專利名稱：用于優(yōu)化的寫入策略控制的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在記錄處理中優(yōu)化寫入策略的設(shè)備和方法， 其中所述記錄處理用于在光盤上記錄信息。本發(fā)明特別涉及優(yōu)化所述 寫入策略中的一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)。
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對于光學(xué)介質(zhì)記錄所需要的激光功率的最優(yōu)數(shù)量尤其取決于特定 的介質(zhì)、取決于記錄速度并且可能甚至取決于所述介質(zhì)上的位置。提 供正確的功率是非常重要的，這是因?yàn)椴徽_的激光功率設(shè)置可能會(huì) 導(dǎo)致不正確的光學(xué)效應(yīng)，比如過小或過大的效應(yīng)。由于將被記錄的數(shù)
據(jù)是由所述光學(xué)效應(yīng)在所述介質(zhì)上的圖案(pattern)所代表的，因此 這可能導(dǎo)致不正確的信息記錄。
在當(dāng)代的CD和DVD驅(qū)動(dòng)器以及下一代BD驅(qū)動(dòng)器中，必須非常
精確地控制用來在盤上寫入數(shù)據(jù)的激光功率和寫入策略。這在當(dāng)前可 以按照以下方式進(jìn)行。在內(nèi)半徑處對抖動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化(OPC，最優(yōu)功
率控制)之后，在所找到的最優(yōu)設(shè)置下測量不對稱性。在寫入了幾條 (例如約IOO條)軌道之后，讀回最后一條軌道，并且測量所述不對稱 性。當(dāng)該軌道看起來比所找到的最優(yōu)設(shè)置具有更高的不對稱性時(shí)，減 小寫入功率，并且如果該軌道具有過小的不對稱性，則增大寫入功率。 這種對寫入功率進(jìn)行半連續(xù)適配的方法被稱作步行式OPC (walking OPC),這是因?yàn)橹辉谥付ǖ牟襟E(位置)處修改寫入功率。
因?yàn)楫?dāng)前只測量一個(gè)參數(shù)(所述不對稱性)，因此只能適配一個(gè) 參數(shù)(寫入功率)。這樣，只考慮到從內(nèi)直徑到外直徑的一次性寫入 堆疊中所需要的寫入功率中的變化。由于所述一次性寫入堆疊中的各 層(例如染料層、鏡面層和電介質(zhì)層)的厚度變化以及由于不同的線 速度(在CAV模式下不是恒定的)，不僅所需要的功率會(huì)發(fā)生變化， 而且最優(yōu)寫入策略也可能會(huì)發(fā)生變化。在當(dāng)前可以買到的設(shè)備中并沒 有考慮到這一點(diǎn)(寫入策略由優(yōu)化例程在啟動(dòng)時(shí)固定)。
在已公開的美國申請20O4/0130993中揭示了一種用于優(yōu)化高速寫
入程序的方法和設(shè)備。可以訪問定義了各種動(dòng)態(tài)寫入策略情況的表， 并且從而能夠?qū)す夤β孰娖胶?或脈沖邊沿進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。
對于存儲容量和訪問速度的日益增長的需求使得有必要使用精確 的并且能夠做出響應(yīng)的控制機(jī)制。因此，在本技術(shù)領(lǐng)域中需要改進(jìn)的 光學(xué)設(shè)備以及改進(jìn)的確保最優(yōu)光學(xué)記錄的方式。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明尋求提供一種改進(jìn)的光學(xué)設(shè)備，其具有用于在記錄處理期 間確保優(yōu)化的記錄的改進(jìn)的裝置。優(yōu)選地，本發(fā)明單獨(dú)地或者以任意 組合減輕或緩解一個(gè)或多個(gè)上述缺陷或其他缺陷。
因此，在第一方面，提供一種具有優(yōu)化的寫入策略控制的光學(xué)記
錄設(shè)備，該設(shè)備包括
-輻射源，其用于發(fā)射輻射光束以便在可記錄介質(zhì)上記錄光學(xué)效 應(yīng)，其中所述輻射光束是根據(jù)包括一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)的寫入策略而 被發(fā)射的；
