本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體涉及In-cell型觸控面板及其制造方法。

背景技術：

觸控技術近些年發(fā)展迅猛，現(xiàn)有的觸控面板，根據(jù)觸控單元設置位置的不同，可分為觸控單元覆蓋于液晶盒上方式(On Cell)、觸控單元內嵌在液晶盒內方式(In Cell)以及觸控單元外掛于顯示面板方式(Out Cell)。

如圖1和圖2所示，傳統(tǒng)的自電容式In cell型觸控面板結構是在薄膜晶體管玻璃板(TPT glass)的陣列(Array)側沉積一層金屬層作為傳輸觸控信號的走線。將有效顯示(AA)區(qū)內底層氧化銦錫(B-ITO)劃分為若干個單獨的小區(qū)域。每個小區(qū)域作為一個觸控單元(Sensor pad)，觸控單元之間斷開。再將底部的金屬層通過過孔(VIA)導通到上層的觸控單元(Sensor pad)上。每一根金屬走線控制一個觸控單元。當面板處于顯示階段時，金屬走線傳輸公共電壓(Com)電位到底層氧化銦錫，當面板處于觸控階段時，金屬層傳輸觸控信號到每一個獨立的觸控單元。但是這種結構中，在陣列側多增加了一層絕緣層(PV)，從而增大了像素電極與公共電壓電極之間的距離。金屬走線與底層氧化銦錫之間具有鈍化層(TP-IL)，增加了底層氧化銦錫(B-ITO)與頂層氧化銦錫(T-ITO)之間的距離。這種結構減小了像素的儲存電容，尤其當PPI(每英寸所擁有的像素數(shù)目)越高時，存儲電容就越小，降低了面板的顯示能力。

技術實現(xiàn)要素：

針對上述現(xiàn)有技術的中In cell型觸控面板的存儲電容小，降低了面板的顯示能力的問題，本發(fā)明提出了一種In-cell型觸控面板及其制造方法。

本發(fā)明的一種In-cell型觸控面板，包括：

在彩色濾光片的一側用于傳輸信號的走線層，走線層包括多根走線。

在所述走線層上的絕緣層，所述絕緣層包括多個過孔。

在所述絕緣層上的黑色矩陣層，所述黑色矩陣層分割為多個獨立的黑色矩陣觸控單元，所述多根走線與所述多個獨立的黑色矩陣觸控單元對應，多個過孔與多個獨立的黑色矩陣觸控單元對應。

通過對應的過孔黑色矩陣觸控單元與對應的走線導通。

優(yōu)選的是，它還包括用于封裝的玻璃罩，所述玻璃罩通過光學膠固定在所述黑色矩陣層上。

優(yōu)選的是，多個獨立的黑色矩陣觸控單元之間的縫隙設有遮光結構。

優(yōu)選的是，采用柵極線(Gate line)遮擋平行于掃描線方向的縫隙，采用源漏極線遮擋平行于數(shù)據(jù)線(Data line)方向的縫隙。

優(yōu)選的是，彩色濾光片有效顯示區(qū)的黑色矩陣層以像素為單元分割為多個獨立的黑色矩陣觸控單元。

通過對黑色矩陣觸控單元之間的縫隙進行遮擋，能夠有效避免有效顯示區(qū)漏光。黑色矩陣層采用金屬制程。

本發(fā)明的一種In-cell型觸控面板的制造方法，包括以下步驟：

在彩色濾光片的一側形成用于傳輸信號的走線層，走線層包括多根走線。

在所述走線層上形成絕緣層，所述絕緣層包括多個過孔。

在所述絕緣層上形成黑色矩陣層，使得黑色矩陣層分割為多個獨立的黑色矩陣觸控單元，所述多根走線與所述多個獨立的黑色矩陣觸控單元對應，多個過孔與多個獨立的黑色矩陣觸控單元對應，通過對應的過孔黑色矩陣觸控單元與對應的走線導通。

優(yōu)選的是，它還包括在黑色矩陣層上形成光學膠層，在光學膠層上形成用于封裝的玻璃罩。

優(yōu)選的是，在多個獨立的黑色矩陣觸控單元之間的縫隙形成遮光結構。

優(yōu)選的是，采用柵極線遮擋平行于掃描線方向的縫隙，采用源漏極線遮擋平行于數(shù)據(jù)線方向的縫隙。

優(yōu)選的是，彩色濾光片有效顯示區(qū)的黑色矩陣層以像素為單元分割為多個獨立的黑色矩陣觸控單元。

本發(fā)明的In-cell型觸控面板，走線層、絕緣層和黑色矩陣層在彩色濾光片上。此種結構在薄膜晶體管基板(TPT glass)的陣列(Array)側沒有鈍化層(TP-IL)。本發(fā)明有效的降低了像素電極與公共電壓電極之間的距離，增大了像素的存儲電容，同時減少了陣列側的制程，有利于提升陣列的良率。

