本實(shí)用新型涉及磁性傳感器領(lǐng)域，特別涉及一種單芯片雙軸磁電阻角度傳感器。

背景技術(shù)：

雙軸角度傳感器，用于測量兩個正交方向如X和Y方向的外磁場角度信息，可以用于磁輪速度測量，或者用于編碼器角度測量，在磁傳感器設(shè)計(jì)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

雙軸磁電阻角度傳感器包括X和Y兩個單軸磁電阻角度傳感器，每一單軸X或Y磁電阻角度傳感器通常采用推挽式電橋結(jié)構(gòu)以增強(qiáng)磁電阻角度傳感器的信號輸出，而推挽式電橋包括推磁電阻角度傳感單元和挽磁電阻角度傳感單元組成，且分別具有相反的磁場敏感方向。

對于TMR或者GMR類型的雙軸磁電阻角度傳感器，通常采用將一個具有單一磁場敏感方向如X軸的磁電阻傳感單元切片，分別翻轉(zhuǎn)90，180和270度，以此來獲得Y軸的推磁電阻傳感單元切片，挽磁電阻傳感單元切片，以及X軸的推磁電阻傳感器單元切片和挽磁電阻傳感單元切片，因此，雙軸磁電阻傳感器采用翻轉(zhuǎn)切片的方法將至少需要4片切片，其優(yōu)點(diǎn)在于，制備方法簡單，只需要一個切片，而且對應(yīng)一個鐵磁參考層結(jié)構(gòu)，其缺點(diǎn)在于，需要操作4個切片在同一平面內(nèi)進(jìn)行定位，增加了由于操作失誤導(dǎo)致的傳感器的測量精度損失的可能性。

采用多層薄膜結(jié)構(gòu)的鐵磁參考層的設(shè)計(jì)，通過改變與反鐵磁層交互耦合的鐵磁層和金屬間隔層構(gòu)成的多層薄膜的層數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)相反鐵磁參考層的推磁電阻傳感單元和挽磁電阻傳感單元的制造；對于正交的鐵磁參考層的取向，可以通過兩種不同反鐵磁層AF1以及AF2，通過兩次磁場熱退火來實(shí)現(xiàn)，其缺點(diǎn)在于，由于在沉積多層薄膜時需要引入至少四種多層薄膜結(jié)構(gòu)和兩次磁場退火，增加了微加工工藝的復(fù)雜性。

中國專利申請?zhí)枮镃N201610821610.7的專利公開了一種采用激光程控加熱磁場退火的方法以實(shí)現(xiàn)對磁電阻傳感單元進(jìn)行掃描、快速加熱反鐵磁層到阻塞溫度以上，同時在冷卻過程中可以沿任意方向施加磁場，可以逐個掃描、甚至逐片掃描實(shí)現(xiàn)磁電阻傳感單元沿任一方向的磁場敏感方向的定向，采用該方法可以實(shí)現(xiàn)在單一切片上的雙軸磁電阻傳感單元的四種具有正交取向的磁電阻傳感單元及其陣列的制造，從而克服了翻轉(zhuǎn)切片的精確定位和沉積多種磁多層薄膜結(jié)構(gòu)的微加工工藝復(fù)雜性的難題，并可實(shí)現(xiàn)單芯片雙軸磁電阻角度傳感器的批量制造。另一方面，中國專利公開號為CN104776794A的專利公開了一種單封裝的高強(qiáng)度磁場磁電阻角度傳感器，通過在磁電阻角度傳感單元的表面增加磁場衰減層的方法來增加磁電阻角度傳感單元的磁場測量范圍，該磁電阻角度傳感器依舊采用切片翻轉(zhuǎn)的方法來改變磁電阻傳感單元的磁場敏感方向，因此，如果采用激光輔助加熱磁場退火的方法來實(shí)現(xiàn)對磁電阻傳感單元磁場敏感方向的寫入操作，可以得到單芯片的雙軸高磁場強(qiáng)度磁電阻角度傳感器。

