專利名稱：調(diào)整2t寫入策略的方法、光盤機及校正系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光盤燒錄機與設(shè)定其寫入策略的方法及校正系統(tǒng)，特別涉及一種可以調(diào)整2T寫入策略以產(chǎn)生最佳燒錄品質(zhì)的方法、可重復(fù)讀寫式光盤機及校正系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年來隨著計算機運算能力愈來愈強大，加上網(wǎng)路技術(shù)的發(fā)展不斷地進步，使得使用者對數(shù)據(jù)儲存量的需求大增，因此各種不同的儲存工具也隨之成為熱門的產(chǎn)品，例如利用光盤作為儲存媒介，由于光盤在同樣的儲存容量下單價底廉，且體積輕薄不占空間而便于攜帶，一直以來均十分受到矚目，尤其這幾年來各式光盤燒錄機的功能日益強大，讀取品質(zhì)及儲存速度不斷向上提升，使得光盤燒錄機幾乎成為每臺個人計算機的標(biāo)準(zhǔn)配備。舉例來說，由于可重復(fù)讀寫式光盤機(CD-RW drive)可寫入數(shù)據(jù)于一可重復(fù)讀寫式光盤(CD-RW disk)以及抹除該可重復(fù)讀寫式光盤所記錄的數(shù)據(jù)，因此使得使用者可更便利地利用光盤來儲存數(shù)據(jù)。
一般而言，一光盤燒錄機在儲存一數(shù)據(jù)至一光盤時，會先將該數(shù)據(jù)利用該光盤燒錄機的一編碼器(encoder)轉(zhuǎn)換為該光盤的儲存格式，在目前已知技術(shù)中，上述轉(zhuǎn)換通常為一八至十四比特調(diào)制(Eight-to-FourteenModulation，EFM)，亦即八至十四比特調(diào)制是將欲儲存于該光盤的數(shù)據(jù)以不同時間長度的方波來代表，而轉(zhuǎn)換后的八至十四比特調(diào)制數(shù)據(jù)(EFM data)則被該光盤燒錄機燒錄至該光盤。對于可重復(fù)讀寫式光盤而言，其記錄層(recording layer)是為一相變(phase-change)材料形成，可重復(fù)讀寫式光盤機的光學(xué)拾取單元(optical pick-up unit，OPU)輸出激光(laser beam)打在可重復(fù)讀寫式光盤上一預(yù)定位置以驅(qū)使該預(yù)定位置的相變材質(zhì)對應(yīng)一非晶形狀態(tài)(amorphous state)或一單晶狀態(tài)(crystalline state)，而由于單晶狀態(tài)與非晶形狀態(tài)分別對應(yīng)不同的折射率(refractive index)，所以可經(jīng)由光學(xué)方式來加以區(qū)別。
對于可重復(fù)讀寫式光盤機來說，其光學(xué)拾取單元主要提供一基準(zhǔn)功率(Pbias)，一抹除功率(Perase)，以及一寫入功率(Pwrite)，其中該寫入功率大于該抹除功率，以及該抹除功率大于該基準(zhǔn)功率。當(dāng)可重復(fù)讀寫式光盤機進行一數(shù)據(jù)抹除操作時，可重復(fù)讀寫式光盤機的光學(xué)拾取單元會輸出該抹除功率來加熱可重復(fù)讀寫式光盤，以使相對應(yīng)加熱位置的相變材質(zhì)均對應(yīng)單晶狀態(tài)而達到抹除數(shù)據(jù)的目的。當(dāng)可重復(fù)讀寫式光盤機進行一數(shù)據(jù)寫入操作時，若其欲使可重復(fù)讀寫式光盤上預(yù)定位置對應(yīng)非晶形狀態(tài)，則可重復(fù)讀寫式光盤機的光學(xué)拾取單元會先輸出寫入功率以加熱可重復(fù)讀寫式光盤，然后輸出該基準(zhǔn)功率來達到冷卻的結(jié)果，所以該預(yù)定位置即可對應(yīng)一第一邏輯值(例如“1”)，相反地，若該光學(xué)拾取單元輸出抹除功率來加熱該預(yù)定位置，則預(yù)定位置會形成單晶狀態(tài)而用來對應(yīng)一第二邏輯值(例如“0”)。
請參閱

圖1，圖1為已知可重復(fù)讀寫式光盤機(CD-RW drive)10的功能方塊圖?？芍貜?fù)讀寫式光盤機10包含有一光學(xué)拾取單元(optical pick-upunit，OPU)12，一功率控制單元(power control unit)14，一控制器(controller)16，以及一存儲器18。光學(xué)拾取單元12可依據(jù)不同的驅(qū)動電壓輸出不同功率的激光至光盤，例如光學(xué)拾取單元12可輸出一基準(zhǔn)功率Pb，一抹除功率Pe，以及一寫入功率Pw，而功率控制單元14則是用來控制光學(xué)拾取單元12的輸出功率，舉例來說，當(dāng)欲進行數(shù)據(jù)抹除操作時，功率控制單元14可輸出一適當(dāng)驅(qū)動電壓至光學(xué)拾取單元12以控制其輸出抹除功率Pe?？刂破?6則是執(zhí)行存儲器18中所儲存的固件(firmware)20來控制可重復(fù)讀寫式光盤機10的整體運作，例如于進行數(shù)據(jù)寫入操作時，控制器16輸出控制信號至功率控制單元14，以便驅(qū)動功率控制單元14產(chǎn)生適當(dāng)?shù)尿?qū)動電壓至光學(xué)拾取單元12。在實際應(yīng)用上，可重復(fù)讀寫式光盤機10是利用一寫入策略(write strategy)來控制光學(xué)拾取單元12的功率輸出狀態(tài)以便正確地將八至十四比特調(diào)制數(shù)據(jù)所對應(yīng)的記錄標(biāo)記(mark)寫入一可重復(fù)讀寫式光盤上，亦即光學(xué)拾取單元12是切換地輸出寫入功率Pw以及基準(zhǔn)功率Pb，以便于該可重復(fù)讀寫式光盤上形成特定長度的記錄標(biāo)記(對應(yīng)非晶形狀態(tài))來儲存一預(yù)定邏輯值。