-讀取單元，其用于讀取所記錄的效應(yīng)以便提供讀取信號，該讀 取信號包括從具有第一寬度的笫一區(qū)域反射的笫一部分以及從具有第 二寬度的第二區(qū)域反射的第二部分，其中從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過 渡被標(biāo)記為前沿，并且從第二區(qū)域到第 一 區(qū)域的過渡被標(biāo)記為后沿，
其中，在所述讀取信號中確定前沿和/或后沿的平均過渡偏移，并 且在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略中的所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù) 的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過渡偏移納入考慮。
所述讀取信號可以是所測量的光學(xué)信號，比如來自一次性寫入或
可重寫CD類型盤、DVD類型盤、BD類型盤等等的所測量的光學(xué)信號。
所述讀取信號是已調(diào)信號，其中所述調(diào)制表示存在于該盤上的二進(jìn)制
數(shù)據(jù)。在所述盤上，信息被存儲在光學(xué)效應(yīng)(例如被稱作標(biāo)記)的圖
案中。對于信息的典型的編碼是游程長度編碼，其中信息被存儲在光
學(xué)效應(yīng)、光學(xué)效應(yīng)之間的空間(space)以及所述光學(xué)效應(yīng)和所述空間
的長度中。盤上的比特圖案在所述游程長度編碼中可以由空間與光學(xué)
效應(yīng)之間的過渡偏移的定時(shí)序列表示。
因此，所述讀取信號包括對應(yīng)于光是從第一區(qū)域還是第二區(qū)域反
射的第一部分和笫二部分。在相變類型盤或一次性寫入類型盤中，所
述第 一 區(qū)域和第二區(qū)域可以被分別標(biāo)識為空間和標(biāo)記。從第 一 區(qū)域到 第二區(qū)域的過渡被標(biāo)記為由笫一和第二寬度(也被稱作長度)索引的 前沿，并且從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標(biāo)記為由第二和第一寬度 (長度)索引的后沿。在相變類型盤中，前沿指代從高反射率區(qū)域到低 反射率區(qū)域的過渡，后沿則指代從低反射率區(qū)域到高反射率區(qū)域的過 渡。
通過根據(jù)寫入策略驅(qū)動(dòng)所述輻射源而把光學(xué)效應(yīng)提供到光學(xué)介 質(zhì)。 一般來說，利用激光脈沖來寫入所述光學(xué)效應(yīng)，所述激光脈沖的 脈沖形狀由多個(gè)寫入?yún)?shù)表征，這被稱作寫入策略。典型地，所述寫 入策略可以用多個(gè)寫入?yún)?shù)來描述，比如用來接通及關(guān)斷激光、把激 光功率設(shè)置到特定電平、把激光功率保持給定持續(xù)時(shí)間等等的命令。
所述寫入策略可以取決于期望的特定光學(xué)效應(yīng)(即所述效應(yīng)的長 度)以及在用于寫入特定光學(xué)效應(yīng)的寫入脈沖中的寫入?yún)?shù)。可以存 在根據(jù)已寫入光學(xué)效應(yīng)的所得到的長度歸類的標(biāo)準(zhǔn)寫入策略，即用于
寫入I2標(biāo)記的I2策略，用于寫入I3標(biāo)記的L3策略等等。
由于盤不是完全均質(zhì)的、所述系統(tǒng)正在加熱等等，因此在把數(shù)據(jù)
記錄在光學(xué)可記錄介質(zhì)上之前以及在記錄的過程中校準(zhǔn)(即優(yōu)化)所
述寫入策略可能是重要的，有時(shí)甚至可能是必要的。
在其中僅測量所述不對稱性的當(dāng)前系統(tǒng)中，只能適配寫入功率，
這是因?yàn)閮H僅測量了一個(gè)參數(shù)。然而，通過確定所述讀取信號中的前 沿和/或后沿的平均過渡偏移，提供了多個(gè)優(yōu)化參數(shù)，因此在所述寫入 策略中可以優(yōu)化多于一個(gè)寫入?yún)?shù)。能夠在所述寫入策略中適配多于 一個(gè)參數(shù)是有利的，這是因?yàn)榭梢詧?zhí)行更詳細(xì)并且更完整的優(yōu)化。例 如可以對一個(gè)寫入策略進(jìn)行1步優(yōu)化，或者甚至可以對所有寫入策略 (例如12到19策略)進(jìn)行1步優(yōu)化。
