專利名稱：擦除非易失性存儲(chǔ)器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非易失性存儲(chǔ)器件的操作，并且更具體地，涉及一種 擦除非易失性存儲(chǔ)器件的方法，其能同時(shí)對(duì)偶數(shù)位線和奇數(shù)位線執(zhí)行擦除 校驗(yàn)操作。
背景技術(shù)：
類型為非易失性存儲(chǔ)器件的閃速存儲(chǔ)器件，通常包括多個(gè)串，每個(gè)串 中多個(gè)存儲(chǔ)單元相串聯(lián)。閃速存儲(chǔ)器件已經(jīng)被廣泛地用于各種半導(dǎo)體設(shè)備 中，比如可移動(dòng)電子i殳備，包括筆記本電腦、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和移 動(dòng)電話、計(jì)算機(jī)bios、打印機(jī)以及通用串行總線(USB)存儲(chǔ)器。
典型閃速存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元陣列具有其中存儲(chǔ)單元在位線BL和單 元源線CSL之間串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。在NAND閃速存儲(chǔ)器件中，兩個(gè)包括 漏極選擇線DSL和源極選擇線SSL的晶體管連接起來(lái)以將存儲(chǔ)單元電連 接至位線BL和單元源線CSL。
在以上NAND閃速存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元中，數(shù)據(jù)編程操作和擦除操 作借助于根據(jù)施加至控制柵或襯底(或塊，PWELL)的電壓通過(guò)浮動(dòng)?xùn)?之間的隧道氧化物層所產(chǎn)生的Fowler-Nordheim (F-N)隨道效應(yīng)來(lái)執(zhí)行。
非易失性存儲(chǔ)器件包括數(shù)個(gè)分別由多個(gè)存儲(chǔ)單元構(gòu)成的存儲(chǔ)區(qū)塊，并 且按每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊偏壓的方式執(zhí)行擦除^Mt。在存儲(chǔ)區(qū)塊被擦除之后，存 儲(chǔ)區(qū)塊受到硬擦除校驗(yàn)操作以及之后是軟編程和校驗(yàn)操作，以使得存儲(chǔ)單 元具有幾乎0伏(低于0伏)的閾值電壓。
更詳細(xì)地，在通過(guò)將高電壓施加至存儲(chǔ)區(qū)塊的襯底來(lái)執(zhí)行擦除操作之后，選擇偶數(shù)位線并對(duì)存儲(chǔ)區(qū)塊執(zhí)行擦除校驗(yàn)操作，并且選擇奇數(shù)位線并 對(duì)存儲(chǔ)區(qū)塊執(zhí)行擦除校驗(yàn)操作。對(duì)偶數(shù)位線和奇數(shù)位線執(zhí)行的擦除校驗(yàn)操 作的不同之處僅在于位線的選擇，但是以相同的方式執(zhí)行。
擦除校驗(yàn)操作除了存儲(chǔ)單元的閾值電壓確定為0伏或更小之外類似
于編程校驗(yàn)操作。擦除校驗(yàn)操作通過(guò)順序地預(yù)充電位線、執(zhí)行評(píng)測(cè)、根據(jù) 位線電壓鎖存數(shù)據(jù)以及對(duì)位線電壓放電來(lái)執(zhí)行?；阪i存數(shù)據(jù)來(lái)確定擦除 校驗(yàn)通過(guò)或失敗。
如果擦除校驗(yàn)操作以此方式執(zhí)行，則必須對(duì)偶數(shù)和奇數(shù)位線分開地執(zhí) 行校驗(yàn)。因此，考慮到總體擦除操作，實(shí)際擦除時(shí)間很短，但是校驗(yàn)時(shí)間 相對(duì)較長(zhǎng)。這在包括多級(jí)單元的非易失性存儲(chǔ)器件中變?yōu)楦用黠@的問(wèn)
題。也就是，擦除校驗(yàn)操作不僅需^L行軟編程和軟編程校驗(yàn)操作的過(guò)程， 而且還需要硬擦除校驗(yàn)。因此，如果軟編程操作沒(méi)有很好地執(zhí)行，則執(zhí)行 軟編程校驗(yàn)操作所需的時(shí)間就會(huì)延長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)一種非易失性存儲(chǔ)器件的擦除方法，其能在對(duì)非易失性存