如業(yè)界所已知，對于低倍速的數(shù)據(jù)寫入操作而言，例如以16X(X代表倍速)來儲存八至十四比特調(diào)制數(shù)據(jù)，則通常是采用1T寫入策略(1T writestrategy)，也就是說，于八至十四比特調(diào)制時鐘信號(EFM clock)的一周期時間(1T)中，光學(xué)拾取單元12會輸出一次寫入功率Pw。然而，隨著燒錄技術(shù)的進步，可重復(fù)讀寫式光盤機10(例如32倍速或48倍速的可重復(fù)讀寫式光盤機)能夠以更快的速度將數(shù)據(jù)燒錄至一可重復(fù)讀寫式光盤，換句話說，當(dāng)進行八至十四比特調(diào)制處理時，所需的八至十四比特調(diào)制時鐘信號的頻率也隨之增加，使得該八至十四比特調(diào)制時鐘信號的周期長度愈來愈短。在此狀況之下，當(dāng)光學(xué)拾取單元12在輸出寫入功率Pw后，其在一周期時間(1T)中輸出基準(zhǔn)功率Pb的時間便明顯不足，因此相變材質(zhì)便無法順利地冷卻來記錄所要的邏輯值，所以高速燒錄會造成基準(zhǔn)功率的輸出時間過短而使得冷卻時間不足，最后產(chǎn)生錯誤儲存數(shù)據(jù)的問題。
為了解決上述一1T寫入策略的問題，已知技術(shù)另提出一種2T寫入策略(2T write strategy)，請參閱圖2與圖3，圖2為已知2T寫入策略形成一偶記錄標(biāo)記的示意圖，以及圖3為已知2T寫入策略形成一奇記錄標(biāo)記的示意圖。如業(yè)界所已知，八至十四比特調(diào)制數(shù)據(jù)是轉(zhuǎn)換為不同長度的記錄標(biāo)記而儲存于可重復(fù)讀寫式光盤上，而依據(jù)規(guī)格(Orange Book Part III，Volume 3)，當(dāng)執(zhí)行2T寫入策略時，不同長度的記錄標(biāo)記中包含有偶記錄標(biāo)記(even mark)以及奇記錄標(biāo)記(odd mark)，其中偶記錄標(biāo)記是對應(yīng)2T記錄標(biāo)記、4T記錄標(biāo)記、6T記錄標(biāo)記、8T記錄標(biāo)記以及10T記錄標(biāo)記，而奇記錄標(biāo)記則對應(yīng)3T記錄標(biāo)記、5T記錄標(biāo)記、7T記錄標(biāo)記、9T記錄標(biāo)記，以及11T記錄標(biāo)記。當(dāng)控制器16啟動2T寫入策略來在一可重復(fù)讀寫式光盤上形成10T記錄標(biāo)記時，首先，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出抹除功率Pe，如圖2所示，控制器16在時間t時驅(qū)動功率控制單元14設(shè)定光學(xué)拾取單元12在一寫入時段Tmn中持續(xù)輸出寫入功率Pw，然后，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出基準(zhǔn)功率Pb。明顯地，光學(xué)拾取單元12輸出寫入功率Pw來加熱可重復(fù)讀寫式光盤的相變材質(zhì)，而當(dāng)光學(xué)拾取單元12輸出基準(zhǔn)功率Pb時，可重復(fù)讀寫式光盤的相變材質(zhì)會隨之冷卻，由圖2可知，每2T的時間中，光學(xué)拾取單元12都會在寫入時段Tmn中持續(xù)輸出寫入功率Pw，最后，光學(xué)拾取單元12在時間8T～10T中完成輸出寫入功率Pw的操作后，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12在一冷卻時段Tc1輸出基準(zhǔn)功率Pb，然后，控制器16再驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出抹除功率Pe而完成形成10T記錄標(biāo)記的目的。對于其他偶記錄標(biāo)記來說，其形成與10T記錄標(biāo)記類似，以4T記錄標(biāo)記為例，當(dāng)光學(xué)拾取單元12在時間0～4T中完成兩次寫入功率Pw的輸出后，光學(xué)拾取單元12會接著在冷卻時段Tc1輸出基準(zhǔn)功率Pb，然后，光學(xué)拾取單元12再輸出抹除功率Pe而完成形成4T記錄標(biāo)記的目的。
當(dāng)控制器16啟動2T寫入策略來在一可重復(fù)讀寫式光盤上形成11T記錄標(biāo)記時，首先，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出抹除功率Pe，如圖3所示，控制器16在時間t時驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12在寫入時段Tmn中持續(xù)輸出寫入功率Pw，然后，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出基準(zhǔn)功率Pb，明顯地，光學(xué)拾取單元12輸出寫入功率Pw來加熱可重復(fù)讀寫式光盤的相變材質(zhì)，而當(dāng)光學(xué)拾取單元12輸出基準(zhǔn)功率Pb時，可重復(fù)讀寫式光盤的相變材質(zhì)會隨之冷卻，由圖3可知，除了最后3T的時間外，每2T的時間中，光學(xué)拾取單元12都會在寫入時段Tmn中持續(xù)輸出寫入功率Pw。當(dāng)光學(xué)拾取單元12在時間6T～8T中完成輸出寫入功率Pw的操作后，控制器16在時間t′驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12在一加熱時段Tmn+中持續(xù)輸出寫入功率Pw，接著，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12在一冷卻時段Tc2輸出基準(zhǔn)功率Pb，最后，控制器16再驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出抹除功率Pe而完成形成11T記錄標(biāo)記的目的。對于其他奇記錄標(biāo)記來說，其形成與11T記錄標(biāo)記類似，以5T記錄標(biāo)記為例，當(dāng)光學(xué)拾取單元12在時間0～2T中完成一次寫入功率Pw的輸出后，光學(xué)拾取單元12會接著在后續(xù)3T的時間中再輸出一次寫入功率Pw，然后光學(xué)拾取單元12在冷卻時段Tc2輸出基準(zhǔn)功率Pb，最后，光學(xué)拾取單元12再輸出抹除功率Pe而完成形成5T記錄標(biāo)記的目的。