此外，在實(shí)際激光程控加熱磁退火過程中，由于磁電阻角度傳感單元在加工過程中可能存在的偏離圓形、各向異性分散，以及應(yīng)力等因素，這都可能使得實(shí)際的釘扎層磁化方向偏離所設(shè)定的+X，-X，+Y和-Y方向，因此還要求設(shè)定+X、-X軸磁電阻角度傳感單元和+Y、-Y軸磁電阻角度傳感單元釘扎層磁化方向之間夾角范圍，來保證磁電阻角度傳感單元的高效工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，本實(shí)用新型所提出的一種單芯片磁電阻角度傳感器，包括位于X-Y平面上的襯底、位于所述襯底上的推挽式X軸磁電阻角度傳感器和推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器，所述推挽式X軸磁電阻角度傳感器包含X推臂和X挽臂，所述推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器包含Y推臂和Y挽臂，所述X推臂、X挽臂、Y推臂和Y挽臂均包括至少一個磁電阻角度傳感單元陣列，所述X推臂、X挽臂、Y推臂、Y挽臂的磁電阻角度傳感單元陣列的磁場敏感方向分別沿+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向，所述X軸磁電阻角度傳感器和所述Y軸磁電阻角度傳感器具有共同的幾何中心，每個所述磁電阻角度傳感單元陣列均包括多個所述磁電阻角度傳感單元，所述磁電阻角度傳感單元為TMR或者GMR自旋閥單元，所述磁電阻角度傳感單元均具有相同的磁多層薄膜結(jié)構(gòu)，所述磁多層薄膜結(jié)構(gòu)自上而下包括種子層、反鐵磁層、釘扎層、Ru層、參考層、非磁中間層、自由層和鈍化層，或者自上而下包括種子層、反鐵磁層、參考層、非磁中間層、自由層和鈍化層，所述磁電阻角度傳感單元為TMR時，所述非磁中間層為Al₂O₃或者M(jìn)gO，所述磁電阻角度傳感單元為GMR自旋閥時，所述非磁中間層為Au或者為Cu。

所述反鐵磁層磁化方向通過激光程控加熱磁退火獲得，具有相同磁化方向的磁電阻橋臂位于相鄰位置，具有不同磁場敏感方向的相鄰磁電阻角度傳感單元陣列之間具有隔熱間隙。

進(jìn)一步地，所述推挽式X軸磁電阻角度傳感器和所述推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器為半橋、全橋或者準(zhǔn)橋結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述磁電阻角度傳感單元陣列之間排列方式：

+X、-Y、+Y、-X；

或者+X、+Y、-Y、-X；

或者-X、-Y、+Y、+X；

或者+X、-Y、+Y、-X。

進(jìn)一步地，在所述磁電阻角度傳感單元表面電鍍磁場衰減層形成高磁場角度傳感器，所述磁場衰減層的材料為高磁導(dǎo)率軟磁合金，該高磁導(dǎo)率軟磁合金包含F(xiàn)e、Co、Ni元素中的一種或多種，所述磁電阻角度傳感單元和所述磁場衰減層之間為絕緣材料層，所述磁場衰減層為圓形結(jié)構(gòu)，所述磁電阻角度傳感單元為橢圓形結(jié)構(gòu)，所述磁場衰減層的直徑大于所述磁電阻角度傳感單元的長軸距。

進(jìn)一步地，在所述磁電阻角度傳感單元表面電鍍磁場衰減層形成高磁場角度傳感器；所述磁場衰減層為圓形結(jié)構(gòu)，所述磁電阻角度傳感單元為圓形結(jié)構(gòu)，所述磁電阻角度傳感單元的直徑大于10微米，且所述磁場衰減層的直徑大于所述磁電阻角度傳感單元的直徑。。

進(jìn)一步地，所述X推臂、所述X挽臂、所述Y推臂和所述Y挽臂包含相同數(shù)量和相同電阻的磁電阻角度傳感單元，且所述磁電阻角度傳感單元通過串聯(lián)、并聯(lián)或者混合串并聯(lián)形成兩端口結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述磁電阻角度傳感單元陣列之間通過互聯(lián)導(dǎo)線進(jìn)行連接，所述互聯(lián)導(dǎo)線包括直線段和曲折段，所述直線段的一端與所述磁電阻傳感單元相連，所述直線段的另一端與所述曲折段相連，所述曲折段距離所述磁電阻角度傳感單元陣列的距離大于15微米。

