專利名稱：使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記憶體的使用方法及其裝置，特別是涉及一種使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置。
背景技術(shù)：
可供系統(tǒng)存取的記憶體依其特性可概分為揮發(fā)性記憶體(volatilememory)與非揮發(fā)性記憶體(non-volatile memory)。揮發(fā)性記憶例如有動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)與靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)，此種記憶體在系統(tǒng)關(guān)機(jī)(停止供應(yīng)電能)后其中所儲(chǔ)存的資料(資料即為數(shù)據(jù)，以下均稱為資料)亦隨之消散。揮發(fā)性記憶具有讀寫快速以及不需抹除(erasing)即可重寫(rewrite)的優(yōu)點(diǎn)。反之，非揮發(fā)性記憶體在系統(tǒng)關(guān)機(jī)(停止供應(yīng)電能)后，其中所儲(chǔ)存的資料并不會(huì)隨之消失。然而，通常非揮發(fā)性記憶體在重寫資料之前必須進(jìn)行抹除，然后才能將資料正確寫入。在各種非揮發(fā)性記憶體中，快閃記憶體(flash memory，快閃記憶體即為閃存，以下均稱為快閃記憶體)可為其代表。
快閃記憶體主要應(yīng)用在系統(tǒng)的軔體儲(chǔ)存上，甚至用以儲(chǔ)存系統(tǒng)參數(shù)?？扉W記憶體的特性是抹除的時(shí)間很久，而且一次以一個(gè)區(qū)塊(sector)為單位。一般而言，快閃記憶體抹除一個(gè)區(qū)塊的時(shí)間(sector erase time)約為1(典型值)～8(最大值)秒，而寫入一個(gè)位元組的時(shí)間(byte programmingtime，位元組即為字節(jié)，以下均稱為位元組)約為35(典型值)～300(最大值)微秒。系統(tǒng)通常需要將一定的參數(shù)資料儲(chǔ)存于一塊快閃記憶體。每次使用者在作了某些操作之后，系統(tǒng)就要將這些資料抹除之后再寫回這一塊非揮發(fā)性的記憶體上。若頻繁的進(jìn)行抹除再寫回的動(dòng)作以在非揮發(fā)性記憶體中儲(chǔ)存系統(tǒng)的組態(tài)或其它資訊(資訊即為信息，以下均稱為資訊)時(shí)，將會(huì)因抹除時(shí)間過久讓使用者操作不順暢。再者，一般快閃記憶體的抹除寫入壽命約為100,000次左右。太過頻繁地抹除和重寫入將會(huì)加速縮短快閃記憶體的使用年限并降低可靠度(reliability)。
由此可見，上述現(xiàn)有的使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置在使用方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般的使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置又沒有適切的使用方法及結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的使用非揮發(fā)性記憶體的方法存在的缺陷，而提供一種新的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可以在欲更新其中資料時(shí)將新資料寫入非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中，直至非揮發(fā)性記憶體的容量用盡后才進(jìn)行抹除(erasing)，因此減少抹除的次數(shù)，從而節(jié)省抹除時(shí)間以及延長(zhǎng)其使用壽命，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置存在的缺陷，而提供一種使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，所要解決的技術(shù)問題是使其除具有前述諸目的外，更可以實(shí)際裝置實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其包括以下步驟a.提供一非揮發(fā)性記憶體，其中已預(yù)載多數(shù)個(gè)原資料；b.當(dāng)該非揮發(fā)性記憶體尚有未使用空間，且欲以一更新資料更新該些原資料其中之一時(shí)，將該更新資料寫入該非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中；以及c.當(dāng)欲更新該些原資料其中之一并且該非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間時(shí)，將已更新后的該些原資料寫入抹除后的該非揮發(fā)性記憶體中。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其中所述的步驟c包括自該非揮發(fā)性記憶體讀取已更新后的該些原資料；抹除該非揮發(fā)性記憶體；以及將已更新后的該些原資料寫入該非揮發(fā)性記憶體。