如上所述，2T寫入策略主要是在2T的時間中以寫入功率Pw加熱可重復(fù)讀寫式光盤一次，因此當(dāng)以高倍速來進行數(shù)據(jù)寫入操作時，兩寫入功率Pw的加熱時段的間隔時間便足夠相變材質(zhì)完成冷卻以對應(yīng)非晶形狀態(tài)。對于奇記錄標(biāo)記與偶記錄標(biāo)記而言，其加熱時段Tmn是對應(yīng)同一數(shù)值，因此當(dāng)加熱時段Tmn、Tmn+的設(shè)定可使相變材質(zhì)在一第一預(yù)定長度(奇記錄標(biāo)記)中均勻地對應(yīng)非晶形狀態(tài)，然而，同一加熱時段Tmn的設(shè)定卻可能無法使相變材質(zhì)在一第二預(yù)定長度(偶記錄標(biāo)記)中均勻地對應(yīng)非晶形狀態(tài)，換句話說，當(dāng)光學(xué)拾取單元12讀取可重復(fù)讀寫式光盤上所記錄的記錄標(biāo)記時，若對應(yīng)奇記錄標(biāo)記的高頻(RF)信號具有較佳的波形，則對應(yīng)偶記錄標(biāo)記的高頻信號的波形往往不佳。同樣地，對于偶記錄標(biāo)記的寫入來說，若加熱時段Tmn的設(shè)定可使相變材質(zhì)在一第一預(yù)定長度中均勻地對應(yīng)非晶形狀態(tài)，然而，對于奇記錄標(biāo)記的寫入來說，同一加熱時段Tmn與可調(diào)整的加熱時段Tmn+卻可能無法使相變材質(zhì)在一第二預(yù)定長度中均勻地對應(yīng)非晶形狀態(tài)，換句話說，當(dāng)光學(xué)拾取單元12讀取可重復(fù)讀寫式光盤上所記錄的記錄標(biāo)記時，對應(yīng)偶記錄標(biāo)記的高頻信號具有較佳的波形，而對應(yīng)奇記錄標(biāo)記的高頻信號的波形則不佳。
綜合上述，奇記錄標(biāo)記的已知加熱時段Tmn與偶記錄標(biāo)記的已知加熱時段Tmn是對應(yīng)同一數(shù)值，但奇記錄標(biāo)記尚有偶記錄標(biāo)記所沒有的Tmn+。因此，然而可使奇記錄標(biāo)記產(chǎn)生良好寫入品質(zhì)的加熱時段Tmn不一定可用來使偶記錄標(biāo)記產(chǎn)生良好寫入品質(zhì)，同樣地，可使偶記錄標(biāo)記產(chǎn)生良好寫入品質(zhì)的加熱時段Tmn不一定可用來使奇記錄標(biāo)記產(chǎn)生良好寫入品質(zhì)，因此可重復(fù)讀寫式光盤機10若依據(jù)已知2T寫入策略來燒錄數(shù)據(jù)則不易使奇記錄標(biāo)記與偶記錄標(biāo)記同時均對應(yīng)良好的燒錄品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種調(diào)整2T寫入策略以提升燒錄品質(zhì)的方法與可重復(fù)讀寫式光盤機，以解決上述問題。
本發(fā)明揭露一種調(diào)整光盤機的2T寫入策略(2T write strategy)的方法，其包含有(a)在一光盤形成一測試奇記錄標(biāo)記以及一測試偶記錄標(biāo)記；(b)檢測對應(yīng)該測試奇記錄標(biāo)記及該測試偶記錄標(biāo)記的信號波形；(c)若該測試偶記錄標(biāo)記的信號波形的最大信號強度的時序與一第一理想波形的最大信號強度的時序?qū)?yīng)一第一差量，則依據(jù)該第一差量修正產(chǎn)生一偶記錄標(biāo)記的多個寫入時段；并且，若該測試奇記錄標(biāo)記的信號波形的最大信號強度的時序與一第二理想波形的最大信號強度的時序?qū)?yīng)一第二差量，則依據(jù)該第二差量來校正產(chǎn)生一奇記錄標(biāo)記的多個寫入時段。
本發(fā)明另揭露一種光盤機，其包含有一光學(xué)拾取單元(opticalpick-up unit，OPU)，用來輸出一激光以在一光盤蝕刻產(chǎn)生多個奇記錄標(biāo)記(odd mark)以及多個偶記錄標(biāo)記(even mark)；以及一控制單元(controller)，電連接于該光學(xué)拾取單元，用來依據(jù)一2T寫入策略(2Twrite strategy)驅(qū)動該光學(xué)拾取單元，該控制單元可控制該光學(xué)拾取單元使用對應(yīng)至少三時間長度的多個寫入時段輸出該激光以形成一奇記錄標(biāo)記以及一偶記錄標(biāo)記于該光盤上。當(dāng)然，光盤機(例如是一超高速可重復(fù)讀寫式光盤機)，還可以再包含一檢測單元(detector)。在此，檢測單元是電連接于控制單元，用以根據(jù)光學(xué)拾取單元讀取這些奇記錄標(biāo)記與這些偶記錄標(biāo)記所得信息，通知控制單元如何修改這些寫入時段。在此，檢測單元可以是根據(jù)一預(yù)先設(shè)定的數(shù)據(jù)庫，根據(jù)實際燒錄結(jié)果與最理想燒錄結(jié)果的差別，通知控制單元如何修改這些寫入時段；檢測單元也可以是根據(jù)對這些奇記錄標(biāo)記與這些偶記錄標(biāo)記的輪廓與分布的分析，通知控制單元如何修改這些寫入時段。
本發(fā)明也揭露一種光盤機校正系統(tǒng)，包含有檢測單元，用以分析一光盤上不同記錄標(biāo)記的個別的輪廓與分布；以及調(diào)整單元，電連接于檢測單元與一光學(xué)拾取單元(或說電連接于一光盤機)，用以根據(jù)檢測單元所分析得到的信息，改變光學(xué)拾取單元(或光盤機用以控制寫入時段的部分)所使用的多個寫入時段，在此這些寫入時段是對應(yīng)至少三時間長度并且是被光學(xué)拾取單元用以根據(jù)來輸出一激光以形成一奇記錄標(biāo)記以及一偶記錄標(biāo)記于光盤上。
由于本發(fā)明2T寫入策略于燒錄偶記錄標(biāo)記與奇記錄標(biāo)記時，偶記錄標(biāo)記的寫入時段長短與奇記錄標(biāo)記的寫入時段長短均可獨立地設(shè)定，所以經(jīng)由寫入時段的適當(dāng)設(shè)定便可使偶記錄標(biāo)記與奇記錄標(biāo)記均具有良好的燒錄品質(zhì)。
附圖簡述圖1為已知可重復(fù)讀寫式光盤機的功能方塊圖。
圖2為已知2T寫入策略形成一偶記錄標(biāo)記的示意圖。
圖3為已知2T寫入策略形成一奇記錄標(biāo)記的示意圖。
圖4為本發(fā)明調(diào)整2T寫入策略的方法的操作流程圖。
