專利名稱：存儲(chǔ)器及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種存儲(chǔ)器及其操作方法。
背景技術(shù)：
隨著存儲(chǔ)技術(shù)的不斷發(fā)展，目前發(fā)展出了眾多類型的存儲(chǔ)器，如RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)、R0M(只讀存儲(chǔ)器)、EPR0M(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)、 FLASH(閃存)等等。大多數(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括多種類型的電路，例如存儲(chǔ)電路和外圍電路。典型的閃存包括存儲(chǔ)單元陣列，這些存儲(chǔ)單元陣列具有很多排列成塊的存儲(chǔ)單元。每個(gè)存儲(chǔ)單元被制造成具有控制柵和浮柵的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。浮柵用于保留電荷，并且通過(guò)薄氧化層與包含在襯底中的源極和漏極區(qū)域分離。這種存儲(chǔ)單元能夠執(zhí)行各種操作，包括編程、讀取、擦除等。例如，將電子從漏區(qū)域穿過(guò)氧化層射入到浮柵上，使存儲(chǔ)單元電性充電。在擦除操作中， 利用現(xiàn)有方法將電子穿過(guò)氧化層隧穿到柵極，從而將電荷從浮柵中移除。由此，存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)由浮柵上是否存在電荷決定。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖1，所述存儲(chǔ)器件包括兩個(gè)存儲(chǔ)單元Ml和M2，形成于P型半導(dǎo)體襯底100上；所述半導(dǎo)體襯底100中形成有N型的第一擴(kuò)散區(qū)120和第二擴(kuò)散區(qū)130，所述第一擴(kuò)散區(qū)120是由兩個(gè)存儲(chǔ)單元Ml和M2共用的公共源極區(qū)，第二擴(kuò)散區(qū)130是漏極區(qū)；所述存儲(chǔ)單元Ml和M2相對(duì)于第一擴(kuò)散區(qū)120 (即公共源極區(qū))具有鏡像結(jié)構(gòu)。具體地，每個(gè)存儲(chǔ)單元Ml、M2分別包括位于所述第一擴(kuò)散區(qū)120和第二擴(kuò)散區(qū) 130之間的溝道區(qū)140、浮柵150、控制柵160、柵極絕緣層170、形成于浮柵150上的多氧化物層180以及絕緣氧化層190。其中，浮柵150為電隔離的柵電極，位于所述第一擴(kuò)散區(qū)120和第二擴(kuò)散區(qū)130之間的半導(dǎo)體襯底100上，并且所述浮柵150的第一側(cè)與所述第一擴(kuò)散區(qū)120部分重疊；控制柵160，位于所述浮柵150的第二側(cè)與所述第二擴(kuò)散區(qū)130之間的半導(dǎo)體襯底100上；絕緣氧化層190，位于所述控制柵160與所述浮柵150的第二側(cè)之間并覆蓋所述浮柵150的一個(gè)側(cè)壁和溝道區(qū)140的一部分；柵極絕緣層170，位于所述浮柵150與半導(dǎo)體襯底100之間以使得所述浮柵150、控制柵160與半導(dǎo)體襯底100絕緣；多氧化物層180通過(guò)硅的局部氧化 (LOCOS)工藝形成于浮柵150上。在一種常規(guī)設(shè)計(jì)中，每個(gè)控制柵160均是沿行方向(如圖1所示的A-A'方向)延伸的字線(WL，圖1中未示出)且沿著行共同連接到每個(gè)存儲(chǔ)單元。層間介質(zhì)層110形成于存儲(chǔ)單元Ml和M2的上方。公共源極線220通過(guò)接觸栓塞210連接至第一擴(kuò)散區(qū)120 (公共源極區(qū))，所述公共源極線220沿著與控制柵160(即字線)相同的方向延伸。第二擴(kuò)散區(qū)130(漏極區(qū))上形成有連接節(jié)點(diǎn)(圖1中未示出)，所述連接節(jié)點(diǎn)通過(guò)位線BL連接，且沿列方向(如圖1中所示的B-B'方向)延伸。在圖1所示的存儲(chǔ)器件結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)單元Ml、M2中的兩個(gè)連接節(jié)點(diǎn)共同連接至同一條位線BL，從而使得存儲(chǔ)單元Ml、M2共用同一條位線。在這種結(jié)構(gòu)中，利用分開(kāi)的字線對(duì)存儲(chǔ)單元Ml和M2分別進(jìn)行編程操作。這使得與被編程(選中)子存儲(chǔ)單元相同列/相同行/對(duì)角位置的其他子存儲(chǔ)單元容易產(chǎn)生串?dāng)_。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種存儲(chǔ)器，以有效地降低存儲(chǔ)單元在編程操作時(shí)的串?dāng)_。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器包括包含多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列，所述多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元分別包括兩個(gè)子存儲(chǔ)單元，各個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，并且各條位線的電性獨(dú)立。可選地，共源極存儲(chǔ)單元的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元共用一條字線。可選地，在存儲(chǔ)單元陣列的列方向上相鄰的共源極存儲(chǔ)單元中相鄰的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元之間共用一條位線?？蛇x地，在存儲(chǔ)單元陣列的行方向上相鄰的兩列共源極存儲(chǔ)單元與位線的連接方式呈鏡像對(duì)稱?？蛇x地，在存儲(chǔ)單元陣列的行方向上相鄰的兩列共源極存儲(chǔ)單元與位線的連接方式相同?？蛇x地，所述存儲(chǔ)器還包括多條共源極線，所述多條共源極線均相互電連接。