專利名稱：非易失性存儲(chǔ)器件、其編程方法、及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非易失性存儲(chǔ)器件，更具體而言，涉及一種非易失性存儲(chǔ)器件的 編程方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件一般分成易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器 件在電源中斷時(shí)丟失儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器件即使在電源中斷時(shí)也能保留儲(chǔ)存的 數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器件包括各種存儲(chǔ)器單元晶體管，其中器件的種類可以通過(guò)存儲(chǔ)器單 元晶體管的結(jié)構(gòu)來(lái)劃分。非易失性存儲(chǔ)器件被劃分成快閃存儲(chǔ)器件、鐵電RAM(FRAM)、磁 RAM (MRAM)、相變 RAM (PRAM)。
在這些非易失性存儲(chǔ)器件之中，根據(jù)存儲(chǔ)器單元與位線的連接狀態(tài)，快閃存儲(chǔ)器 件一般分成NOR快閃存儲(chǔ)器件和NAND快閃存儲(chǔ)器件。NOR快閃存儲(chǔ)器件具備兩個(gè)或更多個(gè) 存儲(chǔ)器單元晶體管并聯(lián)連接至一條位線的結(jié)構(gòu)。因此，NOR快閃存儲(chǔ)器件在隨機(jī)存取時(shí)間 方面具備優(yōu)異特性。相對(duì)來(lái)說(shuō)，NAND快閃存儲(chǔ)器件具備兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器單元晶體管串 聯(lián)連接至一條位線的結(jié)構(gòu)。此結(jié)構(gòu)稱為單元串(cell string)結(jié)構(gòu)。每單元串需要一個(gè)位 線接觸。因此，NAND快閃存儲(chǔ)器件在集成度方面具備優(yōu)異特性。
根據(jù)閾值電壓分布，快閃存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元分成開啟單元與截止單元。開啟 單元為已擦除的單元，而截止單元為已編程的單元。為了對(duì)快閃存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元進(jìn) 行編程，將接地電壓(即，0V)施加給與存儲(chǔ)器單元連接的位線，并且將高電壓施加給與存 儲(chǔ)器單元連接的字線。當(dāng)施加這些電壓給要編程的存儲(chǔ)器單元的位線和字線時(shí)，存儲(chǔ)器單 元利用F-N (Fowler-Nordheim,福勒-諾德海姆)隧穿來(lái)進(jìn)行編程?？扉W存儲(chǔ)器件的這種編 程方法在韓國(guó)專利No. 10-0842758中有詳細(xì)公開，其通過(guò)引用合并在本文中。發(fā)明內(nèi)容
本文描述的是一種改善了可靠性的非易失性存儲(chǔ)器件及其編程方法，以及包括所 述非易失性存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種非易失性存儲(chǔ)器件的編程方法包括前置編程驗(yàn) 證步驟，所述前置編程驗(yàn)證步驟用于驗(yàn)證選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓；根據(jù)經(jīng)由所述前 置編程驗(yàn)證步驟判定的所述選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓而設(shè)定所述選中的存儲(chǔ)器單元 的位線電壓的步驟；將編程電壓施加至以所述位線電壓設(shè)定的所述選中的存儲(chǔ)器單元的步 驟；以及后置編程驗(yàn)證步驟，所述后置編程驗(yàn)證步驟用于驗(yàn)證被施加所述編程電壓的所述 選中的存儲(chǔ)器單元的編程狀態(tài)。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，一種非易失性存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ) 器單元與位線連接；以及數(shù)據(jù)輸入/輸出電路，所述數(shù)據(jù)輸入/輸出電路被配置成在編程操 作中，將存儲(chǔ)器單元的位線預(yù)充電、根據(jù)存儲(chǔ)器單元的閾值電壓將預(yù)充電的位線放電、以及 根據(jù)要儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)而保持被放電的位線的電壓或施加編程禁止電壓給位 線。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，一種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)包括非易失性存儲(chǔ)器件；以及 控制器，所述控制器被配置成控制非易失性存儲(chǔ)器件，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)器 單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括位于字線與位線彼此相交叉的區(qū)域處的存儲(chǔ)器單元； 控制邏輯，所述控制邏輯被配置成控制用于存儲(chǔ)器單元的編程操作和讀取操作；以及數(shù)據(jù) 輸入/輸出電路，所述數(shù)據(jù)輸入/輸出電路被配置成在編程操作中，在控制邏輯的控制之下 將存儲(chǔ)器單元的位線預(yù)充電、根據(jù)存儲(chǔ)器單元的閾值電壓將預(yù)充電的位線放電、以及根據(jù) 要儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)而保持被放電的位線的電壓或施加編程禁止電壓給位線。


下面參照

本發(fā)明的特征、方面與實(shí)施例，其中
圖1是示例出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的框圖2是示例出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的編程方法的流 程圖3是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)輸入/ 輸出電路的框圖4是示例出圖3所示的數(shù)據(jù)輸入/輸出電路的電路圖5是說(shuō)明圖4所示的數(shù)據(jù)輸入/輸出電路的編程操作的時(shí)序圖6是示出存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布并且說(shuō)明圖4所示的數(shù)據(jù)輸入/輸出電路 的編程操作的圖7是示例出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括非易失性存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)處理系 統(tǒng)的框圖8是示例出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括非易失性存儲(chǔ)器件的另一個(gè)數(shù)據(jù) 處理系統(tǒng)的框圖；以及