進(jìn)一步地，連接電源公共端的互聯(lián)導(dǎo)線與連接地公共端的互聯(lián)導(dǎo)線具有相同的互聯(lián)電阻，連接電源公共端的互聯(lián)導(dǎo)線與連接信號輸出公共端的互聯(lián)導(dǎo)線具有相同的互聯(lián)電阻，且所述互聯(lián)導(dǎo)線通過所述直線段和曲折段以得到相同的互聯(lián)電阻。

進(jìn)一步地，所述磁電阻角度傳感單元的磁場敏感方向與所述釘扎層之間磁化方向的夾角范圍在85°和95°之間。

進(jìn)一步地，所述鈍化層為紫外激光透明材料，所述紫外激光透明材料為BCB、Si₃N₄、Al₂O₃、HfO₂、AlF₃、GdF₃、LaF₃、MgF₂、Sc₂O₃、HfO₂或SiO₂的其中一種材料。

進(jìn)一步地，所述鈍化層為紅外激光透明材料，所述紅外激光透明材料為類金剛石碳膜，MgO、SiN、SiC、AlF₃、MgF₂、SiO₂、Al₂O₃、ThF₄、ZnS、ZnSe、ZrO₂、HfO₂、TiO₂、Ta₂O₇、Si或Ge的其中一種材料。

進(jìn)一步地，所述磁多層薄膜結(jié)構(gòu)還包括抗反射涂層，所述抗反射涂層覆蓋在所述鈍化層的表面。

進(jìn)一步地，所述X軸磁電阻角度傳感器和所述Y軸磁電阻角度傳感器的電源、地、輸出引腳沿著傳感器芯片的邊緣排列。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下技術(shù)效果：本實(shí)用新型采用單芯片結(jié)構(gòu)，將兩個角度傳感器集成在同一個芯片上；并且兩個角度傳感器的磁電阻角度傳感單元具有相同的磁多層薄膜結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)緊湊、高精度、小尺寸，并可實(shí)現(xiàn)大幅度磁場工作范圍的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的單芯片雙軸磁電阻角度傳感器示意圖；

圖2(a)為一種磁電阻角度傳感單元磁多層薄膜結(jié)構(gòu)；

圖2(b)為圖2(a)中100的結(jié)構(gòu)放大圖；

圖2(c)為另一種磁電阻角度傳感單元磁多層薄膜結(jié)構(gòu)；

圖2(d)為圖2(c)中200的結(jié)構(gòu)放大圖；

圖3(a)為本實(shí)用新型的反鐵磁層磁化方向沿X方向磁電阻角度傳感單元俯視圖；

圖3(b)為本實(shí)用新型的反鐵磁層磁化方向沿Y方向磁電阻角度傳感單元俯視圖；

圖4(a)為本實(shí)用新型的釘扎層磁化方向沿X方向的高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元俯視圖；

圖4(b)為本實(shí)用新型的釘扎層磁化方向沿Y方向的高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元俯視圖；

圖5(a)為本實(shí)用新型的釘扎層磁化方向沿X方向的高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元側(cè)視圖；

圖5(b)為本實(shí)用新型的釘扎層磁化方向沿Y方向的高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元側(cè)視圖；

圖6(a)為本實(shí)用新型的推挽式X軸磁電阻角度傳感器結(jié)構(gòu)圖；

圖6(b)為本實(shí)用新型的推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器結(jié)構(gòu)圖；

圖7為本實(shí)用新型的推挽式磁電阻角度傳感器互聯(lián)電阻分布圖；

圖8(a)為本實(shí)用新型的磁電阻角度傳感單元陣列一種分布結(jié)構(gòu)圖；

圖8(b)為本實(shí)用新型的磁電阻角度傳感單元陣列另一種分布結(jié)構(gòu)圖；

圖8(c)為本實(shí)用新型的磁電阻角度傳感單元陣列另一種分布結(jié)構(gòu)圖；

圖8(d)為本實(shí)用新型的磁電阻角度傳感單元陣列另一種分布結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來詳細(xì)說明本實(shí)用新型。

