專利名稱：用于編程/擦除非易失性存儲(chǔ)器的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器，更具體地，涉及用于編程/擦除非易 失性存儲(chǔ)器的方法和設(shè)備.背景技術(shù)能夠被多次編程和擦除的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)通常被使用于各 種各樣的應(yīng)用。通常，NVM具有在保證滿足數(shù)據(jù)保持技術(shù)規(guī)范的同時(shí) 可以執(zhí)行的編程/擦除循環(huán)的最大數(shù)目。


本發(fā)明借助于附圖作為例子被示出了，但并不由附圖限制，圖中 相同的附圖標(biāo)記表示相同的單元，并且附圖中圖1以框圖形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的集成電路； 圖2以框圖形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的NVM14;圖3以流程圖形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于擦除 NVM的方法；圖4以曲線圖形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的被編程的和 被擦除的位的分布；以及圖5以曲線圖形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的各種擦除脈沖。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)看到，圖中的單元是為了簡(jiǎn)化和清晰而示出 的，并不一定按比例畫(huà)出。例如，圖中的單元的一些尺寸可能相對(duì)于 其它單元被放大，以幫助增進(jìn)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的理解。
具體實(shí)施方式
NVM單元的數(shù)據(jù)保持力(data retention)是預(yù)定的數(shù)據(jù)值保持正 確地被存儲(chǔ)使得可以從NVM單元將其檢索的時(shí)間量。NVM單元的持 久性(endurance)是在NVM單元的狀態(tài)不再可以可靠地改變之前可以 執(zhí)行的最大數(shù)目的編程/擦除循環(huán)。應(yīng)當(dāng)注意，有各種各樣的技術(shù)可被 用來(lái)在測(cè)試期間或使用(例如，冗余性、糾錯(cuò)碼等等)期間當(dāng)一個(gè)或多 個(gè)NVM單元失效(發(fā)生故障)時(shí)擴(kuò)展NVM陣列的耐久性(viability)。NVM可以以任何期望的粒度被編程。雖然許多NVM按字節(jié)被編 程，但替換的實(shí)施例可以按位、字、長(zhǎng)字、扇區(qū)、塊、或任何其它期 望的方式被編程。NVM可以以任何期望的粒度被擦除。雖然許多NVM 按扇區(qū)被編程，但替換的實(shí)施例可以按位、字節(jié)、字、長(zhǎng)字、塊、或 任何其它期望的方式被擦除。當(dāng)單個(gè)NVM陣列30(見(jiàn)圖2)必須滿足對(duì)于由第 一組客戶所要求的 時(shí)間保持力的最大技術(shù)規(guī)范，而同時(shí)也滿足對(duì)于由第二組客戶所要求 的持久性的最大技術(shù)規(guī)范時(shí)，引起一個(gè)問(wèn)題。作為一個(gè)例子，第一組客戶可能正在存儲(chǔ)軟件代碼，例如用于處 理器12的指令(見(jiàn)圖1)，它們必須在產(chǎn)品的壽命內(nèi)(例如，二十年)保持 為被存儲(chǔ)的。這樣的產(chǎn)品的一個(gè)例子是使用NVM來(lái)存儲(chǔ)用來(lái)執(zhí)行引 擎控制的軟件代碼的汽車。這個(gè)第一組客戶可能不需要NVM執(zhí)行許 多編程/擦除循環(huán)。在本例中，如果NVM存儲(chǔ)軟件代碼，則一旦軟件 代碼初始地被存儲(chǔ)在NVM中，軟件代碼可能就從不需要被擦除和重 寫(xiě)。大多數(shù)應(yīng)用中通常不使用自修改軟件代碼。作為第二個(gè)例子，第二組客戶可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值，例如非易失的但 可變的數(shù)據(jù)，它們需要在相對(duì)較短的時(shí)間期間內(nèi)(例如， 一個(gè)月到五年) 保持為被存儲(chǔ)的。這樣的產(chǎn)品的一個(gè)例子是使用NVM來(lái)存儲(chǔ)用來(lái)代 表引擎調(diào)整信息的數(shù)據(jù)值的汽車。這個(gè)笫二組客戶將需要NVM執(zhí)行 許多編程/擦除循環(huán)(例如，每當(dāng)汽車點(diǎn)火被關(guān)斷和接通時(shí)進(jìn)行一次編程 /擦除循環(huán))。在本例中，如果NVM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值，則很可能數(shù)據(jù)值將被 新的編程/擦除循環(huán)刷新，因此不需要具有長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間。另外， 一些客戶在同一個(gè)應(yīng)用中將需要兩種類型的NVM。例如， 上述的汽車客戶將需要一些NVM具有對(duì)于軟件代碼的長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保持 力，并且還需要一些NVM具有對(duì)于頻繁被重寫(xiě)的數(shù)據(jù)值的高持久性。圖1以框圖形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的集成電路 (IC)IO。在所示出的實(shí)施例中，IC10具有處理器12、 NVM14、可選 的其它存儲(chǔ)器16、 一個(gè)或多個(gè)可選的其它模塊18、和可選的外部總線 接口 20,它們每個(gè)都被雙向地耦合到總線22。