本發(fā)明的In-cell型觸控面板的制造方法，在彩色濾光片上沉積走線層、絕緣層和黑色矩陣層。本發(fā)明在薄膜晶體管玻璃板(TPT glass)的陣列(Array)側沒有鈍化層(TP-IL)，有效的降低了像素電極與公共電壓電極之間的距離，增大了像素的存儲電容，提升面板的顯示效果，減少了陣列側的制程，有利于提升陣列的良率。

上述技術特征可以各種適合的方式組合或由等效的技術特征來替代，只要能夠達到本發(fā)明的目的。

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發(fā)明進行更詳細的描述，其中：

圖1顯示了現(xiàn)有技術的傳統(tǒng)自電容式In cell型觸控面板的結構示意圖；

A1為底層氧化銦錫，A2為過孔，A3為有效顯示區(qū)，A4為彩色濾光片(CF)，A5為薄膜晶體管(TFT)，A6為集成電路(IC),A7為柔性電路板(FPC)；

圖2顯示了現(xiàn)有技術的傳統(tǒng)自電容式In cell型觸控基板的剖面結構示意圖；

4為黑色矩陣層(BM)，7為彩色濾光片與薄膜晶體管玻璃板間的支撐柱(PS)，A8為頂層氧化銦錫，A9為存儲電容，A10為一號絕緣層(PV)，A11為第一金屬層，A12為鈍化層(TP-IL)，A13為平坦層(PLN)，A14為源極，A15為漏極，A16為第二絕緣層(ILD)，A17為第二金屬層(GE)，A18為第三絕緣層(GI)，A19為低溫多晶硅(LTPS)，A20為緩沖層(Buffer),A21為遮光金屬層，A22為玻璃基板；

圖3顯示了實施例一的黑色矩陣層在彩色濾光片上的結構示意圖；

圖4顯示了實施例一的黑色矩陣觸控單元的結構示意圖；

圖5顯示了實施例一的一種In-cell型觸控面板的結構示意圖；

圖6顯示了實施例一的一種In-cell型觸控面板的剖面結構示意圖；

8為薄膜晶體管玻璃；

圖7顯示了實施例一的水平時序驅動信號圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術方案進行清除完整地描述。顯然，所描述的實施方式是本發(fā)明的一部分實施方式，而不是全部實施方式?；诒景l(fā)明中的實施方式，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施方式，都應屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明所要解決的技術問題是為了解決現(xiàn)有的液晶顯示面板所存在的大視角色偏現(xiàn)象。為解決上述問題，本發(fā)明的提供了以下具體實施方式進行詳細說明。

實施例一

下面結合圖3至圖7詳細地說明本實施例。

本實施方式中的一種In-cell型觸控面板，包括：

在彩色濾光片1的一側用于傳輸信號的走線層2，走線層2包括多根走線；

在走線層2上的絕緣層3，絕緣層3包括多個過孔3a；

在絕緣層3上的黑色矩陣層4，黑色矩陣層4分割為多個獨立的黑色矩陣觸控單元。

如圖3所示，黑色矩陣層4分布與彩色濾光片的有效顯示區(qū)和周邊，將周邊的黑色矩陣層與有效顯示區(qū)的黑色矩陣層分割，并將彩色濾光片1有效顯示區(qū)的黑色矩陣層4以像素為單元分割為多個獨立的黑色矩陣觸控單元。

多根走線與多個獨立的黑色矩陣觸控單元對應，多個過孔3a與多個獨立的黑色矩陣觸控單元對應。

通過對應的過孔3a黑色矩陣觸控單元與對應的走線導通。

基于上述具體實施方式，具體的：

它還包括用于封裝的玻璃罩5，玻璃罩5通過光學膠6固定在黑色矩陣層4上。

如圖4所示，多個獨立的黑色矩陣觸控單元之間的縫隙設有遮光結構。

采用柵極線遮擋平行于掃描線方向的縫隙，采用源漏極線遮擋平行于數(shù)據(jù)線方向的縫隙。圖4中，9為源漏極線，10為柵極線。

彩色濾光片1有效顯示區(qū)的黑色矩陣層4以像素為單元分割為多個獨立的黑色矩陣觸控單元。

圖5中虛線框內的黑色矩陣層為一個黑色矩陣觸控單元，黑色矩陣觸控單元之間相互獨立，一根走線與一個黑色矩陣觸控單元通過過孔導通，彩色濾光片1有效顯示區(qū)的黑色矩陣觸控單元陣列式排布。

