專利名稱：用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法及其系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于光學(xué)存儲裝置的寫入策略微調(diào)(write strategy tuning)，特 別是關(guān)于利用數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差(data-to-clock edge deviation)來微調(diào) (tune)寫入策略參數(shù)的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
由于多媒體應(yīng)用持續(xù)發(fā)展，存儲大量數(shù)字數(shù)據(jù)的需求也快速地成長。因 此，存儲容量高且體積小巧的光學(xué)存儲媒體，例如壓縮光盤(CompactDisc, CD)或多功能數(shù)碼光盤(Digital Versatile Disc, DVD)，就非常流行，且光 學(xué)存儲裝置，例如光驅(qū)(CD drive)或多功能數(shù)碼光驅(qū)(DVD drive)，己 成為個人計算機的標(biāo)準配置，用來進行以上的多媒體應(yīng)用。以上述的光驅(qū)為例，當(dāng)光驅(qū)被控制以將數(shù)據(jù)寫入可記錄式壓縮光盤 (CD-Recordable disc, CD-R disc)時，光驅(qū)中的激光二極管的寫入功率 (writing power)通常是被設(shè)為特定值，且與數(shù)據(jù)對應(yīng)的寫入脈沖(write pulse)被用于在可記錄式壓縮光盤的凹槽(groove)上將數(shù)據(jù)記錄成多個凹 坑(pit)與平面(land)。寫入功率的特定值可通過最佳功率校正(optimal power calibration, OPC)程序來獲得。另一方面，通過寫入策略微調(diào)(write strategy tuning)程序，也稱為刻錄策略微調(diào)(recording strategy tuning)程序， 改變用來控制寫入脈沖的寬度的寫入策略參數(shù)，可增加可記錄式壓縮光盤上 所形成的凹坑與平面的長度的精確度。可參考可記錄式壓縮光盤規(guī)格的相關(guān) 文件，例如橘皮書第一部(OmngeBookPartI)，以獲得更多信息。依據(jù)相關(guān)技術(shù)，特定裝置(例如示波器)可被用于寫入策略微調(diào)程序。 通常，在預(yù)先的試驗性寫入程序之后，依據(jù)示波器上所顯示的多個再生波形
(reproduced waveform)的眼圖(eyepattern)來控制寫入脈沖寬度的一組新 的寫入策略參數(shù)通常是由工程師或研究員基于經(jīng)驗來決定的。但是，因為同 樣的程序必須針對各種可應(yīng)用的媒體以及不同的記錄速度而重復(fù)地進行，重 復(fù)進行的程序至少包括寫入測試數(shù)據(jù)、檢査示波器上所顯示的再生波形的眼 圖、以及通過經(jīng)驗根據(jù)眼圖來決定一組新的寫入策略參數(shù)，因此使用此方法 會耗費工程師或研究員許多時間。由于通過檢査眼圖來決定這些寫入策略參 數(shù)并不是自動運作，因此上述寫入策略微調(diào)程序相當(dāng)耗時。另外，由于通過 經(jīng)驗根據(jù)該眼圖來決定一組新的寫入策略參數(shù)并不是定量的，因此上述的寫 入策略微調(diào)程序是不明確的(indefinite)。在某些狀況下，含糊不清的眼圖 會干擾寫入策略微調(diào)程序甚至?xí)箤懭氩呗晕⒄{(diào)程序失效。特定儀器，例如時間間距分析儀(time interval analyzer, TIA)或抖動 計量器(jitter meter)，可能有助于取得用來決定一組新的寫入策略參數(shù)的 信息。但是，仍然需要進行類似的例行工作，且如果時間間距分析儀或抖動 計量器是僅簡單地被耦接以供測量之用而不設(shè)置額外的控制系統(tǒng)，則仍然存 在與手動微調(diào)程序所造成的缺點相同的缺點。另外，從特定儀器所取得的信 息的意義通常是隱含的(implicit)，因此，需要耗費經(jīng)驗豐富的工程師或研 究員許多時間。發(fā)明內(nèi)容為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入 策略參數(shù)的方法及其系統(tǒng)。本發(fā)明提供了一種用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，包含 以下步驟檢測多個長度，每一長度對應(yīng)于光學(xué)存儲裝置所存取的光學(xué)存儲 媒體上的一凹坑(pit)或一平面(land);進行對應(yīng)于多個數(shù)據(jù)集類型(data set type)的計算，以及產(chǎn)生分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型的多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏 差(data-to-clock edge deviation)，其中數(shù)據(jù)集類型包含至少一凹坑平面凹
坑(pit-land-pit)數(shù)據(jù)集類型或至少一平面凹坑平面(land-pit-land)數(shù)據(jù)集 類型。以及使用數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差以微調(diào)寫入策略參數(shù)，其中寫入策略參 數(shù)分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型。本發(fā)明另提供了一種用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系統(tǒng)，包 含檢測器、計算模塊與控制器，其中計算模塊耦接于檢測器，控制器耦接于 計算模塊。檢測器測量多個長度，每一長度對應(yīng)于通過光學(xué)存儲裝置所存取 的光學(xué)存儲媒體上的一凹坑或一平面。計算模塊進行對應(yīng)各種數(shù)據(jù)集類型的 計算，并產(chǎn)生分別對應(yīng)于這些數(shù)據(jù)集類型的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差，其中數(shù)據(jù) 集類型包含至少一凹坑平面凹坑數(shù)據(jù)集類型或至少一平面凹坑平面數(shù)據(jù)集 類型?？刂破骼眠@些數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差以微調(diào)分別對應(yīng)于這些數(shù)據(jù)集類 型的寫入策略參數(shù)。本發(fā)明另提供了一種用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，包 含檢測多個長度，每一長度對應(yīng)于通過光學(xué)存儲裝置所存取的光學(xué)存儲媒 體上的一凹坑或一平面；進行對應(yīng)于多個數(shù)據(jù)集類型的計算以及產(chǎn)生分別對 應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型的多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。進行對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型的計算 并產(chǎn)生分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差的步驟進一步包含取 得(derive)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于第一門限值(threshold)的數(shù)據(jù)集類型； 在數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于第一門限值的數(shù)據(jù)集類型中，取得數(shù)據(jù)集發(fā)生次 數(shù)多于第二門限值所指示的次數(shù)的數(shù)據(jù)集類型；以及計算對應(yīng)于數(shù)據(jù)集發(fā)生 次數(shù)多于第二門限值所指示的次數(shù)的數(shù)據(jù)集類型的寫入策略參數(shù)的調(diào)整量。 以及利用調(diào)整量以微調(diào)寫入策略參數(shù)。本發(fā)明提供的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法及其系統(tǒng)， 通過依據(jù)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來微調(diào)寫入策略參數(shù)，而不需要特定外部裝置 的協(xié)助，也不需要耗費工程師或研究員過多時間，就可以微調(diào)光學(xué)存儲裝置 的寫入策略參數(shù)。


