1.一種IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻測量的定位裝置，其特征在于包括支撐墻(100)、凹槽(101)和定位孔(102)；
所述支撐墻(100)距離所述凹槽(101)底部的高度為2mm；
所述凹槽(101)尺寸為13cm×13cm；
所述凹槽(101)底部均布有定位孔(102)陣列；定位孔(102)陣列為8×8陣列；
所述定位孔(102)直徑為0.51mm；
所述定位孔(102)陣列的節(jié)距為1.5mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定位裝置，其長寬高尺寸為15cm×15cm×3cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定位裝置，其材料為透明樹脂材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定位裝置，其特征在于：用于常規(guī)四探針法和雙位四探針法測量IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻的定位，或者用于方形四探針法測量IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻的定位。