1.一種單根一維納米材料截面應(yīng)力的分析方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
(1)將一維納米材料超聲分散于定位微柵上，再將定位微柵裝入透射電鏡樣品桿，確定待分析的單根一維納米材料，并使待分析的單根一維納米材料長軸方向與樣品桿傾轉(zhuǎn)軸線方向垂直；
(2)確定衍射點，傾轉(zhuǎn)樣品使得該衍射點處于強激發(fā)狀態(tài)，確定此時與待分析的單根一維納米材料長軸垂直的樣品桿傾轉(zhuǎn)軸線的轉(zhuǎn)動角度θ，在θ-15°～θ+15°轉(zhuǎn)角范圍內(nèi)，以固定傾轉(zhuǎn)步長，沿所述樣品桿傾轉(zhuǎn)軸線轉(zhuǎn)動待分析的單根一維納米材料，每轉(zhuǎn)一步記錄其對應(yīng)的傾轉(zhuǎn)電子衍射譜；在θ-15°～θ+15°轉(zhuǎn)角范圍，得到待分析的單根一維納米材料的系列傾轉(zhuǎn)電子衍射譜；
(3)每張傾轉(zhuǎn)電子衍射譜上，通過透射斑中心，平行于樣品桿傾轉(zhuǎn)軸線方向的直線為系列傾轉(zhuǎn)電子衍射譜的不變線；每張傾轉(zhuǎn)電子衍射譜以該系列傾轉(zhuǎn)不變線為基準，按照傾轉(zhuǎn)角度順序排列，形成原始倒空間三維強度矩陣；對該原始倒空間三維強度矩陣進行平移、內(nèi)插，得到真實的包含特定衍射點的倒空間三維衍射強度分布矩陣；
(4)從所述倒空間三維衍射強度分布矩陣中提取通過衍射點中心垂直于待分析的一維納米材料長軸方向的二維強度分布信息；
(5)將二維強度分布信息與理論電子衍射模擬結(jié)果結(jié)合，確定待分析的一維納米材料截面應(yīng)力分布狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析方法，其中，步驟(1)中，使待分析的單根一維納米材料的長軸方向與樣品桿軸線方向垂直的方法為：測定待分析的單根一維納米材料的長軸方向與樣品桿軸線方向的夾角α；取出樣品桿，將定位微柵旋轉(zhuǎn)90°-α角。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分析方法，其中，所述樣品桿軸線方向為樣品桿任意一個傾轉(zhuǎn)軸線方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析方法，其中，所選衍射點對應(yīng)的倒易矢量與待分析的一維納米材料長軸方向夾角小于樣品桿可傾轉(zhuǎn)角度的1/2。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其中，所選衍射點對應(yīng)的倒易矢量與待分析的一維納米材料長軸方向夾角小于15°。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析方法，其中，所述固定傾轉(zhuǎn)步長為0.05-0.5°。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析方法，其中，所述強激發(fā)狀態(tài)為所選特定衍射點對應(yīng)的晶面族與入射電子束處于布拉格衍射條件，此時特定衍射點強度達到最大值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析方法，其中，所述理論電子衍射模擬的步驟包括：建立有應(yīng)力存在狀態(tài)下的待分析的一維納米材料的原子結(jié)構(gòu)模型，并對其進行電子衍射模擬，得出特定衍射點垂直一維納米材料軸線平面的二維強度分布。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的分析方法，其中，所述建立有應(yīng)力存在狀態(tài)下的待分析的一維納米材料的原子結(jié)構(gòu)模型的數(shù)目為2-3個。