實(shí)施例一

圖1為單芯片雙軸磁電阻角度傳感器示意圖，包括，位于X-Y平面上的襯底1，位于襯底1上的推挽式X軸磁電阻角度傳感器2和推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器3，其中，X軸磁電阻角度傳感器2和Y軸磁電阻角度傳感器3具有共同的幾何中心，這樣，X軸磁電阻傳感器和Y軸磁電阻傳感器在襯底1上所測量的磁場區(qū)域具有相同的平均值，推挽式X軸磁電阻角度傳感器包括X推臂和X挽臂，推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器包括Y推臂和Y挽臂，X推臂包括至少一個磁場敏感方向沿+X方向的磁電阻角度傳感單元陣列4和5，X挽臂包括至少一個磁場敏感方向沿-X方向的磁電阻角度傳感單元陣列6和7，Y推臂包括至少一個磁場敏感方向沿+Y方向的磁電阻角度傳感單元陣列8和9，Y挽臂包括至少一個磁場敏感方向沿-Y方向的磁電阻角度傳感單元陣列10和11。

從圖1中看出，相鄰的兩個磁場敏感方向不同的磁電阻傳感單元陣列如4、5和8、9之間，8、9和10、11之間，10、11和6、7之間分別由隔熱間距12-1，12-2，12-3分隔開來。具體地，+X方向的磁電阻角度傳感單元陣列與+Y方向的磁電阻角度傳感單元陣列之間具有隔熱間距12-1，也就是說，在磁電阻角度傳感單元陣列4與磁電阻角度傳感單元陣列8之間，以及磁電阻角度傳感單元陣列5與磁電阻角度傳感單元陣列8之間具有隔熱間距12-1。相應(yīng)地，+Y方向的磁電阻角度傳感單元陣列與-Y方向的磁電阻角度傳感單元陣列之間具有隔熱間距12-2，也就是說，在磁電阻角度傳感單元陣列8與磁電阻角度傳感單元陣列10之間，以及磁電阻角度傳感單元陣列9與磁電阻角度傳感單元陣列11之間具有隔熱間距12-2。并且，-Y方向的磁電阻角度傳感單元陣列與-X方向的磁電阻角度傳感單元陣列之間具有隔熱間距12-3，也就是說，在磁電阻角度傳感單元陣列10與磁電阻角度傳感單元陣列6之間，以及磁電阻角度傳感單元陣列11與磁電阻角度傳感單元陣列7之間具有隔熱間距12-3。其中，隔熱間距12的目的在于使得激光加熱對相鄰磁場敏感方向不同的磁電阻傳感單元陣列的影響進(jìn)行隔離。

進(jìn)一步地，+X、-X、+Y和-Y磁場取向的磁電阻角度傳感單元陣列均由相同的磁電阻角度傳感單元15組成，X推臂、X挽臂、Y推臂和Y挽臂均包含相同數(shù)量的+X、-X、+Y和-Y磁敏感方向磁電阻角度傳感單元，并且各自通過串聯(lián)、并聯(lián)或者混合串并聯(lián)的形式連接成兩端口結(jié)構(gòu)，并具有相同的電阻。

磁電阻角度傳感單元陣列之間通過互聯(lián)導(dǎo)線13的形式進(jìn)行連接，且對于沒有與磁電阻角度傳感單元陣列中的磁電阻角度傳感單元相連的互聯(lián)導(dǎo)線13，則位于距離磁電阻傳感單元陣列之間距離14大于15um的范圍內(nèi)；具體地，所述互聯(lián)導(dǎo)線包括直線段和曲折段，所述直線段的一端與所述磁電阻傳感單元相連，所述直線段的另一端與所述曲折段相連，所述曲折段距離所述磁電阻角度傳感單元陣列的距離大于15微米。此外，16為互聯(lián)導(dǎo)線的曲折段，其目的在于通過增加互聯(lián)導(dǎo)線總長度的方法來增加互聯(lián)導(dǎo)線電阻。