所述優(yōu)化處理可以是前饋優(yōu)化處理，其在所述平均過渡偏移的基 礎(chǔ)上優(yōu)化一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)。如果已經(jīng)優(yōu)化了一個(gè)寫入?yún)?shù)，則該 寫入?yún)?shù)被保持，在這種情況下所述優(yōu)化處理從而是用于確定該寫入 參數(shù)是否是最優(yōu)的措施。
本發(fā)明甚至使得有可能優(yōu)化具有高于30GB(比如在30-"GB的范 圍內(nèi))的數(shù)據(jù)容量的存儲介質(zhì)上的記錄處理，這是因?yàn)榭梢詫τ谶@種 數(shù)據(jù)密度提供所述平均過渡偏移。這是有利的，因?yàn)楫?dāng)前不存在用于
優(yōu)化這種高容量介質(zhì)上的記錄處理的替換方法。
可以在可記錄介質(zhì)上記錄一個(gè)光學(xué)效應(yīng)序列，并且其中可以在所 述記錄處理的第一部分期間讀取該序列的第一部分，以便獲得所述讀 取信號?？梢栽诒景l(fā)明的優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略，并且可以在 該記錄處理的第二部分中使用所述寫入策略。
在當(dāng)前用在DVD+R和未來的BD+R驅(qū)動(dòng)器中的所述步行式OPC 方法中，每+/-100條軌道檢查一次寫入功率。然而，根據(jù)本發(fā)明的設(shè) 備可以包括一個(gè)步行式優(yōu)化類型例程，其中可以從內(nèi)直徑到外直徑優(yōu) 化寫入功率和寫入策略。在根據(jù)本發(fā)明的步行式優(yōu)化類型例程中，記 錄一個(gè)光學(xué)效應(yīng)序列(比如多條軌道)。該序列的一部分(例如最后 寫入的軌道)被讀取，并且基于該序列的該部分(即基于該最后一條 軌道)來確定所述平均過渡偏移以及實(shí)施優(yōu)化處理。隨后在未來的記 錄處理中使用經(jīng)過優(yōu)化的寫入條件，直到執(zhí)行新的優(yōu)化，例如在已經(jīng) 記錄了 100條軌道(或者任意適當(dāng)數(shù)量的軌道)之后。這樣，對于整 個(gè)記錄處理確保了最優(yōu)的寫入質(zhì)量。
可以作為在特定過渡之前的該區(qū)域的寬度和/或后面的該區(qū)域的寬 度的函數(shù)來確定所述平均過渡偏移。舉例來說， 一個(gè)給定的前沿的定 時(shí)可以被確定為特定(或當(dāng)前)標(biāo)記的寬度和前一個(gè)空間長度的函數(shù)， 并且一個(gè)給定的后沿的定時(shí)可以被確定為特定(或當(dāng)前)標(biāo)記的寬度 和下一個(gè)空間的函數(shù)。這可以用2D矩陣來表示，對于前沿是L矩陣， 其具有被設(shè)置成(當(dāng)前標(biāo)記，前一空間)的矩陣元素，對于后沿則是2D T 矩陣，其具有被設(shè)置成(當(dāng)前標(biāo)記，下一空間)的矩陣元素。按照這種方 式確定所述前沿和后沿的定時(shí)是有利的，這是因?yàn)槠渲苯犹峁┐嬖谟?盤上的各種圖案組合的系統(tǒng)特性，從而直接揭示了所述各種圖案組合 的時(shí)間定位中的系統(tǒng)誤差。因此，這種矩陣表示法提供了一種簡單有 用的資格系統(tǒng)。
所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)可以包括所述輻射光束中的寫入脈沖的 功率電平和/或電平持續(xù)時(shí)間以及定時(shí)，所述定時(shí)是相對于系統(tǒng)時(shí)鐘獲
得的。處理裝置可以評估所述平均過渡偏移，以及根據(jù)規(guī)則優(yōu)化所述 寫入策略中的所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)的至少其中之一。
有利的是能夠把對應(yīng)于給定過渡的過渡偏移的值與所述寫入脈沖 的功率電平、電平持續(xù)時(shí)間或定時(shí)直接相關(guān)，并且借助于處理裝置根
據(jù)規(guī)則來優(yōu)化所述寫入?yún)?shù)。所述規(guī)則可以包括給定的過渡偏移、該 過渡偏移的值與相應(yīng)的寫入?yún)?shù)之間的關(guān)系。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種用于控制光學(xué)記錄設(shè)備的集成