根據(jù)按照本發(fā)明一個(gè)方面的擦除非易失性存儲(chǔ)器件的方法，對(duì)選擇的 存儲(chǔ)區(qū)塊執(zhí)行擦除操作。預(yù)充電存儲(chǔ)區(qū)塊的位線，并且才艮據(jù)存儲(chǔ)單元的擦 除狀態(tài)校驗(yàn)位線的電壓電平的變化。才艮據(jù)位線中的第一位線的電壓電平來(lái) 對(duì)第一位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。根據(jù)位線中的第二位線的電壓電平來(lái)對(duì)第 二位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。對(duì)第二位線執(zhí)行的數(shù)據(jù)讀取操作是在對(duì)第一位
線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作之后進(jìn)行的。然后才艮據(jù)數(shù)據(jù)讀取^Mt的結(jié)果確定擦除
校驗(yàn)操作的結(jié)果。
在擦除校驗(yàn)結(jié)果通過(guò)時(shí)，還執(zhí)行軟編程和校驗(yàn)操作。 用于擦除操作的預(yù)充電位線的電壓電平高于用于編程校驗(yàn)或數(shù)據(jù)讀
取操作的預(yù)充電位線的電壓電平。
如果擦除校驗(yàn)操作沒(méi)有通過(guò)，通過(guò)增大擦除電壓對(duì)存儲(chǔ)區(qū)塊執(zhí)行擦除
操作，并且再次執(zhí)行擦除校a^Mt。根據(jù)按照本發(fā)明 一個(gè)方面的擦除非易失性存儲(chǔ)器件的方法，對(duì)存儲(chǔ)區(qū) 塊執(zhí)行擦除操作。預(yù)充電第一位線和第二位線。根據(jù)存儲(chǔ)單元的擦除狀態(tài) 改變第一和第二位線的電壓。棉^據(jù)第一位線的電壓電平來(lái)鎖存lt據(jù)。才艮據(jù)
第二位線的電壓電平來(lái)鎖存數(shù)據(jù)?；阪i存結(jié)果確定擦除^Mt的校驗(yàn)。 第二位線的數(shù)據(jù)鎖存是在第一位線的數(shù)據(jù)鎖存之后進(jìn)行的。 如果擦除操作沒(méi)有通過(guò)，通過(guò)將擦除電壓增大階躍電壓來(lái)擦除存儲(chǔ)區(qū)塊。
如果擦除操作通過(guò)，執(zhí)行軟編考呈和;^l^^作。 執(zhí)行根據(jù)軟編程操作的軟擦除校驗(yàn)操作。
軟擦除校驗(yàn)操作包括預(yù)充電第一位線和第二位線，根據(jù)存儲(chǔ)單元的 擦除狀態(tài)改變第一和第二位線的電壓，根據(jù)第一位線的電壓電平來(lái)鎖存數(shù) 據(jù)，根據(jù)第二位線的電壓電平來(lái)鎖存數(shù)據(jù)，和基于鎖存結(jié)果確定軟擦除操 作是否通過(guò)。
軟擦除校驗(yàn)^作的電壓高于擦除校ar操作的電壓，并且軟擦除^^驗(yàn)操 作的電壓低于0伏。


圖1A是用于描述本發(fā)明實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的框圖； 圖1B是示出頁(yè)面緩沖電路的一部分的電路圖； 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的擦除方法的操 作的流程圖；和
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的擦除校驗(yàn)方法的操作的流程圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例將參照附圖來(lái)描述。然而，本發(fā)明并不限于 所公開的實(shí)施例，而是能以各種方式實(shí)施。實(shí)施例是提供來(lái)使本發(fā)明的公 開完整以及允許本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能明白本發(fā)明的范圍。本發(fā)明由權(quán)利 要求書的范疇限定。
圖1A是用于描述本發(fā)明實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器件的框圖。參照?qǐng)D1，閃速存儲(chǔ)器件100，即非易失性存儲(chǔ)器件，包括存儲(chǔ)單元 陣列IIO、頁(yè)面緩沖單元120、 Y解碼器130、 X解碼器140、電壓供應(yīng)單 元150以;5L控制器160。