正如這里使用的，術(shù)語(yǔ) 總線是指可被用來(lái)傳送一種或多種類型的信息如數(shù)據(jù)、地址、控制或 狀態(tài)的多個(gè)信號(hào)或?qū)w。在一些實(shí)施例中，IC10是獨(dú)立的NVM，并且沒(méi)有實(shí)施電路12、 16和18。在這種情形下，外部總線接口 20包括用于NVM14的地址 與數(shù)據(jù)總線驅(qū)動(dòng)器。在其它實(shí)施例中，IC IO是微控制器，它具有NVM 14作為在微控制器上可得到的僅僅一個(gè)電路。任何一個(gè)或多個(gè)電路 12、 14、 16、 18和20可被耦合到一個(gè)或多個(gè)集成電路端子(未示出)， 它們可被用來(lái)與IC10的外部通信。在一些實(shí)施例中，外部總線24可 被用來(lái)與在IC IO的外部的電路(未示出)通信。其它存儲(chǔ)器16可以是 任何類型的存儲(chǔ)器。其它模塊18可包括被用于期望的目的的電路。在 其它模塊18中的電路的一些例子包括定時(shí)器電路、通信接口電路、顯 示器驅(qū)動(dòng)器電路、模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器、數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器、電源管理電 路等等.圖2以框圖形式示出了才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的NVM 14。在一個(gè)實(shí)施例中，NVM14包括具有N塊的NVM陣列42，其中 N可以是大于或等于1的整數(shù)。虛線被用來(lái)表示NVM陣列42的塊。 這些塊可以具有任何尺寸。對(duì)應(yīng)于每個(gè)塊的控制信息可被存儲(chǔ)在每個(gè) 塊內(nèi)。NVM 14還包括控制電路32、讀電路40、驗(yàn)證電平發(fā)生器26、驗(yàn) 證電平選擇器28、'讀驗(yàn)證電路30、電壓發(fā)生器36、電壓選擇器48、 編程/擦除脈沖發(fā)生器64、和其它NVM電路38,驗(yàn)證電平發(fā)生器26 把多個(gè)驗(yàn)證電平經(jīng)由導(dǎo)體51-53提供到驗(yàn)證電平選擇器。驗(yàn)證電平選平之一經(jīng)由導(dǎo)體46提供到讀驗(yàn)證電路30。讀電路40被雙向耦合到 NVM陣列42并把實(shí)際讀電流經(jīng)由導(dǎo)體60提供到讀驗(yàn)證電路30。讀 驗(yàn)證電路30被雙向耦合到控制電路32并把驗(yàn)證結(jié)果經(jīng)由導(dǎo)體62提供 到控制電路32?？刂齐娐?2被雙向耦合到驗(yàn)證電平發(fā)生器26、其它 NVM電路38、電壓發(fā)生器36和編程/擦除脈沖發(fā)生器64。電壓發(fā)生 器36把多個(gè)電壓經(jīng)由導(dǎo)體54-56提供到電壓選擇器48。電壓選擇器 48根據(jù)從控制電路32經(jīng)由導(dǎo)體50接收的選擇信號(hào)把這些電壓之一經(jīng) 由導(dǎo)體58提供到編程/擦除脈沖發(fā)生器64?？刂齐娐?2包括編程/擦 除脈沖計(jì)數(shù)器34、每個(gè)電壓的最大脈沖計(jì)數(shù)68和最大總脈沖計(jì)數(shù)70。 每個(gè)電壓的最大脈沖計(jì)數(shù)68和最大總脈沖計(jì)數(shù)70可被存儲(chǔ)在控制電 路32內(nèi)或在NVM14或IC10內(nèi)的存儲(chǔ)電路，例如寄存器。編程/擦除循環(huán)可包括編程N(yùn)VM陣列42的全部或一部分，或擦 除NVM陣列42的全部或一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，擦除是指把位設(shè) 置為邏輯電平1，而編程是指把適當(dāng)?shù)奈话葱枰O(shè)置為邏輯電平1或 邏輯電平0,用來(lái)代表要被存儲(chǔ)在NVM陣列42中的期望的信息。在 一個(gè)實(shí)施例中，編程N(yùn)VM陣列42的一部分包括用來(lái)首先擦除要被 編程的部分的所有位的擦除循環(huán)，隨后改變需要被改變的那些位的狀 態(tài)，以代表要被存儲(chǔ)的期望的信息。另外，應(yīng)當(dāng)注意，正如這里所使 用的，編程/擦除循環(huán)可以僅僅包括擦除操作。在一個(gè)實(shí)施例中，整個(gè) 塊可以一次擦除，或替換地，可以一次擦除多于或少于一個(gè)塊。另外， 在替換實(shí)施例中，擦除可以指把位設(shè)置為邏輯電平0，而不是邏輯電 平l,在編程或擦除NVM陣列42的一部分后，執(zhí)行隨后的驗(yàn)證，以確 定編程/擦除循環(huán)是成功的。為了進(jìn)行驗(yàn)證，執(zhí)行對(duì)被編程/擦除的位的 讀取，并與驗(yàn)證電平進(jìn)行比較，以確定位是否被正確地編程/擦除。例 如，讀驗(yàn)證電路30可被用來(lái)驗(yàn)證在NVM陣列42中所選擇的位單元 的正確的擦除。讀電路40包括多個(gè)讀出放大器(未示出)，它們被用來(lái) 讀出要被驗(yàn)證的所選擇的位單元，讀電路40感測(cè)每個(gè)所選擇的位單元，并把實(shí)際讀電流經(jīng)由導(dǎo)體60提供到讀驗(yàn)證電路30。(應(yīng)當(dāng)注意， 讀電路40的電路和操作在本領(lǐng)域是已知的，所以這里不作更詳細(xì)地描 述。)讀驗(yàn)證電路30然后比較經(jīng)由導(dǎo)體60接收的實(shí)際讀電流與經(jīng)由導(dǎo) 體46提供的所選擇的驗(yàn)證電平，并確定實(shí)際讀電流是否大于或等于所 選擇的驗(yàn)證電平。如果是的話，則相應(yīng)的擦除位單元的所存儲(chǔ)的數(shù)值 被驗(yàn)證為邏輯電平l，表示該擦除是成功的。在一個(gè)實(shí)施例中， 一次可以驗(yàn)證一組位單元的擦除。例如，在其 中NVM陣列42的一部分的所有的位單元被擦除的場(chǎng)合下，在擦除后 它們讀被預(yù)期為邏輯電平1。