圖1為依據(jù)本發(fā)明一實施例用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)的方框圖。圖2為依據(jù)本發(fā)明一實施例利用數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來進行長度補償?shù)?示意圖。圖3為依據(jù)本發(fā)明一實施例利用數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來進行長度補償?shù)?示意圖。圖4為依據(jù)本發(fā)明一實施例用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法的流程圖。圖5為依據(jù)本發(fā)明不同實施例的通過利用長度偏差統(tǒng)計來分別微調(diào)寫入 策略參數(shù)的示意圖。圖6為依據(jù)本發(fā)明不同實施例的通過利用長度偏差統(tǒng)計來分別微調(diào)寫入 策略參數(shù)的示意圖。圖7為依據(jù)本發(fā)明一實施例用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)的示意圖。圖8為依據(jù)本發(fā)明一實施例用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系統(tǒng)的示意圖。圖9為在再生信號上的多個取樣點的示意圖。圖IO為圖8所示的實施例的一變化實施例的示意圖。圖11為依據(jù)本發(fā)明一實施例統(tǒng)計計算的詳細實施的流程圖。圖12為依據(jù)本發(fā)明一實施例在微調(diào)寫入策略參數(shù)之前的取樣數(shù)相對于數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度的曲線的示意圖。圖13為依據(jù)本發(fā)明一實施例在微調(diào)寫入策略參數(shù)之后的取樣數(shù)相對于數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度的曲線的示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明提供了用來微調(diào)(tune)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)(write strategy parameter)的系統(tǒng)。這些系統(tǒng)可以是用來微調(diào)寫入策略參數(shù)的電路， 該電路可以設(shè)置于光學(xué)存儲裝置中。這些系統(tǒng)的一些實施例也可以在實質(zhì)上 (substantially)為光學(xué)存儲裝置本身。為了簡明起見，在以下的說明中是采 用將該系統(tǒng)實施于電路中。但是，其它實施方式也可應(yīng)用于這些詳細的實施 例。請參考圖1，圖1為依據(jù)本發(fā)明第一實施例的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置100 的寫入策略參數(shù)的系統(tǒng)100C的方框圖，其中系統(tǒng)100C是設(shè)置在光學(xué)存儲 裝置100中的電路。光學(xué)存儲裝置IOO可對光學(xué)存儲媒體102進行數(shù)據(jù)存取。 為了簡明起見，本實施例釆用可記錄式壓縮光盤(CD-Recordable disc, CD-R disc)作為光學(xué)存儲媒體102，并采用光驅(qū)(CD drive)作為光學(xué)存儲裝置 IOO來進行說明。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)該可以理解，其它種類 的光學(xué)存儲媒體，例如DVD-R規(guī)格、DVD-RW規(guī)格、DVD+R規(guī)格、 DVD-RW規(guī)格、或DVD-RAM規(guī)格的多功能數(shù)碼光盤，以及其對應(yīng)的光學(xué) 存儲裝置，例如多功能數(shù)碼光驅(qū)(DVD drive)，都可應(yīng)用本發(fā)明達到類 似的功能和效果。如圖1所示，在光學(xué)存儲裝置100的讀取模式中，光學(xué)存儲裝置100的 光學(xué)讀取頭(optical pickup) IIO從光學(xué)存儲媒體102讀取數(shù)據(jù)，以產(chǎn)生原 始射頻信號(raw radio frequency signal, raw RF signal) 111。光學(xué)存儲裝置 100的波形均衡器(waveform equalizer) 112等化原始射頻信號111以產(chǎn)生 再生信號(reproducedsignal)，在本實施例中再生信號是射頻信號113。另 外，光學(xué)存儲裝置100的分切器(slicer) 114分切(slice)射頻信號113以 產(chǎn)生分切信號115。因為光學(xué)讀取頭110、波形均衡器112、以及分切器114 的運作原理是任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員所能理解的，所以在此不再詳 細描述。
在圖1所示的光學(xué)存儲裝置100中，調(diào)變器160、寫入脈沖(writepulse) 產(chǎn)生器162、與發(fā)射源驅(qū)動器(radiation source driver) 164會依據(jù)寫入策略 參數(shù)共同驅(qū)動光學(xué)讀取頭110;根據(jù)分切信號115，系統(tǒng)100C通過控制信號 151來微調(diào)寫入策略參數(shù)。調(diào)變器160耦接于光學(xué)存儲裝置100的編碼器(未 顯示)，用來調(diào)變編碼器所輸出的編碼數(shù)據(jù)以產(chǎn)生調(diào)變信號161，調(diào)變信號 161載有(carry)八轉(zhuǎn)十四調(diào)變(eight-to-fourteen modulation, EFM)信息。 寫入脈沖產(chǎn)生器162根據(jù)上述寫入策略參數(shù)，產(chǎn)生對應(yīng)于調(diào)變信號161攜載 的八轉(zhuǎn)十四調(diào)變信息的寫入脈沖，并輸出由寫入脈沖信號163攜載的寫入脈 沖。另外，發(fā)射源驅(qū)動器164根據(jù)寫入脈沖信號163來產(chǎn)生驅(qū)動信號165以 驅(qū)動光學(xué)讀取頭110。調(diào)變器160、寫入脈沖產(chǎn)生器162與發(fā)射源驅(qū)動器164 的運作原理是任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員所能理解的，所以在此不再詳 細描述。依據(jù)本實施例，系統(tǒng)100C包含鎖相環(huán)(phase-locked loop, PLL) 120、 檢測器(例如圖1所示的八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器130)、計算模塊140、 以及控制器(例如圖1所示的寫入脈沖控制器150)。計算模塊140包含 類型依附分類器(pattern dependency classifier) 142與數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差 計算器(data-to-clock edge deviation calculator) 144。鎖相環(huán)120依據(jù)分切信 號115通過鎖定分切信號U5的信道比特率(I/T) (channel bit rate)來產(chǎn) 生一個八轉(zhuǎn)十四調(diào)變數(shù)據(jù)時鐘(EFM data clock) CLK，其中八轉(zhuǎn)十四調(diào)變 數(shù)據(jù)時鐘CLK的周期是被視為1T。八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器130依據(jù)八轉(zhuǎn) 十四調(diào)變數(shù)據(jù)時鐘CLK來獲取分切信號115攜載的八轉(zhuǎn)十四調(diào)變信息，并 檢測多個長度，其中每一長度對應(yīng)于記錄在光學(xué)存儲媒體102上的一個凹坑 (pit)或一個平面(land)。典型的分切信號115為方波，其上升沿(rising edge)與下降沿(falling edge)之間的間距(interval)以及下降沿與上升沿 之間的間距均可有各種不同長度。在本實施例中，八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器 130測量分切信號115的上升沿與下降沿之間的間距及分切信號115的下降
沿與上升沿之間的間距，來作為上述的長度，其中每一間距對應(yīng)于一個凹坑 或一個平面。因此，長度包含對應(yīng)于多個凹坑的多個凹坑長度P，以及對應(yīng) 于多個平面的多個平面長度L。每個凹坑長度P代表沿著光學(xué)存儲媒體102上的凹槽(groove)所記錄的一個凹坑，每個平面長度L代表沿著凹槽所記 錄的一個平面。需要注意的是，本發(fā)明的另一實施例的分切信號115可載有 加強型八轉(zhuǎn)十四調(diào)變(EFMphis，EFM+)信息(例如應(yīng)用DVD-R規(guī)格的 實施例)或其它兼容于八轉(zhuǎn)十四調(diào)變/加強型八轉(zhuǎn)十四調(diào)變的變化規(guī)格的信息o依據(jù)第一實施例，在可記錄式壓縮光盤的理想狀況下，由分切信號15 中獲取的凹坑長度與平面長度均為時鐘周期T的倍數(shù)，且這些凹坑長度與平 面長度的分布范圍是從3T至11T。也就是說，凹坑的長度P或平面的長度L 可為3T、 4T、...或IIT。所以，用來測量這些凹坑長度與平面長度的參考 信號(例如上述的八轉(zhuǎn)十四調(diào)變數(shù)據(jù)時鐘CLK)的合理周期應(yīng)小于或等于 T。依據(jù)本實施例，輸入到八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器130的參考信號是八轉(zhuǎn) 十四調(diào)變數(shù)據(jù)時鐘CLK，所以參考信號的周期是為T。在可記錄式壓縮光盤 的實際狀況下，由八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器130的輸出信號131攜載的長度 L與P通常并不是T的整數(shù)倍。計算模塊140可分別對多個數(shù)據(jù)集類型(data settle)作計算，并產(chǎn)生分別對應(yīng)于這些數(shù)據(jù)集類型的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差(data-to-clock edge deviation)，其中這些數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差是由數(shù)據(jù)到 時鐘邊沿偏差計算器144的輸出信號145攜載，數(shù)據(jù)集類型至少包含一個凹 坑平面凹坑(pit-land-pit)數(shù)據(jù)集類型或至少包含一個平面凹坑平面(land-pit-land)數(shù)據(jù)集類型。