圖9是示例出安裝有圖7所示的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖。
具體實(shí)施方式
在本發(fā)明中，在結(jié)合附圖閱讀下列示例性實(shí)施例之后，可以更清楚地了解本發(fā)明 的優(yōu)點(diǎn)、特征及其實(shí)現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以用不同的方法實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋 成限于本文所列的實(shí)施例。確切地說(shuō)，提供這些實(shí)施例是為了詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明以達(dá)到本領(lǐng) 域技術(shù)人員能夠容易地理解本發(fā)明的技術(shù)思想的程度。
在本文中要理解的是，本發(fā)明的實(shí)施例并不受限于附圖中所示的特定例子，并且 附圖并非按比例繪制，而是在某些情況下為了清楚地描繪所公開的實(shí)施例的特征而可能進(jìn) 行了夸大處理。雖然本說(shuō)明書使用了特定的術(shù)語(yǔ)，但是要理解的是，本文使用的術(shù)語(yǔ)僅用于 說(shuō)明特定的實(shí)施例，并非用于限制本發(fā)明的范圍。
如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)列出項(xiàng)目中的一個(gè)或更多個(gè)的任意組合 和全部組合。將會(huì)理解的是，當(dāng)提到一元件與另一元件“連接”或“耦接”時(shí)，其可以與另一 元件直接連接或耦接，或可能存在中間元件。如本文所使用的，除非上下文有明確指示，否 則單數(shù)形式也包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，本文使用的“包括”在本說(shuō)明書中使用時(shí)指明 至少存在一個(gè)所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但不排除還存在或增加一 個(gè)或更多個(gè)其它的特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組。
下面將參考附圖并通過(guò)示例性實(shí)施例來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可靠性改 善的非易失性存儲(chǔ)器件、其編程方法，以及包括所述非易失性存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的框圖。參照?qǐng)D1，非易 失性存儲(chǔ)器件100包括存儲(chǔ)器單元陣列110、行譯碼器130、數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150以及 控制邏輯170。
存儲(chǔ)器單元陣列110包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元位于位線BLO至 BLn與字線WLO至WLm的交叉區(qū)域。每個(gè)存儲(chǔ)器單元儲(chǔ)存至少一個(gè)比特。例如，每個(gè)存儲(chǔ) 器單元可以儲(chǔ)存一個(gè)比特；這種存儲(chǔ)器單元可以稱為單電平單元(SLC)。在另一實(shí)例中， 每個(gè)存儲(chǔ)器單元可以儲(chǔ)存兩個(gè)或更多個(gè)比特的數(shù)據(jù)；這種存儲(chǔ)器單元可以稱為多電平單元 (MLC)。多電平單元根據(jù)多比特的數(shù)據(jù)而被編程成具有對(duì)應(yīng)于擦除狀態(tài)和多個(gè)編程狀態(tài)中 的任一個(gè)的閾值電壓。
行譯碼器130被配置成響應(yīng)于行地址RADD來(lái)選擇字線WLO至WLm。行譯碼器130 將電壓發(fā)生器171提供的多種字線電壓傳送至選中的字線。例如，在編程操作中，行譯碼 器130將選中字線電壓Vsel (例如，編程電壓)傳送至選中的字線，并且將未選中字線電壓 Vunsel (例如，通過(guò)電壓)傳送至未選中的字線。
數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150被配置成在控制邏輯170的控制下操作。數(shù)據(jù)輸入/輸 出電路150根據(jù)操作模式而作為寫入驅(qū)動(dòng)器或感測(cè)放大器操作。例如，數(shù)據(jù)輸入/輸出電 路150在編程操作中將經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器(未示出)輸入的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存到存儲(chǔ)器單 元陣列110的存儲(chǔ)器單元。在另一實(shí)例中，數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150在讀取操作中經(jīng)由數(shù) 據(jù)輸入/輸出緩沖器(未示出)輸出從存儲(chǔ)器單元陣列110的單元讀取的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)輸入 /輸出電路150可以包括分別連接至位線BLO至BLn的多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出電路。因此，由 各個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150選擇或控制位線BLO至BLn。
控制邏輯170被配置成響應(yīng)于外部器件(例如，存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)器接口或主機(jī) 設(shè)備)所提供的控制信號(hào)CTRL來(lái)控制非易失性存儲(chǔ)器件100的一般操作。例如，控制邏輯 170控制非易失性存儲(chǔ)器件100的讀取、編程(或?qū)懭?以及擦除操作。針對(duì)這樣的操作， 控制邏輯170控制電壓發(fā)生器171以及數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，控制邏輯170執(zhí)行控制操作，使得在編程操作中根據(jù) 選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓而將選中的存儲(chǔ)器單元的被預(yù)充電的位線放電?？刂七壿?170控制編程操作以在編程操作中將編程電壓施加給選中的存儲(chǔ)器單元。另外，控制邏輯 170控制編程驗(yàn)證操作以在施加編程電壓之后驗(yàn)證選中的存儲(chǔ)器單元的編程狀態(tài)。在本發(fā) 明的一個(gè)實(shí)施例中，在施加編程電壓之前根據(jù)選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓而將位線放電 的編程驗(yàn)證操作被定義為前置編程驗(yàn)證操作。另外，在施加編程電壓之后驗(yàn)證選中的存儲(chǔ) 器單元的編程狀態(tài)的編程驗(yàn)證操作被定義為后置編程驗(yàn)證操作。
