專利名稱：一種磁傳感器結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及磁傳感領(lǐng)域，尤其是涉及到一種磁傳感器結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
磁傳感器在電、磁學(xué)量和力學(xué)量的測量中有著廣泛的應(yīng)用。磁傳感器包擴(kuò)霍爾效應(yīng)傳感器、各向異性磁電阻傳感器、磁敏三極管、巨磁電阻磁傳感器、隧穿磁電阻磁傳感器。這些磁傳感的特點是,當(dāng)磁場變化時,材料本身的電阻發(fā)生變化,通過探測材料電阻的變化即可感知磁場的變化。除了材料本身的物理性質(zhì)發(fā)生外,結(jié)合不同的物理效應(yīng),通過結(jié)構(gòu)的設(shè)計也能夠得到高靈敏度的磁傳感器，在微磁探測方面有著廣闊的應(yīng)用前景。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型提供一種磁傳感器結(jié)構(gòu),利用光纖中傳輸?shù)墓獾南辔蝗菀妆淮女a(chǎn)生的間接應(yīng)力而影響而制成，通過干涉的方式進(jìn)行檢測，具有高的靈敏度。本實用新型所采取的技術(shù)方案為，一種磁傳感器結(jié)構(gòu)，包括襯底、光源、入射光纖、下行光纖、上行光纖、磁敏單元、出射光纖、光探測器，其中，光源與入射光纖相連接；下行光纖與上行光纖相并聯(lián)，且并聯(lián)的單元與入射光纖相串聯(lián)，并聯(lián)的單元與出射光纖相連接，出射光纖與光探測器相連接；磁敏單兀為磁致伸縮材料，包覆在下行光纖上；光源、入射光纖、下行光纖、上行光纖、磁敏單元、出射光纖和光探測器位于襯底上。本實用新型采用磁致伸縮材料來間接的為光纖施加力，通過力改變光纖內(nèi)傳輸光的相位，進(jìn)而影響輸出光的強(qiáng)度，實現(xiàn)高靈敏度的探測，適于微磁場的檢測。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1襯底、2光源、3入射光纖、4下行光纖、5上行光纖、6磁敏單兀、7出射光纖、8光探測器。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，襯底1、光源2、入射光纖3、下行光纖4、上行光纖5、磁敏單元6、出射光纖7、光探測器8，其中，光源2與入射光纖3相連接；下行光纖4與上行光纖5相并聯(lián)，且并聯(lián)的單元與入射光纖3相串聯(lián)，并聯(lián)的單元與出射光纖7相連接，出射光纖7與光探測器8相連接；磁敏單元6為磁致伸縮材料，包覆在下行光纖4上；光源2、入射光纖3、下行光纖4、上行光纖5、磁敏單元6、出射光纖7和光探測器8位于襯底I上。本實用新型采用磁致伸縮材料來間接的為光纖施加力，通過力改變光纖內(nèi)傳輸光的相位，進(jìn)而影響輸出光的強(qiáng)度，實現(xiàn)高靈敏度的探測，適于微磁場的檢測。
權(quán)利要求1.一種磁傳感器結(jié)構(gòu)，包括襯底、光源、入射光纖、下行光纖、上行光纖、磁敏單兀、出射光纖、光探測器，其特征在于: 所述的光源與入射光纖相連接，下行光纖與上行光纖相并聯(lián)，且并聯(lián)的單元與入射光纖相串聯(lián)，并聯(lián)的單元與出射光纖相連接，出射光纖與光探測器相連接； 所述的磁敏單元為磁致伸縮材料，包覆在下行光纖上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的光源、入射光纖、下行光纖、上行光纖、磁敏單元、出射光纖和光探測器位于襯底上。
專利摘要通過結(jié)構(gòu)的設(shè)計能夠得到高靈敏度的磁傳感器，在微磁探測方面有著廣闊的應(yīng)用前景。本實用新型提供一種磁傳感器結(jié)構(gòu)，包括襯底、光源、入射光纖、下行光纖、上行光纖、磁敏單元、出射光纖、光探測器，其中，光源與入射光纖相連接；下行光纖與上行光纖相并聯(lián)，且并聯(lián)的單元與入射光纖相串聯(lián)，并聯(lián)的單元與出射光纖相連接，出射光纖與光探測器相連接；磁敏單元為磁致伸縮材料，包覆在下行光纖上。本實用新型采用磁致伸縮材料來間接的為光纖施加力，通過力改變光纖內(nèi)傳輸光的相位，進(jìn)而影響輸出光的強(qiáng)度，實現(xiàn)高靈敏度的探測，適于微磁場的檢測。
文檔編號G01R33/032GK202929182SQ201220650560
公開日2013年5月8日 申請日期2012年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月20日
發(fā)明者林志娟 申請人:林志娟