在本例中，讀電路40可以感測(cè)NVM陣 列42的該部分的每個(gè)位單元，并僅僅把最小實(shí)際讀電流提供到讀驗(yàn)證 電路30。如果在這種情形下的最小實(shí)際讀電流大于或等于所選擇的驗(yàn) 證電平，則在擦除部分中所有的位單元的擦除是成功的。圖4以曲線圖形式示出了可以在NVM陣列42中存在的零("O") 位和一('T，)位的示例性分布以及各種不同的驗(yàn)證電平VL1-VLN。 y軸 代表位數(shù)，而x軸代表位的位單元電流。所以，在"O，，位(存儲(chǔ)有邏輯 電平零的位單元)的情形下，每個(gè)位單元的位單元電流小于0/1讀閾值 電流。在"l，，位(存儲(chǔ)有邏輯電平1的位單元)的情形下，每個(gè)位單元的 位單元電流大于0/1讀閾值電流(否則，其電流小于0/1讀閾值電流的 任何"1"位會(huì)被誤讀為"0"位)。所以，具有小于0/1讀閾值電流的電流 的任何位單元被讀為存儲(chǔ)"O"，而具有大于0/1讀閾值電流的電流的任 何位單元被讀為存儲(chǔ)"l"。然而，為了保證強(qiáng)的一位，希望"l"位位單 元電流比0/1讀閾值電流大預(yù)定的量。例如，在圖4上，對(duì)于最佳操 作，"l，，位的位單元電流應(yīng)當(dāng)大于驗(yàn)證電平VL1。所以，如圖4所示， "l"位的分布出現(xiàn)在VL1的右面。然而，隨著時(shí)間消逝，"l"位的分布 開(kāi)始向左面移動(dòng)，更接近于0/l讀閾值，這是由于例如由編程/擦除循 環(huán)造成的對(duì)于器件氧化物的損壞。如圖4所示，應(yīng)當(dāng)注意，"1"位的分布可能移到更接近于0/1讀閾 值，但仍舊至少遠(yuǎn)離預(yù)定的量，正如由各個(gè)其它驗(yàn)證電平VL2-VLN 表示的(其中N可以是任何整數(shù)值)。如果例如驗(yàn)證電平VL4，而不是VL1，被用來(lái)驗(yàn)證"l"位，則更多的位將"通過(guò)"，有效地存儲(chǔ)"l"，這 是因?yàn)樾枰^小的位單元電流來(lái)認(rèn)為是有效的"l"位。然而，如果位單 元電流僅僅超過(guò)VL4，而不超過(guò)VL1-VL3，貝'j"l"位實(shí)際上是在NVM 惡化到不再能被可靠地編程的程度之前剩下較短的壽命的較弱的"l" 位。所以，在一個(gè)實(shí)施例中，盡可能用驗(yàn)證電平VL1來(lái)驗(yàn)證"l"位， 并且當(dāng)不再可能時(shí)，可以代之以使用較小的驗(yàn)證電平如VL2-VLN來(lái) 驗(yàn)證"1"位。因此，有可能擴(kuò)展NVM陣列42的壽命?；氐綀D2，應(yīng)當(dāng)注意，讀驗(yàn)證電路30可以^吏用各種驗(yàn)證電平之一 (由驗(yàn)證電平選擇器28提供)來(lái)驗(yàn)證"1"位。例如，驗(yàn)證電平發(fā)生器26 可以生成N個(gè)驗(yàn)證電平(例如，對(duì)應(yīng)于圖4的VL1-VLN),并把它們經(jīng) 由導(dǎo)體51-53提供到驗(yàn)證電平選擇器28.然后，電平選擇器28可以根 據(jù)經(jīng)由導(dǎo)體44從控制電路32接收的選擇信號(hào)選擇這些驗(yàn)證電平之一， 并把所選擇的驗(yàn)證電平經(jīng)由導(dǎo)體46提供到讀驗(yàn)證電路30，以用于實(shí) 際進(jìn)行驗(yàn)證。然后，讀驗(yàn)證電路30比較從讀電路40接收的實(shí)際讀電 流與這個(gè)所選擇的驗(yàn)證電平，并把結(jié)果經(jīng)由導(dǎo)體62提供到控制電路 32?？刂齐娐?2的操作將參照?qǐng)D3的流程圖更詳細(xì)地討論?，F(xiàn)在參照?qǐng)D2和5描述執(zhí)行擦除操作來(lái)擦除NVM陣列42的一部 分的編程/擦除循環(huán)的例子。在一個(gè)實(shí)施例中，例如通過(guò)編程/擦除脈沖 發(fā)生器64生成多個(gè)擦除脈沖，以擦除NVM陣列42的一部分。這些 脈沖的例子示出于圖5中。在一個(gè)實(shí)施例中，施加具有近似第一擦除 電壓(EV1)的多個(gè)脈沖(例如脈沖100)，隨后施加具有近似第二擦除電 壓(EV2)的多個(gè)脈沖(例如脈沖102)，隨后施加具有近似第三擦除電壓 (EV3)的多個(gè)脈沖(例如脈沖l(M),等等。在一個(gè)實(shí)施例中，在第一擦 除電壓(例如EV1)的每個(gè)脈沖后，執(zhí)行驗(yàn)證，以確定擦除脈沖是否成 功。如果不成功，則提供具有相同的擦除電壓的另一個(gè)擦除脈沖，然 后再次進(jìn)行驗(yàn)證。在進(jìn)行的驗(yàn)證過(guò)程驗(yàn)證了該擦除成功的任何時(shí)候， 編程/擦除循環(huán)結(jié)束。然而，如果在執(zhí)行同一個(gè)擦除電壓下預(yù)定數(shù)目的 脈沖(例如所有的脈沖IOO)之后，擦除仍舊不成功，則提供更高擦除電 壓(例如EV2)的脈沖，再次地，在這個(gè)更高的擦除電壓下的每個(gè)脈沖之后，執(zhí)行驗(yàn)證，以查明擦除是否成功，以及如果是的話，則編程/ 擦除循環(huán)在這時(shí)成功地結(jié)束。然而，如果在執(zhí)行這個(gè)較高的擦除電壓下預(yù)定數(shù)目的脈沖(諸如所有的脈沖102)之后，擦除仍舊不成功，則提 供還更高的擦除電壓(例如EV3)的脈沖。這個(gè)過(guò)程繼續(xù)進(jìn)行，直至成功的擦除被驗(yàn)證為止或直至達(dá)到最大 的總脈沖計(jì)數(shù)值為止。例如，如果已完成所有的脈沖106(意味著，已 完成所有的脈沖100,102,104，... 106)，而驗(yàn)證仍舊不能表示成功的擦 除，則編程/擦除循環(huán)以沒(méi)有成功的擦除結(jié)束(即，失敗的擦除)。在一 個(gè)實(shí)施例中，在移到更高的擦除電壓之前按每個(gè)擦除電壓提供的脈沖 的預(yù)定數(shù)目是相同的。例如，對(duì)于每個(gè)擦除電壓可以提供5個(gè)脈沖的 最大值，最大總脈沖數(shù)是20。