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其中所述的步驟c是在抹除后的該非揮發(fā)性記憶體的起始位址處依序?qū)⒁迅潞蟮脑撔┰Y料寫入。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其中所述的步驟b中該更新資料所寫入的位址是鄰接在該非揮發(fā)性記憶體的已使用空間。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其中所述的非揮發(fā)性記憶體包括一原資料區(qū)以及一更新資料區(qū)，所預(yù)載的該些原資料即存放于該原資料區(qū)中，當(dāng)欲更新該原資料區(qū)中的該些原資料其中之一時(shí)，即將該更新資料依序?qū)懭朐摳沦Y料區(qū)中。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其中所述的更新資料包括一位址資訊以及一目前資料，其中該位址資訊是指出欲更新的該些原資料其中之一于該原資料區(qū)中的位址，而該目前資料即為該位址資訊所指的位址處所欲更新的新資料。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，更包括當(dāng)具有該自該非揮發(fā)性記憶體的電子裝置被開機(jī)時(shí)，則讀取已更新后的該些原資料、抹除該非揮發(fā)性記憶體以及將已更新后的該些原資料寫入該非揮發(fā)性記憶體。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其中所述的非揮發(fā)性記憶體是為快閃記憶體(flash memory)。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其中所述的該些原資料是為一影音播放裝置的系統(tǒng)參數(shù)。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其中所述的影音播放裝置是為一光碟播放裝置。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其包括一非揮發(fā)性記憶體，其中已預(yù)載多數(shù)個(gè)原資料，該些原資料是為該電子裝置的系統(tǒng)參數(shù)；以及一控制器，耦接至該非揮發(fā)性記憶體，用以當(dāng)欲以一更新資料更新該些原資料其中之一時(shí)，若該非揮發(fā)性記憶體尚有未使用空間，則將該更新資料寫入該非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中，以及若該非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間時(shí)，則將已更新后目前的該些原資料寫入抹除后的該非揮發(fā)性記憶體中。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其中當(dāng)該控制器欲以該更新資料更新該些原資料其中之一時(shí)，若該非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間，則先讀取該非揮發(fā)性記憶體所儲(chǔ)存的資料并且保留該些原資料的最后更新結(jié)果，然后抹除該非揮發(fā)性記憶體后將所保留的該些原資料的最后更新結(jié)果寫入該非揮發(fā)性記憶體。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其中所述的非揮發(fā)性記憶體被抹除后是在起始位址處依序?qū)⒁迅潞蟮脑撔┰Y料寫入。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其中所述的控制器將該更新資料寫入該非揮發(fā)性記憶體的位址是鄰接在該非揮發(fā)性記憶體的已使用空間。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其中所述的非揮發(fā)性記憶體包括一原資料區(qū)以及一更新資料區(qū)，所預(yù)載的該些原資料即存放在該原資料區(qū)中，當(dāng)該控制器欲更新該原資料區(qū)中的該些原資料其中之一時(shí)，即將該更新資料依序?qū)懭朐摳沦Y料區(qū)中。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其中所述的更新資料包括一位址資訊以及一目前資料，其中該位址資訊是指出欲更新的該些原資料其中之一于該原資料區(qū)中的位址，而該目前資料即為該位址資訊所指的位址處所欲更新的新資料。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其中當(dāng)該電子裝置被開機(jī)時(shí)，該控制器先讀取該非揮發(fā)性記憶體所儲(chǔ)存的所有資料并且保留該些原資料的最后更新結(jié)果，然后抹除該非揮發(fā)性記憶體后將所保留的該些原資料的最后更新結(jié)果寫入該非揮發(fā)性記憶體。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其中所述的非揮發(fā)性記憶體是為快閃記憶體(flash memory)。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其中所述的電子裝置是為一影音播放裝置。