圖2為磁電阻角度傳感單元的磁多層薄膜結(jié)構(gòu)圖，磁電阻角度傳感單元20為磁隧道結(jié)MTJ或者為GMR自旋閥，其中，兩個角度傳感器的磁電阻角度傳感單元具有相同的磁多層薄膜結(jié)構(gòu)，圖2(a)為一種磁電阻角度傳感單元磁多層薄膜結(jié)構(gòu),圖2(b)為圖2(a)中100的結(jié)構(gòu)放大圖,所述磁多層薄膜結(jié)構(gòu)自上而下包括種子層23、反鐵磁層24、釘扎層25、Ru26、參考層27、非磁中間層28、自由層29、鈍化層30；或者圖2(c)為另一種磁電阻角度傳感單元磁多層薄膜結(jié)構(gòu),圖2(d)為圖2(c)中200的結(jié)構(gòu)放大圖,所述磁多層薄膜結(jié)構(gòu)自上而下包括種子層23、反鐵磁層24、參考層27、非磁中間層28、自由層29、鈍化層30；其中，對于磁隧道結(jié)MTJ，非磁中間層為Al₂O₃或者M(jìn)gO薄膜，對于GMR自旋閥，非磁中間層為金屬導(dǎo)電層如Cu和Au薄膜，在兩種情況下，反鐵磁層磁化方向24為沿+X和-X方向31，或者為+Y和-Y方向32。

圖3為磁電阻角度傳感單元20的形狀圖，圖3(a)為反鐵磁層沿X方向磁電阻角度傳感單元俯視圖，圖3(b)為反鐵磁層沿Y方向磁電阻角度傳感單元俯視圖，從圖3(a)和圖3(b)看出，兩者均為圓形結(jié)構(gòu)，反鐵磁層磁化方向分別沿+X，-X方向和+Y，-Y方向。為了保證雙軸磁電阻角度傳感器能夠正常的工作，考慮到由于磁電阻角度傳感單元可能存在的偏離圓形、熱應(yīng)力以及各向異性的分散性而導(dǎo)致的實(shí)際釘扎層磁化方向偏離+X、-X、+Y和-Y方向，還要求敏感方向?yàn)閄軸和Y軸磁電阻傳感單元的釘扎層之間角度取向范圍在85°和95°之間。

圖4為高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元俯視圖，具體地，圖4(a)為釘扎層磁化方向沿X方向的高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元俯視圖，圖4(b)為釘扎層磁化方向沿Y和方向的高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元俯視圖；圖5與圖4相對應(yīng)，圖5為高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元側(cè)視圖，具體地，圖5(a)為釘扎層磁化方向沿X方向的高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元側(cè)視圖，圖5(b)為釘扎層磁化方向沿Y方向的高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元側(cè)視圖。從圖4和圖5看出，所述高場強(qiáng)磁電阻角度傳感單元包含磁電阻角度傳感單元20以及位于磁電阻角度傳感單元上表面或者下表面的磁衰減層33，其中磁衰減層33和磁電阻角度傳感單元20之間為絕緣層34。其中，磁衰減層33為高磁導(dǎo)率軟磁合金材料，包括Fe、Co、Ni元素中的一種或者幾種，且只有在所有磁電阻角度傳感單元20的激光程控加熱磁退火完成之后，才能通過在磁電阻角度傳感單元表面電鍍磁衰減材料層33，從而得到高場強(qiáng)磁電阻角度傳感器。

具體地，在所述磁電阻角度傳感單元20表面電鍍磁場衰減層33形成高磁場角度傳感器；所述磁場衰減層33為圓形結(jié)構(gòu)，所述磁電阻角度傳感單元20為橢圓形或圓形結(jié)構(gòu)；若磁電阻角度傳感單元20為橢圓形，所述磁場衰減層33的直徑大于所述磁電阻角度傳感單元20的長軸距；若所述磁電阻角度傳感單元20為圓形結(jié)構(gòu)，所述磁場衰減層33的直徑大于所述磁電阻角度傳感單元20的直徑，并且，此時所述磁電阻角度傳感單元20的直徑大于10微米。