可選的，所述存儲(chǔ)器還包括多條共源極線，共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元共用一條共源極線，且所述多條共源極線之間電性獨(dú)立?？蛇x地，所述存儲(chǔ)器包括多晶硅存儲(chǔ)器、SONOS存儲(chǔ)器或納米晶體存儲(chǔ)器。本發(fā)明還提供一種存儲(chǔ)器的操作方法，所述存儲(chǔ)器的操作方法包括在共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元的字線上施加字線電壓、在共源極線上施加共源極線電壓，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流，其中，共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)兩條字線和兩條位線，并且所述兩條字線與兩條位線均電性獨(dú)立?？蛇x地，在對(duì)共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元中的其中一個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)，在另一個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加電源電壓?？蛇x地，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流包括在對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行編程操作時(shí)，同時(shí)在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相同的位線電壓或相同的位線電流?？蛇x地，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流包括在所述共源極的子存儲(chǔ)單元的位線上同時(shí)施加相同的讀取電壓或讀取電流，以使得所述共源極的子存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)被同時(shí)讀出。本發(fā)明還提供了另一種存儲(chǔ)器的操作方法，所述存儲(chǔ)器的操作方法包括在共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的字線上施加字線電壓、在共源極線上施加共源極線電壓，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流，其中，共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)兩條位線，并且所述兩條位線的電性獨(dú)立；所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的字線相連?？蛇x地，在對(duì)共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元中的其中一個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)，在另一個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加電源電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明存儲(chǔ)器中的各個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，并且各條位線的電性獨(dú)立。從而可以同時(shí)對(duì)共用一條共源極線的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取或編程操作；并且在這種結(jié)構(gòu)中，在對(duì)共源極存儲(chǔ)單元的其中一個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)，可以在另一個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加電源電壓， 以避免相鄰子存儲(chǔ)單元之間的串?dāng)_。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明存儲(chǔ)器的一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明存儲(chǔ)器的另一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式由前述分析可知，現(xiàn)有技術(shù)存儲(chǔ)器中共源極的兩個(gè)存儲(chǔ)單元利用分開(kāi)的字線對(duì)存儲(chǔ)單元Ml和M2分別進(jìn)行編程操作，在這種結(jié)構(gòu)中，在對(duì)其中一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程時(shí)，另一個(gè)存儲(chǔ)單元會(huì)由于位線上被施加同一位線電壓或位線電流，而產(chǎn)生串?dāng)_。而本發(fā)明存儲(chǔ)器中共源極的各個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，并且各條位線的電性獨(dú)立，在這種結(jié)構(gòu)中，可以利用分開(kāi)的位線分別對(duì)共源極的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程或者讀取操作，并且在對(duì)共源極的一個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程時(shí)，可以在另一個(gè)子存儲(chǔ)單元的位線上施加電源電壓，從而可以避免這兩個(gè)子存儲(chǔ)單元之間的串?dāng)_。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。實(shí)施例一圖2示出了本發(fā)明存儲(chǔ)器的一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。