圖6中，6為色阻層，色阻層在彩色濾光片的另一側。

圖7為水平時序驅動信號圖。

在控制面板的最后一條Gate關閉到下一個周期第1條Gate寫入時，存在著一個閃爍時間(Blinking Time)。這段時序中，將黑色矩陣層輸入高電位的傳輸電極訊號。即將一個水平周期分為觸控時間(Touch Time)與像素寫入時間(Pixel Write Time)。在像素寫入時間段，所有像素正常輸入訊號，此時黑色矩陣層的走線傳輸GND信號，作為屏蔽信號。在觸控時間段內，黑色矩陣層的走線寫入高頻的觸控電極訊號。

本實施方式在彩色濾光片的另一側沉積色阻層6，在彩色濾光片的一側沉積走線層2，作為傳輸觸控信號的走線，再沉積一層絕緣層(TP-IL)，在絕緣層上沉積一層金屬的黑色矩陣層。通過過孔黑色矩陣層與走線導通。采用玻璃罩進行封裝。

現(xiàn)有技術中將觸控單元設置于薄膜晶體管玻璃板上，在薄膜晶體管玻璃板陣列側多增加了一層絕緣層。從而增大了像素電極與公共電壓電極之間的距離，金屬走線與底層氧化銦錫之間具有鈍化層，增加了底層氧化銦錫與頂層氧化銦錫之間的距離，這種結構減小了像素的儲存電容。而本實施方式中，在彩色濾光片背離色阻層的一側設置觸控單元，解決了儲存電容小的問題。本實施方式有效的降低了像素電極與Com電極之間的厚度，增大了像素的存儲電容，提升了面板的顯示能力。

實施例二

本實施方式中的一種In-cell型觸控面板的制造方法，包括以下步驟：

在彩色濾光片1的一側形成用于傳輸信號的走線層2，走線層2包括多根走線；

在走線層2上形成絕緣層3，絕緣層3包括多個過孔3a。

在絕緣層3上形成黑色矩陣層4，使得黑色矩陣層4分割為多個獨立的黑色矩陣觸控單元，多根走線與多個獨立的黑色矩陣觸控單元對應，多個過孔3a與多個獨立的黑色矩陣觸控單元對應，通過對應的過孔3a黑色矩陣觸控單元與對應的走線導通。

基于上述具體實施方式，具體的：

它還包括在黑色矩陣層4上形成光學膠層，在光學膠層上形成用于封裝例如黑色矩陣層的玻璃罩5。

在多個獨立的黑色矩陣觸控單元之間的縫隙形成遮光結構。

采用柵極線遮擋平行于掃描線方向的縫隙，采用源漏極線遮擋平行于數(shù)據(jù)線方向的縫隙。

彩色濾光片1有效顯示區(qū)的黑色矩陣層4以像素為單元分割為多個獨立的黑色矩陣觸控單元。

現(xiàn)有技術中將觸控單元形成于薄膜晶體管玻璃板上，在薄膜晶體管玻璃板陣列側多增加了一層絕緣層，從而增大了像素電極與公共電壓電極之間的距離，金屬走線與底層氧化銦錫之間具有鈍化層，增加了底層氧化銦錫與頂層氧化銦錫之間的距離，減小了像素的儲存電容。而本實施方式中，在彩色濾光片的一側形成觸控單元，解決了儲存電容小的問題。本實施方式在薄膜晶體管玻璃板上無TP-IL絕緣層，有效的降低了像素電極與Com電極之間的厚度，增大了像素的存儲電容，提升了面板的顯示能力。

對于本領域技術人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發(fā)明內。

雖然在本文中參照了特定的實施方式來描述本發(fā)明，但是應該理解的是，這些實施例僅僅是本發(fā)明的原理和應用的示例。因此應該理解的是，可以對示例性的實施例進行許多修改，并且可以設計出其他的布置，只要不偏離所附權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。應該理解的是，可以通過不同于原始權利要求所描述的方式來結合不同的從屬權利要求和本文中所述的特征。還可以理解的是，結合單獨實施例所描述的特征可以使用在其他所述實施例中。