圖5為記錄標(biāo)記的信號強度分布特性的示意圖。
圖6為本發(fā)明方法設(shè)定一偶記錄標(biāo)記的2T寫入策略的示意圖。
圖7為本發(fā)明方法設(shè)定一偶記錄標(biāo)記的2T寫入策略的示意圖。
圖8為本發(fā)明可重復(fù)讀寫式光盤機的示意圖。
圖9為本發(fā)明光盤機校正系統(tǒng)的示意圖。
附圖符號說明10、30可重復(fù)讀寫式光盤12、32、44光學(xué)拾取單元14、34功率控制單元16控制器18存儲器 20韌體22、24、26特性曲線36檢測單元40光盤機校正系統(tǒng) 46調(diào)整單元具體實施方式
請參閱圖4，圖4為本發(fā)明調(diào)整2T寫入策略的方法的操作流程圖。本發(fā)明調(diào)整2T寫入策略的方法包含有下列步驟步驟100開始；步驟102依據(jù)一2T寫入策略于一光盤上寫入多個奇記錄標(biāo)記以及多個偶記錄標(biāo)記；步驟104讀取該多個奇記錄標(biāo)記以及該多個偶記錄標(biāo)記以檢測相對應(yīng)的信號強度分布特性；步驟106一偶記錄標(biāo)記產(chǎn)生最大信號強度的時序是否偏離一理想時序？若是，則執(zhí)行步驟108，否則，執(zhí)行步驟110；步驟108使用至少二不同持續(xù)時間來調(diào)整2T寫入策略以降低最大信號強度的時序與理想時序之間的偏移量；步驟110一奇記錄記錄產(chǎn)生最大信號強度的時序是否偏離一理想時序？若是，則執(zhí)行步驟112，否則，執(zhí)行步驟114；步驟112使用至少三個不同持續(xù)時間來調(diào)整2T寫入策略以降低最大信號強度的時序與理想時序之間的偏移量；步驟114結(jié)束。
當(dāng)然，本發(fā)明不一定要先處理偶記錄標(biāo)記再處理奇記錄標(biāo)記，本發(fā)明也可以先處理奇記錄標(biāo)記再處理偶記錄標(biāo)記。亦即，也可以先執(zhí)行步驟110與步驟112，然后再處理步驟106與步驟108。當(dāng)然，所謂的偶記錄標(biāo)記可以包含2T、4T、6T、8T與10T等記錄標(biāo)記，而只要其中有某一個記錄標(biāo)記的時序偏離相對應(yīng)理想時序，便代表偶記錄標(biāo)記偏離理由時序。相對地，所謂的奇記錄標(biāo)記可以包含3T、5T、7T、9T與11T等記錄標(biāo)記，而只要其中有某一個記錄標(biāo)記的時序偏離相對應(yīng)理想時序，便代表奇記錄標(biāo)記偏離理由時序。
本發(fā)明調(diào)整2T寫入策略的方法是應(yīng)用于圖1所示的可重復(fù)讀寫式光盤機10，例如一超高速可重復(fù)讀寫式光盤機(ultra-speed CD-RW drive)，由于可重復(fù)讀寫式光盤機10的功能與操作已詳述如上，因此在此不再重復(fù)贅述。本發(fā)明調(diào)整2T寫入策略的操作詳述如下，當(dāng)2T寫入策略的調(diào)整操作啟動后，控制器16便執(zhí)行韌體20以控制數(shù)據(jù)寫入一光盤的操作，因此控制器16便依據(jù)一預(yù)定2T寫入策略(例如圖2與圖3所示的已知2T寫入策略)控制功率控制單元14，然后功率控制單元14便驅(qū)動光學(xué)拾取單元12于該光盤上寫入多個奇記錄標(biāo)記(例如5T記錄標(biāo)記、7T記錄標(biāo)記、9T記錄標(biāo)記、11T記錄標(biāo)記)以及多個偶記錄標(biāo)記(例如4T記錄標(biāo)記、6T記錄標(biāo)記、8T記錄標(biāo)記、10T記錄標(biāo)記)(步驟102)，亦即上述多個奇記錄標(biāo)記與多個偶記錄標(biāo)記是用來作為測試用記錄標(biāo)記。
接著，光學(xué)拾取單元12開始讀取上述多個奇記錄標(biāo)記與多個偶記錄標(biāo)記以分別記錄其信號強度分布特性，請參閱圖5，圖5為記錄標(biāo)記的信號強度分布特性的示意圖，其中橫軸代表時間，以及縱軸代表信號強度。圖5中顯示有三個特性曲線22、24、26，分別為對應(yīng)同一記錄標(biāo)記的三種可能產(chǎn)生的信號強度分布。舉例來說，對于10T記錄標(biāo)記來說，特性曲線24是為其理想特性曲線，亦即10T記錄標(biāo)記的最大信號強度會于時間T2時形成。然而，若讀取10T記錄標(biāo)記后，特性曲線22被檢測到，如圖5所示，特性曲線22所對應(yīng)的時間長度小于特性曲線24所對應(yīng)的時間長度，明顯地，10T記錄標(biāo)記的最大信號強度于時間T1形成，亦即特性曲線22會偏移理想的特性曲線24，且最大信號強度的實際時序T1早于理想時序T2，如業(yè)界所已知，當(dāng)10T記錄標(biāo)記對應(yīng)特性曲線22時，表示10T記錄標(biāo)記的燒錄時間過短，換句話說，若依據(jù)圖2所示的2T寫入策略來寫入10T記錄標(biāo)記于光盤上，則寫入時段Tmn的持續(xù)時間太短而最后造成10T記錄標(biāo)記對應(yīng)特性曲線22。相反地，若讀取10T記錄標(biāo)記后，特性曲線26被檢測到，如圖5所示，特性曲線26所對應(yīng)的時間長度大于特性曲線24所對應(yīng)的時間長度，明顯地，10T記錄標(biāo)記的最大信號強度于時間T3形成，亦即特性曲線26會偏移理想的特性曲線24，且最大信號強度的實際時序T3晚于理想時序T2，如業(yè)界所已知，當(dāng)10T記錄標(biāo)記對應(yīng)特性曲線26時，表示10T記錄標(biāo)記的燒錄時間過長，換句話說，若依據(jù)圖2所示的2T寫入策略來寫入10T記錄標(biāo)記于光盤上，則寫入時段Tmn的持續(xù)時間太長而最后造成10T記錄標(biāo)記對應(yīng)特性曲線26。