參考圖2，存儲(chǔ)器包括包含多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列，所述多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元分別包括兩個(gè)子存儲(chǔ)單元， 各個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，并且各條位線的電性獨(dú)立。具體地，如圖2所示，共源極存儲(chǔ)單元10包括子存儲(chǔ)單元101和子存儲(chǔ)單元102， 所述子存儲(chǔ)單元101對(duì)應(yīng)位線BL11，子存儲(chǔ)單元102對(duì)應(yīng)位線BL12。各個(gè)子存儲(chǔ)單元與其相對(duì)應(yīng)的位線之間分別通過(guò)連接節(jié)點(diǎn)20實(shí)現(xiàn)電連接。并且，在本實(shí)施例中，各位線(BL11 BL18)之間的電性獨(dú)立。繼續(xù)參考圖2，在本實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器還包括多條字線(WL11 WL16)和多條共源極線(CS11、CS12、CS13)。各條字線(WL11 札16)以及各條共源極線(CS11、CS12、 CS13)分別在存儲(chǔ)單元陣列中自成一行，也就是圖2中所示的X方向。其中，所述共源極線(CSll、CS12、CSi;3)可以均實(shí)現(xiàn)電連接，也可以如圖2所示的僅在一對(duì)共源極的子存儲(chǔ)單元之間共用，其不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。另外，在本實(shí)施例中，共源極的一對(duì)字線(例如，Wll與W12)相連，也就是說(shuō)共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元(例如，子存儲(chǔ)單元101和子存儲(chǔ)單元102)可以共用一條字線。這樣， 在對(duì)共源極的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)，可以同時(shí)對(duì)該共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元施加共字線電壓。從而消除與被編程(選中)子存儲(chǔ)單元相同列、相同行或者對(duì)角位置的其他子存儲(chǔ)單元在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中容易產(chǎn)生的串?dāng)_。當(dāng)然，在另一實(shí)施例中，也可以由非共源極存儲(chǔ)單元的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元共用電連接的同一條字線，例如，參考圖2，也可以將字線WL12與字線WL13連接，從而使得非共源極的子存儲(chǔ)單元102與子存儲(chǔ)單元111共用一條字線。以上，僅對(duì)字線的設(shè)置做了舉例說(shuō)明，其不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，在其他實(shí)施例中，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以對(duì)存儲(chǔ)單元陣列中的字線做其他的設(shè)置，其均應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。例如，參考圖2，所述存儲(chǔ)器的各條字線(WL11 WL16)分別電性獨(dú)立，均不相互電連接。在本實(shí)施例中，所述共源極線(CS11、CS12、CS13)分別僅在一對(duì)共源極的子存儲(chǔ)單元之間共用，例如，共源極線CSll僅在共源極的子存儲(chǔ)單元101和子存儲(chǔ)單元102之間共用，并且所述共源極線(CS11、CS12、CS13)之間電性獨(dú)立，也就是說(shuō)，共源極線(CS11、 CS12.CS13)相不連接。在這種結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)器的共源極存儲(chǔ)單元在行方向上即X方向上共用同一條共源極線，如圖2所示，共源極存儲(chǔ)單元10和共源極存儲(chǔ)單元12是位于存儲(chǔ)單元陣列中行方向上的兩個(gè)相鄰的共源極存儲(chǔ)單元，這兩個(gè)共源極存儲(chǔ)單元共用同一條共源極線CS11。在這種結(jié)構(gòu)中，可以有效地避免其對(duì)其他行的存儲(chǔ)單元的干擾。在本實(shí)施例中，可以同時(shí)對(duì)共源極存儲(chǔ)單元10中的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元101和102同時(shí)進(jìn)行編程或讀取操作。作為一個(gè)具體地例子，在編程操作時(shí)，可以在共源極線CSll上施加一源極電壓， 例如9V ；在字線WLll和WL12上同時(shí)施加一定的字線電壓，例如1. 5V ；在位線BLll和BL12 上同時(shí)施加一定的位線電壓，例如0. 5V。在這樣的條件下就可以同時(shí)對(duì)子存儲(chǔ)單元101和 102中寫入相同的數(shù)據(jù)。作為另一個(gè)具體的例子，在讀取操作時(shí)，可以在共源極線CSll上施加一 OV電壓； 在字線WJl和札12上同時(shí)施加一定的字線電壓，例如1. 8V ；在位線BLll和BL12上同時(shí)施加一定的位線電壓，例如0. 8V。在這樣的條件下就可以同時(shí)將子存儲(chǔ)單元101和102中數(shù)據(jù)正確讀出。需要說(shuō)明的是，在對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程或者讀取操作時(shí)，也可以其他對(duì)應(yīng)的位線上施加相應(yīng)的位線電流，而不僅僅限于上述舉例中施加的位線電壓。此對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故在此不再贅述。