存儲(chǔ)單元陣列110包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊，每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊中有多個(gè)存儲(chǔ)單 元通過(guò)位線和字線相連接。頁(yè)面緩沖單元120包括頁(yè)面緩沖電路。每個(gè)頁(yè) 面緩沖電路連接至一對(duì)位線，并臨時(shí)存儲(chǔ)要編程的數(shù)據(jù)并將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)提 供至位線，或讀M儲(chǔ)在位線中的數(shù)據(jù)。
Y解碼器130根據(jù)輸入地址接收控制器160的控制信號(hào)并提供頁(yè)面緩 沖電路的數(shù)據(jù)輸V輸出5M^。 X解碼器140根據(jù)輸入地址選擇存儲(chǔ)單元 陣列110的字線。
電壓供應(yīng)單元150在控制器160的控制之下產(chǎn)生IMt電壓，比如編程 電壓、通過(guò)電壓以及擦除電壓?？刂破?60控制閃速存儲(chǔ)器件100的整個(gè)操作。
頁(yè)面緩沖電路在下面更詳細(xì)地描述。
圖1B是示出頁(yè)面緩沖電路的一部分的電路圖。
參照?qǐng)D1B,頁(yè)面緩沖電路121包括位線選擇單元122、預(yù)充電單元 123、鎖存單元124和校驗(yàn)單元125。
位線選擇單元122將預(yù)充電電壓輸入至偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線 BLo或從其中放電并響應(yīng)于控制信號(hào)將選擇的位線連接至感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO。
預(yù)充電單元123對(duì)感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO預(yù)充電。鎖存單元124鎖存要編程的 數(shù)據(jù)、將鎖存的數(shù)據(jù)傳送至感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO或感測(cè)感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平， 并存儲(chǔ)感測(cè)結(jié)果。校驗(yàn)單元125根據(jù)鎖存單元124的數(shù)據(jù)狀態(tài)輸出編程或 擦除校驗(yàn)信號(hào)。
位線選擇單元122包括第一至第四NMOS晶體管Nl至N4。預(yù)充電 單元123包括第一PMOS晶體管Pl。鎖存單元124包括第五至第八NMOS 晶體管N5至N8以及第一和第二反相器IN1、 IN2。校驗(yàn)單元125包括第 二 PMOS晶體管P2。
第一和第二 NMOS晶體管Nl、 N2在第一節(jié)點(diǎn)K和第二節(jié)點(diǎn)K2之 間串聯(lián)連接。虛擬電源VIRPWR輸入至第三節(jié)點(diǎn)K3，即第一和第二NMOS晶體管Nl、 N2的連接點(diǎn)。虛擬電源VIRPWR可被施加用于預(yù)充 電位線的供電電壓Vcc或者可被施加用于使位線放電的0伏電壓。
偶數(shù)位線放電控制信號(hào)DISCHE和奇數(shù)位線放電控制信號(hào)DISCHO 分別施加至第一和第二 NMOS晶體管Nl、 N2的柵極。
第三NMOS晶體管N3連接在第一節(jié)點(diǎn)Kl和感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO之間。偶 數(shù)位線選擇控制信號(hào)BSLE施加至第三NMOS晶體管N3的柵極。
第四NMOS晶體管N4連接在第二節(jié)點(diǎn)K2和感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO之間。奇 數(shù)位線選擇控制信號(hào)BSLO施加至第四NMOS晶體管N4的柵極。
預(yù)充電單元123的第一PMOS晶體管Pl連接在供電電壓輸入端子和 感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO之間。預(yù)充電控制信號(hào)PRECHN輸入至第一 PMOS晶體管 Pl的柵極。