如上所述，本發(fā)明調(diào)整2T寫入策略的方法便可依據(jù)光盤上各記錄標(biāo)記所對應(yīng)的信號強度分布來判斷是否需調(diào)整寫入功率的持續(xù)時間，所以本實施例便檢測一偶記錄標(biāo)記的最大信號強度的時序是否偏離一理想時序(步驟106)，若該偶記錄標(biāo)記的最大信號強度的時序偏離該理想時序，則2T寫入策略中寫入功率的持續(xù)時間便需進一步地調(diào)整以使最大信號強度的時序趨近理想時序(步驟108)。當(dāng)該偶記錄標(biāo)記對應(yīng)圖5所示的特性曲線22時，則本實施例會調(diào)整2T寫入策略中寫入功率的持續(xù)時間以便增加該偶記錄標(biāo)記的總燒錄時間；相反地，當(dāng)該偶記錄標(biāo)記對應(yīng)圖5所示的特性曲線26時，則本實施例會調(diào)整2T寫入策略中寫入功率的持續(xù)時間以便減少該偶記錄標(biāo)記的總燒錄時間。
當(dāng)然，圖5的特性曲線也有可能不是(或不只是)最大信號強度的時間發(fā)生偏移，而是(或還有)特性曲線的分布變寬或變窄的情形。但此時的原因，除了寫入功率的持續(xù)時間不當(dāng)外，也有可能是雷射功率不適當(dāng)或聚焦不當(dāng)?shù)鹊?。因此，此時將以嘗試錯誤(try and error)的方式，改變對該記錄標(biāo)記的總共燒錄時間，找尋最合適的寫入功率持續(xù)時間。
請參閱圖6，圖6為本發(fā)明方法設(shè)定一偶記錄標(biāo)記的2T寫入策略的示意圖。如業(yè)界所已知，偶記錄標(biāo)記包含有2T記錄標(biāo)記，4T記錄標(biāo)記，6T記錄標(biāo)記，8T記錄標(biāo)記，以及10T記錄標(biāo)記，而圖6是以10T記錄標(biāo)記來說明。本實施例中，當(dāng)控制器16啟動2T寫入策略于光盤上形成10T記錄標(biāo)記時，首先，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出抹除功率Pe，于時間t1時，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12于一寫入時段Ta中持續(xù)輸出寫入功率Pw，然后，控制器16便驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出基準(zhǔn)功率Pb，明顯地，光學(xué)拾取單元12輸出寫入功率Pw來加熱光盤的相變材質(zhì)，而當(dāng)光學(xué)拾取單元12輸出基準(zhǔn)功率Pb時，光盤的相變材質(zhì)會隨之冷卻。接著于時間t2時，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12于一寫入時段Tb中持續(xù)輸出寫入功率Pw，然后，控制器16再驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出基準(zhǔn)功率Pb。由圖7可知，控制器16稍后分別于時間t3、t4驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12于寫入時段Tb中持續(xù)輸出寫入功率Pw。光學(xué)拾取單元12已于0～8T的時間中完成四次加熱的操作，因此光學(xué)拾取單元12依據(jù)2T寫入策略而需于8T～10T的時間中執(zhí)行最后一次加熱的操作，本實施例中，控制器16于時間t5時驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12于一寫入時段Tc中持續(xù)輸出寫入功率Pw，最后，光學(xué)拾取單元12于一冷卻時段T′輸出基準(zhǔn)功率Pb，并且控制器16再驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出抹除功率Pe而完成形成10T記錄標(biāo)記的目的。
請注意，寫入時段Ta，寫入時段Tb，以及寫入時段Tc是為可動態(tài)調(diào)整的，亦即寫入時段Ta、Tb、Tc可分別對應(yīng)不同的設(shè)定值。圖7是顯示光學(xué)拾取單元12形成10T記錄標(biāo)記的輸出功率波形，對于其他偶記錄標(biāo)記來說，其形成與10T記錄標(biāo)記的形成類似，以4T記錄標(biāo)記為例，當(dāng)光學(xué)拾取單元12于時間0～2T中完成一次寫入功率Pw(其持續(xù)時間為加熱時段Ta)的輸出后，光學(xué)拾取單元12接著于2T～4T中完成另一次寫入功率Pw(其持續(xù)時間為加熱時段Tc)的輸出，接著，光學(xué)拾取單元12同樣地于冷卻時段T′輸出基準(zhǔn)功率Pb，且光學(xué)拾取單元12再輸出抹除功率Pe而完成形成4T記錄標(biāo)記的目的。
所以，當(dāng)10T記錄標(biāo)記對應(yīng)圖5所示的特性曲線22時，則本實施例會調(diào)整加熱時段Ta、Tb、Tc的時間長短，例如同時增加加熱時段Ta、Tb、Tc的持續(xù)時間或者維持加熱時段Tb的持續(xù)時間及增加加熱時段Ta、Tc的持續(xù)時間，均可達到增加10T記錄標(biāo)記的燒錄時間的目的，當(dāng)10T記錄標(biāo)記的燒錄時間增加后，10T記錄標(biāo)記的信號功率分布便可趨近特性曲線24而具有較佳的燒錄品質(zhì)。另外，當(dāng)10T記錄標(biāo)記是對應(yīng)圖5所示的特性曲線26時，則本實施例會調(diào)整加熱時段Ta、Tb、Tc的時間長短，例如同時減少加熱時段Ta、Tb、Tc的持續(xù)時間或者維持加熱時段Tb的持續(xù)時間及減少加熱時段Ta、Tc的持續(xù)時間，均可達到降低10T記錄標(biāo)記的燒錄時間的目的，當(dāng)10T記錄標(biāo)記的燒錄時間減少后，10T記錄標(biāo)記的信號功率分布便可趨近特性曲線24而具有較佳的燒錄品質(zhì)。
同樣地，本實施例亦會檢測一奇記錄標(biāo)記的最大信號強度的時序是否偏離一理想時序(步驟110)，若該奇記錄標(biāo)記的最大信號強度的時序偏離該理想時序，則2T寫入策略中寫入功率的持續(xù)時間便需進一步地調(diào)整以使最大信號強度的時序趨近理想時序(步驟112)。當(dāng)該奇記錄標(biāo)記對應(yīng)圖5所示的特性曲線22，則本實施例會調(diào)整2T寫入策略中寫入功率的持續(xù)時間以便增加該奇記錄標(biāo)記的燒錄時間；相反地，當(dāng)該奇記錄標(biāo)記對應(yīng)圖5所示的特性曲線26，則本實施例會調(diào)整2T寫入策略中寫入功率的持續(xù)時間以便減少該奇記錄標(biāo)記的燒錄時間。