每一數(shù)據(jù)集類型對應(yīng)于至少一個特定目標(biāo)凹坑 長度(例如3T、 4T、 ...、 11T)與一個特定目標(biāo)平面長度(例如3T、 4T、...、 11T)與另一特定目標(biāo)凹坑長度(例如3T、 4T、 ...、 11T)的組合，或至 少一個特定目標(biāo)平面長度與至少一個特定目標(biāo)凹坑長度與另一特定目標(biāo)平 面長度的組合。 類型依附分類器142將多個數(shù)據(jù)集分類為各數(shù)據(jù)集類型。在本實施例中，每一數(shù)據(jù)集，即(P1,L，P2)或(L1,P，L2)，包含有兩個長度，其中數(shù)據(jù)集(P1，L, P2)是指對應(yīng)于一個平面的長度與兩個分別與其相鄰的(adjacent)凹坑的長 度，而數(shù)據(jù)集(L1， P， L2)是指對應(yīng)于一個凹坑的長度與兩個分別與其相鄰的平面的長度。在此，如(PnT,LmT,P汀)或(LnT,PmT,L,T)的標(biāo)示法是用來表示上述數(shù)據(jù)集類型，其中nT、 mT或1T是以時鐘周期T為單位來表示長度；在本 實施例中，n = 3、 4、…、或ll， m = 3、 4、…、或11，且1=3、 4、…、或 11。數(shù)據(jù)集類型(UT，PmT，Lrr)中的每一者，例如n = n0、 m = m0、且1 = 10 的數(shù)據(jù)集類型(L,T， PmQ*T, L1G*T)，是被用于對應(yīng)于目標(biāo)平面長度為nO*T的平 面、與緊隨該平面之后且目標(biāo)凹坑長度為m(^T的凹坑、以及緊隨該凹坑之 后且目標(biāo)平面長度為10*T的平面的多個數(shù)據(jù)集(L1， P, L2)進行分類。相似地， 數(shù)據(jù)集類型(PnT，I^T,P,T)中的每一個，例如n = n0、 m = m0、且1 = 10的數(shù) 據(jù)集類型(P,T, Lm。*T，P1G*T)，是被用于分類對應(yīng)于目標(biāo)凹坑長度為110*丁的凹 坑、與緊隨該凹坑之后且目標(biāo)平面長度為m(^T的平面、以及緊隨該平面之 后且目標(biāo)凹坑長度為10n^的多個數(shù)據(jù)集(Pl,L，P2)。需要注意的是，多個數(shù)據(jù)集類型OUT,P^，L,T)中的每一個，例如數(shù)據(jù)集類型(L^T,Pm^,L^T)，是對應(yīng)于特定目標(biāo)平面長度nO"、特定目標(biāo)凹坑長度m(^T、與特定目標(biāo)平面 長度10*T的組合(nO叮,mO*T, 10*T)。多個數(shù)據(jù)集類型(PnT, LmT, P,t)中的毎一個，例如數(shù)據(jù)集類型(Pn() Lm(^,PH^)，對應(yīng)于特定目標(biāo)凹坑長度110*1\特定目標(biāo)平面長度mO*T、與特定目標(biāo)凹坑長度10*T的組合(n(PT， mO*T， 10*T)。由于n、 m與l各有九個可能的值(3到11)，所以對數(shù)據(jù)集類型(LnT, PmT, Lrr)來說有(9 * 9 * 9)個組合，而對數(shù)據(jù)集類型(PnT， L^， Prr)來說也有(9 * 9 * 9)個組合，因此數(shù)據(jù)集類型的總數(shù)是為(9 * 9 * 9 * 2)== 1458。在實際操作上可以選擇某些組合；寫入策略參數(shù)可依據(jù)這些所選擇的組 合來調(diào)整，而不是依據(jù)所有可能的組合來調(diào)整。另外，如果數(shù)據(jù)集(L1，P，L2)中長度L1、 P、與L2滿足下列條件，則類 型依附分類器142可將這些數(shù)據(jù)集(Ll, P, L2)分類進數(shù)據(jù)集類型(L^T， Pm0*T, Li。*T):(n0 - 0.5) *T《LI《(n0 + 0.5)*T; (m0 - 0.5) *T《P《(mO + 0.5)*T;且 (10 - 0.5) *T《L2《(10 + 0.5"T。相似地，如果數(shù)據(jù)集(P1,L，P2)中的長度P1、 L與P2滿足下列條件，則 類型依附分類器142可將這些數(shù)據(jù)集(Pl, L, P2)分類進數(shù)據(jù)集類型(P^T,Lm。*T， P|0*T):(nO - 0.5) *T《PI《(nO + 0.5"T; (mO - 0.5) *T《L《(mO + 0.5)*T;且 (10 - 0.5) *T《P2《(10 + 0.5)*T。數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144可如下列說明來計算分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型(L。t， PmT, L,t)與(P化LmT, P汀)的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144計算多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度(data-to-clock edge length)，其 中每一個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度為上述的參考信號(在本實施例中即八轉(zhuǎn)十四 調(diào)變數(shù)據(jù)時鐘CLK)的上升沿或下降沿以及分切信號115的轉(zhuǎn)變邊沿 (transition edge)之間的間距。另外，數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144計算多個差值，以產(chǎn)生分別對應(yīng)于各個數(shù)據(jù)集類型(LnT, PmT, L,T)與(P。T， LmT, P1T)的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。上述差值中的每一個為一個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度與 一個目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度之間的差值，其中目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度為對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型(U。 PmQ*T， LK)一或(Pn。嚇，Lm。*T， P^T)的預(yù)定值。以圖2所示的情況為例來進行進一步的說明。圖2為依據(jù)第一實施例的
利用數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來進行長度補償?shù)氖疽鈭D，其中凹坑A對應(yīng)于目標(biāo)長度P盯(即凹坑的目標(biāo)長度為4T)。如圖2所示，Ttopr與Tlast分別表示 用來控制凹坑的開始位置與結(jié)束位置的寫入策略參數(shù)。在圖2所示的情況中， 凹坑A被視為凹坑PT，其結(jié)束位置在此情況中并不完美；換句話說，在凹 坑PT的結(jié)束位置上可測量到邊沿偏差。位于凹坑PT之前的先前平面 (previous land) PL有目標(biāo)長度L4T (即平面的目標(biāo)長度為4T)，位于先前 平面PL之前的先前凹坑(previouspit) PP有目標(biāo)長度P3T。另夕卜，位于凹坑 PT之后的后續(xù)平面(following land) FL有目標(biāo)長度LsT，位于后續(xù)平面FL 之后的后續(xù)凹坑(followingpit) FP有目標(biāo)長度P4T。在此，類型(PP，PL，PT) 與(PT，F(xiàn)L，F(xiàn)P)對應(yīng)于上述的至少一個凹坑平面凹坑數(shù)據(jù)集類型，以及類型 (PL， PT, FL)對應(yīng)于上述的至少一個平面凹坑平面數(shù)據(jù)集類型。依據(jù)計算模塊140所進行、且分別對應(yīng)于類型(PP, PL, PT)、(PL, PT, FL)、 與(PT，F(xiàn)L,FP)的數(shù)據(jù)集類型的計算(尤其為統(tǒng)計方面的計算)，統(tǒng)計結(jié)果 可被獲取以指出類型(PP, PL,PT)、 (PL，PT,FL)、與(PT，F(xiàn)L, FP)中的一個主 導(dǎo)著(dominate)凹坑PT的不完美結(jié)束的現(xiàn)象，例如，類型(PT,FL，F(xiàn)P)主 導(dǎo)著凹坑PT的不完美結(jié)束的現(xiàn)象，則相對應(yīng)的寫入策略參數(shù)Tlast(n, m, 1) (其代表用來控制對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型(PnT， LmT, Prr)的凹坑的結(jié)束位置的寫入 策略參數(shù))應(yīng)被微調(diào)，以調(diào)整凹坑PT的不完美的結(jié)束，其中依據(jù)圖2所示 的情況，(n,m,l) = (4,5,4)。需要注意的是，數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144可計算數(shù)據(jù)到時鐘邊沿 長度dl。在本實施例中，數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度dl是為分切信號115的下降 沿的時間點D (即對應(yīng)于凹坑A的結(jié)束位置的時間點)、以及八轉(zhuǎn)十四調(diào)變 數(shù)據(jù)時鐘CLK中隨后的上升沿(例如時間點d)之間的間距。請注意，時 間點D實質(zhì)上是為射頻信號113的值跨越(cross)某一預(yù)定值(例如對應(yīng) 于分切器114的分切等級的值)時的同一時間點。數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算 器144通過檢測分切信號115的等級由高至低的轉(zhuǎn)變來檢測時間點D。同樣