通過(guò)前置編程驗(yàn)證操作，根據(jù)選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓來(lái)設(shè)定選中的存儲(chǔ)器 單元的位線電壓。因?yàn)檫x中的存儲(chǔ)器單元的位線電壓可以根據(jù)選中的存儲(chǔ)器單元的閾值 電壓分布來(lái)設(shè)定，所以可以控制在選中的存儲(chǔ)器單元的柵極與溝道之間發(fā)生的F-N隧穿效 應(yīng)。因此，選中的存儲(chǔ)器單元可以被編程成具有密集的閾值電壓分布。稍后將參考圖3至 圖6詳細(xì)描述這種前置編程驗(yàn)證操作。
前置編程驗(yàn)證操作、編程操作以及后置編程驗(yàn)證操作形成一個(gè)編程循環(huán)。選中的 存儲(chǔ)器單元通過(guò)多個(gè)編程循環(huán)而被編程到目標(biāo)編程狀態(tài)。每次重復(fù)編程循環(huán)時(shí)，編程電壓 增加一預(yù)設(shè)值。也就是說(shuō)，可以將編程操作執(zhí)行為增量步進(jìn)脈沖編程(ISPP)。
圖2是示例出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的編程方法的流程 圖。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，非易失性存儲(chǔ)器件的編程操作包括位線預(yù)充電操作、前置 編程驗(yàn)證操作、位線設(shè)定操作、編程操作以及后置編程驗(yàn)證操作。下文將參考圖1和圖2詳 細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的編程方法。
首先在步驟SllO中，將選中的存儲(chǔ)器單元的位線預(yù)充電。例如，在控制邏輯170 的控制之下，數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150將選中的存儲(chǔ)器單元的位線預(yù)充電到預(yù)定電壓。
在步驟S120中，對(duì)選中的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行前置編程驗(yàn)證操作。當(dāng)執(zhí)行前置編程驗(yàn) 證操作時(shí)，根據(jù)選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓而將所述選中的存儲(chǔ)器單元的先前已被預(yù)充 電的位線放電。也就是說(shuō)，當(dāng)執(zhí)行前置編程驗(yàn)證操作時(shí)，根據(jù)選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓 來(lái)設(shè)定選中的存儲(chǔ)器單元的位線電壓。例如，選中的存儲(chǔ)器單元的位線電壓被設(shè)定為接地 電壓(即0V)，或設(shè)定為高于接地電壓而低于預(yù)充電電壓(例如電源電壓(Vcc))的電壓。
在步驟S130中，執(zhí)行位線設(shè)定操作。位線設(shè)定操作(步驟S130)包括多個(gè)子步 驟，即步驟S131、步驟S132和步驟S133。根據(jù)要編程到選中的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)來(lái)執(zhí)行位 線設(shè)定操作(步驟S130)。具體地，在步驟S131中，根據(jù)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150 的數(shù)據(jù)鎖存電路中的數(shù)據(jù)所指示的是應(yīng)該執(zhí)行編程還是執(zhí)行編程禁止，來(lái)判定選中的存儲(chǔ) 器單元是否是要編程的存儲(chǔ)器單元。例如，當(dāng)編程數(shù)據(jù)(例如數(shù)據(jù)“O”)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)輸入 /輸出電路150的數(shù)據(jù)鎖存電路中時(shí)，判定選中的存儲(chǔ)器單元是要編程的存儲(chǔ)器單元，并且 進(jìn)程進(jìn)行到步驟S132。相反地，當(dāng)擦除數(shù)據(jù)(例如數(shù)據(jù)“I”)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)輸入/輸出電路 150的數(shù)據(jù)鎖存電路中時(shí)，判定選中的存儲(chǔ)器單元為編程禁止的存儲(chǔ)器單元，并且進(jìn)程進(jìn)行 到步驟S133。
在步驟S132中，選中的存儲(chǔ)器單元的位線被保持在步驟S120中被放電的狀態(tài)。換 言之，在步驟S131中被判定成要編程的存儲(chǔ)器單元的選中的存儲(chǔ)器單元的位線電壓被保 持為由前置編程驗(yàn)證操作所設(shè)定的電壓。這表示，可以根據(jù)選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓 來(lái)控制被判定成要編程的存儲(chǔ)器單元的選中的存儲(chǔ)器單元的位線電壓。因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)控制 位線電壓來(lái)控制選中的存儲(chǔ)器單元的柵極與溝道之間發(fā)生的F-N隧穿，所以選中的存儲(chǔ)器 單元可以被編程成具有密集的閾值電壓分布。
在步驟S133中，根據(jù)儲(chǔ)存在輸入/輸出電路150的數(shù)據(jù)鎖存電路中的數(shù)據(jù)而被判 定成編程禁止存儲(chǔ)器單元的選中的存儲(chǔ)器單元的位線被施加編程禁止電壓，而不管前置編 程驗(yàn)證操作的結(jié)果如何。因?yàn)椴还芮爸镁幊舔?yàn)證操作如何都施加編程禁止電壓，因此省略 步驟S132而執(zhí)行步驟S150。
在步驟S150中，在完成位線設(shè)定操作之后，執(zhí)行將編程電壓提供給選中的存儲(chǔ)器單元的編程操作。例如，將選中字線電壓(即編程電壓)提供給與選中的存儲(chǔ)器單元連接 的字線，借此將選中的存儲(chǔ)器單元編程。此時(shí)，被判定成編程禁止的存儲(chǔ)器單元的選中的存 儲(chǔ)器單元經(jīng)由編程禁止電壓而被禁止編程。
在步驟S160中，執(zhí)行用于在施加編程電壓之后驗(yàn)證選中的存儲(chǔ)器單元的編程狀 態(tài)的后置編程驗(yàn)證操作。如果通過(guò)后置編程驗(yàn)證操作判定選中的存儲(chǔ)器單元的編程已經(jīng)完 成，則完成編程進(jìn)程。然而，如果通過(guò)后置編程驗(yàn)證操作判定選中的存儲(chǔ)器單元的編程尚未 完成，則重復(fù)步驟SllO至S160，直到完成編程。如果判定編程尚未完成并且編程操作已經(jīng) 執(zhí)行預(yù)定的次數(shù)，則異常地終止編程進(jìn)程。
圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)輸入/輸出電路 的框圖。如上所述，非易失性存儲(chǔ)器件100的數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150包括分別與位線BLO 至BLn連接的多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150_0至150_n，因此，由各個(gè)相應(yīng)的數(shù)據(jù)輸入/輸 出電路150_0至150_n來(lái)選擇或控制位線BLO至BLn。
數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150_0至150_n具有相同的配置。因此，為了方便解釋，下文 將僅說(shuō)明一個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150_0。
數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150_0包括預(yù)充電電路151_0、數(shù)據(jù)鎖存電路154_0以及位線 連接電路155_0。雖然圖中未示出，但是可以理解，數(shù)據(jù)輸入/輸出電路150_0還可以包括 放電電路和多個(gè)數(shù)據(jù)鎖存電路。
預(yù)充電電路151_0包括SO節(jié)點(diǎn)預(yù)充電電路152_0以及位線預(yù)充電電路153_0。SO 節(jié)點(diǎn)預(yù)充電電路152_0被配置成將預(yù)充電電路151_0、數(shù)據(jù)鎖存電路154_0、位線連接電路 155_0彼此相連的節(jié)點(diǎn)(例如，SO節(jié)點(diǎn))預(yù)充電。位線預(yù)充電電路153_0被配置成將位線 BLO預(yù)充電。
數(shù)據(jù)鎖存電路154_0被配置成在編程操作中儲(chǔ)存要編程到選中的存儲(chǔ)器單元的 數(shù)據(jù)。另外，數(shù)據(jù)鎖存電路154_0被配置成在讀取操作中根據(jù)選中字線的電壓來(lái)儲(chǔ)存要讀 取的選中的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)。
位線連接電路155_0被配置成在編程操作中根據(jù)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖存電路154_0中的 數(shù)據(jù)來(lái)控制位線。例如，當(dāng)擦除數(shù)據(jù)(例如數(shù)據(jù)“I”)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖存電路154_0中時(shí)，位 線連接電路155_0控制位線，使得施加編程禁止電壓(即對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)“I”的邏輯高狀態(tài)的 電壓)到位線。在另一個(gè)實(shí)例中，當(dāng)編程數(shù)據(jù)(例如數(shù)據(jù)“O”)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖存電路154_0 中時(shí)，位線連接電路155_0控制位線，使得保持經(jīng)由前置編程驗(yàn)證操作被放電的位線的電 壓。換言之，位線連接電路155_0阻斷位線與數(shù)據(jù)鎖存電路154_0的連接，使得存儲(chǔ)器單 元——根據(jù)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖存電路154_0中的數(shù)據(jù)(即數(shù)據(jù)“O”)而被判定成要編程的存儲(chǔ) 器單元——的位線電壓被保持在根據(jù)前置編程驗(yàn)證操作放電的狀態(tài)。
圖4是示例出圖3所示的數(shù)據(jù)輸入/輸出電路的電路圖。圖5是說(shuō)明圖4所示的 數(shù)據(jù)輸入/輸出電路的編程操作的時(shí)序圖。圖6是示出存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布并說(shuō)明 圖4所示的數(shù)據(jù)輸入/輸出電路的編程操作的圖。下文將參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另 一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的編程方法。
參照?qǐng)D4，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，將示出位于位線BL0_e、BL0_o、BLl_e和BL1_0與字線 WLm的交叉區(qū)域處的四個(gè)存儲(chǔ)器單元MCO至MC3。假設(shè)存儲(chǔ)器單元MCO和MC2為編程到第 一編程狀態(tài)P0(參見圖6)的偶數(shù)頁(yè)。此時(shí)，可理解的是，存儲(chǔ)器單元MCl和MC3是被控制成禁止編程的奇數(shù)頁(yè)。假設(shè)存儲(chǔ)器單元MCO和MC2經(jīng)歷至少一次編程操作，并且具備如圖 6所不的閾值電壓分布。
為了對(duì)存儲(chǔ)器單元MCO和MC2執(zhí)行編程操作，執(zhí)行位線預(yù)充電操作。例如，利用邏 輯低狀態(tài)的SELBLE信號(hào)使晶體管NO和NlO關(guān)斷，利用邏輯高狀態(tài)的DISCHE信號(hào)使晶體管 N4和N14導(dǎo)通。在此情況下，利用VIRPWR電壓將位線BL0_e和BLl_e預(yù)充電。同時(shí)，利用 邏輯低狀態(tài)的PBSEN信號(hào)使晶體管N2和N12關(guān)斷。利用邏輯低狀態(tài)的TRAN信號(hào)使晶體管 N3和N13關(guān)斷。利用邏輯低狀態(tài)的PRECH信號(hào)使晶體管PO和PlO導(dǎo)通。在此情況下，利用 電源電壓Vcc的電平將節(jié)點(diǎn)NDl和ND11(即，SO節(jié)點(diǎn))預(yù)充電。
在位線預(yù)充電操作之后，執(zhí)行前置編程驗(yàn)證操作，例如，將選中字線電壓Vsel (例 如驗(yàn)證電壓)施加至選中的字線WLm。施加至選中的字線WLm的選中字線電壓Vsel致使位 線BL0_e和BLl_e根據(jù)各個(gè)存儲(chǔ)器單元MCO和MC2的閾值電壓而被放電。
例如，參照?qǐng)D6，由于存儲(chǔ)器單元MCO具有低于驗(yàn)證電壓Vvfy_P0的閾值電壓，因此 存儲(chǔ)器單元MCO的位線BL0_e被完全放電。結(jié)果，存儲(chǔ)器單元MCO的位線電壓電平V_MC0 變成與接地電壓電平相同的電壓電平。另一方面，因?yàn)榇鎯?chǔ)器單元MC2的閾值電壓接近驗(yàn) 證電壓Vvfy_P0，因此存儲(chǔ)器單元MC2的位線BLl_e略微被放電。結(jié)果存儲(chǔ)器單元MC2的位 線電壓電平V_MC2變成高于接地電壓而低于預(yù)充電電壓的電壓電平。