請參閱圖7，圖7為本發(fā)明方法設(shè)定一奇記錄標(biāo)記的2T寫入策略的示意圖。如業(yè)界所已知，奇記錄標(biāo)記包含有3T記錄標(biāo)記，5T記錄標(biāo)記，7T記錄標(biāo)記，9T記錄標(biāo)記，以及11T記錄標(biāo)記，而圖7是以11T記錄標(biāo)記來說明。當(dāng)控制器16啟動2T寫入策略來于光盤上形成11T記錄標(biāo)記時，首先，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出抹除功率Pe，于時間t6時，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12于一寫入時段Td中持續(xù)輸出寫入功率Pw，然后，控制器16便驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出基準(zhǔn)功率Pb。接著，于時間t7時，控制器16驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12于一寫入時段Te中持續(xù)輸出寫入功率Pw，然后，控制器16再驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出基準(zhǔn)功率Pb。由圖6可知，控制器16稍后分別于時間t8、t9驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12于寫入時段Te中持續(xù)輸出寫入功率Pw。由于光學(xué)拾取單元12已于0～8T的時間中完成四次加熱的操作，因此光學(xué)拾取單元12依據(jù)2T寫入策略而需于8T～11T的時間中執(zhí)行最后一次加熱的操作，本實施例中，控制器16于時間t10時驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12于一寫入時段Tf中持續(xù)輸出寫入功率Pw，最后，光學(xué)拾取單元12于一冷卻時段T”輸出基準(zhǔn)功率Pb，然后，控制器16再驅(qū)動功率控制單元14來設(shè)定光學(xué)拾取單元12輸出抹除功率Pe而完成形成11T記錄標(biāo)記的目的。
請注意，寫入時段Td，寫入時段Te，以及寫入時段Tf是為可動態(tài)調(diào)整的，亦即寫入時段Td、Te、Tf可分別對應(yīng)不同的設(shè)定值。圖7是顯示光學(xué)拾取單元12形成11T記錄標(biāo)記的輸出功率波形，對于其他奇記錄標(biāo)記來說，其形成與11T記錄標(biāo)記的形成類似，以5T記錄標(biāo)記為例，當(dāng)光學(xué)拾取單元12于時間0～2T中完成一次寫入功率Pw(其持續(xù)時間為加熱時段Td)的輸出后，光學(xué)拾取單元12接著于2T～5T中完成另一次寫入功率Pw(其持續(xù)時間為加熱時段Tf)的輸出，接著，光學(xué)拾取單元1同樣地于冷卻時段T”輸出基準(zhǔn)功率Pb，然后，光學(xué)拾取單元12再輸出抹除功率Pe而完成形成5T記錄標(biāo)記的目的。
當(dāng)11T記錄標(biāo)記對應(yīng)圖5所示的特性曲線22時，則本實施例會調(diào)整加熱時段Td、Te、Tf的時間長短，例如同時增加加熱時段Td、Te、Tf的持續(xù)時間或者維持加熱時段Te的持續(xù)時間及增加加熱時段Td、Tf的持續(xù)時間，均可達到增加11T記錄標(biāo)記的燒錄時間的目的，當(dāng)11T記錄標(biāo)記的燒錄時間增加后，11T記錄標(biāo)記的信號功率分布便可趨近特性曲線24而具有較佳的燒錄品質(zhì)。另外，當(dāng)11T記錄標(biāo)記是對應(yīng)圖5所示的特性曲線26時，則本實施例會調(diào)整加熱時段Td、Te、Tf的時間長短，例如同時減少加熱時段Td、Te、Tf的持續(xù)時間或者維持加熱時段Te的持續(xù)時間及減少加熱時段Td、Tf的持續(xù)時間，均可達到降低10T記錄標(biāo)記的燒錄時間的目的，當(dāng)11T記錄標(biāo)記的燒錄時間減少后，12T記錄標(biāo)記的信號功率分布便可趨近特性曲線24而具有較佳的燒錄品質(zhì)。
當(dāng)可重復(fù)讀寫式光盤機10燒錄奇記錄標(biāo)記與偶記錄標(biāo)記于光盤上時，對應(yīng)奇記錄標(biāo)記的寫入時段與對應(yīng)偶記錄標(biāo)記的寫入時段均為可獨立調(diào)整的，換句話說，形成奇記錄標(biāo)記與偶記錄標(biāo)記時，光學(xué)拾取單元12不再如已知技術(shù)一般而應(yīng)用同一寫入時段Tmn來進行加熱操作。舉例來說，已知2T寫入策略于寫入一偶記錄標(biāo)記與一奇記錄標(biāo)記時，其必須采用兩種不同寫入時段Tmn、Tmn+來施加寫入功率于光盤上，然而，對于一奇記錄標(biāo)記來說，本發(fā)明調(diào)整2T寫入策略的方法可應(yīng)用至少二種不同寫入時段(例如Ta＝Tb，Tc)來施加寫入功率于光盤上。此外，對于一偶記錄標(biāo)記來說，本發(fā)明調(diào)整2T寫入策略的方法可應(yīng)用至少三種不同寫入時段(例如Td，Te，Tf)來施加寫入功率于光盤上，因此當(dāng)寫入一偶記錄標(biāo)記與一奇記錄標(biāo)記時，其可應(yīng)用至少三種不同寫入時段(例如Ta＝Tb＝Td＝Te，Tc，Tf)來施加寫入功率于光盤上。所以，對于一奇記錄標(biāo)記的寫入來說，加熱時段Ta、Tb、Tc的個別設(shè)定可使相變材質(zhì)于一第一預(yù)定長度中均勻地對應(yīng)非晶形狀態(tài)，此外，對于一偶記錄標(biāo)記的寫入來說，加熱時段Td、Te、Tf的個別設(shè)定則可能使相變材質(zhì)于一第二預(yù)定長度中亦均勻地對應(yīng)非晶形狀態(tài)，換句話說，當(dāng)光學(xué)拾取單元12讀取光盤上所記錄的記錄標(biāo)記時，對應(yīng)奇記錄標(biāo)記的高頻信號與對應(yīng)偶記錄標(biāo)記的高頻信號均可具有良好的波形，因此可便于后續(xù)錯誤校正與解碼運算來正確地擷取出所要的數(shù)據(jù)。
