本發(fā)明屬于磁感應(yīng)探測技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

磁感應(yīng)探測主要利用磁阻效應(yīng)原理，其定義為：物質(zhì)在磁場中電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象叫做磁阻效應(yīng)。由于磁阻效應(yīng)只受外部磁場影響，磁阻變化導(dǎo)致輸出電壓發(fā)生變化，相較于壓敏電阻等接觸性測量元器件，磁敏感傳感器無需接觸就可對被測物檢測。具有敏感度高、無損傷檢測、對油污環(huán)境不敏感，應(yīng)用這一技術(shù)所制造的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中。尤其在現(xiàn)代汽車中，如速度檢測，角度檢測，位置檢測，電流檢測等

根據(jù)磁阻效應(yīng)產(chǎn)生的原理不同，可分為各項(xiàng)異性磁阻效應(yīng)（Anisotropic Magneto Resistance，AMR）、巨磁阻效應(yīng)（Giant Magneto Resistance，GMR）、穿遂磁阻效應(yīng)（Tunnel Magneto Resistance，TMR）

AMR傳感器芯片由磁性材料的各向異性磁電阻（AMR）制成，它的靈敏度高、功耗低、體積小、可靠性高、溫度特性好、工作頻率高、耐惡劣環(huán)境能力強(qiáng)，以及易與數(shù)字電路匹配的特性，使其廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代工業(yè)中。

GMR 傳感器和 AMR 傳感器一樣，他們都屬于磁敏電阻傳感器芯片，但其原理不同（磁敏電阻的變化方式）。與 AMR 相比，GMR 傳感器芯片有較大的磁阻變化率，較高的靈敏度，較好的線性度等方面的優(yōu)點(diǎn)。經(jīng)過多年的發(fā)展，GMR 傳感器芯片在其線性度方面，遲滯等方面的性能有了很大的提高?，F(xiàn)在，已經(jīng)生產(chǎn)出具有高靈敏度，線性度較好的磁場傳感器芯片，可以較好的感應(yīng)磁場的變化。

TMR（Tunnel MagnetoResistance）是近年來開始工業(yè)應(yīng)用的新型磁電阻效應(yīng)傳感器芯片，其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應(yīng)對磁場進(jìn)行感應(yīng)，比之前所發(fā)現(xiàn)并實(shí)際應(yīng)用的AMR芯片和GMR芯片具有更大的電阻變化率。相對于GMR芯片具有更好的溫度穩(wěn)定性，更高的靈敏度，更寬的線性范圍。

目前市場中的磁阻芯片通常采用在芯片背面放置磁體的方式布局（由于AMR的物理特性，其產(chǎn)品不適合背磁放置），信號引出點(diǎn)在芯片兩側(cè)。由于這種布局方式需要在芯片兩側(cè)連接焊盤，磁阻芯片只能擺放在磁體正中間，無法靠近磁體邊緣放置，導(dǎo)致傳感器只能正對齒輪擺放，傳感器體積大，占用空間多，不利于后續(xù)產(chǎn)品開發(fā)。而且磁阻芯片與磁體中間需要線路板與外部設(shè)備傳輸信號，芯片接收到的磁場被弱化（磁場大小隨距離增大呈冪指數(shù)減?。趹?yīng)用中不適合應(yīng)用于精密儀器設(shè)備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種基于磁阻芯片的齒輪式傳感器模組及其封裝方法，以解決目前存在的傳感器體積大，占用空間多，不利于后續(xù)產(chǎn)品開發(fā)的問題。

本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：磁阻芯片放置在磁體的N、S極連線方向上，磁阻芯片緊貼于N極表面，磁體與封裝本體內(nèi)部固定連接，磁阻芯片信號引出點(diǎn)與信號引出裝置一端聯(lián)接，該信號引出裝置另一端與焊盤連接接，該焊盤與封裝本體上下表面及一側(cè)的邊緣連接，每個焊盤中間有孔，覆蓋片覆蓋在封裝本體上，密封材料填充封裝本體和覆蓋片形成的矩形外形的空隙內(nèi)。

本發(fā)明所述封裝本體外部在焊盤一側(cè)有倒角。

本發(fā)明所述磁體與封裝本體的前端有間隙。

本發(fā)明所述磁阻芯片采取TMR磁阻芯片。

本發(fā)明封裝方法，包括下列步驟：

先將磁阻芯片緊貼于磁體表面，再使用信號引出裝置連接封裝本體的焊盤與磁阻芯片的一側(cè)，之后將覆蓋片貼于信號引出裝置上，最后使用密封材料填充封裝本體和覆蓋片形成的矩形外形的空隙內(nèi)。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)新穎，在封裝本體內(nèi)部放置磁體，磁體表面貼有磁阻芯片，并保持芯片與封裝本體的相對位置，焊盤在上下表面的同側(cè)邊緣并貫穿，方便封裝的垂直或水平焊接，封裝本體內(nèi)部的空間用密封材料填充，具有集成度高，體積小，安裝方便，焊接方式靈活，抗污染能力強(qiáng)，信號輸出穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明去掉密封材料的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明封裝背面的結(jié)構(gòu)示意圖

圖4是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖5是本發(fā)明封裝本體3的結(jié)構(gòu)剖視圖。

具體實(shí)施方式

磁阻芯片1放置在磁體2的N、S極連線方向上，磁阻芯片1緊貼于N極表面，磁體2與封裝本體3內(nèi)部固定連接，磁阻芯片信號引出點(diǎn)與信號引出裝置4一端聯(lián)接，該信號引出裝置4另一端與焊盤5連接接，該焊盤5與封裝本體上下表面及一側(cè)的邊緣連接，每個焊盤中間有孔，覆蓋片6覆蓋在封裝本體3上，密封材料7填充封裝本體和覆蓋片形成的矩形外形的空隙內(nèi)。

本發(fā)明所述封裝本體外部在焊盤一側(cè)有倒角301。

本發(fā)明所述磁體與封裝本體的前端有間隙，密封材料填充后用于保護(hù)磁體和磁阻芯片，不受外力破壞。

磁阻芯片1采取TMR磁阻芯片。

本發(fā)明封裝方法，包括下列步驟：

先將磁阻芯片1緊貼于磁體2表面，再使用信號引出裝置4連接封裝本體的焊盤5與磁阻芯片的一側(cè)，之后將覆蓋片6貼于信號引出裝置4上，最后使用密封材料7填充封裝本體和覆蓋片形成的矩形外形的空隙內(nèi)。