然而，在替換實(shí)施例中，在移到更高的 擦除電壓之前按每個(gè)擦除電壓提供的脈沖的數(shù)目是不同的。這些數(shù)值 可以被存儲(chǔ)在例如圖2的每個(gè)電壓的最大脈沖計(jì)數(shù)62和最大總數(shù)脈沖 計(jì)數(shù)70?？商鎿Q地，這種類型的信息可被存儲(chǔ)在NVM陣列42的每個(gè) 塊內(nèi)，其中每個(gè)塊可以使用不同的計(jì)數(shù)。另外，擦除脈沖計(jì)數(shù)器34可 包括任何數(shù)目的計(jì)數(shù)器或其它電路來(lái)跟蹤每個(gè)擦除電壓的脈沖數(shù)目和 總脈沖數(shù)。應(yīng)當(dāng)注意，具有越來(lái)越高的擦除電壓的脈沖的使用可以導(dǎo) 致對(duì)于NVM陣列42較小的損害。所以，應(yīng)當(dāng)注意，每個(gè)編程/擦除循環(huán)可以使用多個(gè)不同的擦除電 壓和多個(gè)不同的驗(yàn)證電平。例如，驗(yàn)證電平選擇器28可以在編程/擦 除循環(huán)的第 一部分期間選擇笫 一驗(yàn)證電平，然后在編程/擦除循環(huán)的笫 二部分(它在時(shí)間上出現(xiàn)在第 一部分之后)期間選擇第二驗(yàn)證電平(如果 例如在笫一驗(yàn)證電平下的擦除脈沖是不成功的)。所以，在編程/擦除循 環(huán)的笫一部分期間，讀驗(yàn)證電路30可以比較笫一實(shí)際讀電流與第一驗(yàn) 證電平，并且在編程/擦除循環(huán)的第二部分期間，讀驗(yàn)證電路30可以 比較笫二實(shí)際讀電流與笫二驗(yàn)證電平。在所示出的實(shí)施例中，圖2的其它NVM電路38包括NVM 14的 操作所需的所有其它電路。在一個(gè)實(shí)施例中，其它NVM電路38具有 電荷泵、高壓穩(wěn)壓器、高壓開(kāi)關(guān)、字線驅(qū)動(dòng)器、源線驅(qū)動(dòng)器、行解碼器、列解碼器、到總線22的接口 、寄存器和對(duì)于NVM 14的功能所期 望的任何其它電路(未示出)。應(yīng)當(dāng)注意，對(duì)于一個(gè)實(shí)施例，其它NVM 電路38可以以傳統(tǒng)的方式操作。另外，應(yīng)當(dāng)注意，類似于讀驗(yàn)證電路 30的電路可被用來(lái)驗(yàn)證"O"位，其中把"O"位的位單元電流與典型地小 于0/1讀閾值電流的驗(yàn)證電平進(jìn)行比較，以便確定正確性。另外，在 替換實(shí)施例中，具有小于0/1讀閾值電流的電流的位單元可以對(duì)應(yīng)于 "1，，位，而具有大于0/1讀閾值電流的電流的那些位單元可以對(duì)應(yīng)于"O" 位。圖3以流程圖形式示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的擦除和驗(yàn)證 過(guò)程?？梢杂迷贜VM陣列42外部的激勵(lì)源來(lái)發(fā)起流程80的擦除操 作。這樣的外部的激勵(lì)源的一個(gè)例子可以是發(fā)起NVM 14內(nèi)的擦除的 處理器12(見(jiàn)圖1)。流程從方框82開(kāi)始，其中選擇初始擦除電壓和初 始驗(yàn)證電平。例如，初始地，控制電路32可以指示驗(yàn)證電平選擇器 28(例如經(jīng)由導(dǎo)體44)從驗(yàn)證電平發(fā)生器選擇第一驗(yàn)證電平(例如，圖4 的VL1)。同樣地，控制電路32可以指示電壓選擇器48(例如經(jīng)由導(dǎo)體 50)從電壓發(fā)生器36選擇第一擦除電壓(例如，EV1)。流程然后前進(jìn)到方框84，在其中通過(guò)使用所選擇的擦除電壓(在方 框82選擇的)提供擦除脈沖。例如，編程/擦除脈沖發(fā)生器64可以使用 由電壓選擇器48提供的擦除電壓來(lái)生成脈沖，例如，如圖5所示。應(yīng) 當(dāng)注意，控制電路32還可以把諸如與脈沖持續(xù)時(shí)間有關(guān)的控制信息提 供到編程/擦除脈沖發(fā)生器64。這個(gè)第一脈沖被提供到NVM陣列42, 以便擦除NVM陣列42的所選擇的部分(其中所選擇的部分可以由其 它NVM電路38指示，如本領(lǐng)域所已知的)。回到圖3，流程然后前進(jìn)到方框86,在其中通過(guò)使用所選擇的驗(yàn) 證電平來(lái)驗(yàn)證該擦除。例如， 一旦由脈沖發(fā)生器64提供脈沖，讀驗(yàn)證 電路30就可以驗(yàn)證該擦除，正如以上參照?qǐng)D2描述的。例如，讀電路 40可以把實(shí)際讀電流提供到讀驗(yàn)證電路30，讀驗(yàn)證電路30把該實(shí)際 讀電流與來(lái)自驗(yàn)證電平選擇器28的所選擇的驗(yàn)證電平進(jìn)行比較。流程 然后前進(jìn)到判定菱形框88 ，其中確定實(shí)際讀電流是否大于或等于所選13擇的驗(yàn)證電平。如果是的話，則流程前進(jìn)到方框90,它表示成功的擦 除，并因此而完成編程/擦除循環(huán)。也就是說(shuō)，在方框90,完成流程 80的擦除操作80。如果在判定菱形框88中，確定實(shí)際讀電流不大于 或等于所選擇的驗(yàn)證電平，則流程前進(jìn)到判定菱形框92。
在判定菱形框92,確定是否達(dá)到所選擇的電壓電平下擦除脈沖的 最大數(shù)目。如果不是的話，流程回到方框84,在其中提供在相同的所 選擇的電壓電平下的另一個(gè)擦除脈沖，并以相同的驗(yàn)證電平執(zhí)行驗(yàn)證 (在方框86)。如果在判定菱形框92,確定已達(dá)到在第二電壓電平下擦 除脈沖的最大數(shù)目，則流程前進(jìn)到判定菱形框94。例如，為了作出判 定菱形框92的判定，控制電路32可以比較跟蹤在當(dāng)前擦除電壓下的 脈沖數(shù)目的第一擦除脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值與對(duì)于當(dāng)前的擦除電壓的最 大脈沖計(jì)數(shù)(例如它可以作為每個(gè)擦除電壓的最大脈沖計(jì)數(shù)68的一部 分而被存儲(chǔ))。