如圖6所示，光學(xué)拾取單元12于時間t2、t3、t4時開始輸出寫入功率Pw，并于同一寫入時段Tb中持續(xù)輸出寫入功率Pw，然而，光學(xué)拾取單元12亦可于時間t2、t3、t4起開始分別以不同寫入時段來持續(xù)輸出寫入功率Pw，舉例來說，光學(xué)拾取單元12形成10T記錄標(biāo)記時，光學(xué)拾取單元12可于時間t1、t2、t3、t4、t5起分別以不同持續(xù)時間的寫入時段來輸出寫入功率Pw，而對于其他偶記錄標(biāo)記而言，亦可于各2T的時間中應(yīng)用不同長度的寫入時段來進行加熱操作，亦可達到本發(fā)明2T寫入策略調(diào)整各寫入時段以改善燒錄品質(zhì)的目的。同樣地，光學(xué)拾取單元12亦可于圖7所示的時間t7、t8、t9起開始分別以不同寫入時段來持續(xù)輸出寫入功率Pw。
顯然地，只要硬體與軟體的技術(shù)能達成將許多元件整合在同一光盤機上，本發(fā)明的一較佳實施例是讓已知技術(shù)的光盤機再包含一檢測單元(detector)。請參閱圖8，圖8為本發(fā)明可重復(fù)讀寫式光盤機30的示意圖?？芍貜?fù)讀寫式光盤機30包含有一光學(xué)拾取單元32，一功率控制單元34，以及一檢測單元36。在此，檢測單元36是電連接于功率控制單元34，用以根據(jù)光學(xué)拾取單元32讀取這些奇記錄標(biāo)記與這些偶記錄標(biāo)記所得信息，通知功率控制單元34如何修改這些寫入時段。在此，檢測單元36可以是根據(jù)一預(yù)先設(shè)定的數(shù)據(jù)庫，根據(jù)實際燒錄結(jié)果與最理想燒錄結(jié)果的差別，通知功率控制單元34如何修改這些寫入時段；檢測單元36也可以是根據(jù)對這些奇記錄標(biāo)記與這些偶記錄標(biāo)記的輪廓與分布的分析，通過功率控制單元34如何修改這些寫入時段。顯然地，檢測單元36與功率控制單元34都可以是硬體、軟體或韌體。
進一步地，本發(fā)明的另一較佳實施例是將不將檢測單元與光盤機合而為一，而是利用先前所介紹概念所建構(gòu)的一種光盤機校正系統(tǒng)。請參閱圖9，圖9為本發(fā)明光盤機校正系統(tǒng)40的示意圖。光盤機校正系統(tǒng)40包含有一檢測單元42，用以分析一光盤上不同記錄標(biāo)記的個別的輪廓與分布，一光學(xué)拾取單元46(其設(shè)置于一光盤機中)，以及一調(diào)整單元46，電連接于檢測單元42與光學(xué)拾取單元44，用以根據(jù)檢測單元42所分析得到的信息，改變光學(xué)拾取單元44(或光盤機用以控制寫入時段的部分)所使用的多個寫入時段，在此這些寫入時段是對應(yīng)至少三時間長度并且是被光學(xué)拾取單元44用以根據(jù)來輸出一激光以形成一奇記錄標(biāo)記以及一偶記錄標(biāo)記于光盤上。顯然地，檢測單元42與調(diào)整單元46都可以是硬體、軟體或韌體。
相較于已知技術(shù)，本發(fā)明2T寫入策略于燒錄偶記錄標(biāo)記與奇記錄標(biāo)記時，偶記錄標(biāo)記的寫入時段長短與奇記錄標(biāo)記的寫入時段長短可個別地設(shè)定，所以經(jīng)由寫入時段的適當(dāng)設(shè)定可使偶記錄標(biāo)記與奇記錄標(biāo)記均具有良好的燒錄品質(zhì)，亦即當(dāng)一光學(xué)拾取單元讀取光盤上所記錄的記錄標(biāo)記時，對應(yīng)偶記錄標(biāo)記的高頻信號與對應(yīng)奇記錄標(biāo)記的高頻信號均可具有良好的波形，因此可重復(fù)讀寫式光盤機便可順利地擷取出記錄標(biāo)記所對應(yīng)的數(shù)據(jù)，同時可減少后續(xù)錯誤校正的操作。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種調(diào)整光盤機的2T寫入策略(2T write strategy)的方法，其包含有(a)在一光盤上形成一測試奇記錄標(biāo)記以及一測試偶記錄標(biāo)記；(b)檢測對應(yīng)該測試奇記錄標(biāo)記及該測試偶記錄標(biāo)記的信號波形；以及(c)若該測試偶記錄標(biāo)記的信號波形的最大信號強度的時序與一第一理想波形的最大信號強度的時序?qū)?yīng)一第一差量，則依據(jù)該第一差量修正用來產(chǎn)生一偶記錄標(biāo)記的多個寫入時段；而若該測試奇記錄標(biāo)記的信號波形的最大信號強度的時序與一第二理想波形的最大信號強度的時序?qū)?yīng)一第二差量，則依據(jù)該第二差量修正用來產(chǎn)生一奇記錄標(biāo)記的多個寫入時段。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟(c)另包含有當(dāng)于該光盤形成該偶記錄標(biāo)記時，使用一第一寫入時段以及一第二寫入時段來輸出一寫入功率，其中該第一寫入時段以及該第二寫入時段是對應(yīng)不同時間長度；當(dāng)于該光盤形成該偶記錄標(biāo)記時，使用一第三寫入時段，一第四寫入時段，以及一第五寫入時段來輸出該寫入功率，該第四寫入時段是介于該第三、五寫入時段之間，該第三寫入時段，該第四寫入時段，以及該第五寫入時段是對應(yīng)不同時間長度；或者當(dāng)于該光盤形成該偶記錄標(biāo)記時，使用一第六寫入時段，多個第七寫入時段，以及一第八寫入時段來輸出該寫入功率，其中該多個第七寫入時段是介于該第六、八寫入時段之間，該多個第七寫入時段是對應(yīng)同一時間長度，且該第六寫入時段，一第七寫入時段，以及該第八寫入時段是對應(yīng)不同時間長度。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該第一寫入時段是對應(yīng)于該寫入功率處理一次該光盤的時間，該第二寫入時段是對應(yīng)于一基準(zhǔn)功率處理該光盤的時間，該第三寫入時段是對應(yīng)于該寫入功率第一次處理該光盤的時間，該第四寫入時段是對應(yīng)于該寫入功率再次處理該光盤的時間，該第五寫入時間是對應(yīng)于該基準(zhǔn)功率處理該光盤的時間，該第六寫入時段是對應(yīng)于該寫入功率第一次處理該光盤的時間，該第七寫入時段是對應(yīng)于該寫入功率多次處理該光盤時每一次的時間，以及該第八寫入時間是對應(yīng)于該基準(zhǔn)功率處理該光盤的時間。