本發(fā)明涉及一種用于IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻測量的定位裝置。

背景技術(shù)：

目前，在測量類似于IGBT芯片表面鋁金屬化層等薄膜結(jié)構(gòu)的方阻時(shí)，通常采用四探針法進(jìn)行測量，包括常規(guī)四探針法、雙位四探針法和方形四探針法等。但無論采用何種四探針法，都需要對探針的測量位置進(jìn)行定位，尤其對于常規(guī)四探針法，需要保證四個(gè)探針在測量樣品表面呈直線排列，并且探針之間的距離相等。然而，一般的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)探針臺無法將探針在測量樣品表面進(jìn)行精確定位，更無法保證探針之間的距離相等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了改善上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種用于IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻測量的定位裝置。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻測量的定位裝置，其特征在于包括支撐墻(100)、凹槽(101)和定位孔(102)；

所述支撐墻(100)距離所述凹槽(101)底部的高度為2mm；

所述凹槽(101)尺寸為13cm×13cm；

所述凹槽(101)底部均布有定位孔(102)陣列；

所述定位孔(102)直徑為0.51mm；定位孔(102)陣列為8×8陣列。

所述定位孔(102)陣列的節(jié)距為1.5mm；

進(jìn)一步地，所述的定位裝置，其長寬高尺寸為15cm×15cm×3cm。

進(jìn)一步地，所述的定位裝置，其材料為透明樹脂材料。

進(jìn)一步地，所述的定位裝置，其特征在于既可以用于常規(guī)四探針法和雙位四探針法測量IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻的定位，還可以用于方形四探針法測量IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻的定位。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明所述的定位裝置，結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，將所述的定位裝置扣于被測IGBT芯片表面，并將測量探針插入定位孔并與芯片表面接觸，從而實(shí)現(xiàn)測量探針的精確定位。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

結(jié)合附圖，做以下說明：

圖中標(biāo)號說明

100-支撐墻

101-凹槽

102-定位孔

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。

實(shí)施例

如圖1所示，一種IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻測量的定位裝置，其特征在于包括支撐墻(100)、凹槽(101)和定位孔(102)；

所述支撐墻(100)距離所述凹槽(101)底部的高度為2mm；

所述凹槽(101)尺寸為13cm×13cm；

所述凹槽(101)底部均布有定位孔(102)陣列；

所述定位孔(102)直徑為0.51mm；

所述定位孔(102)陣列的節(jié)距為1.5mm；

進(jìn)一步地，所述的定位裝置，其長寬高尺寸為15cm×15cm×3cm。

進(jìn)一步地，所述的定位裝置，其材料為透明樹脂材料。

進(jìn)一步地，所述的定位裝置，其特征在于定位孔(102)陣列為8×8陣列。

進(jìn)一步地，所述的定位裝置，其特征在于既可以用于常規(guī)四探針法和雙位四探針法測量IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻的定位，還可以用于方形四探針法測量IGBT芯片表面鋁金屬化層方阻的定位。

雖然本發(fā)明實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。