電路(IC)，所述IC適于根據(jù)所測量的讀取信號的特定類型的前沿和
/或后沿的所述平均過渡偏移來優(yōu)化寫入策略中的一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?數(shù)，所述寫入策略在前饋優(yōu)化處理中被優(yōu)化。
所述IC可以被合并在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的設(shè)備中，或者可以 被提供作為獨(dú)立ic (或芯片組)，其可以被合并在光學(xué)記錄設(shè)備中，
以便包括本發(fā)明的優(yōu)化處理。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種用于控制光學(xué)記錄設(shè)備的計(jì)算 機(jī)可讀代碼，該設(shè)備被控制成根據(jù)所測量的讀取信號的特定類型的前 沿和/或后沿的所述平均過渡偏移來優(yōu)化寫入策略中的一個(gè)或多個(gè)寫入 參數(shù)，所述寫入策略在前饋優(yōu)化處理中被優(yōu)化。
所述計(jì)算機(jī)可讀代碼可以控制IC從而能夠控制記錄設(shè)備，以便包
括本發(fā)明的優(yōu)化處理的功能。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種優(yōu)化包括一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)
的寫入策略的方法，該方法包括以下步猓
-提供所測量的讀取信號，該讀取信號包括從具有第一寬度的第 一區(qū)域反射的第一部分以及從具有第二寬度的第二區(qū)域反射的第二部 分，其中從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標(biāo)記為前沿，并且從第二區(qū) 域到笫一區(qū)域的過渡被標(biāo)記為后沿；
-提供對應(yīng)于該讀取信號的各調(diào)制比特；
-通過比較該讀取信號的定時(shí)與所述各調(diào)制比特的定時(shí)，確定前 沿和/或后沿的平均過渡偏移；
其中，在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略中的所述一個(gè)或多個(gè) 寫入?yún)?shù)的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過渡偏移納入 考慮。
所述方法可以實(shí)現(xiàn)在根據(jù)第二方面的IC中，并且/或者根據(jù)笫三 方面的計(jì)算機(jī)代碼可以被適配成執(zhí)行根據(jù)第四方面的各方法步驟。


參照下面描述的實(shí)施例，本發(fā)明的這些和其他方面、特征和/或優(yōu)
點(diǎn)將變得顯而易見。下面將參照附圖僅以舉例的方式描述本發(fā)明的實(shí)
施例，其中
圖1示意性地示出能夠從/向光學(xué)存儲介質(zhì)讀取/寫入信息的光學(xué) 記錄設(shè)備；
圖2示意性地示出來自光學(xué)信號的一系列通道比特；
圖3示出對應(yīng)于從標(biāo)記游程長度到空間游程長度的過渡的矩陣
圖4示出標(biāo)記寫入策略的示意圖5示出作為第一寫入?yún)?shù)的函數(shù)的邊沿位置(過渡偏移)；
圖6示出作為第二寫入?yún)?shù)的函數(shù)的邊沿位置(過渡偏移)；以
及
圖7示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式
圖1中示意性地示出能夠從/向光學(xué)存儲介質(zhì)讀取/寫入信息的光 學(xué)存儲設(shè)備l。
真實(shí)的光學(xué)存儲設(shè)備包括具有各種功能的大量元件，而在這里僅 僅示出幾個(gè)元件。存在電動(dòng)機(jī)裝置8、 IO以用于旋轉(zhuǎn)盤11以及控制光 學(xué)拾取單元5的運(yùn)動(dòng)，從而可以把光點(diǎn)3聚焦并且定位在盤上的期望 位置處。該光學(xué)拾取單元包括用于發(fā)射激光束的激光器6，所述激光束 可以通過多個(gè)光學(xué)元件而被聚焦在盤上。所聚焦的激光在記錄模式下 的強(qiáng)度可以足夠高，從而可以向光盤提供物理改變，即把光學(xué)效應(yīng)提 供到盤上。替換地，在讀取模式下的激光功率不足以引起物理改變， 并且反射的激光被光電檢測器7檢測到，以便讀取盤上的光學(xué)效應(yīng)。
