本發(fā)明特別涉及一種蒸發(fā)金屬時(shí)保護(hù)芯片四邊及其側(cè)壁的方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

金屬蒸發(fā)在半導(dǎo)體制造工藝流程中極為重要且會(huì)多次使用的工藝，該步工藝的優(yōu)劣直接關(guān)系到半導(dǎo)體器件的成品率及后續(xù)成品的可靠性。目前半導(dǎo)體制造工藝流程中由于金屬蒸發(fā)前光刻時(shí)光刻膠收縮或破裂導(dǎo)致芯片四邊無(wú)法保護(hù)完全，同時(shí)芯片側(cè)壁無(wú)法通過(guò)光刻膠甩膠保護(hù)側(cè)壁，因此蒸發(fā)金屬后會(huì)出現(xiàn)難剝離以及金屬在芯片四邊和側(cè)壁殘留的情況，給后道工序帶來(lái)難度，降低了器件的成品率和可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種蒸發(fā)金屬時(shí)保護(hù)芯片四邊及其側(cè)壁的方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。

為實(shí)現(xiàn)前述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種蒸發(fā)金屬時(shí)保護(hù)芯片四邊及其側(cè)壁的方法，包括：

在芯片上端面的非器件區(qū)域和側(cè)壁上覆設(shè)光刻膠層；

于所述芯片上蒸鍍金屬；

以有機(jī)溶劑進(jìn)行金屬剝離并除去所述光刻膠層，而僅于所述芯片上端面的器件區(qū)域保留蒸鍍金屬層。

進(jìn)一步的，所述方法包括：在芯片上端面的非器件區(qū)域和側(cè)壁上均勻涂覆光刻膠，之后使所述光刻膠熱固化，形成所述光刻膠層。

進(jìn)一步的，所述方法包括：以熱板烘烤方式使所述光刻膠熱固化，形成所述光刻膠層。

進(jìn)一步的，所述有機(jī)溶劑包括丙酮，但不限于此。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括：本發(fā)明提供的蒸發(fā)金屬時(shí)保護(hù)芯片四邊及其側(cè)壁的方法，工藝流程簡(jiǎn)單，可以解決由于芯片光刻時(shí)四周保護(hù)不完全導(dǎo)致金屬蒸發(fā)后難剝離以及金屬殘留的問(wèn)題，并且可以在金屬剝離的同時(shí)完成光刻膠的去除，無(wú)需增加額外操作。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1中一種表面的非器件區(qū)域及側(cè)壁覆蓋有光刻膠層的芯片的剖視圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1中一種表面的非器件區(qū)域及側(cè)壁覆蓋有光刻膠層的芯片的俯視圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例1中一種表面的非器件區(qū)域及側(cè)壁覆蓋有光刻膠層和金屬層的芯片的剖視圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例1中一種表面的器件區(qū)域覆蓋有金屬層的芯片的剖視圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例1中一種表面的器件區(qū)域覆蓋有金屬層的芯片的俯視圖。

具體實(shí)施方式

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本案發(fā)明人經(jīng)長(zhǎng)期研究和大量實(shí)踐，得以提出本發(fā)明的技術(shù)方案。如下將對(duì)該技術(shù)方案、其實(shí)施過(guò)程及原理等作進(jìn)一步的解釋說(shuō)明。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種蒸發(fā)金屬時(shí)保護(hù)芯片四邊及其側(cè)壁的方法，包括：

在芯片上端面的非器件區(qū)域和側(cè)壁上覆設(shè)光刻膠層；

于所述芯片上蒸鍍金屬；

以有機(jī)溶劑進(jìn)行金屬剝離并除去所述光刻膠層，而僅于所述芯片上端面的器件區(qū)域保留蒸鍍金屬層。

進(jìn)一步的，所述方法包括：在芯片上端面的非器件區(qū)域和側(cè)壁上均勻涂覆光刻膠，之后使所述光刻膠熱固化，形成所述光刻膠層。

進(jìn)一步的，所述方法包括：以熱板烘烤方式使所述光刻膠熱固化，形成所述光刻膠層。

進(jìn)一步的，所述有機(jī)溶劑包括丙酮，但不限于此。

實(shí)施例1

1)使用畫(huà)筆蘸取光刻膠，對(duì)芯片四邊非器件區(qū)域以及側(cè)壁進(jìn)行涂覆；光刻膠涂覆的芯片結(jié)構(gòu)剖視圖如圖1所示，光刻膠涂覆的芯片結(jié)構(gòu)俯視圖如圖2所示；

2)光刻膠烘烤定型；使用熱板烘烤方式處理所述光刻膠層，使光刻膠凝固定型；

3)蒸發(fā)金屬；蒸發(fā)金屬的芯片結(jié)構(gòu)剖視圖如圖3所示；

4)金屬剝離；使用丙酮處理所述芯片，剝離非器件區(qū)的金屬的同時(shí)去除光刻膠；金屬剝離的芯片結(jié)構(gòu)剖視圖和俯視圖分別如圖4和圖5所示。

本發(fā)明提供的蒸發(fā)金屬時(shí)保護(hù)芯片四邊及其側(cè)壁的方法，工藝流程簡(jiǎn)單，可以解決由于芯片光刻時(shí)四周保護(hù)不完全導(dǎo)致金屬蒸發(fā)后難剝離以及金屬殘留的問(wèn)題，并且可以在金屬剝離的同時(shí)完成光刻膠的去除，無(wú)需增加額外操作。

應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種蒸發(fā)金屬時(shí)保護(hù)芯片四邊及其側(cè)壁的方法，所述方法包括：在芯片上端面的非器件區(qū)域和側(cè)壁上覆設(shè)光刻膠層；于所述芯片上蒸鍍金屬；以有機(jī)溶劑進(jìn)行金屬剝離并除去所述光刻膠層，而僅于所述芯片上端面的器件區(qū)域保留蒸鍍金屬層。本發(fā)明提供的蒸發(fā)金屬時(shí)保護(hù)芯片四邊及其側(cè)壁的方法，工藝流程簡(jiǎn)單，可以解決由于芯片光刻時(shí)四周保護(hù)不完全導(dǎo)致金屬蒸發(fā)后難剝離以及金屬殘留的問(wèn)題，并且可以在金屬剝離的同時(shí)完成光刻膠的去除，無(wú)需增加額外操作。

技術(shù)研發(fā)人員：黃寓洋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州蘇納光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.29
技術(shù)公布日：2017.10.20