技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種基于層狀鈷氧化物的低溫測溫元件，包括單晶基底、薄膜熱敏元件、金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ、導(dǎo)線Ⅰ、導(dǎo)線Ⅱ，薄膜熱敏元件在單晶基底上沿c軸外延生長，在薄膜熱敏元件上表面依次設(shè)置有等距排列的金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ，金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅳ通過導(dǎo)線Ⅰ連接恒流源輸出端，金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ通過導(dǎo)線Ⅱ連接電壓表輸入端，薄膜熱敏元件為層狀鈷氧化物薄膜；本發(fā)明測溫元件在0℃~?200℃下電阻溫度系數(shù)大，電阻溫度關(guān)系線性好，物理化學(xué)性能穩(wěn)定、成本低廉。

技術(shù)研發(fā)人員：宋世金;虞瀾;胡建力;崔凱;黃杰
受保護的技術(shù)使用者：昆明理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.07
技術(shù)公布日：2017.09.22