前述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其中所述的電子裝置是為一光碟播放裝置。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種使用非揮發(fā)性記憶體的方法，包括步驟如下。首先提供非揮發(fā)性記憶體，其中已預(yù)載多個(gè)原資料。當(dāng)非揮發(fā)性記憶體尚有未使用空間，并且欲以更新資料更新各原資料其中之一時(shí)，將更新資料寫入非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中。當(dāng)欲更新各原資料其中之一并且非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間時(shí)，將已更新后的原資料寫入抹除后的非揮發(fā)性記憶體中。
本發(fā)明另提出一種使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，包括非揮發(fā)性記憶體以及控制器。非揮發(fā)性記憶體中已預(yù)載多個(gè)原資料，此原資料是為此電子裝置的系統(tǒng)參數(shù)?？刂破黢罱又练菗]發(fā)性記憶體。當(dāng)欲以更新資料更新各原資料其中之一時(shí)，若非揮發(fā)性記憶體尚有未使用空間，則將更新資料寫入非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中；若非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間時(shí)，則將已更新后目前的各原資料寫入抹除后的非揮發(fā)性記憶體中。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置，該方法包括如下步驟。首先提供非揮發(fā)性記憶體，其中已預(yù)載多個(gè)原資料。當(dāng)非揮發(fā)性記憶體尚有未使用空間，并且欲以更新資料更新各原資料其中之一時(shí)，將更新資料寫入非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中。當(dāng)欲更新各原資料其中之一并且非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間時(shí)，將已更新后的原資料寫入抹除后的非揮發(fā)性記憶體中。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明因?yàn)樵诟路菗]發(fā)性記憶體中資料時(shí)，是將新資料寫入非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中，直至非揮發(fā)性記憶體的容量用盡后才進(jìn)行抹除(erasing)，而不似現(xiàn)有技術(shù)在每次欲更新非揮發(fā)性記憶體中資料時(shí)即進(jìn)行抹除，因此大量減少抹除的次數(shù)，達(dá)到節(jié)省抹除時(shí)間以及延長(zhǎng)其使用壽命的優(yōu)點(diǎn)。
綜上所述，本發(fā)明特殊的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，可以在欲更新其中資料時(shí)將新資料寫入非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中，直至非揮發(fā)性記憶體的容量用盡后才進(jìn)行抹除(erasing)，因此減少抹除的次數(shù)，達(dá)到節(jié)省抹除時(shí)間以及延長(zhǎng)其使用壽命。本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，更可以實(shí)際裝置實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類使用方法中未見有類似的設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在使用方法上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下特舉出較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1A是本發(fā)明一較佳實(shí)施例所繪示記憶體中的一種區(qū)域方塊圖。
圖1B是本發(fā)明一較佳實(shí)施例所繪示圖1A中系統(tǒng)參數(shù)更新表的一種資料結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本發(fā)明一較佳實(shí)施例所繪示的一種使用非揮發(fā)性記憶體的方法流程圖。
圖3是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例所繪示的一種DVD播放裝置的部份電路方塊圖。
