成不同的電平。例如，如圖3所示，當將所述讀取目標存儲器單元MCn編程進入擦除狀態(tài)E和第一至第三編程狀態(tài)P1、P2以及P3中的任何一種時，將第一讀取電壓Vrl、第二讀取電壓Vr2以及第三讀取電壓Vr3中的任何一個施加到選中的字線WLn。第一讀取電壓￥1*1、第二讀取電壓￥^以及第三讀取電壓Vr3可以分別大約是0V、1.5V以及3V，但是這些值可以不同地改變。當所述讀取目標存儲器單元MC1J^閾值電壓比施加的讀取電壓Vr高時，所述讀取目標存儲器單元MCn處于關斷狀態(tài)。另一方面，當所述讀取目標存儲器單元MCn的閾值電壓比施加的讀取電壓Vr低時，所述讀取目標存儲器單元MCn處于導通狀態(tài)。第一通過電壓Vpassi和第二通過電壓Vpass2是導通與未選中的字線WLnil和WLk耦接的存儲器單元MCn±1和MCk的電壓。根據現有的技術，鑒于通常的導通電壓用作第二通過電壓VPASS2，通過利用比第二通過電壓Vpass2高的電壓作為第一通過電壓Vpassi來減小所述讀取目標存儲器單元MC1J^閾值電壓分布寬度的增加。然而，隨著第一通過電壓Vpassi增加，所述讀取目標存儲器單元MCn的閾值電壓分布寬度改善，而在所述讀取目標存儲器單元MCn處的電荷損耗由于相鄰的存儲器單元MCn±1的影響而增大。因此，在本發(fā)明的實施例中，考慮所述讀取目標存儲器單元MCn的編程狀態(tài)來調整第一通過電壓Vpassi的電平。例如，當所述讀取目標存儲器單元MCn被編程進入具有最低閾值電壓的第一編程狀態(tài)Pl時，考慮到根據擦除/編程操作循環(huán)的次數增加，閾值電壓分布寬度的增加最大，且在相鄰的存儲器單元MCn±1處的電荷損耗量小，于是使用第一通過電壓Vpassi的最高電平。另一方面，當所述讀取目標存儲器單元MCn被編程進入具有最高閾值電壓的第三編程狀態(tài)P3時，考慮到根據擦除/編程操作循環(huán)的次數增加，閾值電壓分布寬度的增加最小，且在相 鄰的存儲器單元MCn±1處的電荷損耗量大，于是使用第一通過電壓Vpassi的最低電平。隨著所述讀取目標存儲器單元MCn被編程進入閾值電壓越高的編程狀態(tài)，減小第一通過電壓VPASS1。盡管第一通過電壓Vpassi變化，但是第二通過電壓Vpass2可以維持相同的電平。為了幫助理解，以下參照圖6A和6B來示例性地描述第一通過電壓VPASS1。圖6A和圖6B是不例性地描述第一通過電壓的表。參見圖6A，根據現有技術，不管所述讀取目標存儲器單元MCn的編程狀態(tài)如何，施加相同電平的第一通過電壓Vpassi，例如8.5V到相鄰的存儲器單元MCn±1。施加比第一通過電壓Vpassi低的第二通過電壓Vpass2，例如大約7.5V到其它的存儲器單元MCk。然而，在本發(fā)明的此實施例中，考慮所述讀取目標存儲器單元MCn的編程狀態(tài)來控制施加到相鄰的存儲器單元MCn±1的第一通過電壓Vpassi的電平。例如，當將所述讀取目標存儲器單元MCn編程進入第一編程狀態(tài)Pl時，第一通過電壓Vpassi大約是7.5V+A1，以及當將所述讀取目標存儲器單元MCn編程進入第二編程狀態(tài)P2時，第一通過電壓Vpassi大約是
7.5V+A2，以及當將所述讀取目標存儲器單元MCn編程進入第三編程狀態(tài)P3時，第一通過電壓Vpassi大約是7.5V+A3，其中A1>A2>A3 (A1、A2以及A3是正電壓)。參見圖6B，在達到A1>A2>A3的關系的前提下可以不同地改變Al、A2以及A3的具體值。這在附圖中被呈現為實例I至11，但是可以存在除了附圖中所示的實例I至11之外的不同實例。具體地，Al可以比現有技術中的高，以及A3可以比現有技術中的低，且A3可以具有負值。A3是負值意味著第一通過電壓Vpassi可以比第二通過電壓Vpass2低。當將所述讀取目標存儲器單元MCn編程進入具有最低閾值電壓的第一編程狀態(tài)Pl時，電荷的損耗不是重要的問題。相反地，當將所述讀取目標存儲器單元MCn編程進入具有最高閾值電壓的第三編程狀態(tài)P3時，閾值電壓分布寬度的增加不是重要的問題。再次參見圖5，在步驟S503中基于上述條件施加讀取電壓Vr、第一通過電壓Vpassi和第二通過電壓Vpass2之后，在步驟S505中識別選中的位線BLe的電平是否改變以讀取儲存在所述讀取目標存儲器單元MCn中的數據。