在根據(jù)存儲(chǔ)器單元MCO和MC2的閾值電壓設(shè)定了存儲(chǔ)器單元MCO和MC2的位線 BL0_e和BLl_e之后，執(zhí)行位線設(shè)定操作。例如，利用邏輯高電平的SELBLE信號(hào)使晶體管 NO和NlO導(dǎo)通。利用邏輯高電平的PRECH信號(hào)使晶體管PO和PlO關(guān)斷。利用邏輯高電平 的TRAN信號(hào)使晶體管N3和N13導(dǎo)通。在此情況下，節(jié)點(diǎn)NDl和NDll的電壓電平——根據(jù) 儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖存電路154_0和154_1中的數(shù)據(jù)而被預(yù)充電了——改變。
詳細(xì)來(lái)說(shuō)，在致使存儲(chǔ)器單元MCO和MC2不被編程的數(shù)據(jù)、即數(shù)據(jù)“ I”儲(chǔ)存在數(shù)據(jù) 鎖存電路154_0和154_1中的情況下，節(jié)點(diǎn)NDl和NDll保持預(yù)充電電平。此時(shí)，由于利用邏 輯高狀態(tài)的BL_C0N信號(hào)而使晶體管N7和N17導(dǎo)通以及利用邏輯高狀態(tài)的節(jié)點(diǎn)NDl和NDll 的電壓而使晶體管N6和N16導(dǎo)通，因此位線BL0_e和BLl_e的電壓電平改變成編程禁止電 壓Vnpc。另一方面，在致使存儲(chǔ)器單元MCO和MC2被編程的數(shù)據(jù)、即數(shù)據(jù)“O”儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)鎖 存電路154_0和154_1中時(shí)，節(jié)點(diǎn)NDl和NDll被放電。此時(shí)，由于利用邏輯高狀態(tài)的BL_ CON信號(hào)而使晶體管N7和N17導(dǎo)通并且利用邏輯低狀態(tài)的節(jié)點(diǎn)NDl和NDll的電壓而使晶 體管N6和N16關(guān)斷，因此位線BL0_e和BLl_e的電壓電平保持在經(jīng)由前置編程操作預(yù)充電 的狀態(tài)。
在完成位線設(shè)定操作之后，執(zhí)行用于將編程電壓提供給存儲(chǔ)器單元MCO和MC2的 編程操作。例如，將選中字線電壓Vsel (例如編程電壓)施加至選中的字線WLm。存儲(chǔ)器單 元MCO和MC2由施加給選中的字線WLm的選中字線電壓Vsel編程。此時(shí)，存儲(chǔ)器單元MCO 的閾值電壓基本上改變了位線電壓電平V_MC0，所述位線電壓電平V_MC0被充電成與接地 電壓電平相同的電壓電平。相反地，存儲(chǔ)器單元MC2的閾值電壓稍微改變了位線電壓電平 V_MC2，所述位線電壓電平V_MC2高于接地電壓而低于預(yù)充電電壓。即，經(jīng)由前置編程驗(yàn)證 操作根據(jù)存儲(chǔ)器單元MCO和MC2各自的閾值電壓而不同地設(shè)定存儲(chǔ)器單元MCO和MC2的位 線電壓；因此，可以控制存儲(chǔ)器單元MCO和MC2的柵極與溝道之間發(fā)生的F-N隧穿效應(yīng)。根 據(jù)這一事實(shí)，存儲(chǔ)器單元MCO和MC2可以被編程成具有密集的閾值電壓分布。
雖然圖5未示出，但是可以理解，可以在對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行編程操作之后，執(zhí)行后 置編程驗(yàn)證操作。
圖7是示例出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括非易失性存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)處理系 統(tǒng)的框圖。
參照?qǐng)D7，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)1000包括數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器件1100以及主機(jī)設(shè)備1500。數(shù)據(jù)儲(chǔ) 存器件1100可以是固態(tài)硬盤(SSD，solid state drive ;固態(tài)驅(qū)動(dòng)器)。SSD 1100包括SSD 控制器1200、緩沖存儲(chǔ)設(shè)備1300以及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)1400。根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的SSD 1100還可以包括臨時(shí)電源電路,所述臨時(shí)電源電路包括超級(jí)電容器(super capacitor)。這 種臨時(shí)電源電路可以供電，使得在電源突然中斷時(shí)SSD 1100也可以正常終止。
SSD 1100響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)設(shè)備1500的存取請(qǐng)求來(lái)操作。也就是說(shuō)，SSD控制器 1200被配置成響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)設(shè)備1500的存取請(qǐng)求而對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)1400進(jìn)行存取。例 如，SSD控制器1200被配置成控制用于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)1400的讀取、編程以及擦除操作。緩 沖存儲(chǔ)設(shè)備1300被配置成暫時(shí)儲(chǔ)存要儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)1400中的數(shù)據(jù)。此外，緩沖存 儲(chǔ)設(shè)備1300也可以被配置成暫時(shí)儲(chǔ)存要從數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)1400讀取的數(shù)據(jù)。儲(chǔ)存在緩沖存 儲(chǔ)設(shè)備1300中的數(shù)據(jù)在SSD控制器1200的控制之下被傳送至數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)1400或主機(jī) 設(shè)備1500。
SSD控制器1200經(jīng)由多個(gè)通道CHO至CHk與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)1400連接。多個(gè)非易 失性存儲(chǔ)器件NVMOO至NVMOi NVMkO至NVMki與各個(gè)通道CHO至CHk連接。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介 質(zhì)1400是利用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件(參見圖1的附圖標(biāo)記100) 來(lái)配置的。因此，可以改善SSD 1100的數(shù)據(jù)可靠性。