鎖存單元124的第五NMOS晶體管N5連接在感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO和節(jié)點(diǎn) QN之間。數(shù)據(jù)傳輸控制信號(hào)TRAN輸入至第五NMOS晶體管N5的柵 極。
第一和第二反相器IN1、 IN2連接至節(jié)點(diǎn)Q和節(jié)點(diǎn)QN之間的鎖存器 L。第六NMOS晶體管N6連接在節(jié)點(diǎn)Q和第四節(jié)點(diǎn)K4之間。設(shè)定信號(hào) QSET施加至第六NMOS晶體管N6的柵極。第七NMOS晶體管N7連 接在節(jié)點(diǎn)QN和第四節(jié)點(diǎn)K4之間。復(fù)位信號(hào)QRST輸入至第七NMOS 晶體管N7的柵極。
第八NMOS晶體管N8連接在第四節(jié)點(diǎn)K4和接地節(jié)點(diǎn)之間。第八 NMOS晶體管N8的槺極連接至感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO。
校驗(yàn)單元125的第二 PMOS晶體管P2的柵極連接至節(jié)點(diǎn)QN。第二 PMOS晶體管P2輸出作為校驗(yàn)信號(hào)VER_N的供電電壓或者才艮據(jù)節(jié)點(diǎn)QN 的電壓電平消除供電電壓。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在存儲(chǔ)區(qū)塊的擦除操作中，對(duì)耦接至頁(yè)面緩沖 電路121的偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時(shí)執(zhí)行擦除校驗(yàn)操作。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的擦除方法的操 作的流程圖。
參照?qǐng)D2,當(dāng)在步驟S201至S205輸入用于執(zhí)行擦除指令和擦除操作的地址信息和執(zhí)行指令時(shí)，在步驟S207基于輸入的地址信息對(duì)存儲(chǔ)區(qū)塊 執(zhí)行擦除操作。
在擦除操作中，以與非易失性存儲(chǔ)器件上的擦除方法相同的方式，施 加高電壓至襯底以使得存儲(chǔ)單元的閾值電壓為0伏或更小。當(dāng)存儲(chǔ)單元是 能存儲(chǔ)1位或多位數(shù)據(jù)的多級(jí)單元時(shí)，存儲(chǔ)單元被編程為具有屬于最高閾 值電壓分布的閾值電壓，并且施加高電壓至襯底以擦除存儲(chǔ)單元。
在步驟S207執(zhí)行擦除操作之后，在步驟209中對(duì)存儲(chǔ)單元執(zhí)行硬擦 除校驗(yàn)操作。執(zhí)行硬擦除校驗(yàn)操作來(lái)確定存儲(chǔ)單元是否已經(jīng)被擦除(即處 于OV或更^f氐的電壓電平)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)偶數(shù)位線和奇數(shù)位線同時(shí)執(zhí)行硬擦除校驗(yàn)操 作。這將參照?qǐng)D3更詳細(xì)地描述。
接著在步驟S211確定硬擦除校驗(yàn)操作是否通過(guò)。如果作為在步驟 S211中確定的結(jié)果，硬擦除校驗(yàn)IMt通過(guò)，則在步驟S215中執(zhí)行軟編程
接近OV。接著在步驟S217確定軟編程校驗(yàn)操作是否通過(guò)。如果作為在步 驟S217中確定的結(jié)果，軟編程校驗(yàn)操作通過(guò)，則完成擦除操作。
然而，如果作為在步驟S211中確定的結(jié)果，硬擦除校驗(yàn)操作失敗， 則在步驟S213將擦除電壓增大階躍電壓并且使處理返回至步驟S207，在 該步驟再次對(duì)存儲(chǔ)區(qū)塊執(zhí)行擦除操作。根據(jù)增量階躍脈沖擦除(ISPE )方 法從擦除開始電壓將擦除電壓增大預(yù)定的階躍電壓的同時(shí)施加該擦除電 壓。
甚至在步驟S215中在軟編程上執(zhí)行軟校驗(yàn)時(shí)，同時(shí)校驗(yàn)偶數(shù)位線和 奇數(shù)位線。