在判定菱形框94,確定是否達(dá)到最大總擦除脈沖數(shù)。例如，控制 電路32可以比較跟蹤在當(dāng)前的編程/擦除循環(huán)中總的脈沖數(shù)目的第二 擦除脈沖計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值與最大總脈沖計(jì)數(shù)70,以作出這個(gè)判定。如 果已達(dá)到最大總擦除脈沖數(shù)，則流程前進(jìn)到方框96，這表示當(dāng)前的編 程/擦除循環(huán)以不成功的擦除(即，失敗的擦除)結(jié)束。應(yīng)當(dāng)注意，在擦 除或編程期間的失敗可以是由于在NVM陣列42中和/或其它NVM電 路38中的電路。
然而，如果在判定菱形框94中還沒(méi)有達(dá)到最大總擦除脈沖數(shù)，則 流程前進(jìn)到方框98，其中繼續(xù)進(jìn)行當(dāng)前的編程/擦除循環(huán)。在方框98, 選擇較高的擦除電壓和較低的驗(yàn)證電平，然后流程回到方框84。例如， 如果在方才醫(yī)82的初始擦除電壓和驗(yàn)證電平分別對(duì)應(yīng)于EV1和VL1， 則在方框98，更高的擦除電壓和更低的驗(yàn)證電平可以分別對(duì)應(yīng)于EV2 和VL2。利用這個(gè)新的更高的擦除電壓，更強(qiáng)的擦除脈沖被提供到 NVM陣列42以執(zhí)行擦除。而且，在這個(gè)更高的擦除電壓下每個(gè)擦除 脈沖之后，使用較低的驗(yàn)證電平來(lái)執(zhí)行驗(yàn)證。這個(gè)較低的驗(yàn)證電平可 以使得讀驗(yàn)證電路30更容易驗(yàn)證成功的擦除。也就是說(shuō)，每個(gè)編程/擦除循環(huán)可以使用多個(gè)不同的擦除電壓和多個(gè)不同的驗(yàn)證電平。通過(guò)
使用逐漸增高的擦除電壓(例如，EV1，EV2，…，EVN)和逐漸降低的驗(yàn)證 電平(例如，分別為VL1， VL2，…，VLN)，擦除可以以這樣的方式被執(zhí) 行和驗(yàn)證，該方式使得無(wú)論什么應(yīng)用，由編程/擦除循環(huán)造成的損害最 小化并保證對(duì)于NVM陣列中每個(gè)位單元達(dá)到最佳數(shù)據(jù)保持和持久性 能。
應(yīng)當(dāng)注意，可以選擇擦除電壓和驗(yàn)證電平的任何序列。例如，在 要被使用的擦除電壓的序列中的每個(gè)擦除電壓可以均勻地間隔開(kāi)?？?替換地，它們可以不等地間隔開(kāi)，使得例如從EV1到EV2的跳躍可 以小于從EV2到EV3的跳躍。同樣地，每個(gè)擦除電壓可能不一定大 于先前的擦除電壓。類似地，在要被選擇的驗(yàn)證電平的序列中的每個(gè) 驗(yàn)證電平可以均勻地間隔開(kāi)，或不均勻地間隔開(kāi)。同樣地。每個(gè)驗(yàn)證 電平可能不一定低于先前的驗(yàn)證電平。在一個(gè)實(shí)施例中，擦除電壓的 序列在13伏開(kāi)始，每次遞增200毫伏直到14伏，如下13伏，13.2 伏，13.4伏…14伏(分別對(duì)應(yīng)于EV1，EV2，EV3，…EVN)，而驗(yàn)證電平 的序列在30微安開(kāi)始，每次增減4微安直到IO微安，如下30微安， 26微安，22微安，...IO微安(分別對(duì)應(yīng)于VL1，VL2，VL3，…VLN)。然 而，如上所述，對(duì)于每個(gè)擦除電壓和驗(yàn)證電平可以使用許多不同的序 列。
還應(yīng)當(dāng)注意，對(duì)于一個(gè)實(shí)施例，驗(yàn)證電平是參考電流，把它與來(lái) 自NVM單元的實(shí)際讀電流進(jìn)行比較。替換實(shí)施例可以使用不同于參 考電流的某個(gè)其它的量來(lái)代表驗(yàn)證電平。例如，驗(yàn)證電平可以是參考 電壓。另外，參考值可以與不同于讀電流的某個(gè)其它的量進(jìn)行比較. 例如，驗(yàn)證電平可以是參考電壓，它與NVM單元電壓(例如，晶體管 閾值電壓)進(jìn)行比較。替換實(shí)施例可以使用任何期望的電路特性來(lái)代表 驗(yàn)證電平。所以，在一個(gè)實(shí)施例中，驗(yàn)證電平可被稱為讀電流/電壓閾 值，而實(shí)際讀電流可被稱為實(shí)際讀電流/電壓。另夕卜，在一個(gè)實(shí)施例中， 驗(yàn)證電平選擇器28可被稱為閾值選擇器。
應(yīng)當(dāng)注意，NVM 14可包括不同于圖2所示的結(jié)構(gòu)的其它的結(jié)構(gòu)。例如，驗(yàn)證電平發(fā)生器26和驗(yàn)證電平選擇器28可以以各種方式被實(shí) 施。在一個(gè)實(shí)施例中，驗(yàn)證電平發(fā)生器26可以能夠生成任何數(shù)目的驗(yàn) 證電平(電流或電壓，取決于期望的比較類型)，并且驗(yàn)證電平選擇器 28然后可以根據(jù)來(lái)自控制電路32的選擇信號(hào)選擇這些驗(yàn)證電平之一。 例如，驗(yàn)證電平選擇器28可以從各種所生成的驗(yàn)證電平中進(jìn)行選擇， 或可以選擇在驗(yàn)證電平發(fā)生器26內(nèi)的要被使能的電路以生成所選擇 的驗(yàn)證電平。可替換地，這些功能可以被合并到單個(gè)模塊中。在一個(gè) 實(shí)施例中，每個(gè)后繼的驗(yàn)證電平可以根據(jù)初始的驗(yàn)證電平或任何其它 先前的驗(yàn)證電平生成。參照驗(yàn)證電平發(fā)生器26和驗(yàn)證電平選擇器28 描述的相同的替換例也分別適用于電壓發(fā)生器36和電壓選擇器48。 另夕卜，控制電路32可以根據(jù)需要提供任何類型的控制信號(hào)以表示選擇 和生成哪個(gè)驗(yàn)證電平和擦除電壓。