的方法可以被應(yīng)用于計算對應(yīng)數(shù)據(jù)集類型(P4T, L5T， P4T)的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度。此外，數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144計算多個差值以產(chǎn)生對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。在某些實施例中，數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算 器144通過統(tǒng)計分析多個對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型的差值，來產(chǎn)生特定數(shù)據(jù)集 類型的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。統(tǒng)計分析可為對這些差值進行平均運算，或找出這些差值中出現(xiàn)頻率最高的值(most frequent value)。上述差值中的每一 個可以是數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度與目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度(例如圖2所示 的情況中為0.5T)之間的差值。因為對應(yīng)于凹坑A的結(jié)束位置的時間點在理想狀況下應(yīng)該是時間點DO，所以對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型(P4T, L5T， P燈)的目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度是為0.5T。以圖3所示的情況為例來進行進一步的說明。圖3為依據(jù)本發(fā)明第一實 施例的利用數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來進行長度補償?shù)氖疽鈭D，其中凹坑B也對 應(yīng)于目標(biāo)長度P盯。在圖3所示的情況中，凹坑B被視為凹坑PT，凹坑PT 的開始位置在此情況中并不完美；換句話說，在凹坑PT的幵始位置上可測 量到邊沿偏差。相似地，依據(jù)計算模塊140所進行、且分別對應(yīng)于類型(PP， PL, PT)、 (PL, PT,FL)、與(PT,FL,FP)的數(shù)據(jù)集類型的計算，統(tǒng)計結(jié)果可被獲取以指出類 型(PP, PL, PT)、 (PL, PT, FL)、與(PT, FL, FP)中的一個主導(dǎo)著凹坑PT的不完 美開始的現(xiàn)象，例如，類型(PP,PL,PT)主導(dǎo)著凹坑PT的不完美開始的現(xiàn)象， 則相對應(yīng)的寫入策略參數(shù)Ttopr(n, m, 1)(其代表用來控制對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型(PnT,LmT,P,T)的凹坑的開始位置的寫入策略參數(shù))應(yīng)被微調(diào)，以調(diào)整凹坑PT的不完美開始，其中依據(jù)圖3所示的情況，(n，m,l) = (3，4,4)。需要注意的是，數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144計算數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長 度d2。在本實施例中，數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度d2為分切信號115的上升沿的 時間點E(即對應(yīng)于凹坑B的開始位置的時間點)以及在八轉(zhuǎn)十四調(diào)變數(shù)據(jù) 時鐘CLK中隨后的上升沿(例如時間點e所指之處)之間的間距。請注
意，時間點E實質(zhì)上是為射頻信號113的值跨越預(yù)定值(例如對應(yīng)于分切器114的分切等級的值)時的同一時間點。數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144 通過檢測分切信號115的等級由低至高的轉(zhuǎn)變來檢測時間點E。同樣的方法可以被應(yīng)用于計算對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型(Pyr, L4T, P4T)的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度。另外，數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144計算多個差值以產(chǎn)生對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類 型的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差，其中上述差值中的每一個為一個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿 長度與一個目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度之間的差值。在圖3所示的情況中，因 為對應(yīng)于凹坑B的開始位置的時間點在理想狀況下應(yīng)該是時間點Eo， ^f以 對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型(P3T, L4T, P4T)的目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度被決定為0.5T。需要注意的是，因為從數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144傳輸?shù)綄懭朊}沖 控制器150的信號是數(shù)字的，所以如果有需要，類型依附分類器142產(chǎn)生的 分類信息可通過數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144被傳送至寫入脈沖控制器 150。相似地，因為從類型依附分類器142傳輸至數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算 器144的信號是數(shù)字的，因此如果有需要，八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器130所 產(chǎn)生的檢測結(jié)果可通過類型依附分類器142被傳送至數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計 算器144。在第一實施例的一個變化例中，寫入脈沖控制器150可通過直接 連接而耦接至類型依附分類器142，且數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器144也可 通過直接連接而耦接至八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器130。在第一實施例的一個變化例中，被用于計算差值以產(chǎn)生對應(yīng)于特定數(shù)據(jù) 集類型(L,t， PmC*T， 1^*7)的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差的目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長 度，可以是對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型(L-t, Pm。*T, L將)的多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度的平均值。相似地，被用于計算差值以產(chǎn)生對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型(P^t, Lm0*T, P^t)的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差的目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度，可以是對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型(P^t, LmQ*T, P^t)的多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度的平均值。在第一實施例的另一變化例中，被用于計算差值以產(chǎn)生對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型(L,t, PmQ*T， L^t)或(P^t, LmQ*T, P將)的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差的目標(biāo)數(shù)據(jù)