所述鈍化層為紫外激光透明材料，包括BCB、Si₃N₄、Al₂O₃、HfO₂、AlF₃、GdF₃、LaF₃、MgF₂、Sc₂O₃、HfO₂或SiO₂。

所述鈍化層為紅外激光透明材料，包括類金剛石碳膜，MgO、SiN、SiC、AlF₃、MgF₂、SiO₂、Al₂O₃、ThF₄、ZnS、ZnSe、ZrO₂、HfO₂、TiO₂、Ta₂O₇、Si或Ge。

所述鈍化層表面增加了抗反射涂層。

所述X軸磁電阻角度傳感器和Y軸磁電阻角度傳感器的電源、地、輸出引腳沿著矩形芯片的一個邊排列。

圖6為推挽式雙軸磁電阻角度傳感器結(jié)構(gòu)圖，可以為半橋，全橋或者準(zhǔn)橋結(jié)構(gòu)，圖6(a)為推挽式X軸磁電阻角度傳感器全橋結(jié)構(gòu)圖，圖6(b)為推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器全橋結(jié)構(gòu)圖。

圖7為推挽式磁電阻角度傳感器互聯(lián)電阻分布圖，對于推挽式X軸磁電阻角度傳感器或者推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器，無論是推挽式全橋或者半橋電路中，連接電源公共端Vs和所述推臂和挽臂的互聯(lián)導(dǎo)線，以及連接地公共端GND和所述推臂和挽臂的互聯(lián)導(dǎo)線均具有相同的互聯(lián)電阻Rc1，連接信號輸出公共端V+、V-和所述推臂和挽臂的互聯(lián)導(dǎo)線均具有相同的互聯(lián)電阻Rc2，而同時所有推臂和挽臂具有相同的電阻，這樣，可以保證推挽式X軸磁電阻角度傳感器或者推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器均能夠在0磁場時輸出為0電壓信號，為了達(dá)到這個目的，互聯(lián)導(dǎo)線通過直線段或者曲折段實(shí)現(xiàn)，如圖1中16所示曲折段以增加電阻，從而得到相同的互聯(lián)電阻。

圖8為圖1所示雙軸磁電阻角度傳感器+X，-X，+Y，-Y磁電阻角度傳感單元陣列的分布圖，為了保證X推挽式磁電阻角度傳感器和Y推挽式磁電阻角度傳感器的+X、-X、+Y、-Y磁電阻傳感單元陣列分布具有相同的幾何中心，圖8(a)分布結(jié)構(gòu)為+Y、+X、-X、-Y的磁電阻角度傳感單元陣列分布結(jié)構(gòu)圖，圖8(b)分布結(jié)構(gòu)為-Y、+X、-X、+Y的磁電阻角度傳感單元陣列分布結(jié)構(gòu)圖，圖8(c)分布結(jié)構(gòu)為+Y、-X、+X、-Y的磁電阻角度傳感單元陣列分布結(jié)構(gòu)圖，圖8(d)分布結(jié)構(gòu)為-Y、-X、+X、+Y的磁電阻角度傳感單元陣列分布結(jié)構(gòu)圖，其中具有相同磁化方向的磁電阻橋臂相鄰排列，以便激光程控操作。

綜上所述，本實(shí)用新型的磁電阻角度傳感器包括推挽式X軸磁電阻角度傳感器和推挽式Y(jié)軸磁電阻角度傳感器，兩個角度傳感器集成在同一個芯片上，使得整體尺寸小、結(jié)構(gòu)緊湊；所述X軸磁電阻角度傳感器和Y軸磁電阻角度傳感器具有共同的幾何中心，并且，兩個角度傳感器的磁電阻角度傳感單元具有相同的磁多層薄膜結(jié)構(gòu)，這樣兩個角度傳感器在襯底上所測量的磁場區(qū)域具有相同的平均值，從而使得傳感器整體具有較低的功耗；還能夠在磁電阻角度傳感單元表面沉積磁場衰減層以提高工作磁場范圍；進(jìn)一步地，相鄰的兩個磁場敏感方向不同的磁電阻傳感單元陣列之間具有隔熱間距，所述隔熱間距能夠隔離相鄰磁場敏感方向不同的磁電阻傳感單元陣列之間的影響；總之，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)緊湊、高精度，小尺寸，并可實(shí)現(xiàn)大幅度磁場工作范圍的優(yōu)點(diǎn)。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。