在本發(fā)明中，來自所述光學(xué)記錄介質(zhì)的所述讀取信號可以是所述 光電檢測器7所見的信號，該信號可以由專用單元(未示出)或者處
理裝置4轉(zhuǎn)換成適于進(jìn)一步處理的形式。
對于所述存儲設(shè)備的控制可以通過硬件實(shí)現(xiàn)方式來進(jìn)行，如電動(dòng) 機(jī)控制9和光學(xué)器件控制2所示。此外，還存在微處理器控制裝置4。 該微處理器控制裝置(例如集成電路(IC)裝置)可以同時(shí)包含硬連 線的處理裝置和軟件處理裝置，從而例如用戶可以通過高級別控制軟 件來影響所述設(shè)備的操作。高級別控制設(shè)置的例子包括在記錄模式下
控制所發(fā)射的激光功率的寫入策略中的脈沖形狀。
光學(xué)效應(yīng)沿著從中心向外盤旋的軌道被對準(zhǔn)。數(shù)據(jù)被存儲在具有 不同游程長度(即效應(yīng)和空間的不同寬度(長度))的效應(yīng)和所述效 應(yīng)之間的空間中。對于給定盤的最佳性能來說，很重要的是所有標(biāo)記 和空間都類似于整數(shù)步長。當(dāng)所述標(biāo)記和空間的長度不是通道比特長 度的整倍數(shù)時(shí)，這將被視為與最佳情形有偏差，并且將導(dǎo)致惡化的比 特檢測性能。
圖2示出了來自光學(xué)信號的一系列通道比特。該通道比特序列20 包括第一部分21和第二部分22，其中第一部分21對應(yīng)于從具有第一 寬度211的第一區(qū)域(即空間或高反射率區(qū)域)反射的光，第二部分 22對應(yīng)于從具有第二寬度221的第二區(qū)域(即標(biāo)記或低強(qiáng)度區(qū)域)反 射的光。從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標(biāo)記為前沿23，從第二區(qū)域 到第一區(qū)域的過渡被標(biāo)記為后沿24。
在真實(shí)的盤上，從高反射率(空間)到低反射率(標(biāo)記)的過渡
不總是處在正確的位置上。某些過渡太靠左(時(shí)間過早=定義為負(fù))， 某些太靠右(過遲=正)。這用虛線27示出，其表示所測量的邊沿位 置。在該圖中，時(shí)間軸28被示為水平軸，該時(shí)間軸以所謂的1T(-1 通道比特)分辨率被離散化。對于理想的信號，所述過渡應(yīng)當(dāng)位于1T 標(biāo)記處。
下面描述本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式的實(shí)施例。從而是具有優(yōu)化的寫入策 略控制的光學(xué)記錄設(shè)備的實(shí)施例。
在寫入策略中可以補(bǔ)償系統(tǒng)性的邊沿偏移(其具有可預(yù)測的特 性)。所述標(biāo)記具有前沿和后沿，所述邊沿可能被偏移。這些邊沿偏
移當(dāng)然是(當(dāng)前)標(biāo)記長度Ucm)的函數(shù)。此外，在前沿的情況下， 例如由于受熱歷史而可能會(huì)有前一個(gè)空間長度Ups)的影響，這一效
應(yīng)可以被視為寫入通道中的符號間干擾(isi)。對于所述后沿，可能
會(huì)有下一個(gè)空間的影響Uns)。所述偏移可以被寫為2D矩陣，其具有
對應(yīng)于所述前沿的矩陣元素L(cm，ps)和對應(yīng)于所述后沿的矩陣元素 T(cm，ns)。其中不需要涉及到所述空間，因?yàn)樗鼈冏詣?dòng)落在所寫入的標(biāo) 記之間。
可以在光盤上測量標(biāo)記與前一個(gè)/下一個(gè)相鄰空間的各種組合的平 均過渡偏移。對于利用標(biāo)稱寫入策略在一次性寫入盤上得到的測量結(jié)