100、330快閃記憶體(flash memory)110原資料區(qū)，例如存放系統(tǒng)參數(shù)(system parameter)120更新資料區(qū)，例如存放參數(shù)更新表(parameter update list)S210～S270依照本發(fā)明較佳實(shí)施例所述的一種使用非揮發(fā)性記憶體方法的各步驟121～124參數(shù)更新表的各區(qū)域 300DVD播放裝置320同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SDRAM)310核心電路
340控制器 350MPEG解碼電路具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置其具體實(shí)施方式
、使用方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
傳統(tǒng)上，由于并沒有將非揮發(fā)性記憶體(為方說明本發(fā)明，以下僅以快閃記憶體代表其)分區(qū)使用，故每次操作都必須將整個(gè)快閃記憶體抹除后再重新寫入。在本發(fā)明的實(shí)施例中，是將快閃記憶體分區(qū)使用。圖1A是本發(fā)明一較佳實(shí)施例所繪示記憶體中的一種區(qū)域方塊圖。請(qǐng)參閱圖1A所示，快閃記憶體(flash memory)100例如包括原資料(original data)區(qū)110以及更新資料(new data)區(qū)120。在此，原資料區(qū)110例如存放系統(tǒng)參數(shù)(systemparameter)，并且假設(shè)原資料區(qū)110具有256位元組的容量。更新資料區(qū)120例如存放系統(tǒng)參數(shù)更新表(parameter update list)。
在本實(shí)施例中，系統(tǒng)參數(shù)更新表的資料結(jié)構(gòu)可以依照?qǐng)D1B實(shí)施。圖1B是本發(fā)明一較佳實(shí)施例所繪示圖1A中系統(tǒng)參數(shù)更新表120的一種資料結(jié)構(gòu)圖。在圖1B中，快閃記憶體100中的更新資料區(qū)120上規(guī)劃多個(gè)儲(chǔ)存參數(shù)資料的區(qū)域(如區(qū)域121～124)，當(dāng)每次需要將更新資料寫入的時(shí)候就選擇一塊還沒用到的區(qū)域，例如，從最小位址的區(qū)域121開始依序逐次寫入，直到更新資料區(qū)120已被寫滿之后再一次抹除。
快閃記憶體100中系統(tǒng)參數(shù)的更新方法將詳細(xì)描述如下。圖2是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例所繪示的一種使用非揮發(fā)性記憶體的方法流程圖。請(qǐng)同時(shí)參閱圖1A、1B以及圖2所示。由于快閃記憶體的特性是抹除之后讀出來的資料全為1，所以一個(gè)每個(gè)位元全為1的位址或資料可以用來代表更新資料的結(jié)束(例如區(qū)域123與區(qū)域124所示)。另外，位址或資料的每個(gè)位元全為1亦代表其為未使用空間。
在初始時(shí)，快閃記憶體100中的原資料區(qū)110已經(jīng)預(yù)存有多筆系統(tǒng)參數(shù)資料。在步驟S220中，當(dāng)使用者因操作系統(tǒng)而更改某一系統(tǒng)參數(shù)時(shí)(例如欲將原資料區(qū)110中位址0x20的原資料更新為0x17)，即檢查快閃記憶體100中的更新資料區(qū)120有無未使用空間(步驟S230)。若尚有未使用的區(qū)域，即進(jìn)行步驟S240，將欲更新系統(tǒng)參數(shù)的位址以及資料依序?qū)懭敫沦Y料區(qū)120(例如區(qū)域121)中(步驟S240)。假設(shè)系統(tǒng)此時(shí)(步驟S220)又要更新系統(tǒng)參數(shù)資料(例如欲將原資料區(qū)110中位址0x32的原資料更新為0x20)，并且更新資料區(qū)120尚有未使用的區(qū)域(步驟S230)，因此系統(tǒng)將欲更新系統(tǒng)參數(shù)的位址以及資料依序?qū)懭敫沦Y料區(qū)120(例如區(qū)域122)中(步驟S240)。依此類推，直至更新資料區(qū)120已被用盡后才進(jìn)行步驟S250。
在步驟S250中，當(dāng)更新資料寫滿的時(shí)候，便將快閃記憶體100中資料全部讀出，并且將原資料區(qū)110的原資料(系統(tǒng)參數(shù)資料)依照更新資料區(qū)120內(nèi)系統(tǒng)參數(shù)更新表的記錄逐一更新后，將完整更新后的系統(tǒng)參數(shù)保留以待后續(xù)步驟使用。接著進(jìn)行步驟S260，抹除快閃記憶體100中所有資料。待抹除完成后進(jìn)行步驟S270，將步驟S250中所保留的更新后系統(tǒng)參數(shù)寫入原資料區(qū)110。
如上所述，系統(tǒng)將快閃記憶體100整個(gè)抹除之再將最新的系統(tǒng)參數(shù)內(nèi)容寫回原資料區(qū)110后，就可以清空更新資料區(qū)120以備系統(tǒng)參數(shù)的更新。如此，因?yàn)閷懭氲馁Y料很少(以本實(shí)施例為例，每次更新只需2位元組)，抹除的次數(shù)也相對(duì)減少，對(duì)系統(tǒng)的反應(yīng)速度和快閃記憶體壽命都有很大的幫助。