在步驟S209中的在擦除操作中執(zhí)行的硬校驗(yàn)、在步驟S215中執(zhí)行的 軟編程校驗(yàn)等根據(jù)下面的方法在偶數(shù)位線和奇數(shù)位線上同時(shí)執(zhí)行。 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的擦除校驗(yàn)方法的操作的流程圖。 現(xiàn)在參照?qǐng)D1B來(lái)詳細(xì)描ii^執(zhí)行圖3的操作時(shí)頁(yè)面緩沖電路121操 作的過(guò)程。
參照?qǐng)D3，假設(shè)首先執(zhí)行硬擦除校驗(yàn)操作。在步驟301中將偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時(shí)預(yù)充電。為了同時(shí)預(yù)充電偶數(shù)位線BLe和奇數(shù) 位線BLo，偶數(shù)位線放電控制信號(hào)DISCHE和奇數(shù)位線放電控制信號(hào) DISCHO被充電至高電平，從而導(dǎo)通頁(yè)面緩沖電路121的第一和第二 NMOS晶體管Nl、 N2。虛擬電壓VIRPWR具有用于預(yù)充電位線的電壓 電平。
因而，偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時(shí)被預(yù)充電。虛擬電壓 VIRPWR的電壓電平可優(yōu)選地高于用于數(shù)據(jù)讀取或編程校驗(yàn)所施加的電 壓電平。這是因?yàn)椋?dāng)同時(shí)對(duì)偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo執(zhí)行位線電 壓校驗(yàn)時(shí)，由于干擾可能會(huì)有偏壓降低。
在偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo被預(yù)充電時(shí)，第一和第二 NMOS晶 體管N1、 N2截止。
在步驟S301中的偶勿奇數(shù)位線的預(yù)充電步驟之后，在步驟S303中 如上所述對(duì)偶lt/奇數(shù)位線同時(shí)執(zhí)行校驗(yàn)操作。
在硬擦除校驗(yàn)操作中，存儲(chǔ)單元的字線施加有O伏的電壓。然而，在 軟編程校驗(yàn)操作的情況下，設(shè)置適合于軟編程校驗(yàn)操作的軟編程校驗(yàn)電壓 并將該電壓施加至字線。
如果存儲(chǔ)單元已經(jīng)正常地被編程至0伏或更小，施加至偶數(shù)位線和奇 數(shù)位線的電壓就被放電。偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo變?yōu)榻咏?伏的 低電平電壓狀態(tài)。如果任何位線具有還沒(méi)有被擦除(即處于0伏或更低的 電壓電平)的存儲(chǔ)單元，維持預(yù)充電電壓電平。
在位線校驗(yàn)之后，利用位線電壓由頁(yè)面緩沖電路121讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)在 步驟S305中讀取偶數(shù)位線的數(shù)據(jù)之后，在步驟S307中讀取奇數(shù)位線的數(shù) 據(jù)。
下面將詳細(xì)描述步驟S305和S307。在頁(yè)面緩沖電路121的鎖存器L 中，節(jié)點(diǎn)QN根據(jù)復(fù)位操作被設(shè)置為高電平。在讀取數(shù)據(jù)之前，預(yù)充電控 制信號(hào)PRECHN作為低電平被施加以導(dǎo)通第一 PMOS晶體管Pl。
在第一PMOS晶體管Pl導(dǎo)通之后，預(yù)充電感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO。當(dāng)以高電 平施加偶數(shù)位線選擇控制信號(hào)BSLE時(shí)，第三NMOS晶體管N3導(dǎo)通。 當(dāng)?shù)谌齆MOS晶體管N3導(dǎo)通時(shí)，偶數(shù)位線BLe與感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO連接。如果連接至偶數(shù)位線BLe的存儲(chǔ)單元已經(jīng)被擦除，則在步驟S303中 偶數(shù)位線BLe就已經(jīng)枕坎電至低電平。因此，感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO也變化至低電 平。