圖8是示例出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括非易失性存儲(chǔ)器件的另一個(gè)數(shù)據(jù) 處理系統(tǒng)的框圖。
參照?qǐng)D8，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)2000包括主機(jī)設(shè)備2100以及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備2150。數(shù)據(jù) 儲(chǔ)存設(shè)備2150包括控制器2200和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備2150可以包括由多 個(gè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)所構(gòu)成的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900。
控制器2200與主機(jī)設(shè)備2100以及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900連接?？刂破?200被配置 為響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)設(shè)備2100的請(qǐng)求而對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900進(jìn)行存取。例如，控制器2200 被配置成控制數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900的讀取、編程以及擦除操作。控制器2200被配置成提供 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900與主機(jī)設(shè)備2100之間的接口。控制器2200被配置成驅(qū)動(dòng)用于控制數(shù) 據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900的固件(firmware)。
控制器2200可以包括本領(lǐng)域熟知的組成元件，諸如主機(jī)接口 2300、中央處理單元 2400、存儲(chǔ)器接口 2500、RAM 2600以及糾錯(cuò)碼單元2700。RAM 2600可以用作中央處理單元 2400的工作存儲(chǔ)器。中央處理單元2400控制控制器2200的一般操作。
主機(jī)接口 2300可以包括用于執(zhí)行主機(jī)設(shè)備2100與控制器2200之間的數(shù)據(jù)交換 的協(xié)議。例如，主機(jī)接口 2300可以被配置成經(jīng)由各種接口協(xié)議中的一種而與主機(jī)設(shè)備2100 通信，所述各種接口協(xié)議諸如USB(通用串行總線)通信協(xié)議、MMC(多媒體卡)協(xié)議、PCI(夕卜 圍部件互連)協(xié)議、PC1-E (PC1-express)協(xié)議、ATA(高級(jí)技術(shù)附加裝置)協(xié)議、SATA(串 行ATA)協(xié)議、SCSI (小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口)協(xié)議、ESDI (增強(qiáng)型小型驅(qū)動(dòng)器接口)協(xié)議以及 IDE (電子集成驅(qū)動(dòng)器)協(xié)議。
糾錯(cuò)碼單元2700可以被配置成檢測(cè)和糾正從數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。存儲(chǔ)器接口 2500可以作為數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900與控制器2200的接口。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì) 2900是利用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件(參見圖1的附圖標(biāo)記100)構(gòu)成的。因此，可以改善數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備2150的數(shù)據(jù)可靠性。
控制器2200和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900可以集成為一個(gè)半導(dǎo)體器件，并且可以構(gòu)成存儲(chǔ)卡。例如，控制器2200和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900可以集成為一個(gè)半導(dǎo)體器件并且可以構(gòu)成 PCMCIA(個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)卡國(guó)際協(xié)會(huì))卡、CF(緊湊型快閃)卡、智能媒體卡(smart media card)、記憶棒、多媒體卡(MMC、RS-MMC, MMC-micro)、SD (安全數(shù)字)卡(SD、Min1-SD, Micro-SD, SDHC)、UFS(通用快閃儲(chǔ)存)卡等。
在另一個(gè)實(shí)例中，控制器2200或數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900可以安裝成各種封裝。例如， 控制器2200或數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)2900可以封裝和安裝成POP (封裝上封裝)、球柵陣列(BGA)、 芯片級(jí)封裝(CSP, chip scale package)、塑料引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝 (ΗΠΡ)、華夫包式(waffle pack)裸片、晶片形式裸片、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外型IC(SOIC)、 緊縮小外型封裝(SSOP)、薄型小外型封裝(TS OP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、系統(tǒng)級(jí)封裝 (SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級(jí)制造封裝(WFP)、晶片級(jí)處理層疊封裝(WSP)等。
圖9是示例出安裝有圖7所示的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖。