再者，假如為了減少更新資料區(qū)120寫滿之后必須等待抹除的現(xiàn)象，可以在每次開機(jī)的時(shí)候?qū)ο到y(tǒng)進(jìn)行重整，將原資料區(qū)110中的系統(tǒng)參數(shù)資料更新。因此，本實(shí)施例中更可以加上步驟S210以達(dá)成前述的目的。換句話說，在每次開機(jī)的時(shí)候(步驟S211)，便將快閃記憶體100中資料全部讀出(步驟S212)，并且將原資料區(qū)110的原資料(系統(tǒng)參數(shù)資料)依照更新資料區(qū)120內(nèi)系統(tǒng)參數(shù)更新表的記錄逐一更新后，將完整更新后的系統(tǒng)參數(shù)保留以待后續(xù)步驟使用。接著抹除快閃記憶體100中所有資料(步驟S213)。待抹除完成后將步驟S212中所保留的更新后系統(tǒng)參數(shù)寫入原資料區(qū)110(步驟S214)。因此，即可清空更新資料區(qū)120以更新備系統(tǒng)參數(shù)的所需。
為能更清楚說明本發(fā)明，以下另舉一實(shí)施例。本實(shí)施例將以DVD播放裝置為例以便說明本發(fā)明的精神，但不應(yīng)以此為限。圖3是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例所繪示的一種DVD播放裝置的部份電路方塊圖。請(qǐng)參閱圖3所示，DVD播放裝置300例如包括核心電路310、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SDRAM，Synchronous Dynamic Random Access Memory)320以及非揮發(fā)性記憶體(本實(shí)施例以快閃記憶體代表)330?？扉W記憶體330中已預(yù)載多筆原資料(本實(shí)施例譬如為系統(tǒng)參數(shù)資料)。
核心電路310中例如包括控制器340以及MPEG解碼電路350?？刂破?40可以直接或間接耦接至快閃記憶體330。當(dāng)欲以更新資料更新各系統(tǒng)參數(shù)資料其中之一時(shí)，若快閃記憶體330尚有未使用空間，則控制器340將更新資料寫入快閃記憶體330的未使用空間中。若快閃記憶體330已無未使用空間時(shí)，則控制器340先讀取快閃記憶體330所儲(chǔ)存的所有資料。在此，快閃記憶體330中資料的存放結(jié)構(gòu)例如依照?qǐng)D1A以及圖1B所示快閃記憶體100而使用其。當(dāng)更新資料寫滿的時(shí)候，便將快閃記憶體330(即圖1A的快閃記憶體100)中資料全部讀出，并且將原資料區(qū)110的原資料(系統(tǒng)參數(shù)資料)依照更新資料區(qū)120內(nèi)系統(tǒng)參數(shù)更新表的記錄逐一更新后，將完整更新后的系統(tǒng)參數(shù)暫存在SDRAM 320。然后控制器340發(fā)出抹除指令以清除快閃記憶體330中所有資料。待抹除完成后，控制器340將SDRAM 320中所保留的更新后系統(tǒng)參數(shù)寫入原資料區(qū)110。其他相關(guān)方法可以依照前實(shí)施例所述施作，故不在此贅述。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于其包括以下步驟a.提供一非揮發(fā)性記憶體，其中已預(yù)載多數(shù)個(gè)原資料；b.當(dāng)該非揮發(fā)性記憶體尚有未使用空間，且欲以一更新資料更新該些原資料其中之一時(shí)，將該更新資料寫入該非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中；以及c.當(dāng)欲更新該些原資料其中之一并且該非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間時(shí)，將已更新后的該些原資料寫入抹除后的該非揮發(fā)性記憶體中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于其中所述的步驟c包括自該非揮發(fā)性記憶體讀取已更新后的該些原資料；抹除該非揮發(fā)性記憶體；以及將已更新后的該些原資料寫入該非揮發(fā)性記憶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于其中所述的步驟c是在抹除后的該非揮發(fā)性記憶體的起始位址處依序?qū)⒁迅潞蟮脑撔┰Y料寫入。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于其中所述的步驟b中該更新資料所寫入的位址是鄰接在該非揮發(fā)性記憶體的已使用空間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性記憶體包括一原資料區(qū)以及一更新資料區(qū)，所預(yù)載的該些原資料即存放于該原資料區(qū)中，當(dāng)欲更新該原資料區(qū)中的該些原資料其中之一時(shí)，即將該更新資料依序?qū)懭朐摳沦Y料區(qū)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于其中所述的更新資料包括一位址資訊以及一目前資料，其中該位址資訊是指出欲更新的該些原資料其中之一于該原資料區(qū)中的位址，而該目前資料即為該位址資訊所指的位址處所欲更新的新資料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于更包括當(dāng)具有該自該非揮發(fā)性記憶體的電子裝置被開機(jī)時(shí)，則讀取已更新后的該些原資料、抹除該非揮發(fā)性記憶體以及將已更新后的該些原資料寫入該非揮發(fā)性記憶體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性記憶體是為快閃記憶體(flash