技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種獲得硅鍺薄膜表面增強拉曼散射信號的探測方法，該方法將納米金屬結(jié)構(gòu)作為硅基薄膜的拉曼增強襯底，利用納米金屬結(jié)構(gòu)表面等離子激元形成的強極化場使得硅基薄膜拉曼散射峰中的弱鍵強度得到增強，從而實現(xiàn)對弱鍵的探測與分析，即應(yīng)用于硅基薄膜中的表面增強拉曼散射效應(yīng)（SERS）。所述本發(fā)明中作為拉曼增強襯底的納米金屬結(jié)構(gòu)具有激發(fā)出高能表面等離子激元的特性，耦合得到的高能“熱點”具有強極化場強，使得制備于其上的硅基材料的Si?Si鍵、Si?Ge鍵、Si?O鍵及Ge?Ge鍵的極化率增強，從而使得對應(yīng)的拉曼散射信號強度增大，從而提高探測精度，用于精細結(jié)構(gòu)的分析。

技術(shù)研發(fā)人員：黃茜;仝玉鵬;安世崇;張曉丹;趙穎
受保護的技術(shù)使用者：南開大學
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.23
技術(shù)公布日：2017.10.27