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在步驟(c)中，若該信號波形的最大信號強度的時序晚于該第一理想波形的最大信號強度的時序，則降低該偶記錄標(biāo)記的多個寫入時段的總持續(xù)時間，以及若該信號波形的最大信號強度的時序早于該理想波形的最大信號強度的時序，則增加該偶記錄標(biāo)記的多個寫入時段的總持續(xù)時間。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟(c)另包含有當(dāng)在該光盤形成該奇記錄標(biāo)記時，使用一第一寫入時段以及一第二寫入時段來輸出一寫入功率，其中該第一寫入時段與該第二寫入時段是對應(yīng)不同時間長度；當(dāng)在該光盤產(chǎn)生該奇記錄標(biāo)記時，使用一第三寫入時段，一第四寫入時段，以及一第五寫入時段來輸出該寫入功率，該第四寫入時段是介于該第三、五寫入時段之間，其中該第三寫入時段，該第四寫入時段，以及該第五寫入時段是對應(yīng)不同時間長度；或者當(dāng)在該光盤產(chǎn)生該奇記錄標(biāo)記時，使用一第六寫入時段，多個第七寫入時段，以及一第八寫入時段來輸出該寫入功率，該多個第七寫入時段是介于該第六、八寫入時段之間，其中該多個第七寫入時段是對應(yīng)同一時間長度，且該第六寫入時段，一第七寫入時段，以及該第八寫入時段是對應(yīng)不同時間長度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該第一寫入時段是對應(yīng)到以該寫入功率處理一次該光盤的時間，該第二寫入時段是對應(yīng)到以一基準(zhǔn)功率處理該光盤的時間，該第三寫入時段是對應(yīng)到以該寫入功率第一次處理該光盤的時間，該第四寫入時段是對應(yīng)到以該寫入功率再次處理該光盤的時間，該第五寫入時間是對應(yīng)以該基準(zhǔn)功率處理該光盤的時間，該第六寫入時段是對應(yīng)到以該寫入功率第一次處理該光盤的時間，該第七寫入時段是對應(yīng)到以該寫入功率多次處理該光盤時每一次的時間，而該第八寫入時間是對應(yīng)以該基準(zhǔn)功率處理該光盤的時間。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在步驟(c)中，若該信號波形的最大信號強度的時序晚于該第二理想波形的最大信號強度的時序，則降低該奇記錄標(biāo)記的多個寫入時段的總持續(xù)時間，以及若該信號波形的最大信號強度的時序早與該第二理想波形的最大信號強度的時序，則增加該奇記錄標(biāo)記的多個寫入時段的總持續(xù)時間。
8.一種光盤機，其包含有一光學(xué)拾取單元(optical pick-up unit，OPU)，用來輸出一激光以在一光盤蝕刻產(chǎn)生多個奇記錄標(biāo)記(odd nark)以及多個偶記錄標(biāo)記(evenmark)；以及一控制單元(controller)，電連接于該光學(xué)拾取單元，用來依據(jù)一2T寫入策略(2T write strategy)驅(qū)動該光學(xué)拾取單元，該控制單元可控制該光學(xué)拾取單元使用對應(yīng)至少三時間長度的多個寫入時段輸出該激光以形成一奇記錄標(biāo)記以及一偶記錄標(biāo)記于該光盤上。
9.如權(quán)利要求8所述的光盤機，更包含一檢測單元(detector)，電連接于該控制單元，用以根據(jù)該光學(xué)拾取單元讀取該些奇記錄標(biāo)記與該些偶記錄標(biāo)記所得的信息，通知該控制單元如何修改該些寫入時段。
10.一種光盤機校正系統(tǒng)，其包含有一檢測單元，用以分析一光盤上不同記錄標(biāo)記的個別的輪廓與分布；以及一調(diào)整單元，電連接于該檢測單元與一光學(xué)拾取單元，用以根據(jù)該檢測單元所分析得到的信息，改變該光學(xué)拾取單元所使用的多個寫入時段，在此該些寫入時段是對應(yīng)至少三時間長度并且是被該光學(xué)拾取單元用以根據(jù)來輸出一激光以形成一奇記錄標(biāo)記以及一偶記錄標(biāo)記于該光盤上；其中當(dāng)某一記錄標(biāo)記對應(yīng)的一特性曲線較一理想特性曲線早達到最大值，該調(diào)整單元便增加對該記錄標(biāo)記的總共燒錄時間，當(dāng)某一記錄標(biāo)記對應(yīng)的一特性曲線較一理想特性曲線晚達到最大值，該調(diào)整單元便減少對該記錄標(biāo)記的總共燒錄時間，以及當(dāng)某一記錄標(biāo)記對應(yīng)的一特性曲線的分布較一理想特性曲線的分布來得變寬或變窄，便以嘗試錯誤(try and error)方式，改變對該記錄標(biāo)記的總共燒錄時間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種調(diào)整2T寫入策略的方法、光盤機及校正系統(tǒng)，該方法包含有驅(qū)動該光盤機于一光盤形成一測試奇記錄標(biāo)記以及一測試偶記錄標(biāo)記，檢測對應(yīng)該測試奇記錄標(biāo)記及該測試偶記錄標(biāo)記的信號波形，依據(jù)該測試偶記錄標(biāo)記的信號波形修正用來產(chǎn)生一偶記錄標(biāo)記的多個寫入時段，以及依據(jù)該測試奇記錄標(biāo)記的信號波形而不依據(jù)該偶記錄標(biāo)記修正后的多個寫入時段來修正用來產(chǎn)生一奇記錄標(biāo)記的多個寫入時段。
文檔編號G11B7/006GK1547196SQ20031012020
公開日2004年11月17日 申請日期2003年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月9日
發(fā)明者王轍杰 申請人:威盛電子股份有限公司