參照?qǐng)D9，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000包括與系統(tǒng)總線3700電連接的網(wǎng)絡(luò)適配器3100、中央處理單元3200、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備3300、RAM 3400, ROM 3500以及用戶接口 3600。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備3300可以包括圖7所示的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備1100。另外，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備3300可以包括圖8所示的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)2000的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備2150。
網(wǎng)絡(luò)適配器3100提供計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000與外部網(wǎng)絡(luò)之間的接口。中央處理單元 3200執(zhí)行用于驅(qū)動(dòng)駐留在RAM 3400中的操作系統(tǒng)或應(yīng)用程序的一般算數(shù)運(yùn)算。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器件3300儲(chǔ)存計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000中需要的所有數(shù)據(jù)。例如，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備3300儲(chǔ)存驅(qū)動(dòng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000所需的操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、各種程序模塊、程序數(shù)據(jù)以及用戶數(shù)據(jù)。
RAM 3400可以用作計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000的工作存儲(chǔ)器。開機(jī)時(shí)，將用于驅(qū)動(dòng)從數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備3300讀取的程序所需的操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、各種程序模塊、以及程序數(shù)據(jù)加載在 RAM 3400上。在開機(jī)驅(qū)動(dòng)操作系統(tǒng)之前被激活的、作為基本輸入/輸出系統(tǒng)的BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng))儲(chǔ)存在ROM 3500中。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000與用戶之間的信息交換通過(guò)用戶接口 3600來(lái)實(shí)現(xiàn)。
此外，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000還可以包括電池和調(diào)制解調(diào)器。另外，雖然圖中未示出，但根據(jù)本發(fā)明的所述實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)還可以提供有應(yīng)用芯片組、相機(jī)圖像處理器(CIS) 以及移動(dòng)DRAM。
根據(jù)本發(fā)明的所述實(shí)施例，可以將非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元編程成具有密集的閾值電壓分布。
雖然上面已經(jīng)說(shuō)明了特定的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解所描述的實(shí)施例僅僅是示例性的。因此，本文所述的可靠性改善的非易失性存儲(chǔ)器件及其編程方法、以及包括所述非易失性存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)不應(yīng)限于所描述的實(shí)施例。確切地說(shuō)，本文所述的可靠性改善的非易失性存儲(chǔ)器件及其編程方法、以及包括所述非易失性存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)僅僅根據(jù)所附權(quán)利要求并結(jié)合上述說(shuō)明書和附圖來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲(chǔ)器件的編程方法，包括前置編程驗(yàn)證步驟，所述前置編程驗(yàn)證步驟用于驗(yàn)證選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓；根據(jù)經(jīng)由所述前置編程驗(yàn)證步驟判定的所述選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓來(lái)設(shè)定所述選中的存儲(chǔ)器單元的位線電壓的步驟；將編程電壓施加至以所述位線電壓設(shè)定的所述選中的存儲(chǔ)器單元的步驟；以及后置編程驗(yàn)證步驟，所述后置編程驗(yàn)證步驟用于驗(yàn)證被施加所述編程電壓的所述選中的存儲(chǔ)器單元的編程狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中，在所述前置編程驗(yàn)證步驟之前，所述方法還包括將所述選中的存儲(chǔ)器單元的位線預(yù)充電的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的編程方法，其中，所述前置編程驗(yàn)證步驟包括根據(jù)所述選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓而將所述選中的存儲(chǔ)器單元的被預(yù)充電的位線放電的步驟。
4.如權(quán)利要求3所述的編程方法，其中，在施加所述編程電壓的步驟期間，保持被放電的所述選中的存儲(chǔ)器單元的位線電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的編程方法，其中，所述前置編程驗(yàn)證步驟、設(shè)定位線電壓的步驟、施加編程電壓的步驟、以及所述后置編程驗(yàn)證步驟構(gòu)成一個(gè)編程循環(huán)，以及其中，通過(guò)重復(fù)所述編程循環(huán)來(lái)對(duì)所述選中的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程。
6.—種非易失性存儲(chǔ)器件,包括存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元與位線連接；以及數(shù)據(jù)輸入/輸出電路，所述數(shù)據(jù)輸入/輸出電路被配置成在編程操作中，將所述存儲(chǔ)器單元的所述位線預(yù)充電、根據(jù)所述存儲(chǔ)器單元的閾值電壓將被預(yù)充電的所述位線放電、以及根據(jù)要儲(chǔ)存在所述存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)而保持被放電的所述位線的電壓或施加編程禁止電壓給所述位線。