因而，第八NMOS晶體管N8截止。施加高電平的復(fù)位信號(hào)QRST， 從而導(dǎo)通第七NMOS晶體管N7。節(jié)點(diǎn)QN最初梯^據(jù)復(fù)位操作設(shè)置至高電 平。然而，如果第八NMOS晶體管N8截止，則即使第七NMOS晶體管 N7導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)QN維持高電平而不會(huì)變化。
當(dāng)節(jié)點(diǎn)QN處于高電平時(shí)，第二PMOS晶體管P2仍然截止。因而， 不會(huì)輸出校驗(yàn)信號(hào)VER一N。在執(zhí)行擦除校驗(yàn)操作時(shí)，如果輸出了一個(gè)校 驗(yàn)信號(hào)VER一N，則確定擦除^Mt已經(jīng)失敗。
在讀取了偶數(shù)位線BLe的數(shù)據(jù)之后，在步驟S307中讀取奇數(shù)位線的 數(shù)據(jù)。在讀取偶數(shù)位線BLe的數(shù)據(jù)時(shí)導(dǎo)通的第三NMOS晶體管N3被截 止，然后預(yù)充電感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO。
以高電平施加奇數(shù)位線選擇控制信號(hào)BSLO以導(dǎo)通第四NMOS晶體 管N4。奇數(shù)位線BLo和具有在步驟S303中已經(jīng)校驗(yàn)的電壓電平的感測(cè) 節(jié)點(diǎn)SO連接起來(lái)。
如果連接至奇數(shù)位線BLo的一個(gè)存儲(chǔ)單元還沒(méi)有被完全編程，奇數(shù) 位線BLo甚至在執(zhí)行步驟S303的校驗(yàn)之后也維持預(yù)充電電壓。
因此，盡管感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO和奇數(shù)位線BLo連接，但是維持了預(yù)充電的 高電平狀態(tài)。在感測(cè)節(jié)點(diǎn)SO處于高電平時(shí)，第八NMOS晶體管N8導(dǎo)通。 節(jié)點(diǎn)QN根據(jù)偶數(shù)位線BLe的翁:據(jù)讀取結(jié)果而維持高電平。
以高電平施加復(fù)位信號(hào)QRST時(shí)，第七NMOS晶體管N7導(dǎo)通。在 第七NMOS晶體管N7導(dǎo)通時(shí)，連接至第八NMOS晶體管N8的接地節(jié) 點(diǎn)和節(jié)點(diǎn)QN連接起來(lái)，以使得節(jié)點(diǎn)QN移至低電平。
在節(jié)點(diǎn)QN處于低電平時(shí)，第二 PMOS晶體管P2導(dǎo)通并且校驗(yàn)信號(hào) VEI^N以高電平輸出。因此，控制器160確定有存儲(chǔ)單元還沒(méi)有被完全 擦除。如果有存儲(chǔ)單元還沒(méi)有被完全擦除，在步驟S309中擦除校驗(yàn)操作 不會(huì)通過(guò)并且然后再次在步驟S311中執(zhí)行擦除操作。利用增大階躍電壓 的擦除電壓來(lái)再次執(zhí)行擦除操作。這個(gè)操作具有與偶數(shù)位線BLe沒(méi)有通過(guò)而奇數(shù)位線BLo通過(guò)時(shí)相同 的結(jié)果。當(dāng)偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時(shí)通過(guò)時(shí)，第二 PMOS晶體 管P2保持截止。
因此，盡管執(zhí)行校驗(yàn)以使得偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo同時(shí)被預(yù) 充電和校驗(yàn)，并且偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo的數(shù)據(jù)被順序地讀取， 但是能獲得準(zhǔn)確的校驗(yàn)結(jié)果。進(jìn)一步，通過(guò)同時(shí)預(yù)充電和校驗(yàn)偶數(shù)位線 BLe和奇數(shù)位線BLo，與現(xiàn)有方法相比能縮短核^驗(yàn)時(shí)間。