果，在圖3中給出了所述過渡偏移的矩陣表示。在圖3中示出了所有的前沿(圖3A)偏移和后沿(圖3B)偏移， 并且對于當(dāng)前標(biāo)記(x軸)與前一個(gè)/下一個(gè)空間(y軸)的每一種組合 繪出一個(gè)點(diǎn)30。當(dāng)沒有偏移時(shí)發(fā)現(xiàn)該點(diǎn)精確地處在交叉點(diǎn)31上，當(dāng)存 在正偏移(過遲)時(shí)該點(diǎn)處在該交叉點(diǎn)的右側(cè)32，而當(dāng)存在負(fù)偏移(過 早)時(shí)該點(diǎn)處在該交叉點(diǎn)的左側(cè)33。圖3中所示出的矩陣圖是從最后 寫入的軌道獲得的，并且所述前沿和后沿的偏移表示在該最后寫入的 軌道上測量的過渡的平均偏移?；谠摐y量，可以補(bǔ)償所述寫入策略。 進(jìn)行該補(bǔ)償?shù)姆绞饺Q于所述寫入處理的線性/非線性。在步行式優(yōu)化方法中，通常在盤上的一個(gè)保留區(qū)域內(nèi)優(yōu)化所述寫 入策略。接下來，所述系統(tǒng)可以開始寫入。在寫入了例如100條軌道 之后，該系統(tǒng)向回跳一條軌道，并且分析最后寫入的軌道的質(zhì)量。由 于所述盤不是完全均質(zhì)的并且該系統(tǒng)正在加熱等等，可能需要略微適 配(adapt)所述寫入策略，以便改進(jìn)寫入性能。每100條軌道進(jìn)行一 次該處理，并且這樣可以寫滿一張盤。通常來說只能夠適配寫入功率， 這是因?yàn)樵谧x取該最后寫入的軌道時(shí)只測量了一個(gè)參數(shù)，然而，通過 提供所有前沿和后沿的過渡偏移，有可能在所述寫入策略中適配許多 參數(shù)。為了獲得關(guān)于本發(fā)明的應(yīng)用的進(jìn)一步的認(rèn)識，略微改變所述寫入 策略，并且討論LT矩陣中的效果。首先討論一次性寫入盤上的寫入策略的優(yōu)化。為了補(bǔ)償提早了或 者晚了 x/16的T的前沿/后沿，應(yīng)當(dāng)確定所述寫入策略應(yīng)該被改變多少 以便在盤上把前沿或后沿移動(dòng)x/T的數(shù)量。為了對此進(jìn)行研究，改變14 的寫入策略。在圖4A中示出了 14的寫入脈沖40。當(dāng)所述14標(biāo)記策略的第一脈沖PiA被改變時(shí)，所述14的前沿50 發(fā)生移動(dòng)，如圖5中所示。在該圖中，對于其中第一脈沖的起始位置 被移動(dòng)41的情況示出了邊沿位置(過渡偏移)與第一脈沖的開始位置 (相對于標(biāo)稱)的關(guān)系?？梢钥闯觯瑢τ谕砹?1/16T的脈沖開始，導(dǎo)致 盤上的邊沿偏移大約3/16的T。在所述激光驅(qū)動(dòng)器具有足夠分辨率的 情況下(可以達(dá)到1/40的T或者更好的分辨率)，有可能把所述前沿 精確地放置在正確的位置處。當(dāng)?shù)谝幻}沖開始得較晚并且在相同的時(shí) 刻停止時(shí)，被插入到所述一次性寫入系統(tǒng)中的功率較少。這可能導(dǎo)致
向左移動(dòng)(在時(shí)間上過早)的后沿。這一點(diǎn)被圖5中的標(biāo)記為51的線 所示出的測量結(jié)果所證實(shí)。但是，由于該過程的斜率很小，可以幾乎 獨(dú)立于后沿來修改前沿。(此外，在其中每一個(gè)優(yōu)化步驟之間的邊沿 偏移很小的情況下，串?dāng)_也非常小。)發(fā)現(xiàn)了邊沿位置對于第一脈沖 的長度的良好的線性依賴性。與所述線性的小偏差可以被取為對能夠 確定所述邊沿偏移的精確度的量度。此外，所述I4標(biāo)記策略的最后一個(gè)脈沖PLA的長度也可以被改變42。在圖6中示出了所述I4標(biāo)記的后沿偏移60與該最后一個(gè)脈沖的長 度的關(guān)系。在該例中，沒有觀察到對所述前沿的串?dāng)_(該堆疊不受后 熱的影響)。上面提供了一次性寫入系統(tǒng)的例子，然而也可以以步行式優(yōu)化類 型的方式適配可重寫(RE)寫入策略，從而所述寫入策略可以在恒定 角速度模式下寫入的同時(shí)進(jìn)行適配?？梢园凑障旅娴姆绞将@得對RE上 的寫入策略的補(bǔ)償(在圖4B中提供了 RE寫入策略的一個(gè)例子)。通 過移動(dòng)第一脈沖PlB，可以以一對一的方式補(bǔ)償所述前沿。通過移動(dòng)最 后一個(gè)寫入脈沖PLB以及擦除脈沖電平的起點(diǎn)，可以偏移所述后沿(同樣是以1對1的比值)。在圖7中提供了示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的流程圖70。在第一步驟71中，提供初始寫入?yún)?shù)(Pini)，這例如是通過在盤上的保留區(qū)域內(nèi)執(zhí)行測試而實(shí)現(xiàn)的。利用這些參數(shù)，所述系統(tǒng)可以開始在盤上寫入數(shù)據(jù)(Wini)，如第二步驟了2所示。所述初始參數(shù)可以從LT方法確定，即通過確定所述過渡偏移來確定。在寫入了多條軌道(例如100條軌道)之后，所述系統(tǒng)在下一步驟73中向回跳一條軌道(Ri)并且讀取該最后一條軌道。