到時鐘邊沿長度，可以是對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型(L^t， Pm。*T, Lk^t)的多個數(shù) 據(jù)到時鐘邊沿長度以及對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型(P^t， LmQ*T， Pu^t)的多個數(shù)據(jù) 到時鐘邊沿長度的平均值。需要注意的是，上述寫入策略參數(shù)，例如Ttopr(n， m, l)與Tlast(n, m, 1)，都可以被自動地微調(diào)，這是由于本發(fā)明不再需要特定裝置(例如上述的示 波器)。另外，在沒有外部裝置的協(xié)助下，寫入脈沖控制器150可依據(jù)計算 模塊140所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來微調(diào)寫入策略參數(shù)，所以依據(jù)本發(fā) 明，寫入策略參數(shù)可以在系統(tǒng)或芯片上被自動地微調(diào)。通過依據(jù)數(shù)據(jù)到時鐘 邊沿偏差來微調(diào)寫入策略參數(shù)，促使對應(yīng)于被寫到光學(xué)存儲媒體102上的最 新數(shù)據(jù)(其是利用最近更新的寫入策略參數(shù)而寫上的)的凹坑長度或平面長 度可接近或達到T的目標(biāo)倍數(shù)。圖4為依據(jù)本發(fā)明一實施例用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方 法910的流程圖。方法910從步驟910S開始并可通過圖1所示的系統(tǒng)100C 來實施。在步驟912中，在光學(xué)存儲裝置100中的微處理單元(micro-processing unit, MPU)所執(zhí)行的固件編碼的控制下，光學(xué)存儲裝置100利用對應(yīng)于光學(xué) 存儲裝置100的特定轉(zhuǎn)速的寫入策略參數(shù)的初始值，將數(shù)據(jù)寫到光學(xué)存儲媒 體102上。在步驟914中，光學(xué)存儲裝置100讀取被寫到光學(xué)存儲媒體102上的數(shù) 據(jù)以產(chǎn)生分切信號U5。在步驟916中，系統(tǒng)100C的八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器130通過測量分 切信號115來檢測凹坑的長度P與平面的長度L。在步驟918中，計算模塊140計算對應(yīng)于數(shù)據(jù)集類型(UT， PmT， LnO與(PnT, LmT， PnO的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差，其數(shù)據(jù)集類型如前面所述，包含至少一凹 坑平面凹坑數(shù)據(jù)集類型或至少一平面凹坑平面數(shù)據(jù)集類型，其中在本實施例 中，n = 3、 4、…、或ll， m = 3、 4、…、或11，且1 = 3、 4、…、或ll。
在步驟920中，執(zhí)行固件編碼的微處理單元決定是否需要微調(diào)寫入策略參數(shù)。如果任一數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于一特定門限值，則執(zhí)行固件編碼的微處理單元決定需要微調(diào)寫入策略參數(shù)，步驟922將被執(zhí)行；否則，進入步 驟910E，結(jié)束該流程。在某些情況下，如果寫入策略參數(shù)的初始值被確信 為是不完美的，則微處理單元可決定直接進入步驟922而不進行步驟920的 檢査。雖然如步驟920與922中所描述的寫入策略參數(shù)為多個寫入策略參數(shù)， 且簡化如圖2所示，但其并不是對本發(fā)明的限定。如果僅需微調(diào)一個寫入策 略參數(shù)，則步驟920與922可被描述為利用一個寫入策略參數(shù)類型。類似的 選擇一個或多個寫入策略參數(shù)類型的實施選擇的重復(fù)說明將不再詳細描述。如果執(zhí)行固件編碼的微處理單元決定進入步驟922，則系統(tǒng)100C如前 面所述，利用數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來微調(diào)寫入策略參數(shù)。在步驟924中，在執(zhí)行固件編碼的微處理單元的控制下，光學(xué)存儲裝置 100利用微調(diào)后的寫入策略參數(shù)值(即執(zhí)行步驟922后的寫入策略參數(shù)值)， 將數(shù)據(jù)寫到光學(xué)存儲媒體102上。請注意，依據(jù)本發(fā)明應(yīng)用于上述多功能數(shù)碼光盤(例如DVD-R規(guī)格 或DVD+R規(guī)格的多功能數(shù)碼光盤)的另一實施例中，數(shù)據(jù)集類型(UT, PmT, Lrr)與(PnT, L^， Prr)的總數(shù)量可通過下式獲得10 *10 * 10 * 2 = 2000;這是由于對于DVD-R規(guī)格或DVD+R規(guī)格的多功能數(shù)碼光盤來說，n = 3、 4、…、11、或14， m = 3、 4、…、11、或14，且1 = 3、 4、…、11、或 14。相似地，在實際操作上可以選擇某些組合；以便寫入策略參數(shù)可依據(jù)所 選擇的組合來調(diào)整，而不是依據(jù)所有可能的組合來調(diào)整。圖5為依據(jù)本發(fā)明不同的實施例通過利用長度偏差統(tǒng)計來分別微調(diào)寫入
策略參數(shù)的示意圖，其中圖5所示的寫入策略參數(shù)可應(yīng)用于寫入DVD-R規(guī) 格的壓縮光盤，且在圖5中，用于多脈沖的寫入策略的寫入策略參數(shù)與用于 單一脈沖的寫入策略的寫入策略參數(shù)是分別以理想串行數(shù)字信號(ideal serial digital signal)來表示。寫入策略參數(shù)Ttopl、 Ttop2、 Tlastl、 Tlast2、 Ttopr、 Todf、 Todr與Thst分別對應(yīng)于某些邊沿延遲(或邊沿位移)，且寫入 策略參數(shù)Tmp則對應(yīng)于某一脈沖寬度。另外，寫入策略參數(shù)，例如圖5所 示的過馬區(qū)動功率(overdrive power, OD power)、寫入功率(write power)、 以及 偏壓功率(bias power)分別對應(yīng)于某些功率等級。圖6為依據(jù)本發(fā)明不同的實施例通過利用長度偏差統(tǒng)計來分別微調(diào)寫入 策略參數(shù)的示意圖，其中圖6所示的寫入策略參數(shù)可應(yīng)用于寫入DVD-RW 規(guī)格壓縮光盤，且用于第一寫入策略(即圖6中所示的"寫入策略1")的寫 入策略參數(shù)與用于第二寫入策略(即圖6中所示的"寫入策略2")的寫入策 略參數(shù)是分別以理想串行數(shù)字信號表示于圖6中。寫入策略參數(shù)Ttopl、 Ttop2、 Tlastl、 Tlast2、與Tcool分別對應(yīng)于某些邊沿延遲(或邊沿位移)， 且寫入策略參數(shù)Tmp則對應(yīng)于某一脈沖寬度。另外，寫入策略參數(shù)，例如 圖6所示的寫入功率、擦除功率(emse power)、與偏壓功率分別對應(yīng)于某些 功率等級。圖7為依據(jù)本發(fā)明的第二實施例的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置200的寫入策 略參數(shù)的系統(tǒng)200C的示意圖。本實施例與第一實施例相似，其差異說明如 下。在第二實施例中，輸入至八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器130的參考信號為振 蕩器220所產(chǎn)生的參考時鐘CLK2。參考時鐘CLK2的頻率并不需要與八轉(zhuǎn) 十四調(diào)變數(shù)據(jù)時鐘CLK的頻率相等。圖8為依據(jù)本發(fā)明的第三實施例的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置300的寫入策 略參數(shù)的系統(tǒng)300C的示意圖。本實施例與第一實施例相似，其差異說明如 下。系統(tǒng)300C包含取樣電路(samplingcircuit)，耦接于波形均衡器112以 接收再生信號(例如射頻信號113)。取樣電路是被用于取樣再生信號以
產(chǎn)生數(shù)字信號；在本實施例中，數(shù)字信號為數(shù)字射頻信號315。如圖8所示， 取樣電路包含模數(shù)轉(zhuǎn)換器(analog-to-digital converter, ADC) 314與鎖相環(huán) 320。模數(shù)轉(zhuǎn)換器314依據(jù)參考時鐘CLK3對射頻信號113進行模數(shù)轉(zhuǎn)換， 以產(chǎn)生數(shù)字射頻信號315，且鎖相環(huán)320依據(jù)數(shù)字射頻信號315來產(chǎn)生參考 時鐘CLK3。系統(tǒng)300C進一步包含八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器330、計算模塊340、與 寫入脈沖控制器350，其中計算模塊340包含類型依附分類器342與數(shù)據(jù)到 時鐘邊沿偏差計算器344。在此，被使用于檢測長度的信號為數(shù)字射頻信號 315，而不是分切信號115。八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器330通過觀測(observe) 數(shù)字射頻信號315的值來檢測時間點之間的間距，并產(chǎn)生間距的長度，其中 每一間距對應(yīng)于一個凹坑或一個平面。這些間距的邊界可通過預(yù)定值來決 定；預(yù)定值可以是數(shù)字射頻信號315攜載的最大值與最小值之間的中間值， 例如最大值與最小值的平均值。中間值相當(dāng)于前面各實施例所述的分切信 號。圖9為于再生信號(例如射頻信號113)的多個取樣點(其是以「 」的記號來標(biāo)示)的示意圖，其中特定取樣點的值與預(yù)定值(例如上述中間值)之間的差值d3可作為用來指出數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差d4的指標(biāo) (indication)。依據(jù)圖9所示的射頻信號的波形，大部分跨越預(yù)定值的取樣 點中都會完美地對準八轉(zhuǎn)十四調(diào)變數(shù)據(jù)時鐘的下降沿，所以大部分數(shù)據(jù)到時 鐘邊沿偏差的值為零。上述特定取樣點的值是指在特定取樣時間被取樣的數(shù) 值，而該數(shù)值是由數(shù)字射頻信號315攜載。取樣點的值與預(yù)定值之間的差值(例如上述差值d3)可表示數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差(例如上述數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差d4)，且取得對應(yīng)的長度與數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。計算模塊340 可通過計算預(yù)定值(例如上述中間值)以及當(dāng)數(shù)字射頻信號315的值跨越 預(yù)定值的時間點附近的數(shù)字射頻信號315的值之間的差值，來估算出數(shù)據(jù)到 時鐘邊沿偏差。