另外，在本實(shí)施例的存儲(chǔ)器中，為了避免編程操作過(guò)程中，對(duì)其他不需要編程操作的子存儲(chǔ)單元的串?dāng)_，可以在不需要編程操作的子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加一定的高壓。作為一個(gè)具體的例子，假定需要對(duì)子存儲(chǔ)單元101進(jìn)行編程操作，而子存儲(chǔ)單元 102為不需要進(jìn)行編程的子存儲(chǔ)單元。這時(shí)，需要在子存儲(chǔ)單元101的字線WLll上施加一定的字線電壓，例如1. 5V，以選中子存儲(chǔ)單元101 ；在共源極線CSll上施加共源極電壓，例如9V ；在子存儲(chǔ)單元101對(duì)應(yīng)的位線BLll上施加一位線電壓，例如0. 8V。由于本實(shí)施例中字線WLll和WL12相互連接，所以子存儲(chǔ)單元102的字線WL12上也被施加了字線電壓，也就是說(shuō)此時(shí)字線WL12上的電壓也為1. 5V ；這時(shí)，可以在子存儲(chǔ)單元102對(duì)應(yīng)的位線BL12上施加一電源電壓，例如，3V。這樣，可以使得子存儲(chǔ)單元102的字線電壓與位線電壓的差值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于子存儲(chǔ)單元102的閾值電壓，從而可以有效地避免編程操作時(shí)的串?dāng)_。在現(xiàn)有技術(shù)中兩個(gè)子存儲(chǔ)單元共用一條位線，這樣在對(duì)其中一個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)，另一個(gè)不進(jìn)行編程操作的子存儲(chǔ)單元可能會(huì)受到一定的干擾，從而使得該不進(jìn)行編程操作的子存儲(chǔ)單元受到串?dāng)_，從而影響了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的正確率；而在本發(fā)明中，由于子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，并且各位線的電性獨(dú)立，從而就有效地避免了與其相鄰的子存儲(chǔ)單元的位線上的電壓或電流的干擾。在本實(shí)施例中，在存儲(chǔ)單元陣列的列方向上，即圖2所示的Y方向上，相鄰的共源極存儲(chǔ)單元中相鄰的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元之間共用一條位線。具體地，參考圖2所示，共源極存儲(chǔ)單元10和共源極存儲(chǔ)單元11在存儲(chǔ)單元陣列的列方向上相鄰。共源極存儲(chǔ)單元10中的子存儲(chǔ)單元102與共源極存儲(chǔ)單元11中的子存儲(chǔ)單元111相鄰，并且在本實(shí)施例中，所述子存儲(chǔ)單元102與子存儲(chǔ)單元111共用一條位線BLl 1。并且，在本實(shí)施例中，該種結(jié)構(gòu)的共源極存儲(chǔ)單元在列方向上平行延伸。當(dāng)然，本實(shí)施例中在存儲(chǔ)單元列方向上對(duì)于位線的設(shè)置方式并不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，在其他實(shí)施例中，也可以在存儲(chǔ)單元列方向上對(duì)位線做其他不同的設(shè)置。另外，在本實(shí)施例中，在存儲(chǔ)單元陣列的行方向上，即圖2所示的X方向上，相鄰的兩列共源極存儲(chǔ)單元與位線的連接方式相同。參考圖2所示，共源極存儲(chǔ)單元10和共源極存儲(chǔ)單元12在存儲(chǔ)單元陣列的行方向上相鄰且其與各自位線的連接方式相同。更具體地， 共源極存儲(chǔ)單元10中兩個(gè)連接節(jié)點(diǎn)的位置與共源極存儲(chǔ)單元12中兩個(gè)連接節(jié)點(diǎn)的位置相同，換句話說(shuō)，共源極存儲(chǔ)單元12中的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元121和122的結(jié)構(gòu)可以通過(guò)共源極存儲(chǔ)單元10中的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元101和102的平行延伸實(shí)現(xiàn)。在本實(shí)施例中，該種結(jié)構(gòu)的共源極存儲(chǔ)單元在行方向上平行延伸。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，也可以在存儲(chǔ)單元陣列的行方向上對(duì)共源極存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)做其他的變形，其不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例的存儲(chǔ)器可以為多晶硅存儲(chǔ)器、SONOS(Silicon-Oxid e-Nitride-Oxide-Silicon,硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)存儲(chǔ)器或者納米晶體 (Nano-crystal)存儲(chǔ)器等。存儲(chǔ)器的類型以及材質(zhì)等均不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。在本實(shí)施例中，通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元行方向以及列方向上的共源極存儲(chǔ)單元設(shè)置后， 可以有效地減少位線的數(shù)量，從而可以縮小存儲(chǔ)器的尺寸。實(shí)施例二參考圖3所示，所述存儲(chǔ)器包括包含多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列，所述多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元分別包括兩個(gè)子存儲(chǔ)單元，各個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，并且各條位線的電性獨(dú)立。