此外，在上述讀取方法中，考慮所述讀取目標存儲器單元MCn的編程狀態(tài)來控制第一通過電壓Vpassi，但是本發(fā)明的范圍不限定于此。根據本發(fā)明的另一個實施例，可以不僅考慮所述讀取目標存儲器單元MCn的編程狀態(tài)，也可以考慮擦除/編程操作循環(huán)的次數來控制第一通過電壓Vpassi的電平。這里，隨著擦除/編程操作循環(huán)的次數增加，閾值電壓分布寬度的變化和電荷的損耗量惡化。這將在下文參照圖7和圖8來描述。圖7是描述根據本發(fā)明的另一個實施例的第一通過電壓的表。參見圖7，當擦除/編程操作循環(huán)的次數是OK時，存在少量的閾值電壓分布寬度的增加和少量的電荷損耗。因此，不管所述讀取目標存儲器單元MCn的編程狀態(tài)如何(參見組1)，可以利用相同電平的第一通過電壓Vpassi,例如大約8.5V。然而，閾值電壓分布寬度的增加隨著擦除/編程操作循環(huán)的次數增加而變大。為了防止閾值電壓分布寬度增大，第一通過電壓Vpassi的電平從組I到組7是遞增的。簡言之，將循環(huán)次數分成若干個區(qū)段，例如O至0.5K、0.5至1.0KU.0至1.5K、1.5至2.0Κ,2.0至
2.5Κ、2.5至3.0Κ、以及3.0K以上，且第一通過電壓Vpassi的電平隨著其進行到下一區(qū)段而增加預定的程度。將第一通過電壓Vpassi的增量程度表示為Λ。對于本領域的技術人員顯然的是可以將區(qū)段數不同地修改成大于2。如上所述，當所述讀取目標存儲器單元MCn被編程進入第一編程狀態(tài)Pl時，閾值電壓分布寬度的增加大，而電荷的損耗小。因此，第一通過電壓Vpassi的增量程度Λ可以最大，例如大約0.1V。另一方面，當所述讀取目標存儲器單元MCn被編程進入第三編程狀態(tài)Ρ3時，閾值電壓分布寬度的增加小，而電荷損耗大。因此，第一通過電壓Vpassi的增量程度Λ可以最小，例如大約0.03V。對于本領域的技術人員顯然的是，在每個編程狀態(tài)中第一通過電壓Vpassi的增量程度△的具體值可以不同。第一通過電壓Vpassi的電平根據擦除/編程操作的循環(huán)次數而增大，但是第一通過電壓Vpassi的增量程度△隨著所述讀取目標存儲器單元MCn被編程進入閾值電壓越高的編程狀態(tài)而變小。 圖8是描述根據本發(fā)明的另一個實施例的第一通過電壓的表。在圖7所示的情況下，第一通過電壓Vpassi的增量程度Λ根據編程狀態(tài)而改變，但是第一通過電壓Vpassi的增量程度△在任何一種編程狀態(tài)下都維持相同的電平。然而，當擦除/編程操作循環(huán)的次數較小，如在組I和組2的情況下時，閾值電壓分布寬度的增加和電荷損耗并不較大。另一方面，當擦除/編程操作循環(huán)的次數較大，如在組6和組7的情況下時，閾值電壓分布寬度的增加和電荷損耗大。簡言之，當擦除/編程操作的循環(huán)的次數較大時，控制第一通過電壓Vpassi更加重要。因此，參見圖8，當擦除/編程操作循環(huán)的次數較小，如在組I和組2的情況下時，將低的權重賦予第一通過電壓Vpassi的增量程度Λ，例如大約0.97。換言之，針對組I和組2的情況，將第一通過電壓Vpassi的增量程度Λ乘以0.97。相反地，當擦除/編程操作循環(huán)的次數較大，如在組6和組7的情況下時，將高的權重賦予第一通過電壓Vpassi的增量程度Δ，例如大約1.03。換言之，針對組6和組7的情況，將第一通過電壓Vpassi的增量程度Λ乘以1.03。在本文中，可以不同地改變權重的具體值。總之，盡管根據循環(huán)的次數，考慮編程狀態(tài)而增大第一通過電壓Vpassi的電平，但并非將第一通過電壓Vpassi的電平增大相同的增量程度，而是根據執(zhí)行擦除/編程操作循環(huán)的次數，對第一通過電壓Vpassi的增量程度Λ賦予權重來增大第一通過電壓Vpassi的電平，以這種方式，使得當循環(huán)的次數小時，第一通過電壓Vpassi的增量程度Λ變小，而當循環(huán)的次數大時，第一通過電壓Vpassi的增量程度Λ變大。根據本發(fā)明的實施例，非易失性存儲器件的讀取方法不管擦除/編程操作循環(huán)次數如何增加，都可以改善選中的存儲器單元的閾值電壓分布寬度，并防止電荷損耗。盡管已經參照具體的實施例描述了本發(fā)明，但是對本領域技術人員顯然的是，在不脫離所附權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行各種變化和修改。