memory)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于其中所述的該些原資料是為一影音播放裝置的系統(tǒng)參數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的使用非揮發(fā)性記憶體的方法，其特征在于其中所述的影音播放裝置是為一光碟播放裝置。
11.一種使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其包括一非揮發(fā)性記憶體，其中已預(yù)載多數(shù)個(gè)原資料，該些原資料是為該電子裝置的系統(tǒng)參數(shù)；以及一控制器，耦接至該非揮發(fā)性記憶體，用以當(dāng)欲以一更新資料更新該些原資料其中之一時(shí)，若該非揮發(fā)性記憶體尚有未使用空間，則將該更新資料寫入該非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中，以及若該非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間時(shí)，則將已更新后目前的該些原資料寫入抹除后的該非揮發(fā)性記憶體中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其中當(dāng)該控制器欲以該更新資料更新該些原資料其中之一時(shí)，若該非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間，則先讀取該非揮發(fā)性記憶體所儲(chǔ)存的資料并且保留該些原資料的最后更新結(jié)果，然后抹除該非揮發(fā)性記憶體后將所保留的該些原資料的最后更新結(jié)果寫入該非揮發(fā)性記憶體。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性記憶體被抹除后是在起始位址處依序?qū)⒁迅潞蟮脑撔┰Y料寫入。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其中所述的控制器將該更新資料寫入該非揮發(fā)性記憶體的位址是鄰接在該非揮發(fā)性記憶體的已使用空間。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性記憶體包括一原資料區(qū)以及一更新資料區(qū)，所預(yù)載的該些原資料即存放在該原資料區(qū)中，當(dāng)該控制器欲更新該原資料區(qū)中的該些原資料其中之一時(shí)，即將該更新資料依序?qū)懭朐摳沦Y料區(qū)中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其中所述的更新資料包括一位址資訊以及一目前資料，其中該位址資訊是指出欲更新的該些原資料其中之一于該原資料區(qū)中的位址，而該目前資料即為該位址資訊所指的位址處所欲更新的新資料。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其中當(dāng)該電子裝置被開機(jī)時(shí)，該控制器先讀取該非揮發(fā)性記憶體所儲(chǔ)存的所有資料并且保留該些原資料的最后更新結(jié)果，然后抹除該非揮發(fā)性記憶體后將所保留的該些原資料的最后更新結(jié)果寫入該非揮發(fā)性記憶體。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性記憶體是為快閃記憶體(flash memory)。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其中所述的電子裝置是為一影音播放裝置。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用非揮發(fā)性記憶體的電子裝置，其特征在于其中所述的電子裝置是為一光碟播放裝置。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種使用非揮發(fā)性記憶體的方法及其電子裝置，該方法包括如下步驟。首先提供非揮發(fā)性記憶體，其中已預(yù)載多個(gè)原資料。當(dāng)非揮發(fā)性記憶體尚有未使用空間，并且欲以更新資料更新各原資料其中之一時(shí)，將更新資料寫入非揮發(fā)性記憶體的未使用空間中。當(dāng)欲更新各原資料其中之一并且非揮發(fā)性記憶體已無未使用空間時(shí)，將已更新后的原資料寫入抹除后的非揮發(fā)性記憶體中。
文檔編號(hào)G11C16/10GK1734678SQ20041005516
公開日2006年2月15日 申請(qǐng)日期2004年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月9日
發(fā)明者楊穎智, 陳昱志, 陳遠(yuǎn)寧, 陳建閔 申請(qǐng)人:凌陽(yáng)科技股份有限公司