具體地，如圖3所示，共源極存儲(chǔ)單元21包括子存單元211和子存儲(chǔ)單元212，所述子存儲(chǔ)單元211對(duì)應(yīng)位線BL21，子存儲(chǔ)單元212對(duì)應(yīng)位線BL22。各個(gè)子存儲(chǔ)單元與其相對(duì)應(yīng)的位線之間分別通過(guò)連接節(jié)點(diǎn)20實(shí)現(xiàn)電連接。并且，在本實(shí)施例中，各位線(BL21 BL28)之間的電性獨(dú)立，也就是說(shuō)，各條位線(BL21 BL28)之間不相互電連接。繼續(xù)參考圖3，在本實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器還包括多條字線(WL21 WL26)和多條共源極線(CS21、CS22、CS23)。各條字線(WL21 札沈)以及各條共源極線(CS21、CS22、 CS23)分別在存儲(chǔ)單元陣列中自成一行，也就是圖3中所示的X方向。其中，所述共源極線(CS21、CS22、CS23)以及各條字線(WL21 的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一中的共源極線(CS11、CS12、CS13)以及各條字線(WL11 WL16)的結(jié)構(gòu)相類似，故在此不再贅述。本實(shí)施例的存儲(chǔ)器中，在存儲(chǔ)單元陣列的列方向(即圖3所示的Y方向)上相鄰的共源極存儲(chǔ)單元中相鄰的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元共用一條位線。具體地，參考圖3所示，共源極存儲(chǔ)單元21和共源極存儲(chǔ)單元22是位于存儲(chǔ)單元陣列的列方向上的一對(duì)相鄰的存儲(chǔ)單元，其中共源極存儲(chǔ)單元21包括子存儲(chǔ)單元211和子存儲(chǔ)單元212，共源極存儲(chǔ)單元22包括子存儲(chǔ)單元221和子存儲(chǔ)單元222，并且所述子存儲(chǔ)存儲(chǔ)單元212和子存儲(chǔ)單元221相鄰。在本實(shí)施例中，所述子存儲(chǔ)單元212和子存儲(chǔ)單元 221即共用一條位線BL22。在本實(shí)施例中，這種結(jié)構(gòu)的共源極存儲(chǔ)單元在列方向上平行延伸。另外，在本實(shí)施例中，在存儲(chǔ)單元陣列的行方向(圖3所示的X方向)上，相鄰的兩列共源極存儲(chǔ)單元與位線的連接方式呈鏡像對(duì)稱。參考圖3所示，共源極存儲(chǔ)單元22和共源極存儲(chǔ)單元23在存儲(chǔ)單元陣列的行方向上相鄰，且其與各自位線的連接方式呈鏡像對(duì)稱。更具體地，共源極存儲(chǔ)單元22中兩個(gè)連接節(jié)點(diǎn)的位置與共源極存儲(chǔ)單元23中兩個(gè)連接節(jié)點(diǎn)的位置呈鏡像對(duì)稱結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，該種結(jié)構(gòu)的共源極存儲(chǔ)單元在行方向上平行延伸。本實(shí)施例存儲(chǔ)器的其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一中存儲(chǔ)器的相應(yīng)結(jié)構(gòu)相類似，故在此不再贅述。本實(shí)施例中共源極存儲(chǔ)單元的各個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，且各條位線的電性獨(dú)立。因此，本實(shí)施例的存儲(chǔ)器也可以有效地避免在編程操作時(shí)，各相鄰子存儲(chǔ)單元之間的串?dāng)_。另外，在存儲(chǔ)單元列方向上的共源極存儲(chǔ)單元中相鄰的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元共用一條位線，從而也減少了位線的數(shù)量，進(jìn)而縮小了存儲(chǔ)器的尺寸。以上通過(guò)兩個(gè)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的存儲(chǔ)器做了詳細(xì)的介紹，但是，本發(fā)明存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)并不僅限上述兩個(gè)實(shí)施例的描述，在其他實(shí)施例中，還可以對(duì)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元在行方向上和列方向上做其他變形，其均應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用上述存儲(chǔ)器的操作方法，所述方法可以包括在共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元的字線上施加字線電壓、在共源極線上施加共源極線電壓，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流，其中，共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)兩條字線和兩條位線，并且所述兩條字線與兩條位線均電性獨(dú)立。其中，在對(duì)共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元中的其中一個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)， 在另一個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加電源電壓。在實(shí)際操作中，可以在不需要編程的子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加一電源電壓， 例如3V，從而，可以有效地避免該不進(jìn)行編程操作的子存儲(chǔ)單元受到進(jìn)行編程操作的子存儲(chǔ)單元的串?dāng)_影響。其中，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流可以包括在對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行編程操作時(shí)，同時(shí)在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相同的位線電壓或相同的位線電流。