另外，任何類型的已知的電路可被用來(lái)實(shí)施NVM14的部分。例 如，任何類型的電流/電壓電平發(fā)生器可被用來(lái)實(shí)施驗(yàn)證電平發(fā)生器26 和電壓發(fā)生器36。類似地，任何類型的電路可被用來(lái)實(shí)施選擇器28 和48的選擇功能(例如，多路復(fù)用器)。另外，已知的電路可被用來(lái)實(shí) 施編程/擦除脈沖計(jì)數(shù)器34的計(jì)數(shù)器，以及實(shí)施編程/擦除脈沖發(fā)生器 64。另外，控制電路32可以以在處理器12上運(yùn)行的軟件被實(shí)施，或 作為實(shí)現(xiàn)例如流程80的控制的硬件而被實(shí)施，或作為硬件和軟件的組 合而被實(shí)施?？刂齐娐?2的部分也可以在整個(gè)NVM 14中分布和定位， 并且可能沒(méi)有如圖2所示被集中。控制電路32也可以被用來(lái)提供控制 信息和信號(hào)到與NVM 14的任何功能有關(guān)的NVM 14的任何部分。另 外，應(yīng)當(dāng)注意，這里描述的NVM 14的特定部分，例如發(fā)生器26和 36、選擇器28和48、讀驗(yàn)證電路30、編程/擦除脈沖發(fā)生器64、和控 制電路32，也可以執(zhí)行或幫助執(zhí)行NVM14的其它功能，例如編程或 驗(yàn)證"O"位。還應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明的實(shí)施例可適用于可被編程和擦除多 次的任何類型的NVM。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種用于編程/擦除非易失性存儲(chǔ)器 (NVM)的方法，包括使用第一擦除電壓發(fā)起NVM的至少一部分的擦除操作，選擇第一讀電流/電壓閾值，確定該NVM的至少一部分的 第一實(shí)際讀電流/電壓，和比較第一實(shí)際讀電流/電壓與第一讀電流/電 壓閾值。如果第一實(shí)際讀電流/電壓低于第一讀電流/電壓閾值，則該方 法還包括把至少一個(gè)擦除脈沖施加到NVM的該至少一部分，選擇第 二讀電流/電壓閾值，確定該NVM的至少一部分的第二實(shí)際讀電流/ 電壓，和比較第二實(shí)際讀電流/電壓與第二讀電流/電壓閾值。如果第二 實(shí)際讀電流/電壓不低于第二讀電流/電壓閾值，則完成擦除操作。笫一 讀電流/電壓閾值與第二讀電流/電壓閾值是不同的。
在另一個(gè)實(shí)施例中，該至少一個(gè)擦除脈沖包括第一組多個(gè)第一擦 除脈沖。第一組多個(gè)第一擦除脈沖包括N個(gè)擦除脈沖，其中N可以由 被存儲(chǔ)在NVM中的數(shù)值確定。第一組多個(gè)第一擦除脈沖中的每一個(gè) 可以具有大約第一電壓。
在再一個(gè)實(shí)施例中，如果第二實(shí)際讀電流/電壓不低于第二讀電流 /電壓閾值，則該方法還可包括把第二組多個(gè)第二擦除脈沖施加到 NVM的該至少一部分，其中每個(gè)第二擦除脈沖可以具有大約第二電 壓，第二電壓不同于第一電壓。第二電壓可以大于第一電壓。第二組 多個(gè)可以與第一組多個(gè)具有相同的數(shù)目。如果第一組多個(gè)加上第二組 多個(gè)達(dá)到預(yù)定的最大總擦除脈沖數(shù)，并且如果第二實(shí)際讀電流/電壓低 于第二讀電流/電壓閾值，則NVM可被認(rèn)為有故障的。
在另一個(gè)實(shí)施例中，第二讀電流/電壓閾值小于笫一讀電流/電壓閾值。
另外的實(shí)施例涉及一種具有非易失性存儲(chǔ)器(N VM)的集成電路， 包括閾值選擇器，它在編程/擦除循環(huán)的第 一部分期間選擇多個(gè)讀電流 /電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值，并且它在所述編程/擦除循環(huán)的 第二部分期間選擇多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值，其
中多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值與多個(gè)讀電流/電壓 閾值中的第二讀電流/電壓閾值是不同的。
在另一個(gè)實(shí)施例中，編程/擦除循環(huán)的第一部分在時(shí)間上發(fā)生在編 程/擦除循環(huán)的第二部分之前，并且多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值小于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值。
在再一個(gè)實(shí)施例中，該集成電路還包括用于在編程/擦除循環(huán)的第 一部分期間比較第一實(shí)際讀電流/電壓與多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第 一讀電流/電壓閾值的讀驗(yàn)證電路，所述讀驗(yàn)證電路還在所述編程/擦除 循環(huán)的第二部分期間比較第二實(shí)際讀電流/電壓與多個(gè)讀電流/電壓閾 值中的笫二讀電流/電壓閾值，其中所述讀驗(yàn)證電路被耦合到所述閾值 選擇器。在再一個(gè)實(shí)施例中，集成電路還包括擦除脈沖發(fā)生器，如果 第一實(shí)際讀電流/電壓低于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓
閾值，則所述擦除脈沖發(fā)生器把至少一個(gè)第一擦除脈沖施加到NVM， 如果第二實(shí)際讀電流/電壓低于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/ 電壓閾值，則所述擦除脈沖發(fā)生器還把至少一個(gè)第二擦除脈沖施加到 NVM。在再一個(gè)實(shí)施例中，該至少一個(gè)第一擦除脈沖包括具有第一電 壓的第一組多個(gè)擦除脈沖，該至少一個(gè)第二擦除脈沖包括具有第二電 壓的第二組多個(gè)擦除脈沖。第二電壓可以高于笫一電壓。