7.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述數(shù)據(jù)輸入/輸出電路包括預(yù)充電電路，所述預(yù)充電電路被配置成將所述位線預(yù)充電；數(shù)據(jù)鎖存電路，所述數(shù)據(jù)鎖存電路被配置成暫時(shí)儲(chǔ)存要儲(chǔ)存在所述存儲(chǔ)器單元中的所述數(shù)據(jù)；以及位線連接電路，所述位線連接電路被配置成在所述編程操作中根據(jù)被儲(chǔ)存在所述數(shù)據(jù)鎖存電路中的數(shù)據(jù)來(lái)控制所述位線與所述數(shù)據(jù)鎖存電路的連接。
8.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，在編程數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在所述數(shù)據(jù)鎖存電路中的情況下，所述位線連接電路被配置成阻斷所述位線與所述數(shù)據(jù)鎖存電路的連接，使得保持被放電的所述位線的電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，根據(jù)所述存儲(chǔ)器單元的閾值電壓，所述位線的電壓被保持為接地電壓、或高于所述接地電壓而低于所述編程禁止電壓的電壓。
10.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，在擦除數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在所述數(shù)據(jù)鎖存電路中的情況下，所述位線連接電路被配置成允許所述位線與所述數(shù)據(jù)鎖存電路的連接。
11.如權(quán)利要求10所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，當(dāng)所述位線與所述數(shù)據(jù)鎖存電路彼此連接時(shí)，所述位線的電壓被保持為所述編程禁止電壓。
12.—種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，包括 非易失性存儲(chǔ)器件；以及 控制器，所述控制器被配置成控制所述非易失性存儲(chǔ)器件， 其中，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括； 存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括位于字線與位線彼此相交叉的區(qū)域處的存儲(chǔ)器單元； 控制邏輯，所述控制邏輯被配置成控制所述存儲(chǔ)器單元的編程操作和讀取操作；以及 數(shù)據(jù)輸入/輸出電路，所述數(shù)據(jù)輸入/輸出電路被配置成在所述編程操作中，在所述控制邏輯的控制之下將所述存儲(chǔ)器單元的位線預(yù)充電、根據(jù)所述存儲(chǔ)器單元的閾值電壓將被預(yù)充電的所述位線放電、以及根據(jù)要儲(chǔ)存在所述存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)而保持被放電的所述位線的電壓或施加編程禁止電壓給所述位線。
13.如權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述數(shù)據(jù)輸入/輸出電路包括 預(yù)充電電路，所述預(yù)充電電路被配置成將所述位線預(yù)充電； 數(shù)據(jù)鎖存電路，所述數(shù)據(jù)鎖存電路被配置成暫時(shí)儲(chǔ)存要儲(chǔ)存在所述存儲(chǔ)器單元中的所述數(shù)據(jù)；以及 位線連接電路，所述位線連接電路被配置成在所述編程操作中，根據(jù)儲(chǔ)存在所述數(shù)據(jù)鎖存電路中的所述數(shù)據(jù)來(lái)控制所述位線與所述數(shù)據(jù)鎖存電路的連接。
14.如權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，在編程數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在所述數(shù)據(jù)鎖存電路中的情況下，所述位線連接電路被配置成阻斷所述位線與所述數(shù)據(jù)鎖存電路的連接，使得保持被放電的所述位線的電壓。
15.如權(quán)利要求14所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，根據(jù)所述存儲(chǔ)器單元的閾值電壓，所述位線的電壓被保持為接地電壓、或高于所述接地電壓而低于所述編程禁止電壓的電壓。
16.如權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，在擦除數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在所述數(shù)據(jù)鎖存電路中的情況下，所述位線連接電路被配置成允許所述位線與所述數(shù)據(jù)鎖存電路的連接。
17.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，當(dāng)所述位線與所述數(shù)據(jù)鎖存電路彼此連接時(shí)，所述位線的電壓被保持為所述編程禁止電壓。
18.如權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲(chǔ)器件和所述控制器包括存儲(chǔ)卡。
19.如權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲(chǔ)器件和所述控制器包括固態(tài)硬盤SSD。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種非易失性存儲(chǔ)器件的編程方法，包括前置編程驗(yàn)證步驟，用于驗(yàn)證選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓；根據(jù)經(jīng)由所述前置編程驗(yàn)證步驟判定的選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓而設(shè)定選中的存儲(chǔ)器單元的位線電壓的步驟；將編程電壓施加至以所述位線電壓設(shè)定的選中的存儲(chǔ)器單元的步驟；以及后置編程驗(yàn)證，用于驗(yàn)證被施加編程電壓的選中的存儲(chǔ)器單元的編程狀態(tài)。
文檔編號(hào)G11C16/34GK103021463SQ20121005296
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月26日
發(fā)明者具喆熙, 金昞寧 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司