在此，類型依附分類器342與類型依附分類器142具有相同的功能，而 八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長度檢測器330則可輸出由輸出信號331攜載的長度L與P， 其中輸出信號331與輸出信號131相似。本實施例的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計 算器344通過使用上述接近于直線的關(guān)系，來計算數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。另 外，寫入脈沖控制器350具有與寫入脈沖控制器150相同的功能，而計算模 塊340則可輸出由輸出信號345攜載的數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差，其中輸出信號 345與輸出信號145相似。圖10為圖8所示的實施例的一變化實施例的示意圖，其中使用了內(nèi)插 器(interpolator) 416，耦接于模數(shù)轉(zhuǎn)換器314與鎖相環(huán)320之間。鎖相環(huán) 320依據(jù)內(nèi)插器416所產(chǎn)生的內(nèi)插信號(interpolated signal) 417來產(chǎn)生參考 信號CLK4，而內(nèi)插器416則依據(jù)數(shù)字射頻信號315與參考信號CLK4來進 行內(nèi)插運算(interpolation叩eration)。在本變化實施例中，八轉(zhuǎn)十四調(diào)變長 度檢測器330的輸入可被內(nèi)插信號417所替換。內(nèi)插器416的運作原理是任 何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員所能理解的，所以在此不再詳細描述。圖11為依據(jù)本發(fā)明一實施例的統(tǒng)計計算的詳細實施的方法930的流程 圖，其中圖11所示的詳細實施的方法開始于步驟930S，并可被應(yīng)用于圖4 所示的實施例，尤其是步驟918、 920、與922。在步驟932中，進行對應(yīng)于類型(PP, PL, PT)、 (PL, PT, FL)、及/或(PT, FL, FP)的多個數(shù)據(jù)集類型的統(tǒng)計計算，并取得數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于門限 值Th一A(例如Th—A-0.3T)的數(shù)據(jù)集類型。在步驟934中，在數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于門限值Th_A的數(shù)據(jù)集類型 當(dāng)中，取得數(shù)據(jù)集發(fā)生次數(shù)多于Th_B (即門限值ThJB所指定的次數(shù))的 數(shù)據(jù)集類型，其中門限值Th—B為正整數(shù)，例如Th—B = 256。在步驟936中，計算對應(yīng)于數(shù)據(jù)集發(fā)生次數(shù)多于Th—B的數(shù)據(jù)集類型的 寫入策略參數(shù)的調(diào)整量。并于步驟930E中結(jié)束。需要注意的是，依據(jù)本發(fā)明的某些實施例，可進行統(tǒng)計計算以決定對應(yīng)
長度L及/或P的分布曲線。分布曲線的某些特征的信息，例如分布曲線的形狀、半高寬(half height width)、及被門限值Th—A與Th—B所切割的 區(qū)域，可用于決定是否微調(diào)寫入策略參數(shù)以及決定寫入策略參數(shù)的調(diào)整量。圖12與圖13為依據(jù)本發(fā)明的一實施例的分別在微調(diào)寫入策略參數(shù)之前 與之后的取樣數(shù)(samplecount)相對于數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度的曲線示意圖。 如圖12所示，關(guān)于對應(yīng)于(PT， FL) = (4T， 5T)的組合「PT(4T) + FL(5T)」， 其曲線以某一值為中心(例如零)。另夕卜，對應(yīng)于(PL, PT, FL) = (3T, 4T, 5T) 的組合「PL(3T) + PT(4T) + FL(5T)」的曲線是以該某一值減掉S2為中心， 而對應(yīng)于(PL, PT， FL) = (4T, 4T， 5T)的組合「PL(4T) + PT(4T) + FL(5T)」的曲 線是以該某一值加上Sl為中心，且對應(yīng)于(PL, PT， FL) = (5T, 4T, 5T)的組合 「PL(5T) + PT(4T) + FL(5T)」的曲線也以某一值為中心。因此，依據(jù)本實施 例，微調(diào)寫入策略參數(shù)，當(dāng)如圖12所示的三個較低曲線被集中在同一處以 使它們以同一值或彼此相近的值為中心，則可窄化(narrow)如圖12所示 的較高曲線。因此，如圖13所示差距S1與S2被縮小了。需要注意的是，本發(fā)明可通過使用具有多個組件組合而成的硬件、或通 過使用執(zhí)行軟件或固件程序的計算機來實施。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)，可以做一些改動， 因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)與權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，其特征在于，所述方法包含以下步驟檢測多個長度，每一長度對應(yīng)于通過所述光學(xué)存儲裝置所存取的光學(xué)存儲媒體上的一凹坑或一平面；進行對應(yīng)于多個數(shù)據(jù)集類型的計算，以及產(chǎn)生分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差，其中所述多個數(shù)據(jù)集類型至少包含凹坑平面凹坑數(shù)據(jù)集類型或至少包含平面凹坑平面數(shù)據(jù)集類型；以及使用所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來微調(diào)所述多個寫入策略參數(shù)，其中所述多個寫入策略參數(shù)分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型。
2. 如權(quán)利要求1所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法， 其特征在于，檢測所述多個長度的步驟進一步包含依據(jù)存取所述光學(xué)存儲媒體的所述光學(xué)存儲裝置所產(chǎn)生的再生信號來 檢測所述多個長度。
3. 如權(quán)利要求2所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法， 其特征在于，檢測所述多個長度的步驟進一步包含分切所述再生信號以產(chǎn)生分切信號；以及檢測所述分切信號的多個上升沿與多個下降沿之間的多個間距或所述 分切信號的多個下降沿與多個上升沿之間的多個間距，來作為所述多個長 度，其中每一間距對應(yīng)于一凹坑或一平面。
4. 如權(quán)利要求3所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，其特征在于，進行對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的計算以及產(chǎn)生分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差的步驟進一步包含計算多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度，每一數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度為第一參考時鐘的上升沿或下降沿以及所述分切信號的上升沿或下降沿之間的間距；以及計算多個差值以產(chǎn)生分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù) 到時鐘邊沿偏差，每一差值為數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度與目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長 度之間的差值，其中所述目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度為對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型 的預(yù)定值、或為對應(yīng)于所述特定數(shù)據(jù)集類型的多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度的平 均值。
5. 如權(quán)利要求4所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，其特征在于，所述方法進一步包含依據(jù)所述分切信號來產(chǎn)生所述第一參考時鐘。
6. 如權(quán)利要求5所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法， 其特征在于，依據(jù)所述分切信號來產(chǎn)生所述第一參考時鐘的步驟進一步包含利用鎖相環(huán)來產(chǎn)生所述第一參考時鐘，且檢測所述多個長度的步驟進一步包含依據(jù)所述第一參考時鐘來檢測所述多個長度。