另一個(gè)替換實(shí)施例涉及一種非易失性存儲(chǔ)器(NVM)，包括NVM 陣列；用于生成多個(gè)讀電流/電壓閾值的裝置；用于在編程/擦除循環(huán)的 第一部分期間選擇多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓闞值和 用于在編程/擦除循環(huán)的第二部分期間選擇多個(gè)讀電流/電壓閾值中的 第二讀電流/電壓閾值的裝置；用于在編程/擦除循環(huán)的第一部分期間比 較第一實(shí)際讀電流/電壓與多個(gè)讀電流/電壓閾值中的笫一讀電流/電壓 閾值和在編程/擦除循環(huán)的第二部分期間比較笫二實(shí)際讀電流/電壓與 多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值的裝置；以及用于如果 笫一實(shí)際讀電流/電壓低于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓 閾值則提供第一組多個(gè)第一擦除脈沖到NVM陣列并且如果第二實(shí)際 讀電流/電壓低于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值則提 供第二組多個(gè)第二擦除脈沖到NVM陣列的裝置。
在再一個(gè)實(shí)施例中，編程/擦除循環(huán)的第一部分在時(shí)間上發(fā)生在編 程/擦除循環(huán)的第二部分之前，并且多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電 流/電壓閾值小于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一組多個(gè)第一擦除脈沖具有笫一電壓，并且第二 組多個(gè)第二擦除脈沖具有第二電壓。在再一個(gè)實(shí)施例中，第二電壓高
于第一電壓，以及在又一個(gè)實(shí)施例中，第二組多個(gè)與第一組多個(gè)具有 相同的數(shù)目。
在以上的說(shuō)明書(shū)中，參照具體的實(shí)施例描述了本發(fā)明。然而，本 領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)看到，可以作出各種修改和改變，而不脫離如在所 附權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的范圍。因此，該說(shuō)明書(shū)和附圖被視為說(shuō) 明性的，而不是限制性的，并且所有的修改都打算包括在本發(fā)明的范 圍內(nèi)。
以上通過(guò)具體的實(shí)施例描述好處、其它優(yōu)點(diǎn)和對(duì)于問(wèn)題的解決方 案。然而，好處、優(yōu)點(diǎn)、對(duì)于問(wèn)題的解決方案和可以使得任何好處、 優(yōu)點(diǎn)、或解決方案出現(xiàn)或變?yōu)楦@著的任何單元，并不被視為任何的 或所有的權(quán)利要求的關(guān)鍵的、所需要的、或必要的特征或單元。正如 這里使用的，術(shù)語(yǔ)"包括"或它的任何其它變例，期望覆蓋非排他的包 括，使得包括一系列單元的過(guò)程、方法、物品、或設(shè)備不僅僅包括那 些單元，而且還可包括沒(méi)有明顯列出的或?qū)τ谶@樣的過(guò)程、方法、項(xiàng) 目或設(shè)備固有的其它單元。
權(quán)利要求
1.一種用于編程/擦除非易失性存儲(chǔ)器(NVM)的方法，包括使用第一擦除電壓發(fā)起NVM的至少一部分的擦除操作；選擇第一讀電流/電壓閾值；確定NVM的所述至少一部分的第一實(shí)際讀電流/電壓；比較第一實(shí)際讀電流/電壓與第一讀電流/電壓閾值；如果第一實(shí)際讀電流/電壓低于第一讀電流/電壓閾值，則執(zhí)行以下步驟把至少一個(gè)擦除脈沖施加到NVM的所述至少一部分；選擇第二讀電流/電壓閾值；確定NVM的所述至少一部分的第二實(shí)際讀電流/電壓；比較第二實(shí)際讀電流/電壓與第二讀電流/電壓閾值；以及如果第二實(shí)際讀電流/電壓不低于第二讀電流/電壓閾值，則完成擦除操作，其中第一讀電流/電壓閾值與第二讀電流/電壓閾值是不同的。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述至少一個(gè)擦除脈沖包括第 一組多個(gè)第一擦除脈沖。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一組多個(gè)笫一擦除脈沖 包括N個(gè)擦除脈沖，其中N可以由存儲(chǔ)在NVM中的值確定。
4. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一組多個(gè)第一擦除脈沖 中的每一個(gè)具有大約笫一電壓。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法，還包括如果第二實(shí)際讀電流/電壓低于第二讀電流/電壓閾值，則執(zhí)行以下 步驟把第二組多個(gè)第二擦除脈沖施加到NVM的所述至少一部分， 其中每個(gè)第二擦除脈沖具有大約第二電壓，并且其中第二電壓不同于第一電壓。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中第二電壓大于笫一電壓。
7. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中第二組多個(gè)與第一組多個(gè)具有 相同的數(shù)目。
8. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中如果第一組多個(gè)加上第二組多 個(gè)達(dá)到預(yù)定的最大總擦除脈沖數(shù)，并且如果第二實(shí)際讀電流/電壓低于 第二讀電流/電壓閾值，則NVM被認(rèn)為已發(fā)生故障。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中第二讀電流/電壓閾值小于笫 一讀電流/電壓閾值。
10. —種具有非易失性存儲(chǔ)器(NVM)的集成電路，包括 閾值選擇器，它在編程/擦除循環(huán)的第一部分期間選擇多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值，并且在所述編程/擦除循環(huán)的笫 二部分期間選擇多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值，其中多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值與多個(gè)讀電 流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值是不同的。