在這種操作方式中，共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元可以同時(shí)進(jìn)行編程操作，而不必再分開(kāi)進(jìn)行編程。另外，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流還可以包括在所述共源極的子存儲(chǔ)單元的位線上同時(shí)施加相同的讀取電壓或讀取電流，以使得所述共源極的子存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)被同時(shí)讀出。此外，本發(fā)明還提供了另外一種存儲(chǔ)器的操作方法，包括在共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的字線上施加字線電壓、在共源極線上施加共源極線電壓，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流，其中，共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)兩條位線，并且所述兩條位線的電性獨(dú)立；所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的字線相連。可選地，在對(duì)共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元中的其中一個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)，在另一個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加電源電壓。下面結(jié)合圖2對(duì)上述操作方法做進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明。為了方便說(shuō)明，首先假定對(duì)圖2所示的共源極存儲(chǔ)單元10中的子存儲(chǔ)單元101進(jìn)行編程操作。本實(shí)施例中，所述共源極存儲(chǔ)單元10的子存儲(chǔ)單元101對(duì)應(yīng)字線WL11，子存儲(chǔ)單元102對(duì)應(yīng)字線札12，并且字線WLl 1和字線札12相互連接，從而可以同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)單元 10的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元101和102施加共同的字線電壓。在對(duì)存儲(chǔ)單元10的子存儲(chǔ)單元101進(jìn)行編程過(guò)程中，為選通所述子存儲(chǔ)單元101， 在字線Wll和W12上施加一共同的字線編程電壓，例如1. 5V ；在共源極線CSll上施加源極電壓，例如9V ；同時(shí)在與子存儲(chǔ)單元101相對(duì)應(yīng)的位線BLll上施加位線編程電壓Vbl，例如 0. 8V;同時(shí)為了避免子存儲(chǔ)單元102受到子存儲(chǔ)單元101編程過(guò)程的串?dāng)_，在與子存儲(chǔ)單元 102相對(duì)應(yīng)的位線BL12上施加電源電壓Vdd，例如3V。在上述條件下，子存儲(chǔ)單元102的字線電壓(字線WL12上的電壓)與位線電壓 (位線BL12上的電壓)之間存在一個(gè)較大的電壓差(-1.5V)，從而使得子存儲(chǔ)單元102處于良好的關(guān)斷狀態(tài)，不易受到子存儲(chǔ)單元101的編程操作的影響。需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，也可以在存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加相應(yīng)的位線電流以實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)單元的各種操作，而不僅僅限于上述關(guān)于位線電壓的舉例。在對(duì)子存儲(chǔ)單元101和子存儲(chǔ)單元102進(jìn)行讀取操作時(shí)，可以在所述共源極線 CSll上施加OV電壓；在其各自的字線札11、WL12上施加字線讀取電壓；同時(shí)在位線BLll 上施加第一位線讀取電壓，在位線BL12上施加第二位線讀取電壓。這時(shí)，所述第一位線讀取電壓可以與第二位線讀取電壓相同。在這種條件下，所述子存儲(chǔ)單元101和102中的數(shù)據(jù)就可以被同時(shí)讀出，而不再需要進(jìn)行兩次讀取操作，從而有效地提高了讀取的效率。此外，如圖2所示，位于同一列且相鄰的共源極存儲(chǔ)單元中不相鄰的子存儲(chǔ)單元共用一條位線，如圖2所示的子存儲(chǔ)單元101與子存儲(chǔ)單元111共用同一條位線BL11。在這種結(jié)構(gòu)下，還可以分別對(duì)子存儲(chǔ)單元101和子存儲(chǔ)單元111對(duì)應(yīng)的字線(WLll、ffL13)、共源極線(CS11、CS12)的設(shè)置，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)子存儲(chǔ)單元101和111的同時(shí)編程或者讀取操作。 從而，就可以進(jìn)一步地提高存儲(chǔ)器的編程或者讀取效率。
需要說(shuō)明的是，其他實(shí)施例的存儲(chǔ)器的操作方法與上述操作方法相類似，故在此不再贅述。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包括包含多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列，所述多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元分別包括兩個(gè)子存儲(chǔ)單元，各個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，并且各條位線的電性獨(dú)立。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，共源極存儲(chǔ)單元的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元共用一條字線。