7. 如權(quán)利要求5所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法， 其特征在于，依據(jù)所述分切信號來產(chǎn)生所述第一參考時鐘的步驟進一步包 含利用鎖相環(huán)來產(chǎn)生所述第一參考時鐘， 且檢測所述多個長度的步驟進一步包含使用振蕩器來產(chǎn)生第二參考時鐘；以及依據(jù)所述第二參考時鐘來檢測所述多個長度。
8. 如權(quán)利要求2所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，其特征在于，檢測所述多個長度的步驟進一步包含 對所述再生信號進行取樣以產(chǎn)生數(shù)字信號；以及當(dāng)所述數(shù)字信號的值跨越預(yù)定值時，檢測多個時間點之間的間距，以產(chǎn) 生所述多個長度，其中每一間距對應(yīng)于一凹坑或一平面。
9. 如權(quán)利要求8所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法， 其特征在于，進行對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的計算以及產(chǎn)生分別對應(yīng)于所 述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差的步驟進一步包含-當(dāng)所述數(shù)字信號的值跨越所述預(yù)定值時，計算所述多個時間點附近的所 述數(shù)字信號的值與所述預(yù)定值之間的多個差值，以產(chǎn)生所述多個數(shù)據(jù)到時鐘 邊沿偏差。
10. 如權(quán)利要求8所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，其特征在于，對所述再生信號進行取樣的步驟進一步包含依據(jù)參考時鐘來對所述再生信號進行模數(shù)轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生所述數(shù)字信號；以及使用鎖相環(huán)，依據(jù)所述數(shù)字信號來產(chǎn)生所述參考時鐘。
11. 如權(quán)利要求1所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，其特征在于，所述方法進一步包含在系統(tǒng)或芯片上自動地微調(diào)所述多個寫入策略參數(shù)。
12. 如權(quán)利要求1所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，其特征在于，進行對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的計算以及產(chǎn)生分別對應(yīng) 于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差的步驟進一步包含-將多個數(shù)據(jù)集分類為所述多個數(shù)據(jù)集類型，每一數(shù)據(jù)集包含分別對應(yīng)于一凹坑與兩個相鄰平面的長度或分別對應(yīng)于一平面與兩個相鄰凹坑的長度；以及計算分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。
13. 如權(quán)利要求1所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，其特征在于，在進行對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的計算以及產(chǎn)生分別對 應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差的步驟中，每一數(shù) 據(jù)集類型對應(yīng)于特定目標(biāo)凹坑長度與多個特定目標(biāo)平面長度的組合、或特定 目標(biāo)平面長度與多個特定目標(biāo)凹坑長度的組合。
14. 如權(quán)利要求1所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方 法，其特征在于，進行對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的計算以及產(chǎn)生分別對應(yīng) 于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差的步驟進一步包含取得所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于第一門限值的數(shù)據(jù)集類型； 在數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于所述第一門限值的所述多個數(shù)據(jù)集類型中，取得所述多個數(shù)據(jù)集發(fā)生次數(shù)多于第二門限值所指示的次數(shù)的數(shù)據(jù)集類型；以及計算對應(yīng)于數(shù)據(jù)集發(fā)生次數(shù)多于所述第二門限值所指示的次數(shù)的所述 多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個寫入策略參數(shù)的調(diào)整量；其中所述多個調(diào)整量被用于微調(diào)所述多個寫入策略參數(shù)。
15. —種用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系統(tǒng)，其特征在于， 所述系統(tǒng)包含檢測器，用來檢測多個長度，每一長度對應(yīng)于通過所述光學(xué)存儲裝置所 存取的光學(xué)存儲媒體上的一凹坑或一平面；計算模塊，耦接于所述檢測器，用以進行對應(yīng)于多個數(shù)據(jù)集類型的計算， 以及產(chǎn)生分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差，其中 所述多個數(shù)據(jù)集類型至少包含凹坑平面凹坑數(shù)據(jù)集類型或至少包含平面凹 坑平面數(shù)據(jù)集類型；以及控制器，耦接于所述計算模塊，所述控制器利用所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊 沿偏差以微調(diào)分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個寫入策略參數(shù)。
16. 如權(quán)利要求15所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，所述檢測器依據(jù)存取所述光學(xué)存儲媒體的所述光學(xué)存儲裝 置所產(chǎn)生的再生信號來檢測所述多個長度。
17. 如權(quán)利要求16所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)進一步包含分切器，用來分切所述再生信號以產(chǎn)生分切信號；其中所述檢測器檢測所述分切信號的多個上升沿與多個下降沿之間的 多個間距或所述分切信號的所述多個下降沿與所述多個上升沿之間的多個 間距，來作為所述多個長度，且每一間距對應(yīng)于一凹坑或一平面。
18. 如權(quán)利要求17所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系統(tǒng)，其特征在于，所述計算模塊計算多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度以及多個差lt， 以產(chǎn)生分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差，其 中每一數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度為第一參考時鐘的上升沿或下降沿以及所述分 切信號的上升沿或下降沿之間的間距，以及每一差值為數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度 與目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度之間的差值，其中所述目標(biāo)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度 為對應(yīng)于特定數(shù)據(jù)集類型的預(yù)定值、或為對應(yīng)于所述特定數(shù)據(jù)集類型的多個 數(shù)據(jù)到時鐘邊沿長度的平均值。
19. 如權(quán)利要求18所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)進一步包含鎖相環(huán)，用以依據(jù)所述分切信號來產(chǎn)生所述第一參考時鐘；其中所述檢測器與所述計算模塊均耦接于所述鎖相環(huán)，且所述檢測器依 據(jù)所述第一參考時鐘來檢測所述多個長度。
20. 如權(quán)利要求18所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)進一步包含鎖相環(huán)，用以依據(jù)所述分切信號來產(chǎn)生所述第一參考時鐘；以及 振蕩器，用以產(chǎn)生第二參考時鐘；其中所述檢測器耦接于所述振蕩器且依據(jù)所述第二參考時鐘來檢測所 述多個長度，以及所述計算模塊耦接于所述鎖相環(huán)。
21. 如權(quán)利要求16所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)進一步包含取樣電路，用以取樣所述再生信號以產(chǎn)生數(shù)字信號；其中所述檢測器耦接于所述取樣電路，且當(dāng)所述數(shù)字信號的值跨越預(yù)定值時，檢測多個時間點之間的間距以產(chǎn)生所述多個長度，以及每一間距對應(yīng) 于一凹坑或一平面。