11. 如權(quán)利要求10所述的集成電路，其中編程/擦除循環(huán)的笫一 部分在時(shí)間上發(fā)生在編程/擦除循環(huán)的第二部分之前，并且多個(gè)讀電流 /電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值小于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的笫 一讀電流/電壓閾值。
12. 如權(quán)利要求10所述的集成電路，還包括讀驗(yàn)證電路，用于在編程/擦除循環(huán)的第 一部分期間比較第 一 實(shí)際 讀電流/電壓與多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值，所述 讀驗(yàn)證電路還在所述編程/擦除循環(huán)的第二部分期間比較第二實(shí)際讀 電流/電壓與多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值，其中所 述讀驗(yàn)證電路被耦合到所述閾值選擇器。
13. 如權(quán)利要求12所述的集成電路，還包括 擦除脈沖發(fā)生器，如果第一實(shí)際讀電流/電壓低于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值，則所述擦除脈沖發(fā)生器把至少一個(gè)第 一擦除脈沖施加到NVM,如果第二實(shí)際讀電流/電壓低于多個(gè)讀電流/ 電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值，則所述擦除脈沖發(fā)生器還把至少 一個(gè)第二擦除脈沖施加到NVM。
14. 如權(quán)利要求12所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)第一擦除 脈沖包括具有第一電壓的第一組多個(gè)擦除脈沖，其中所述至少一個(gè)笫 二擦除脈沖包括具有第二電壓的第二組多個(gè)擦除脈沖。
15. 如權(quán)利要求14所述的集成電路，其中第二電壓高于第一電壓。
16. —種非易失性存儲(chǔ)器(NVM)，包括 NVM陣列；用于生成多個(gè)讀電流/電壓閾值的裝置；用于在編程/擦除循環(huán)的笫 一部分期間選擇多個(gè)讀電流/電壓閾值 中的第 一讀電流/電壓闊值并用于在編程/擦除循環(huán)的第二部分期間選 擇多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值的裝置；用于在編程/擦除循環(huán)的第 一部分期間比較笫 一 實(shí)際讀電流/電壓與多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第 一讀電流/電壓閾值并在編程/擦除循環(huán) 的第二部分期間比較第二實(shí)際讀電流/電壓與多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值的裝置；以及用于如果第一實(shí)際讀電流/電壓低于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值則提供第一組多個(gè)第一擦除脈沖到NVM陣列并且 如果第二實(shí)際讀電流/電壓低于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值則提供第二組多個(gè)第二擦除脈沖到NVM陣列的裝置。
17. 如權(quán)利要求16所述的NVM,其中編程/擦除循環(huán)的第一部分 在時(shí)間上發(fā)生在編程/擦除循環(huán)的第二部分之前，并且其中多個(gè)讀電流 /電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值小于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第 一讀電流/電壓閾值。
18. 如權(quán)利要求16所述的NVM,其中第一組多個(gè)第一擦除脈沖 具有第一電壓，并且第二組多個(gè)第二擦除脈沖具有笫二電壓。
19. 如權(quán)利要求18所述的NVM，其中第二電壓高于第一電壓。
20. 如權(quán)利要求19所述的NVM，其中第二組多個(gè)與第一組多個(gè) 具有相同的數(shù)目。
全文摘要
一種具有非易失性存儲(chǔ)器(NVM)(14)的集成電路(10)，包括閾值選擇器(28)，它在編程/擦除循環(huán)的第一部分期間選擇多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值，并且它在所述編程/擦除循環(huán)的第二部分期間選擇多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值，其中多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值與多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值是不同的。編程/擦除循環(huán)的第一部分在時(shí)間上發(fā)生在編程/擦除循環(huán)的第二部分之前。多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第二讀電流/電壓閾值小于多個(gè)讀電流/電壓閾值中的第一讀電流/電壓閾值。
文檔編號(hào)G11C11/34GK101317231SQ200680044254
公開(kāi)日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2006年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月30日
發(fā)明者M·蘇海爾 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司