通過所述LT方法分析該最后寫入的軌道的質(zhì)量74。優(yōu)化所述寫入策略75,并且利用經(jīng)過優(yōu)化的寫入?yún)?shù)(WLT)寫入下一個(gè)軌道塊(同樣例如是100條)。在76之后，利用所述經(jīng)過優(yōu)化的寫入?yún)?shù)寫入一個(gè)軌道塊，所述系統(tǒng)再次讀取最后寫入的軌道73，并且繼續(xù)該優(yōu)化程序，直到所有數(shù)據(jù)都已被提供給所述盤"。雖然已經(jīng)結(jié)合各優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是并不意圖把本發(fā)明限制到這里闡述的具體形式。相反，本發(fā)明的范圍僅由所附權(quán)利要求書限定。在這一段落中，出于解釋而不是限制的目的闡述了所公開的實(shí)施
例的某些具體細(xì)節(jié)(比如特定處理步驟、數(shù)據(jù)表示法、特定參數(shù)等等)， 以便提供對本發(fā)明的清晰而透徹的理解。然而本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)很 容易理解，在不嚴(yán)重背離本公開內(nèi)容的精神和范圍的情況下，本發(fā)明 可以在不完全符合這里闡述的細(xì)節(jié)的其他實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。此外，在本 上下文中，為了筒明起見省略了對于公知的設(shè)備、電路和方法的具體 描述，以避免不必要的細(xì)節(jié)和可能的混淆。在權(quán)利要求中包含附圖標(biāo)記僅僅是為了清楚起見，而不應(yīng)當(dāng)被理 解為限制權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1、具有優(yōu)化的寫入策略控制的光學(xué)記錄設(shè)備(1)，該設(shè)備包括-輻射源(6)，其用于發(fā)射輻射光束以便在可記錄介質(zhì)(11)上記錄光學(xué)效應(yīng)，其中所述輻射光束是根據(jù)包括一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)的寫入策略(40，43)而被發(fā)射的；-讀取單元(7)，其用于讀取所記錄的效應(yīng)以便提供讀取信號，該讀取信號(20)包括從具有第一寬度(211)的第一區(qū)域反射的第一部分(21)以及從具有第二寬度(221)的第二區(qū)域反射的第二部分(22)，其中從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標(biāo)記為前沿(23)，并且從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標(biāo)記為后沿(24)，其中，在所述讀取信號中確定前沿和/或后沿的平均過渡偏移，并且在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略(40，43)中的所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過渡偏移(30)納入考慮。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l的設(shè)備，其中，在可記錄介質(zhì)上記錄光學(xué)效應(yīng) 序列，在所述記錄處理的笫一部分期間讀取該序列的第一部分，并且 從該序列的該第 一部分獲得所述讀取信號，并且在所述優(yōu)化處理中優(yōu) 化所述寫入策略，在該記錄處理的第二部分中使用所述經(jīng)過優(yōu)化的寫 入策略。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l的設(shè)備，其中，作為在特定過渡之前的該區(qū)域的寬度和/或后面的區(qū)域的寬度的函數(shù)來確定所述平均過渡偏移。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l的設(shè)備，其中，所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)包括 功率電平和/或電平持續(xù)時(shí)間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l的設(shè)備，其中，所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)包括 所述輻射光束中的寫入脈沖的定時(shí)，所述定時(shí)是相對于系統(tǒng)時(shí)鐘獲得 的。