如果在步驟S309中校驗(yàn)通過(guò)，由偶數(shù)位線和奇數(shù)位線預(yù)充電的電壓 就枕故電。在放電操作中，偶數(shù)位線BLe和奇數(shù)位線BLo通過(guò)以下方式 變?yōu)?伏通過(guò)施加0伏的虛擬電壓VIRPWR、高電平的偶數(shù)位線放電 控制信號(hào)DISCHE和高電平的奇數(shù)位線放電控制信號(hào)DISCHO來(lái)導(dǎo)通第 一和第二NMOS晶體管Nl、 N2。
校驗(yàn)操作的示例進(jìn)行了描述。要注意到，這個(gè)操作也適用于以相同的方式 在軟編程上進(jìn)行的軟擦除校驗(yàn)操作。
如上所述，按照根據(jù)本發(fā)明的擦除非易失性存儲(chǔ)器件的方法，在執(zhí)行 擦除校驗(yàn)操作時(shí)，同時(shí)選擇偶數(shù)位線和奇數(shù)位線并進(jìn)行擦除校驗(yàn)操作。因 此，能減少校驗(yàn)時(shí)間并縮短總體擦除時(shí)間。
已經(jīng)提出了這里所公開的實(shí)施例以允許本領(lǐng)域技術(shù)人員易于實(shí)施本 發(fā)明，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過(guò)這些實(shí)施例的組合來(lái)實(shí)施本發(fā)明。因此， 本發(fā)明的范圍不限于上述實(shí)施例，并且應(yīng)當(dāng)解釋為僅由所附權(quán)利要求及其 等同概念所限定。
權(quán)利要求
1.一種擦除非易失性存儲(chǔ)器件的方法，該方法包括對(duì)選擇的存儲(chǔ)區(qū)塊執(zhí)行擦除操作；預(yù)充電所述存儲(chǔ)區(qū)塊的位線；根據(jù)所述存儲(chǔ)區(qū)塊的存儲(chǔ)單元的擦除狀態(tài)來(lái)校驗(yàn)所述位線的電壓電平的變化；根據(jù)所述位線中的第一位線的電壓電平來(lái)對(duì)所述第一位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作；根據(jù)所述位線中的第二位線的電壓電平來(lái)對(duì)所述第二位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作，其中對(duì)所述第二位線執(zhí)行的所述數(shù)據(jù)讀取操作是在對(duì)所述第一位線執(zhí)行所述數(shù)據(jù)讀取操作之后進(jìn)行的；和根據(jù)所述第一和第二位線的數(shù)據(jù)讀取操作的結(jié)果確定擦除校驗(yàn)結(jié)果。
2. 才H^;(5U'溪求1的方法，還包括，^j^斤雄除耕結(jié)絲過(guò)時(shí)，^ff軟編禾沐校驗(yàn)棘
3. 才N^U0^求l的方法，其中預(yù)充電所述位線的電壓電平高于用于編程 ^il^^ltll^W怍的電壓電平。
4. #^1權(quán)矛溪求1的方法，其中，在所ii^^麟彩殳有通過(guò)的情況下，通過(guò)增大 電壓^所述，區(qū)塊^#除#^，并且^ft^^驗(yàn)^ft。
5. —種擦除非易失'I4^^ff的方法，該方法包括 對(duì)絲區(qū)塊^^辦； 預(yù)充電第一位線和第^^i線；才IL^ H^單元的^l^狀態(tài)^所^""^笫1線的電壓； 才娥所^一M的電壓電平來(lái)鎖^ ^t據(jù)； 才娥所^^^的電壓電平來(lái)鎖^t據(jù)；和基于所錄一雄和所絲^^的鎖存結(jié)果確"斤雄除鰣是否通ito
6. 才iL^M'J^求5的方法，其中所絲>=^的數(shù)*1^貞存是在所^一位 線的數(shù)4^T貞存^進(jìn)^^。
7. 才Nt^'讀求5的方法，其中，在所ii^^Mt沒(méi)有通過(guò)的情況下，通 過(guò)^^除電壓增大階躍電壓來(lái)蹄所述絲區(qū)塊。
8. #^擬怯求5的方法，其中，在所i^^雜通過(guò)的情況下，#^軟 編禾沐校驗(yàn)辦。
9. 才m^M'溪求8的方法，其中才緣所^y^呈辦來(lái)^t^^R驗(yàn)操作。
10. 才^^M'溪求9的方法，其中所i^^^驗(yàn)耕包括 預(yù)充電所i^一M和所^^^; ##所述^#單元的^^狀態(tài)^^所^^ 第《^線的電壓； #^所^一^的電壓電平;^鎖^ N^據(jù)； ##所^^^的電壓電平來(lái)鎖> ^^據(jù)；和 基于所述鎖存的結(jié)果確定 除#^是否通達(dá)
11. #^;^'溪求10的方法，其中所i^^l^^驗(yàn)耕的電壓高于所錄1 _驗(yàn)#^的電壓，其中所^^^a^ft的電壓低于o伏。