22. 如權(quán)利要求21所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述數(shù)字信號的值跨越所述預(yù)定值時，所述計算模塊計 算所述多個時間點附近的所述數(shù)字信號的值與所述預(yù)定值之間的差值，以產(chǎn) 生所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。
23. 如權(quán)利要求21所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系統(tǒng)，其特征在于，所述取樣電路進一步包含模數(shù)轉(zhuǎn)換器，用以依據(jù)參考時鐘來對所述再生信號進行模數(shù)轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生所述數(shù)字信號；以及鎖相環(huán)，耦接于所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器，用以依據(jù)所述數(shù)字信號來產(chǎn)生所述參 考時鐘。
24. 如權(quán)利要求21所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，所述取樣電路進一步包含模數(shù)轉(zhuǎn)換器，用來對所述再生信號進行模數(shù)轉(zhuǎn)換； 內(nèi)插器，耦接于所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器，用來依據(jù)參考時鐘以及通過所述模數(shù) 轉(zhuǎn)換器所產(chǎn)生的結(jié)果來進行內(nèi)插運算，以產(chǎn)生所述數(shù)字信號；以及鎖相環(huán)，耦接于所述內(nèi)插器，用以依據(jù)所述數(shù)字信號來產(chǎn)生所述參考時鐘。
25. 如權(quán)利要求15所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，所述多個寫入策略參數(shù)是在系統(tǒng)或芯片上被自動地微調(diào)。
26. 如權(quán)利要求15所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，所述計算模塊進一步包含類型依附分類器，用來將多個數(shù)據(jù)集分類為所述多個數(shù)據(jù)集類型，每一 數(shù)據(jù)集包含分別對應(yīng)于一凹坑與兩個相鄰平面的長度、或分別對應(yīng)于一平面 與兩個相鄰凹坑的長度；以及 數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差計算器，耦接于所述類型依附分類器，用來計算分 別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差。
27. 如權(quán)利要求15所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，在所述計算模塊所進行的計算中，每一數(shù)據(jù)集類型對應(yīng)于 特定目標(biāo)凹坑長度與多個特定目標(biāo)平面長度的組合、或特定目標(biāo)平面長度與 多個特定目標(biāo)凹坑長度的組合。
28. 如權(quán)利要求15所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)是所述光學(xué)存儲裝置。
29. 如權(quán)利要求15所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)是所述光學(xué)存儲裝置中的電路，或所述系統(tǒng)是耦 接于所述光學(xué)存儲裝置的電路。
30. 如權(quán)利要求15所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的系 統(tǒng)，其特征在于，所述計算模塊取得所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于第一 門限值的數(shù)據(jù)集類型，并在數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于所述第一門限值的所述 多個數(shù)據(jù)集類型中，取得所述多個數(shù)據(jù)集發(fā)生次數(shù)多于第二門限值所指示的 次數(shù)的數(shù)據(jù)集類型，以及計算對應(yīng)于數(shù)據(jù)集發(fā)生次數(shù)多于所述第二門限值所 指示的次數(shù)的所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個寫入策略參數(shù)的調(diào)整量；其中 所述多個調(diào)整量被用于微調(diào)所述多個寫入策略參數(shù)。
31. —種用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法，其特征在于， 所述方法包含以下步驟檢測多個長度，每一長度對應(yīng)于通過所述光學(xué)存儲裝置所存取的光學(xué)存 儲媒體上的一凹坑或一平面；進行對應(yīng)于多個數(shù)據(jù)集類型的計算，以及產(chǎn)生分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù) 集類型的多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差，其中進行對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的 計算以及產(chǎn)生分別對應(yīng)于所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿 偏差的步驟進一步包含取得數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于第一門限值的數(shù)據(jù)集類型； 在數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差大于所述第一門限值的所述多個數(shù)據(jù)集類型中，取得數(shù)據(jù)集發(fā)生次數(shù)多于第二門限值所指示的次數(shù)的數(shù)據(jù)集類型；計算對應(yīng)于數(shù)據(jù)集發(fā)生次數(shù)多于所述第二門限值所指示的次數(shù)的所述多個數(shù)據(jù)集類型的所述多個寫入策略參數(shù)的調(diào)整量；以及 利用所述多個調(diào)整量以微調(diào)所述多個寫入策略參數(shù)。
32. 如權(quán)利要求31所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方 法，其特征在于，檢測所述多個長度的步驟進一步包含依據(jù)存取所述光學(xué)存儲媒體的所述光學(xué)存儲裝置所產(chǎn)生的再生信號來 檢測所述多個長度。
33. 如權(quán)利要求32所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方 法，其特征在于，檢測所述多個長度的步驟進一步包含-分切所述再生信號以產(chǎn)生分切信號；以及檢測所述分切信號的多個上升沿與多個下降沿之間的多個間距或所述 分切信號的多個下降沿與多個上升沿之間的多個間距，來作為所述多個長 度，其中每一間距對應(yīng)于一凹坑或一平面。
34. 如權(quán)利要求32所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方 法，其特征在于，檢測所述多個長度的步驟進一步包含對所述再生信號進行取樣以產(chǎn)生數(shù)字信號;以及當(dāng)所述數(shù)字信號的值跨越預(yù)定值時，檢測多個時間點之間的間距，以產(chǎn) 生所述多個長度，其中每一間距對應(yīng)于一凹坑或一平面。
35. 如權(quán)利要求31所述的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方 法，其特征在于，所述方法進一步包含在系統(tǒng)或芯片上自動地微調(diào)所述多個寫入策略參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法及其系統(tǒng)，該方法包含以下步驟檢測多個長度，每一長度對應(yīng)于光學(xué)存儲裝置所存取的光學(xué)存儲媒體上的一凹坑或一平面；進行對應(yīng)于多個數(shù)據(jù)集類型的計算，以及產(chǎn)生分別對應(yīng)于這些數(shù)據(jù)集類型的多個數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差；并使用這些數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來微調(diào)分別對應(yīng)于這些數(shù)據(jù)集類型的寫入策略參數(shù)。本發(fā)明提供的用來微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)的方法及其系統(tǒng)，通過依據(jù)數(shù)據(jù)到時鐘邊沿偏差來微調(diào)寫入策略參數(shù)，而不需要特定外部裝置的協(xié)助，也不需要耗費工程師或研究員過多的時間，就可以微調(diào)光學(xué)存儲裝置的寫入策略參數(shù)。
文檔編號G11B20/10GK101159156SQ200710141838
公開日2008年4月9日 申請日期2007年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月5日
發(fā)明者游志青 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司