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l的設(shè)備，還包括處理裝置，其用于評估所述平 均過渡偏移以及根據(jù)規(guī)則優(yōu)化所述寫入策略中的所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)的至少其中之一。
7、 用于控制光學(xué)記錄設(shè)備的集成電路(IC)，所述IC適于根據(jù)所測量的讀取信號的特定類型的前沿和/或后沿的所述平均過渡偏移來 優(yōu)化寫入策略中的一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)，所述寫入策略在前饋優(yōu)化處 理中被優(yōu)化。
8、 用于控制光學(xué)記錄設(shè)備的計(jì)算機(jī)可讀代碼，該設(shè)備被控制成根 據(jù)所測量的讀取信號的特定類型的前沿和/或后沿的所述平均過渡偏移 來優(yōu)化寫入策略中的一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)，所述寫入策略在前饋優(yōu)化 處理中被優(yōu)化。
9、 優(yōu)化包括一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)的寫入策略的方法，該方法包括 以下步驟-提供所測量的讀取信號(20)，該讀取信號包括從具有第一寬 度(211 )的第一區(qū)域反射的第一部分(21 )以及從具有第二寬度(221) 的第二區(qū)域反射的第二部分(22)，其中從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過 渡被標(biāo)記為前沿(23)，并且從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標(biāo)記為 后沿(24);-提供對應(yīng)于該讀取信號的各調(diào)制比特；-通過比較該讀取信號的定時(shí)與所述各調(diào)制比特的定時(shí)，確定前 沿和/或后沿的平均過渡偏移(30);其中，在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略(40， 43)中的所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過 渡偏移納入考慮。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于在記錄處理中優(yōu)化寫入策略中的一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)的設(shè)備和方法。所述優(yōu)化處理可以在步行式類型的優(yōu)化處理中實(shí)施，這例如是通過每當(dāng)已經(jīng)記錄了預(yù)定數(shù)量的軌道之后運(yùn)行一個(gè)優(yōu)化處理而實(shí)現(xiàn)的。所述設(shè)備能夠在可記錄介質(zhì)上記錄光學(xué)效應(yīng)以及讀取所記錄的效應(yīng)。該設(shè)備包括用于確定所述讀取信號中的前沿和/或后沿的平均過渡偏移的裝置。在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略中的所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過渡偏移納入考慮。本發(fā)明還涉及用于控制光學(xué)設(shè)備的IC和計(jì)算機(jī)代碼。
文檔編號G11B7/125GK101103395SQ200680002200
公開日2008年1月9日 申請日期2006年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月12日
發(fā)明者A·帕迪伊, C·M·謝普, R·夫盧特斯 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司