權利要求
1.一種非易失性存儲器件的讀取方法，包括以下步驟: 施加讀取電壓到選中的存儲器單元的柵極； 施加第一通過電壓到與所述選中的存儲器單元相鄰的存儲器單元的柵極；以及 施加第二通過電壓到其它的存儲器單元的柵極， 其中，所述選中的存儲器單元沿閾值電壓增加的方向而處于第一至第T編程狀態(tài)中的單個編程狀態(tài)，其中，T是大于2的自然數，且 所述第一通過電壓隨著所述選中的存儲器單元接近第T編程狀態(tài)而減小。
2.如權利要求1所述的讀取方法，其中，所述第一通過電壓等于或高于所述第二通過電壓。
3.如權利要求1所述的讀取方法，其中:當所述選中的存儲器單元處于第一至第T-1編程狀態(tài)中的一種編程狀態(tài)時，所述第一通過電壓比所述第二通過電壓高；以及 當所述選中的存儲器單元處于第T編程狀態(tài)時，所述第一通過電壓等于或低于所述第二通過電壓。
4.如權利要求1所述的讀取方法，其中，所述第二通過電壓是相同的。
5.如權利要求1所述的讀取方法，其中，隨著擦除/編程操作循環(huán)的次數增加，所述第一通過電壓增大。
6.如權利要求5所述的讀取方法，其中，所述第一通過電壓的增量程度隨著所述選中的存儲器單元接近第T編程狀態(tài)而減小。
7.如權利要求6所述的讀取方法，其中，當所述選中的存儲器單元處于一種編程狀態(tài)時，所述第一通過電壓的增量程度是相同的。
8.如權利要求6所述的讀取方法，其中，當所述選中的存儲器單元處于一種編程狀態(tài)時，所述第一通過電壓的增量程度隨著所述擦除/編程操作循環(huán)的次數的增加而增大。
9.一種非易失性存儲器件的讀取方法，包括以下步驟: 施加讀取電壓到選中的存儲器單元的柵極； 施加第一通過電壓到與所述選中的存儲器單元相鄰的存儲器單元的柵極；以及 施加第二通過電壓到其它的存儲器單元的柵極， 其中，所述選中的存儲器單元沿著閾值電壓增大的方向而處于第一至第T編程狀態(tài)之中的一種編程狀態(tài)，其中，T是大于2的自然數，且 所述第一通過電壓隨著執(zhí)行擦除/編程操作的循環(huán)次數的增加而增大，且所述第一通過電壓的增量程度隨著所述選中的存儲器單元接近所述第T編程狀態(tài)而減小。
10.如權利要求9所述的讀取方法，其中，當所述擦除/編程操作循環(huán)的次數為O時，所述第一通過電壓等于或高于所述第二通過電壓。
11.如權利要求9所述的讀取方法，其中，當所述擦除/編程操作循環(huán)的次數為O時，所述第一通過電壓是相同的而與所述選中的存儲器單元的編程狀態(tài)無關。
12.如權利要求9所述的讀取方法，其中，所述第二通過電壓是相同的。
13.如權利要求9所述的讀取方法，其中，當所述選中的存儲器單元處于一種編程狀態(tài)時，所述第一通過電壓的增量程度是相同的。
14.如權利要求9所述的讀取方法，其中，當所述選中的存儲器單元處于一種編程狀態(tài)時，所述第一通過電壓的增量程度隨著所述擦除/編程操作循環(huán)次數的增加而增大。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種非易失性存儲器件及其讀取方法，所述非易失性存儲器件包括第一選擇晶體管、第二選擇晶體管以及串聯耦接在第一選擇晶體管與第二選擇晶體管之間的多個存儲器單元。所述非易失性存儲器件的讀取方法包括以下步驟施加讀取電壓到選中的存儲器單元的柵極；施加第一通過電壓到與選中的存儲器單元相鄰的存儲器單元的柵極；以及施加第二通過電壓到其它的存儲器單元的柵極，其中，選中的存儲器單元沿著閾值電壓增大的方向而處于第一至第T編程狀態(tài)之中的一種編程狀態(tài)，其中T是大于2的自然數，且第一通過電壓隨著選中的存儲器單元接近第T編程狀態(tài)而減小。
文檔編號G11C16/06GK103177763SQ20121051305
公開日2013年6月26日 申請日期2012年12月4日 優(yōu)先權日2011年12月21日
發(fā)明者金道映 申請人:愛思開海力士有限公司