3.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，在存儲(chǔ)單元陣列的列方向上相鄰的共源極存儲(chǔ)單元中相鄰的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元之間共用一條位線。
4.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，在存儲(chǔ)單元陣列的行方向上相鄰的兩列共源極存儲(chǔ)單元與位線的連接方式呈鏡像對(duì)稱。
5.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，在存儲(chǔ)單元陣列的行方向上相鄰的兩列共源極存儲(chǔ)單元與位線的連接方式相同。
6.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括多條共源極線，所述多條共源極線均相互電連接。
7.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括多條共源極線，共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元共用一條共源極線，且所述多條共源極線之間電性獨(dú)立。
8.如權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括多晶硅存儲(chǔ)器、SONOS 存儲(chǔ)器或納米晶體存儲(chǔ)器。
9.一種存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，包括在共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元的字線上施加字線電壓、在共源極線上施加共源極線電壓，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流，其中，共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)兩條字線和兩條位線，并且所述兩條字線與兩條位線均電性獨(dú)立。
10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，在對(duì)共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元中的其中一個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)，在另一個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加電源電壓。
11.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流包括在對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行編程操作時(shí)，同時(shí)在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相同的位線電壓或相同的位線電流。
12.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流包括在所述共源極的子存儲(chǔ)單元的位線上同時(shí)施加相同的讀取電壓或讀取電流，以使得所述共源極的子存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)被同時(shí)讀出。
13.一種存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，包括在共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的字線上施加字線電壓、在共源極線上施加共源極線電壓，在所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的兩條位線上施加相應(yīng)的位線電壓或位線電流，其中，共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)兩條位線，并且所述兩條位線的電性獨(dú)立；所述共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的字線相連。
14.如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，在對(duì)共源極的兩個(gè)子存儲(chǔ)單元中的其中一個(gè)子存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)，在另一個(gè)子存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的位線上施加電源電壓。
全文摘要
一種存儲(chǔ)器及其操作方法。所述存儲(chǔ)器包括包含多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列，所述多個(gè)共源極存儲(chǔ)單元分別包括兩個(gè)子存儲(chǔ)單元，各個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，并且各條位線的電性獨(dú)立。本發(fā)明存儲(chǔ)器中的各個(gè)子存儲(chǔ)單元分別對(duì)應(yīng)一條位線，并且各條位線的電性獨(dú)立，從而在編程操作過(guò)程中，就可以有效地避免對(duì)其他不需要編程操作的存儲(chǔ)單元的串?dāng)_。
文檔編號(hào)G11C7/12GK102568558SQ201210048689
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月28日
發(fā)明者孔蔚然, 徐翌, 李冰寒, 江紅, 肖軍 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司