12. —種擦除非易失'j!i^器件的方法，該方法包括 對(duì)選糾絲區(qū)塊^^靴預(yù)充電所述存賭區(qū)塊的第"Hi^和第^n^，其中所錄-H^和所述第二 位線同0 _預(yù)充電；位線的電壓電平的變化，其中所"一位線和所"二位線"電壓電平的變化 同晰皮微才娥所^一位線的電壓電平^^所^一^^Wt數(shù)ll^^;#^所^>^線的電壓電平*^所^^=^^^數(shù)#^*怍；和 對(duì)所^一>^和所^1線^^^^驗(yàn)#^,其中所i^m^驗(yàn)^t是對(duì)所絲一位線和所i^^i^同時(shí)^f亍的；和才^l所^一和第4線的數(shù)，WMt的結(jié)果確^^斤述擦^^驗(yàn)操怍的結(jié)果。
13. 才Mt權(quán)矛Jr^求12的方法，還^，在所ii^l^l^耕的結(jié)絲過(guò)的 情況下，脅絲禾l^fe驗(yàn)耕。
14. 才N^5^'漆求13的方法，其中才娥所i^^程^t來(lái)Wt軟^^驗(yàn) 耕。
15. 才^&權(quán)矛J^求14的方法，其中所述，^^驗(yàn)^ft包拾 預(yù)充電所^一^^和所^^r^; #^所述《##單元的^1^狀態(tài) _所^"-^第^^的電壓； 才Mt所^一位線的電壓電平Wt所^一M的數(shù)^^; 才NH所^^線的電壓電平^Wt所i^^^線的數(shù)4i^;和才Nt所^一和第^i線的數(shù)^W怍的結(jié)果確定Wl^操怍的結(jié)果。
16. 才N^U'溪求12的方法，其中預(yù)充電所錄4第^^^的電壓電平高于用于所^考^^^|^^*怍的電壓電平。
17. 推據(jù);M，漆求12的方法，其中，在所錄l^^緣怍的結(jié)果狄的情 況下，通過(guò)增大擦除電壓iM"所ii^區(qū)塊^t所述擦除^ft，并且再M(fèi)所 錄""^第J^i^同時(shí)齡所^l^驗(yàn)辦。
18. ^^;^'虔求12的方法，其中對(duì)所錢^^Wf^所述數(shù)I^W 作是對(duì)所錄一雔敝所述數(shù)#^*^"進(jìn)魏
19. 才N^M'JJI"求12的方法，其中所錄"H^]"應(yīng)于^lt鏈而所錢 ^^f應(yīng)于奇數(shù)^，所述^b^和奇數(shù)^與相同的^^目關(guān)氣
20. 才M^U，澳求12的方法，其中如^^斤絲""^第^i^中的至少一個(gè) 沒(méi)有被 ，則所^ ^^"#^的結(jié)果3^
21. 才N^權(quán)矛J^求12的方法，其中對(duì)所^一M^W亍所述數(shù)^^t包括:#^所^一位線的電壓電平 來(lái)鎖械據(jù)；和來(lái)鎖械據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種擦除非易失性存儲(chǔ)器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，對(duì)選擇的存儲(chǔ)區(qū)塊執(zhí)行擦除操作。預(yù)充電存儲(chǔ)區(qū)塊的位線，并且根據(jù)存儲(chǔ)單元的擦除狀態(tài)校驗(yàn)位線的電壓電平的變化。根據(jù)第一位線的電壓電平來(lái)對(duì)第一位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。根據(jù)第二位線的電壓電平來(lái)對(duì)第二位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。對(duì)第二位線執(zhí)行的數(shù)據(jù)讀取操作是在對(duì)第一位線執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作之后進(jìn)行的。然后根據(jù)數(shù)據(jù)讀取操作的結(jié)果確定擦除校驗(yàn)結(jié)果。
文檔編號(hào)G11C16/14GK101587751SQ20081014407
公開日2009年11月25日 申請(qǐng)日期2008年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月20日
發(fā)明者樸榮洙 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司